专升本电子技术基础
试卷A
电子技术基础
注意事项：
1. 请考生按要求在试卷装订线内填写姓名、准考证号、身份证号和报考专业。
2. 请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。
3. 不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。
4. 满分150分，考试时间为150分钟。
一、选择题（共44分，每小题2分）请选择正确答案填
入相应的横线空白处。选错、不选均无分。
1. 本征半导体是指________的半导体。
A. 化学成分纯净
B. 化学成分参杂三价元素
C. 化学成分参杂五价元素
D. 以上都是
2. N型半导体中是多数载流子，是少数载流子，但半导体呈中性。 A．少数空穴； B.电子 C. 空穴 D.多数电子
3．场效应晶体管是用______控制漏极电流的。
A．栅极电流 B. 栅漏电压 C. 漏源电压 D. 栅源电压
4．对于一个理想二极管，当施加正向电压时，其内部PN结的耗尽层变。 A．变宽 B. 变窄 C.不变 D. 消失
5．三极管处于放大状态的条件是。
A. 发射极反偏,集电极正偏
B. 发射区杂质浓度小
C. 基区宽，杂质浓度低。
D. 发射极正偏,集电极反偏
6．场效应管是。
A. 栅控器件
B. 电流控制器件
C. 电压控制器件
D.源控器件
7. 电流源电路的特点是。
A. 直流电阻大，交流电阻小
B. 直流电阻小，交流电阻大
C. 直流电阻小，交流电阻小
D. 直流电阻大，交流电阻大
8. 处于平衡态的PN结内的载流子。
A 不运动
B 匀速运动
C 无规则运动
D 加速运动
9. 以下哪一种耦合方式经常用在集成运算放大电路中。
A阻容耦合 B直接耦合 C 变压器耦合 D 混合耦合
10. 集成运算放大电路输入级一般采用。
A、差分放大电路
B、共射电路
C、互补对称电路
D、共基极电路
11. 差模信号是指在两个输入端加上的信号。
A. 幅度相等，极性相反
B. 幅度相等，极性相同
C. 幅度不等，极性相反
D. 幅度不等，极性相同
12. 对于增强型MOS管当中的N型管，其特点是。
A.VGS＞0 VDS＞0开启电压VT＜0
B. VGS＞0 VDS＜0开启电压VT＞0
C. VGS＜0 VDS＞0开启电压VT＞0
D. VGS＞0 VDS＞0开启电压VT＞0
13. 对于共射极放大电路。
A. 发射极为输入输出的公共端
B. 基极为输入输出的公共端
C. 集电极为输入输出的公共端
D. 以上都不是
14. 稳压管工作在状态
A．正向导通 B.反向截上
C．饱和导通 D.反向击穿
15. 下列电路中，不属于组合逻辑电路的是。
A.编码器
B.译码器
C.数据选择器
D.计数器
16.一个触发器可记录位二进制代码。
A. 1
B. 2
C. 4
D. 8
17.为实现将JK触发器转换为D触发器，应使。
A. K=D,J=D
B. J=D,K=D
C. J=K=D
D. J=K=D
18.在CP有效期间内，主从型触发器只能变化一次。主从型RS触发器取决
于。
A.第一个输入触发有效信号
B.CP上升沿时刻的输入信号
C.最后一个输入触发有效信号
D.CP下降沿时刻的输入信号
19.函数F=B
A +AB转换成或非－或非式为。
A. B
B
A+
+
A
A
+
B
A+
+
+ B. B
C. B
A+
+
B
+
B
A
A+ D. B
A
20. N个变量的逻辑函数应该有最小项。
A.2n 个
B.n 2个
C.2n 个
D. (2n -1)个
21. 将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为 。
A. (01000011)2
B. (01010011)2
C. (10000011)2
D. (000100110001)2
22. 图示触发器电路的特征方程Q n+1 = 。
A. T n Q +n Q T
B. Q T +TQ n
C. n Q
D. T
二、填空题（共18分，每空1分）。请在每小题的空格中
填上正确答案。错填、不填均无分。
1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2．双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。
3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、
、 这几个部分组成。
4．电容元件在直流电路中的容抗值为________________。
5．晶体三极管在工作时，发射结和集电结均处正向偏置，该晶体管工作在
________________状态。
6．晶体管射极输出器按反馈属性来分析，它是一个________________负反馈放大器。
得 分 评分人
