童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(放大电路中的反馈)
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第6章放大电路中的反馈一、选择题在输入量不变的情况下,若引入反馈后(),则说明引入的反馈是负反馈。
[北京科技大学2011研]A.输入电阻增大B.输出量增大C.净输入量增大D.净输入量减小【答案】D【解析】根据反馈的效果可以区分反馈的极性,使放大电路净输入量减小的反馈称为负反馈,反之为正反馈。
二、判断题1.放大电路引入深度负反馈,则Xi≈Xf。
()[北京科技大学2011研]【答案】√【解析】深度负反馈的实质是在近似分析中忽略净输入量,所以Xi≈Xf。
2.为了提高输入电阻,降低输出电阻,应当引入串联电流负反馈。
()[北京科技大学2011研]【答案】×【解析】为了提高输入电阻,可以采用串联负反馈,为了降低输出电阻,可以采用电压负反馈,因此采用串联电压负反馈。
三、计算分析题1.图6-1(a)、(b)所示为两个反馈电路。
试指出在这两个电路中,分别由哪些元器件组成了放大通路?哪些元器件组成了反馈通路?分别是何种反馈?设放大器是理想的运放,试写出电路的电压放大倍数的表达式。
[中山大学2003研](a)(b)图6-1解:(1)在图6-1(a)中,运放A l为放大电路,运放A2及R2为反馈通路。
由于当输出电压为零时A2的同向输入端大小为零,反馈为零,所以是电压反馈。
反馈端与输入端由同一端相连,故为并联反馈,此电路为电压并联负反馈。
因为放大器都为理想的运放,所以有虚断和虚短。
则有由上面的式子可以得到电压的放大倍数为(2)在图6-1(b)中,运放A l为放大电路。
运放A2、电阻R2和电阻R3组成反馈通路。
当输出为零时,反馈电压也为零,是电压反馈,反馈端与输入端从不同段影响输入,为串联反馈,此电路为电压串联负反馈。
因为放大器都为理想的运放,所以有虚断和虚短。
则有由上式可得,电压的放大倍数为2.一电流并联负反馈电路的交流通路如图6-2所示。
设R cl=5kΩ,R c2=5kΩ,R E2=1kΩ,R f=15kΩ,R s=5kΩ,βl=β2=50,r bel=r BE2=1kΩ,r CE=100kΩ,试求放大器的电压增益、输入电阻和输出电阻。
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确�用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素�可将其改型为P型半导体。
(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子�所以它带负电。
(×)(3)P N结在无光照、无外加电压时�结电流为零。
(√)(4)处于放大状态的晶体管�集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压�才能保证R大的特点。
(√)其G S(6)若耗尽型N沟道M O S管的G S U大于零�则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l)P N结加正向电压时�空间电荷区将A。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时�发射结电压和集电结电压应为B。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)U G S=0V时�能够工作在恒流区的场效应管有A、C。
A.结型管B.增强型M O S管C.耗尽型M O S管三、写出图T l.3所示各电路的输出电压值�设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解�U O1=1.3V,U O2=0V,U O3=-1.3V,U O4=2V,U O5=1.3V,U O6=-2V。
精品行业资料,仅供参考,需要可下载并修改后使用!第六章 放大电路中的反馈自测题一、在括号内填入“√”或“×”,表明下列说法是否正确。
(1)若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。
( )(2)负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
( )(3)若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。
( )(4)阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后,越容易产生低频振荡。
( )解:(1)× (2)√ (3)× (4)√二、已知交流负反馈有四种组态:A .电压串联负反馈B .电压并联负反馈C .电流串联负反馈D .电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内,只填入A 、B 、C 或D 。
(1)欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入 ;(2)欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入 ;(3)欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入 ;(4)欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入 。
解:(1)B (2)C (3)A (4)D三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈;若引入了反馈,则判断是正反馈还是负反馈;若引入了交流负反馈,则判断是哪种组态的负反馈,并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A 或fs u A 。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T6.3解:图(a )所示电路中引入了电流串联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 L 31321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u ⋅++≈++= 式中R L 为电流表的等效电阻。
图(b )所示电路中引入了电压并联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 12f 2 1R R A R F u -≈-= 图(c )所示电路中引入了电压串联负反馈。
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第1章常用半导体器件
1.1复习笔记
1.2课后习题详解
1.3名校考研真题详解
第2章基本放大电路
2.1复习笔记
2.2课后习题详解
2.3名校考研真题详解
第3章多级放大电路
3.1复习笔记
3.2课后习题详解
3.3名校考研真题详解
第4章放大电路的频率响应
4.1复习笔记
4.2课后习题详解
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第5章放大电路中的反馈
5.1复习笔记
5.2课后习题详解
5.3名校考研真题详解
第6章信号的运算和处理
6.1复习笔记
6.2课后习题详解
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第7章波形的发生和信号的转换
7.1复习笔记
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第8章功率放大电路
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第9章直流电源
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9.3名校考研真题详解第10章模拟电子电路读图10.1复习笔记
10.2课后习题详解10.3名校考研真题详解。
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
第5章放大电路中的反馈
5.1 复习笔记
本章主要讲述了反馈的基本概念、负反馈放大电路的方块图、负反馈对电路性能的影响以及放大电路的稳定性等问题,阐明了反馈的判断方法、深度负反馈条件下放大倍数的估算、负反馈放大电路的稳定性判断方法和自激振荡的消除方法等。
通过本章的学习,读者应能做到会判,即能正确判断电路中是否引入反馈及反馈的性质;会算,即理解负反馈放大倍数A•
的物理意义,并能够在深度负反馈条件下估算其值;会用,即掌握负反馈四种组态对电路f
的影响,并能根据实际要求为放大电路选择组态类型;会判振、消振,即掌握自激振荡产生原因,并能根据环路增益波特图判断稳定性,同时了解消除自激振荡的方式。
一、反馈的基本概念及判断方法
1.反馈的基本概念(见表5-1-1)
表5-1-1 反馈的基本概念
2.反馈的判断方法(见表5-1-2)
表5-1-2 反馈的判断方法
二、负反馈放大电路的方框图及四种基本组态
1.负反馈放大电路的方框图
任何反馈放大电路均可用图5-1-1所示方框图描述。
图5-1-1 负反馈放大电路方框图
基本放大电路放大倍数A•、反馈系数F•和反馈放大电路的放大倍数A•f表达式为:
其中,A•F•称为环路放大倍数。
2.负反馈中四种基本组态的比较
反馈的组态不同,X•i、X•f、X•i′、X•o的量纲也就不同,因而A•、F•、A•f的物理意义也不同,四种反馈组态电路的方框图、它们的A•、F•、A•f及其量纲见表5-1-3。
表5-1-3 四种反馈组态电路
三、放大电路在深度负反馈条件下的放大倍数
1.深度负反馈的实质(见表5-1-4)
表5-1-4 深度负反馈的实质
2.深度负反馈条件下的近似计算
若求出四种组态负反馈放大电路的反馈系数F•,则A•f≈1/F•,可求出电压放大倍数。
表5-1-3所示方框图中并联负反馈电路所加信号源为U s,且其内阻为R s,总负载电阻为R L′,则四种组态负反馈放大电路的反馈系数F•和电压放大倍数如表5-1-5所示。
表5-1-5 负反馈放大电路反馈系数和电压放大倍数
从表中可以看出,电压负反馈电压放大倍数与负载无关,说明输出近似为恒压源;电流负反馈电路电压放大倍数与负载电阻呈线性关系,说明输出近似恒流源;电压放大倍数与放大管参数无关,因而稳定。
3.由集成运放组成的四种组态负反馈放大电路(见表5-1-6)
表5-1-6 集成运放组成的四种组态反馈电路。