最新大物习题下册答案

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大物习题下册答案第十一章1、B2、D3、()40216/R S Q ε∆π,由圆心O 点指向△S4、-3σ / (2ε0) -σ / (2ε0) 3σ / (2ε0)5、 πR 2E6、解:1q 在C 点产生的场强:11204ACq E i rπε=,2q 在C 点产生的场强:22204BCq E j r πε=, ∴C 点的电场强度:4412 2.710 1.810E E E i j =+=⨯+⨯;C 点的合场强:224123.2410V E E E m=+=⨯, 方向如图: 1.8arctan33.73342'2.7α===。

7、解:∵棒长为2 3.12l r d m π=-=,∴电荷线密度:911.010q C m l λ--==⨯⋅可利用补偿法,若有一均匀带电闭合线圈,则圆心处的合场强为0,有一段空隙,则圆心处场强等于闭合线圈产生电场再减去m d 02.0=长的带电棒在该点产生的场强,即所求问题转化为求缺口处带负电荷的塑料棒在O 点产生的场强。

解法1:利用微元积分:21cos 4O x Rd dE Rλθθπε=⋅,∴2000cos 2sin 2444O dE d R R Rααλλλθθααπεπεπε-==⋅≈⋅=⎰10.72V m -=⋅; 解法2:直接利用点电荷场强公式:由于d r <<,该小段可看成点电荷:112.010q d C λ-'==⨯,则圆心处场强:1191220 2.0109.0100.724(0.5)O q E V m R πε--'⨯==⨯⨯=⋅。

方向由圆心指向缝隙处。

αj i2cmORxαα8、解:电荷元dq 产生的场为:204d qd E Rπε=; 根据对称性有:0y d E =⎰,则:200sin sin 4x R d E dE d E R πλθθθπε===⎰⎰⎰02R λπε=,方向沿x 轴正向。

即:02E i Rλπε=。

9、解:由题意知E x =200 N/C , E y =300 N/C ,E z =0平行于xOy 平面的两个面的电场强度通量01=±==⋅S E S E z eΦ 平行于yOz 平面的两个面的电场强度通量2002±=±==⋅S E S E x eΦ b 2N ·m 2/C“+”,“-”分别对应于右侧和左侧平面的电场强度通量 平行于xOz 平面的两个面的电场强度通量3003±=±==⋅S E S E y eΦ b 2 N ·m 2/C “+”,“-”分别对应于上和下平面的电场强度通量.10、解:由电荷分布的对称性可知在中心平面两侧离中心平面相同距离处场强均沿x 轴,大小相等而方向相反. 在板内作底面为S 的高斯柱面S 1(右图中厚度放大了), 两底面距离中心平面均为⎢x ⎜, 由高斯定理得01/22ερS x S E ⋅=⋅ 则得 01/ερx E = 即01/ερx E = ⎪⎭⎫ ⎝⎛≤≤-d x d 2121在板外作底面为S 的高斯柱面S 2两底面距中心平面均为x ,由高斯定理得 02/2ερSd S E ⋅=⋅oRXYλθd θdqEd x E xOd/2 -d/2 02ερd-02ερd xx2E 2E 1 E 1S 2S 12⎥x ⎢则得 ()022/ερd E ⋅= ⎪⎭⎫ ⎝⎛>d x 21即 ()022/ερd E ⋅= ⎪⎭⎫ ⎝⎛>d x 21, ()022/ερd E ⋅-= ⎪⎭⎫ ⎝⎛-<d x 21E ~ x 图线如图所示. 11、解:由高斯定律01i SS E dS q ε⋅=∑⎰⎰内,考虑以圆柱体轴为中轴,半径为r ,长为l 的高斯面。

(1)当r R <时,22r lr l E ρππε⋅=,有02E r ρε=;(2)当r R >时,202R l r l E ρππε⋅=,则:202RrE ρε=; 即:020()2()2rr R E R r R rρερε⎧<⎪⎪=⎨⎪>⎪⎩; 图见右。

12、解:在球内取半径为r 、厚为d r 的薄球壳,该壳内所包含的电荷为r r Ar V q d 4d d 2π⋅==ρ在半径为r 的球面内包含的总电荷为403d 4Ar r Ar dV q rVπ=π==⎰⎰ρ (r ≤R)以该球面为高斯面,按高斯定理有 0421/4εAr r E π=π⋅ 得到()0214/εAr E =, (r ≤R )方向沿径向,A >0时向外, A <0时向里.在球体外作一半径为r 的同心高斯球面,按高斯定理有 0422/4εAR r E π=π⋅ 得到 ()20424/r AR E ε=, (r >R ) 方向沿径向,A >0时向外,A <0时向里.13、解:(1)利用补偿法,以O 为圆心,过O '点作一个半径为d 的高斯r面。

根据高斯定理有334επρd d ⋅=•⎰S E 0 003ερdE =方向从O 指向O ' (2)过P 点以O 为圆心,作一个半径为d 的高斯面。

根据高斯定理有334επρd d ⋅=•⎰S E 1P 031ερd E P =过P 点以O '为圆心,作一个半径为d 2的高斯面。

根据高斯定理有334επρr d ⋅=•⎰S E2P 2031221dr E P ερ= )4(323021dr d E E E P P -=-=ερ 方向为径向14、解: 01=E 1R r20313*******)(4)(34rR r r R r E ερπεπρ-=-=21R r R 20313220313233)(4)(34rR R r R R E ερπεπρ-=-=2R r ⎰⎰∞•+•=2R 32r E r E d d U R R 21⎰⎰∞-+-=2R dr rR R dr r R r R R 203132203133)(3)(21ερερ)(221220R R -=ερ 15、解: 01=E 1r r20212rr E εσ= 21r r r 2022213)(rr r E εσ+= 2r r ⎰⎰⎰∞•+•+•=21210r r r r d d d U r E r E r E 321dr rr r dr r r r r r ⎰⎰∞++=2212022212021)(εσεσ)(210r r +=εσ2931221001085.810303001085.8m C r r U ---⨯=⨯⨯⨯=+=εσ第十二章1、B2、D3、B4、B5、负,8.85×10-10 C/m 26、解: 01=E 3R r2024r πεqE =23R r R03=E 12R r R20442r πεqE =1R r⎰⎰⎰⎰∞•+•+•+•=1231230R R R R R R d d d d U r E r E r E r E 4321dr r πεq dr r πεq R R R ⎰⎰∞+=1232020424)211(41230R R R πεq +-= 7、解: 2014rπεqE =10R r02=E 21R r R2034r πεqE =2R r10R r ≤ ⎰⎰∞+=21202044R R rdr rπεq dr r πεq U )111(4210R R r πεq +-=21R r R ≤ 2020442R πεqdr r πεq U R ==⎰∞2R r ≥ r πεqdr rπεq U r02044==⎰∞第十四章1、B2、C3、C4、IB R 2π21,在图面中向上,π+π21n (n = 1,2,……)5、负,IB / (nS )6、解:圆弧在O 点的磁感应强度 R6IR 4I B 001μπθμ==方向垂直纸面向外sin(60[sin 60cos R 4IB 0002πμ-=直导线在O 点的磁感应强度方向垂直纸面向里 总场强 )313(R 2I B 0-=πμ 方向垂直纸面向里7、解:∵a 段对O 点的磁感应强度可用0SB d l I μ⋅=∑⎰求得,有:04a I B R μπ=,∴04a IB j Rμπ=-b 段的延长线过O 点,0b B =,c 段产生的磁感应强度为:0044c I I B R R μμππ=⋅=,∴04c IB k Rμ=则:O 点的总场强:0044O I IB j k R Rμμπ=-+,方向如图。

8、解:(a )aIa I B πμπμ4020021=+= 方向垂直纸面向外; (b )rI r I r I r I r I B 4222200021021021μπμπμμπμ+=++=方向垂直纸面向内; 9、解:设两段圆弧电流对O 的磁感应强度大小分别为1B 、 2B ,导线长度分别为1L 和2L ,横截面积为S ,电阻 率为ρ,电流1I 和2I 的关系12121221L LSL S L R R I I ===ρρ即 2211L I L I =r L I 4r dl 4I B 110L 21011⋅==⎰πμπμ r L I 4r dl 4I B 220L 22022⋅==⎰πμπμ由于两段圆弧电流对O 的磁感应强度方向相反,所以 0B =10、解:设立如图坐标系,取铜片上宽度为dx 的一小部分电流, 可将其视为电流强度大小为dx a I的无限长直载流导线,则此电流在P 点的产生的磁场的大小为)(2)(200x b a a Idx x b a dxa I dB -+=-+=πμπμ,方向垂直纸面向内。

则整个铜片在P 点的磁场大小为bb a a I x b a n l a I x b a a Idx x b a dx a I dB B a a +=-+-=-+=-+==⎰⎰⎰ln 2)(2)(2)(2000000πμπμπμπμ11、解:将半圆柱形无限长载流薄板细分成宽为θRd dl =的长直电流 πθπd R dl dI ==在P 点处的磁感应强度 R2Id R 2dI dB 200πθμπμ==θθπμθd sin R2I sin dB dB 20x == 005220sin 6.3710T 2x x I I B dB d R R πμμθθππ-====⨯⎰⎰ 12、解:利用安培环路定理0SB d l I μ⋅=∑⎰分段讨论。

(1)当10r R <≤时,有:210212r IB r R ππμπ⋅= ∴01212I rB R μπ=; (2)当12R r R ≤≤时,有:202B r I πμ⋅=,∴022IB rμπ=; (3)当23R r R ≤≤时,有:2223022322()r R B r I I R R πππμππ-⋅=--, 0abPI xdx∴2232032232I B R r R rR μπ--=⋅; (4)当3r R >时,有:402()B r I I πμ⋅=-,∴40B =。