图形转移原理

第六章2本章内容1)光致抗蚀剂类型与机理2)干膜光致抗蚀剂图形转移工艺(干膜)3)液态光致抗蚀剂图形转移工艺(湿膜)4)电沉积光致抗蚀剂(ED 膜)5）激光直接成像技术3图形转移技术图形转移-----PCB制造中最关键的工序之一; 生产中的关键控制点，也是技术难点所在。

PCB图形转移方法有:1）丝网印刷（Screen Printing）图形转移技术;2）干膜（Dry Film）图形转移技术;3）液态光致抗蚀剂（Liquid Photoresist）图形转移技术;4）电沉积光致抗蚀剂（ED膜）制作技术;5）激光直接成像技术（Laser Drect Image）。

P1634图形转移：----在PCB制造过程中将底版上的电路图形转移到覆铜箔层压板上，形成一种抗蚀或抗电镀的掩膜图形的工艺过程。

抗蚀图形----用于“印制蚀刻工艺”，即用抗蚀材料在覆铜箔层压板上形成正相图形，未被抗蚀剂保护的铜箔，在随后的化学蚀刻工序中被去掉，蚀刻后去除抗蚀层，便得到所需的铜电路图形。

抗电镀图形----用于“图形电镀工艺”，即用抗蚀材料在覆铜层压板上形成负相图形，使所需要的表面裸铜图形，经过清洁、粗化等处理后，在其上电镀铜或电镀金属保护层(锡铅、锡镍、锡、金等)，然后去掉抗蚀层进行蚀刻，电镀的金属保护层在蚀刻工序中起抗蚀作用。

5印制蚀刻工艺流程：→贴干膜————下料→板面前处理→涂湿膜→烘干→曝光→显影→正相图形→蚀刻→去膜→→下工序图形电镀工艺过程：下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→→贴干膜————→涂湿膜→烘干→曝光→显影→负相图形→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→下工序67图形转移方法网印图形转移光化学图形转移----成本低只能制造大于或等于0.25mm 的印制导线－－能制造分辨率高的清晰图形下料→钻孔→孔金属化→全板电镀铜→板面清洁处理→贴掩孔干膜→曝光→显影→掩孔正相图形→蚀刻→去膜→下工序掩孔蚀刻工艺流程：81)光致抗蚀剂：用光化学方法获得的、能抵抗住某种蚀刻液或电镀溶液浸蚀的感光材料。

图像风格迁移原理所谓图像风格迁移，是指利⽤算法学习著名画作的风格，然后再把这种风格应⽤到另外⼀张图⽚上的技术。

著名的图像处理应⽤Prisma是利⽤风格迁移技术，普通⽤户的照⽚⾃动变换为具有艺术家风格的图⽚。

⼀、图像风格迁移的原理1、原始图像风格迁移的原理 在学习原始的图像风格迁移之前，可以在先看看ImageNet图像识别模型VGGNet（）。

事实上，可以这样理解VGGNet 的结构：前⾯的卷积层是从图像中提取“特征”，⽽后⾯的全连接层把图⽚的“特征”转换为类别概率。

其中，VGGNet中的浅层（如conv1_1，conv1_2），提取的特征往往是⽐较简单的（如检测点、线、亮度），VGGNet中的深层（如conv5_1，conv5_2），提取的特征往往⽐较复杂（如有⽆⼈脸或某种特定物体）。

VGGNet本意是输⼊图像，提取特征，并输出图像类别。

图像风格迁移正好与其相反，输⼊的是特征，输出对应这种特征的图⽚，如下图所⽰： 具体来说，风格迁移使⽤卷积层的中间特征还原出对应这种特征的原始图像。

如下图所⽰，先选取⼀幅原始图像，经过VGGNet计算后得到各个卷积层的特征。

接下来，根据这些卷积层的特征，还原出对应这种特征的原始图像。

下⾯的a、b、c、d、e分别为使⽤conv1_2、conv2_2、conv3_2、conv4_2、conv5_2的还原图像。

可以发现：浅层的还原效果往往⽐较好，卷积特征基本保留了所有原始图像中形状、位置、颜⾊、纹理等信息；深层对应的还原图像丢失了部分颜⾊和纹理信息，但⼤体保留原始图像中物体的形状和位置。

还原图像的⽅法是梯度下降法。

设原始图像为→p，期望还原的图像为→x（即⾃动⽣成的图像）。

使⽤的卷积是第l层，原始图像→p在第l层的卷积特征为P l ij。

i表⽰卷积的第i个通道，j表⽰卷积的第j个位置。

通常卷积的特征是三维的，三维坐标分别对应（⾼、宽、通道）。

此处不考虑具体的⾼和宽，只考虑位置j，相当于把卷积“压扁”了。

光刻机的原理和应用光刻技术是微电子和光学制造领域中一项至关重要的工艺技术，而光刻机作为光刻技术的核心设备，发挥着关键的作用。

本文将介绍光刻机的原理和应用，帮助读者了解该技术的基本概念和运作方式。

一、光刻机的原理光刻机是一种利用光学成像原理进行微细图形转移的设备。

其主要原理可以归结为以下几个方面：1. 掩模与底片制备：在光刻制程中，首先需要准备一个光学遮罩或掩模，它上面有一个类似于图案模板的图形构造。

然后，将掩模与底片进行对位、对准操作。

2. 光敏剂涂覆：底片表面覆盖一层特殊的光敏剂材料，其成分可根据需要进行调整。

光敏剂的主要作用是接受来自光源的光能，将以光能为媒介进行物理或化学变化。

3. 曝光过程：在光刻机中，光源会经过掩模中的孔洞形成一个形象，即复制了这些孔洞形状的图案。

形象在通过透镜的作用下，被缩小并照射在底片上。

4. 显影：光敏剂接受到曝光后的光能，会在显影过程中发生化学或物理反应，使光敏剂部分区域发生变化。

接着，显影剂将未暴光的光敏剂溶解，同时将暴光后的区域保留下来。

5. 清洗和检验：最后，需要对底片进行清洗和检验。

清洗过程是为了去除未暴光的、没有变化的光敏剂；而检验则是为了验证光刻图案是否达到预期的要求。

二、光刻机的应用光刻机在微电子制造领域有着广泛的应用，下面我们将介绍三个主要的应用领域。

1. 芯片制造：在芯片制造过程中，光刻技术扮演着重要的角色。

通过光刻机将图形准确地转移到硅片表面，制作出精细而复杂的电路结构。

光刻技术对于芯片性能及功能的提高具有关键意义。

随着科技的不断进步和需求的不断扩大，芯片制造的精度要求也在不断提高，光刻机的应用范围也日益广泛。

2. 平板显示器制造：光刻技术也广泛应用于液晶显示器（LCD）等平板显示器制造中。

在液晶显示器制造过程中，光刻机用于在透明电极和彩色滤光器之间形成微米级的光栅结构，以实现图像传输和显示。

通过光刻机的高精度光刻技术，可以生产出亮度高、对比度好、色彩准确的液晶面板。

PCB工艺基础--内层图形转移制作：日期：目录4、设备篇3、液态光致抗蚀剂工艺原理2、干膜光致抗蚀剂工艺原理1、成像概述5、物料篇1、成像概述1）有较高的分辨率，一般线宽可做到1mil及更小；2）膜层厚度可调，应用于图形电镀工艺中，不易造成夹膜问题；3）干膜的厚度及组成一致，避免成像时不连续，品1)卓越的附着力；2）成本低；3）不耐擦花，不具备长时间的叠板能力；4）曝光能量高，曝光机单位产出低；1、IL光致成像概述——流程介绍1、流程介绍—内层DI曝光1、流程介绍—内层冲孔4、设备篇3、液态光致抗蚀剂工艺原理1、成像概述2、干膜光致抗蚀剂工艺原理5、物料篇2、干膜光致抗蚀剂工艺原理保护膜双键架桥聚合单体：亲水性与疏水性的平基膜（载膜〕感光树脂层光聚合开始剂，安定剂，染料，密着促进剂2、干膜抗蚀剂工艺原理——干膜制作溶于显影液(乳状液)链状反应（自由基聚合)架桥反应光开始剂曝光M n+：Li +,Na +,K +, Ca ++Ki ：扩散速度常数氢键退膜2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理条件：ST=24/41, L/S=100/400μm压膜前基板表面MD ×3.0磨布辊+火山灰火山灰磨布辊化学(酸)处理未处理2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理显影前显影后磨布辊+火山灰火山灰磨布辊化学(酸)处理未处理条件：ST=24/41, L/S=100/100μm2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理SiO 2(尼龙刷用)α-Al 2O 3(喷砂用)磨料基板表面(研磨后)(0.1~0.2MPa)投入干燥水辊水洗基板附着异物（基板碎屑基板附着异物（吸水辊碎屑）2、干膜抗蚀剂工艺原理——贴膜质量相关实验方法：压膜前从基膜（PET〕侧加压在干膜上造成压痕，然后压膜－曝光－显影。

压膜前干膜被压受伤压膜后干膜被压受伤实验方法：压膜后从基膜（PET〕侧加压在干膜上造成压痕，然后曝光－显影。

实验方法：压膜前从保护膜（PE侧加压在干膜上造成压痕，然后压膜－曝光－显影。

光刻机的工作原理
光刻机是一种关键的微电子制造设备，用于在光敏材料上制造微细的图形和图案。

光刻机的主要工作原理可以简单概括为图案转移的过程。

首先，光刻机需要准备一个掩模，也称为掩膜或光掩模。

掩模是一个透明薄片，上面有被制作器件所需要的图形。

这些图形是用计算机辅助设计软件或其他工具制作的。

然后，将掩模放置在光刻机的光学路径中。

光刻机通过光源产生一束短波长的紫外线光，通常是紫外光或深紫外光。

这束光通过一系列光学元件，如透镜和反射镜，将光传输到掩模上。

掩模上的图形会将光分为开放区域和封闭区域。

在开放区域，光可以穿过掩模并照射到光刻胶或光敏材料上。

而在封闭区域，掩模上的图形会阻挡光线，使得相应的区域不受光的照射。

当光照射到光刻胶或光敏材料上时，它会引起化学或物理反应。

这些反应会改变光刻胶的特性或在光敏材料上形成暴露区域。

光刻胶和光敏材料在接受光照后，可以通过后续的化学处理步骤进行开发，从而显示出所需的图案。

一旦图案形成在光刻胶或光敏材料上，可以将其转移到下一层或其他材料上，例如在半导体制造过程中，可以通过将光刻胶的图案转移到硅片上来制造晶体管或其他器件。

总的来说，光刻机的工作原理是通过使用光源、光学元件和掩
模来照射光刻胶或光敏材料，将掩模上的图形转移到光刻胶或光敏材料上，并最终形成需要的微细图案。

这些图案对于微电子制造和其他领域的微纳技术发展至关重要。

什么是图像转移制造印制板过程中的一道工序就是将照相底版上的电路图像转移到覆铜箔层压板上，形成一种抗蚀或抗电镀的掩膜图像。

抗蚀图像用于“印制蚀刻工艺”，即用保护性的抗蚀材料在覆铜箔层压板上形成正相图像，那些未被抗蚀剂保护的不需要的铜箔，在随后的化学蚀刻工序中被去掉，蚀刻后去除抗蚀层，便得到所需的裸铜电路图像。

而抗电镀图像用于“图形电镀工艺”，即用保护性的抗蚀材料在覆铜层压板上形成负相图像，使所需要的图像是铜表面，经过清洁、粗化等处理后，在其上电镀铜或电镀金属保护层(锡铅、锡镍、锡、金等)，然后去掉抗蚀层进行蚀刻，电镀的金属保护层在蚀刻工序中起抗蚀作用。

以上两种工艺过过程概括如下：印制蚀刻工艺流程：下料→板面清洁处理→涂湿膜→曝光→显影（贴干膜→曝光→显影）→蚀刻→去膜→进入下工序畋形电镀工艺过程概括如下：下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→涂湿膜→曝光→显影（贴干膜→曝光→显影）→形成负相图象→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→进入下工序图像转移有两种方法，一种是网印图像转移，一种是光化学图像转移。

网印图像转移比光化学图像转移成本低，在生产批量大的情况下更是如此，但是网印抗蚀印料通常只能制造大于或等于o．25mm的印制导线，而光化学图像转移所用的光致抗蚀剂朗制造分辨率高的清晰图像。

本章所述内容为后一种方法。

光化学图像转移需要使用光致抗蚀剂，下面介绍有关光致抗蚀剂的一些基本知识1)光致抗蚀剂：用光化学方法获得的，能抵抗住某种蚀刻液或电镀溶液浸蚀的感光材料。

2)正性光致抗蚀剂：光照射部分分解(或软化)，曝光显影之后，能把生产用照相底版上透明的部分从板面上除去。

3)负性光致抗蚀剂：光照射部分聚合(或交联)，曝光显影之后，能把生产用照相底版上透明的部分保留在板面上。

4)光致抗蚀剂的分类：按用途分为耐蚀刻抗蚀剂和耐电镀抗蚀剂。

按显影类型分为全水溶性抗蚀剂、半水溶性抗蚀剂和溶剂性抗蚀剂。

按物理状态分为液体抗蚀剂和干膜抗蚀剂。

图像迁移是什么原理的应用概述图像迁移是一种计算机图像处理技术，它可以将一张图像的风格应用到另一张图像上，从而创建出具有特定风格的新图像。

图像迁移技术可以在多种应用领域得到广泛应用，包括艺术创作、图像编辑和风格化相机等。

本文将介绍图像迁移的原理及其在实际应用中的具体应用场景。

原理图像迁移的原理是基于深度学习中的卷积神经网络（Convolutional Neural Networks, CNN）和生成对抗网络（Generative Adversarial Networks, GANs）。

通过训练一个深度神经网络，该网络可以从图像中学习到抽取特定风格的特征。

然后，利用生成对抗网络的思想，将学习到的特征应用到另一张图像上。

具体的迁移过程可以简述为以下几个步骤：1.数据准备：收集具有不同风格的图像对作为训练数据集。

2.特征提取：使用卷积神经网络提取图像的特征，得到图像的风格表示。

3.风格迁移：通过生成对抗网络将图像的风格特征应用到目标图像上。

4.后处理：对生成的图像进行调整和优化，使其更符合预期的风格效果。

应用场景图像迁移技术在以下几个领域有广泛的应用：1. 艺术创作图像迁移可以用于艺术创作，艺术家可以通过将不同风格的图像进行迁移，创造出具有独特艺术风格的作品。

例如，将印象派画家的作品风格应用到现实照片上，可以创造出具有梦幻风格的艺术照片。

2. 图像编辑图像迁移技术也可以用于图像编辑中，例如将某个图像的颜色风格迁移到另一个图像上，改变图像的色调和氛围。

这对于广告设计、电影后期制作等领域具有重要的应用价值。

3. 风格化相机图像迁移可以被应用在手机相机等设备上，用户可以通过选择不同的风格进行拍摄，从而得到具有不同艺术风格的照片。

这为用户提供了更多的创作空间，使得照片更加生动有趣。

4. 虚拟现实和增强现实虚拟现实和增强现实技术中，图像迁移可以用于提供更加逼真和沉浸式的体验。

通过将真实图像的风格与虚拟场景结合，可以创造出具有惊人真实感的虚拟世界。

图形的转移的概念图形的转移是指将一个图形从原来的位置或状态移动到另一个位置或状态的过程。

在几何学中，转移可以是平移、旋转、镜像等操作，也可以是缩放、扭曲等变换。

在计算机图形学中，转移常常指的是将一个图像从一个像素坐标位置复制到另一个位置的操作。

平移是一种图形转移，它是指将一个图形沿着平行于坐标轴方向移动固定的距离。

在二维笛卡尔坐标系中，平移可以通过给图形的所有顶点增加一个固定的偏移量来实现。

例如，当把一个正方形沿x轴方向平移10个单位时，正方形的四个顶点的新坐标分别是（x+10, y），（x+10, y+10），（x, y+10），（x, y）。

旋转是另一种图形转移，它是指将一个图形绕一个固定的点旋转一定的角度。

在二维笛卡尔坐标系中，旋转可以通过将图形的每个顶点绕着旋转中心点按照一定的顺序旋转一定的角度来实现。

例如，当将一个正方形绕原点逆时针旋转45度时，正方形的新位置可以通过将每个顶点的坐标(x, y)变换为(x*cos(45)-y*sin(45), x*sin(45)+y*cos(45))来计算。

镜像是图形转移的另一种形式，它是指将一个图形沿一条直线或平面进行对称。

在二维笛卡尔坐标系中，镜像可以通过改变图形的坐标来实现。

例如，当将一个正方形关于y轴进行镜像时，只需要将正方形的所有顶点的x坐标取负值即可。

缩放是一种改变图形大小的转移，它是指将一个图形的各个部分同时按照一个比例因子进行变换。

在二维笛卡尔坐标系中，缩放可以通过改变图形的顶点坐标来实现。

例如，当将一个正方形按照2的倍数进行放大时，正方形的顶点坐标可以按照(2x, 2y) 的方式计算得到。

扭曲是一种改变图形形状的转移，它是指将一个图形的各个部分按照非线性的方式进行变换。

在二维笛卡尔坐标系中，扭曲可以通过改变图形的坐标来实现。

例如，当将一个正方形扭曲成一个椭圆形时，可以通过改变正方形的顶点坐标来实现。

在计算机图形学中，图形的转移是非常重要的，它可以用于图像处理、计算机动画、计算机辅助设计等领域。

第七章+沉积法图形转移技术第七章沉积法图形转移技术将曝光或压印形成的有机聚合物纳米图形结构转移到各种功能材料上，是微纳米加工技术的重要组成部分。

主要内容1.简介2.薄膜沉积技术3.溶脱剥离法4.电镀法5.嵌入法6.模板法7.喷墨打印法8.掠角沉积法（一）简介以上各章介绍的曝光技术和压印技术，主要形成了基于光刻胶或抗蚀剂等有机聚合物材料的微纳米结构，其功能是作为掩模，帮助形成衬底材料的微纳米结构。

之后，需要将曝光或压印形成的有机聚合物材料微纳米结构转移到衬底材料来。

这种图形转移技术主要分为两大类：沉积法图形转移和刻蚀法图形转移。

（二）薄膜沉积技术◆蒸发◆溅射◆溶胶-凝胶法◆化学气相沉积◆原子层沉积◆分子束外延化学气相沉积(CVD)技术（一种广为应用的制膜方法）CVD技术的关键是，找到合适的气相化合物作为源材料。

化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）把含有构成薄膜元素的一种或者几种化合物气体供给衬底，借助气相作用或在衬底上的化学反应生成所需薄膜。

例如：用硅烷SiH4来制备硅薄膜（SiH4 = Si +4H）气体分解方式(1) thermal deposition(2) plasma deposition(3) photon (laser, UV) deposition其技术特征在于：（1）高熔点物质能够在低温下合成（2）可以制备多种薄膜材料各种CVD技术等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是利用由输入射频功率源产生的等离子体裂解反应前驱物的CVD工艺，其主要优点是可以降低基片温度，并可精确控制化学剂量比，实现薄膜的原价掺杂。

热丝化学气相沉积(HWCVD)是利用由高温热丝来分解反应前驱物的CVD工艺，其主要优点是可以降低基片温度，沉积速率快。

激光诱导化学气相沉积(LCVD)是利用激光束的能量分解反应前驱物的CVD 工艺。

根据对激光束的控制，既可进行大面积的薄膜沉积，也可进行微米范围的局部微区沉积。