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第六章2本章内容1)光致抗蚀剂类型与机理2)干膜光致抗蚀剂图形转移工艺(干膜)3)液态光致抗蚀剂图形转移工艺(湿膜)4)电沉积光致抗蚀剂(ED 膜)5）激光直接成像技术3图形转移技术图形转移-----PCB制造中最关键的工序之一; 生产中的关键控制点，也是技术难点所在。
PCB图形转移方法有:1）丝网印刷（Screen Printing）图形转移技术;2）干膜（Dry Film）图形转移技术;3）液态光致抗蚀剂（Liquid Photoresist）图形转移技术;4）电沉积光致抗蚀剂（ED膜）制作技术;5）激光直接成像技术（Laser Drect Image）。
P1634图形转移：----在PCB制造过程中将底版上的电路图形转移到覆铜箔层压板上，形成一种抗蚀或抗电镀的掩膜图形的工艺过程。
抗蚀图形----用于“印制蚀刻工艺”，即用抗蚀材料在覆铜箔层压板上形成正相图形，未被抗蚀剂保护的铜箔，在随后的化学蚀刻工序中被去掉，蚀刻后去除抗蚀层，便得到所需的铜电路图形。
抗电镀图形----用于“图形电镀工艺”，即用抗蚀材料在覆铜层压板上形成负相图形，使所需要的表面裸铜图形，经过清洁、粗化等处理后，在其上电镀铜或电镀金属保护层(锡铅、锡镍、锡、金等)，然后去掉抗蚀层进行蚀刻，电镀的金属保护层在蚀刻工序中起抗蚀作用。
5印制蚀刻工艺流程：→贴干膜————下料→板面前处理→涂湿膜→烘干→曝光→显影→正相图形→蚀刻→去膜→→下工序图形电镀工艺过程：下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→→贴干膜————→涂湿膜→烘干→曝光→显影→负相图形→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→下工序67图形转移方法网印图形转移光化学图形转移----成本低只能制造大于或等于0.25mm 的印制导线－－能制造分辨率高的清晰图形下料→钻孔→孔金属化→全板电镀铜→板面清洁处理→贴掩孔干膜→曝光→显影→掩孔正相图形→蚀刻→去膜→下工序掩孔蚀刻工艺流程：81)光致抗蚀剂：用光化学方法获得的、能抵抗住某种蚀刻液或电镀溶液浸蚀的感光材料。
图像风格迁移原理所谓图像风格迁移，是指利⽤算法学习著名画作的风格，然后再把这种风格应⽤到另外⼀张图⽚上的技术。
著名的图像处理应⽤Prisma是利⽤风格迁移技术，普通⽤户的照⽚⾃动变换为具有艺术家风格的图⽚。
⼀、图像风格迁移的原理1、原始图像风格迁移的原理 在学习原始的图像风格迁移之前，可以在先看看ImageNet图像识别模型VGGNet（）。
事实上，可以这样理解VGGNet 的结构：前⾯的卷积层是从图像中提取“特征”，⽽后⾯的全连接层把图⽚的“特征”转换为类别概率。
其中，VGGNet中的浅层（如conv1_1，conv1_2），提取的特征往往是⽐较简单的（如检测点、线、亮度），VGGNet中的深层（如conv5_1，conv5_2），提取的特征往往⽐较复杂（如有⽆⼈脸或某种特定物体）。
VGGNet本意是输⼊图像，提取特征，并输出图像类别。
图像风格迁移正好与其相反，输⼊的是特征，输出对应这种特征的图⽚，如下图所⽰： 具体来说，风格迁移使⽤卷积层的中间特征还原出对应这种特征的原始图像。
如下图所⽰，先选取⼀幅原始图像，经过VGGNet计算后得到各个卷积层的特征。
接下来，根据这些卷积层的特征，还原出对应这种特征的原始图像。
下⾯的a、b、c、d、e分别为使⽤conv1_2、conv2_2、conv3_2、conv4_2、conv5_2的还原图像。
可以发现：浅层的还原效果往往⽐较好，卷积特征基本保留了所有原始图像中形状、位置、颜⾊、纹理等信息；深层对应的还原图像丢失了部分颜⾊和纹理信息，但⼤体保留原始图像中物体的形状和位置。
还原图像的⽅法是梯度下降法。
设原始图像为→p，期望还原的图像为→x（即⾃动⽣成的图像）。
使⽤的卷积是第l层，原始图像→p在第l层的卷积特征为P l ij。
i表⽰卷积的第i个通道，j表⽰卷积的第j个位置。
通常卷积的特征是三维的，三维坐标分别对应（⾼、宽、通道）。
此处不考虑具体的⾼和宽，只考虑位置j，相当于把卷积“压扁”了。
光刻机的原理和应用光刻技术是微电子和光学制造领域中一项至关重要的工艺技术，而光刻机作为光刻技术的核心设备，发挥着关键的作用。
本文将介绍光刻机的原理和应用，帮助读者了解该技术的基本概念和运作方式。
一、光刻机的原理光刻机是一种利用光学成像原理进行微细图形转移的设备。
其主要原理可以归结为以下几个方面：1. 掩模与底片制备：在光刻制程中，首先需要准备一个光学遮罩或掩模，它上面有一个类似于图案模板的图形构造。
然后，将掩模与底片进行对位、对准操作。
2. 光敏剂涂覆：底片表面覆盖一层特殊的光敏剂材料，其成分可根据需要进行调整。
光敏剂的主要作用是接受来自光源的光能，将以光能为媒介进行物理或化学变化。
3. 曝光过程：在光刻机中，光源会经过掩模中的孔洞形成一个形象，即复制了这些孔洞形状的图案。
形象在通过透镜的作用下，被缩小并照射在底片上。
4. 显影：光敏剂接受到曝光后的光能，会在显影过程中发生化学或物理反应，使光敏剂部分区域发生变化。
接着，显影剂将未暴光的光敏剂溶解，同时将暴光后的区域保留下来。
5. 清洗和检验：最后，需要对底片进行清洗和检验。
清洗过程是为了去除未暴光的、没有变化的光敏剂；而检验则是为了验证光刻图案是否达到预期的要求。
二、光刻机的应用光刻机在微电子制造领域有着广泛的应用，下面我们将介绍三个主要的应用领域。
1. 芯片制造：在芯片制造过程中，光刻技术扮演着重要的角色。
通过光刻机将图形准确地转移到硅片表面，制作出精细而复杂的电路结构。
光刻技术对于芯片性能及功能的提高具有关键意义。
随着科技的不断进步和需求的不断扩大，芯片制造的精度要求也在不断提高，光刻机的应用范围也日益广泛。
2. 平板显示器制造：光刻技术也广泛应用于液晶显示器（LCD）等平板显示器制造中。
在液晶显示器制造过程中，光刻机用于在透明电极和彩色滤光器之间形成微米级的光栅结构，以实现图像传输和显示。
通过光刻机的高精度光刻技术，可以生产出亮度高、对比度好、色彩准确的液晶面板。
PCB工艺基础--内层图形转移制作：日期：目录4、设备篇3、液态光致抗蚀剂工艺原理2、干膜光致抗蚀剂工艺原理1、成像概述5、物料篇1、成像概述1）有较高的分辨率，一般线宽可做到1mil及更小；2）膜层厚度可调，应用于图形电镀工艺中，不易造成夹膜问题；3）干膜的厚度及组成一致，避免成像时不连续，品1)卓越的附着力；2）成本低；3）不耐擦花，不具备长时间的叠板能力；4）曝光能量高，曝光机单位产出低；1、IL光致成像概述——流程介绍1、流程介绍—内层DI曝光1、流程介绍—内层冲孔4、设备篇3、液态光致抗蚀剂工艺原理1、成像概述2、干膜光致抗蚀剂工艺原理5、物料篇2、干膜光致抗蚀剂工艺原理保护膜双键架桥聚合单体：亲水性与疏水性的平基膜（载膜〕感光树脂层光聚合开始剂，安定剂，染料，密着促进剂2、干膜抗蚀剂工艺原理——干膜制作溶于显影液(乳状液)链状反应（自由基聚合)架桥反应光开始剂曝光M n+：Li +,Na +,K +, Ca ++Ki ：扩散速度常数氢键退膜2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理条件：ST=24/41, L/S=100/400μm压膜前基板表面MD ×3.0磨布辊+火山灰火山灰磨布辊化学(酸)处理未处理2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理显影前显影后磨布辊+火山灰火山灰磨布辊化学(酸)处理未处理条件：ST=24/41, L/S=100/100μm2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理SiO 2(尼龙刷用)α-Al 2O 3(喷砂用)磨料基板表面(研磨后)(0.1~0.2MPa)投入干燥水辊水洗基板附着异物（基板碎屑基板附着异物（吸水辊碎屑）2、干膜抗蚀剂工艺原理——贴膜质量相关实验方法：压膜前从基膜（PET〕侧加压在干膜上造成压痕，然后压膜－曝光－显影。
压膜前干膜被压受伤压膜后干膜被压受伤实验方法：压膜后从基膜（PET〕侧加压在干膜上造成压痕，然后曝光－显影。
实验方法：压膜前从保护膜（PE侧加压在干膜上造成压痕，然后压膜－曝光－显影。
