集成电路制造工艺-金属化与多层互连共42页

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净化厂房
精选
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芯片制造净化区域走廊
精选
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投 影 式 光 刻 机
Here in the Fab Two Photolithography area we see one of
our 200mm 0.35 micron I-Line Steppers. this stepper can
image and align both 6 & 8精i选nch wafers.
精选
最快速度：2.4GHz
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集成电路的分类
–器件结构类型 –集成度 –电路的功能 –应用领域
精选
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按器件结构类型分类
• 双极集成电路：主要由双极型晶体管构成
–NPN型双极集成电路
–PNP型双极集成电路
• 金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由 MOS晶体管(单极型晶体管)构成
–NMOS
and SemiTool in 1995. Again these are the world's first 300mm wet
process cassettes (that can be spin rin精s选e dried).
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12 英 寸 氧 化 扩 散 炉
As we look in this window we see the World's First true 300mm production
精选
18
❖ 集成电路单片集成度和最小特征尺寸的发展曲线
精选
19
精选
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发展 阶段
主要特征 元件数/芯片
特征线宽(um)
栅氧化层厚度 (nm)

TiSi2 和 CoSi2的自对准工艺：
• 溅射剥离从衬底表面去除原生氧化层 • Ti 或 Co 沉积 • 退火形成金属硅化物 • Ti 或 Co 不与SiO2反应,金属硅化物在硅和Ti 或Co接
触处形成 • 去除Ti 或 Co • 选择性再次退火以增强电导率
多晶硅/硅化物复合栅结构
TiSi 2
多晶硅栅极
从中可以看出，采用低电阻率的互连材料和 低介电常数的介质材料可以有效降低互连系统的 延迟时间。
铜及低K介质
铜及低K介质的优势：
铜的电阻率低，可以极大降低互连引线电阻；
Cu
1.7 mWcm
Al
2.65 mWcm
铜的抗电迁移能力强，没有应力迁移，可靠性强； 低K介质，减少了分布电容；
所以，采用铜及低K介质可以进一步减小引线宽度和 厚度，提高集成电路的密度。
铜及低K介质
Cu互连工艺中的关键技术： Cu的沉积技术 低K介质材料的选择和沉积 势垒层材料的选择和沉积技术 Cu的CMP平整化技术 大马士革（镶嵌式）结构的互连工艺 可靠性问题
深亚微米技术的发展：
90nm、45nm线宽 300mm（12寸）晶圆
铜及低K介质
系统集成（SOC）
nn+
ＳiＯ２
nn+
退火产生金属硅化物
nn+
ＳiＯ２
nn+
湿法腐蚀Ｔi薄膜
自对准栅技术加离子注入可以大幅减小掺杂横向 效应引起的覆盖电容，提高工作频率。
多晶硅栅取代Ａl栅，由于栅与衬底Si的功函数差 减少，可以使PMOS的开启电压VT绝对值下降1.21.4V左右。
开启电压VTX降低后，器件充放电幅度降低，时间 缩短，从而也可提高工作频率。

金属化与多层互连的应用领域
半导体制造：用于制造集成电路和芯片
医疗设备制造：用于制造医疗设备，如CT、 MRI等
电子设备制造：用于制造电子设备，如手 机、电脑等
汽车制造：用于制造汽车电子设备，如车 载导航、车载娱乐系统等
航空航天：用于制造航天器和卫星等
通信设备制造：用于制造通信设备，如基 站、路由器等
金属化与多层互连的材料性能要求
导电性：良好 的导电性能， 保证信号传输 的稳定性和速
度
热稳定性：在 机械强度：足 高温环境下保 够的机械强度， 持良好的性能， 保证电路的稳 防止电路损坏 定性和可靠性
化学稳定性： 良好的化学稳 定性，防止电 路受到腐蚀和
氧化
成本：合理的 成本，保证产 品的市场竞争
金属化与多层互连的解决方案
采用先进的金属化工艺，如电镀、溅射等，提高金属化层的质量 优化多层互连的设计，如减小层间距、增加层数等，提高互连的密度和可靠性 采用先进的封装技术，如晶圆级封装、系统级封装等，提高封装的集成度和可靠性 采用先进的测试技术，如X射线、光学显微镜等，提高测试的准确性和效率
金属化与多层互连的发展历程
1960年代：金属化技术开始应用于集成 电路制造
1990年代：金属化技术进一步发展，多 层互连技术成为集成电路制造的主流技术
1970年代：多层互连技术开始出现，提 高了集成电路的密度和性能
2000年代：金属化技术不断创新，多层 互连技术逐渐向高密度、高性能方向发展
1980年代：金属化技术逐渐成熟，多层 互连技术得到广泛应用
沉积：在硅片上沉积金属或 绝缘材料
电镀：在硅片上沉积金属层
热处理：提高金属层的导电 性和稳定性
金属化与多层互连的工艺流程细节

当金属与半导体之间的载流子输运以隧道 穿透为主时，Rc与半导体的掺杂浓度N及 金－半接触的势垒高度qVb 有下面的关系
qVb Rc exp N
qVb在数值上等于金属费米能级上的电子 进入半导体所需的能量。 结论：要获得低接触电阻的金－半接触， 必须减小金－半接触的势垒高度及提高半 导体的掺杂浓度
CoSi2
Ta 或 TaN Cu
W
W
PSG STI n+
+ + n+ p p USG P型井區 N型井區 P型磊晶層 P型晶圓
铜及低K介质
低K介质材料的沉积与刻蚀： 沉积工艺： （1）旋涂工艺：工艺简单，缺陷密度较低，产率高，易于 平整化，不使用危险气体 （2）CVD工艺：与IC工艺兼容性好 刻蚀要求： （1）工艺兼容性好 （2）对刻蚀停止层材料选择性高 （3）能形成垂直图形 （4）对Cu无刻蚀和腐蚀 （5）刻蚀的残留物易于清除
鋁
p+ N型矽
SiO2
鋁
p+
鋁
Al/Si接触的改善

合 金 化 ： 采 用 含 少 量 Si 的 Al-Si 合 金 （ 一 般 为 1% ） , 由于合金中已存在足量的 Si ，可以抑制底 层Si的扩散，防止“尖锲”现象。 在 300oC 以上，硅就以一定比例熔于铝中， 在此温度，恒温足够时间，就可在Al-Si界面形成 一层很薄的 Al-Si 合金。 Al 通过 Al-Si 合金和接触 孔下的重掺杂半导体接触，形成欧姆接触
铜及低K介质
势垒层材料: 包括介质势垒层和导电势垒层 介质势垒层材料：ＳiＮ、ＳiＣ等新材料 主要功能:和介质层形成多层结构，防止介质 在工艺过程或环境中吸潮而影响性能。 导电势垒层：ＷＮ、ＴiＮ、Ｔa、ＴaＮ等 主要功能：防止Ｃu扩散、改善Ｃu的附着性、 作为ＣＭＰ和刻蚀停止层、作为保护层。

❖ 低介电系数介质材料 ▪ 多孔电介质材料极脆，给集成工艺带来很大挑战。
后部工序
❖ 主要流程 ▪ 划片；装片；焊引线；封装；成品测试；打印 包装
❖1. 划片用激光束、金刚刀、金刚砂轮
❖2. 装（粘）片
装片就是把芯片装配到管壳底座或框架上去。 常用的方法有树脂粘结，共晶焊接，铅锡合金焊接等。
银浆
芯片
❖ 互连系统已经成为限制集成电路技术进一步发展 的重要因素，单层金属互连无法满足需求，必须 使用多层金属互连技术。
多层金属互连技术对VLSI的意义
❖ 可以使VLSI的集成密度大大增加，从而进一步提 高集成度。 ▪ 互连是器件之间的互连
❖ 可以降低互连线导致的延迟时间
RC l 2
t m tox
❖ 可以在更小的芯片面积上实现相同的电路功能 ❖ 互连线每增加一层，需要增加两块掩膜版
❖寻找新的互连金属材料-第4种方法
铜及低K介质
❖互连引线的延迟时间常数
RCl wll2
wt t tt
m
ox
m ox
▪ 低电阻率材料（Cu） Cu2.0cm
▪ 低K介质材料
以Cu作为互连材料的工艺流程
❖ 0.18um以下的工艺所需 ❖ 双大马士革（Dual-Damascence)工艺
▪ 工艺流程 ▪ 互连+通孔同时淀积，CMP时仅需对互连材料
求有一个扩散阻挡层。
集成电路对金属化材料特性的要求
❖ 晶格结构与外延生长的影响 ▪ 薄膜的晶格结构决定其特性
❖ 电学特性 ▪ 电阻率、TCR、功函数、肖特基势垒高度等
❖ 机械特性、热力学特性以及化学特性
铝在集成电路中的应用
❖ Al的优点：
▪ 电阻率低 Al2.7cm

▪ 薄氧(尖楔较浅） ▪ 厚氧(尖楔较深）
❖ 衬底晶向
▪ 〈111〉：横向扩展 、双极集成电路 ▪ 〈100〉：垂直扩展 、pn结短路 、MOS集成电路
（尖楔现象严重）
Al/Si接触的改进
❖Al/Si接触的改进方法： ▪ 铝-硅合金金属化引线 ▪ 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构 ▪ 铝-阻挡层结构
铝-硅合金金属化引线-第1种解决方案
铝硅互溶
❖Si在Al中的扩散系数
▪ 在一定的退火温度下，退火时间为ta时，Si原 子的扩散距离为
LSi Dta
其中D为扩散系数
Al与SiO2的反应
❖Al与SiO2的反应 4Al+ 3SiO2 → 3Si+2Al2O3
▪ 吃掉Si表面的SiO2 ，降低接触电阻 ▪ 改善Al引线与下面SiO2 的黏附性
改进电迁移的方法-第2种方法
❖ 铝-铜合金和铝-硅-铜合金 ▪ Al- Si（ 1%~2%）-Cu（4%） • 杂质在铝晶粒晶界分凝，可以降低铝原子在 铝晶界的扩散系数，从而使MTF提高一个数 量级。 ▪ 缺点:
• 增大了电阻率 • 不易刻蚀、易受Cl2腐蚀
改进电迁移的方法-第3种方法
❖ 三层夹心结构 ▪ 可以在两次铝之间增加大约500A厚的过渡金属 层。这三层金属通过400℃退火1小时后，在两 层铝之间形成金属间化合物，可以防止空洞穿 越整个金属引线，也可以降低铝在晶粒间界的 扩散系数，使MTF提高2~3个数量级。
❖ 铝硅互溶 ❖ Al与SiO2的反应
铝硅互溶
❖铝硅相图
▪ 相图表示两种组分与温度的关系
• Al-Si系具有低共熔特性 • Al-Si系的共熔温度为577℃，相应的组分配比为Si占
11.3%，Al占88.7% • 淀积Al时Si衬底的温度不得高于577 ℃

预清洗 刻蚀沟槽或通孔 PVD淀积阻挡层（Ta或者 淀积阻挡层（ 或者 或者TaN） 淀积阻挡层 ） PVD或者 或者CVD淀积铜籽晶层 或者 淀积铜籽晶层 电化学镀制备铜体相层， 电化学镀制备铜体相层，填满通孔或沟槽 热退火提高电导率 CMP去除沟槽或通孔之外的铜 去除沟槽或通孔之外的铜
天津工业大学
天津工业大学
多层互连工艺流程
多层互连的基本结构 多层互连的基本结构: 基本结构 金属层 PMD IMD 接触孔(contacts) 接触孔 通孔(Via) 通备
介质淀积
平坦化 否 是否最后一层
接触及通孔形成
是 生长钝化层
金属化
结束
天津工业大学
多层互连工艺流程
天津工业大学
电迁移现象及其改进方法
电迁移现象的物理机制： 电迁移现象的物理机制： 物理机制 大电流密度通过导体时， 大电流密度通过导体时，导体原子将收到导电电子的 碰撞，从而导致导体原子沿电子流的方向迁移。 碰撞，从而导致导体原子沿电子流的方向迁移。结果在 一个方向上形成空洞， 一个方向上形成空洞，而在另一个方向则由于铝原子的 堆积而形成小丘，从而会造成断路和短路失效现象。 堆积而形成小丘，从而会造成断路和短路失效现象。
铝作为互连金属材料的缺点： 作为互连金属材料的缺点： 缺点
Al/Si接触的尖楔现象 接触的尖楔现象 在较大的电流密度下的电迁移 现象
天津工业大学
Al/Si接触中的几个物理现象
Al-Si相图： 相图： 相图 Al在 Si中的溶解度非常低，而Si在Al中的溶解度却比较 在 中的溶解度非常低 中的溶解度非常低， 在 中的溶解度却比较 高，因而硅会向铝中迁移 Si在Al中的扩散系数： 在 中的扩散系数 中的扩散系数： Si在Al膜内的扩散系数远大于在晶体铝内的扩散系数， 在 膜内的扩散系数远大于在晶体铝内的扩散系数 膜内的扩散系数远大于在晶体铝内的扩散系数， 扩散距离远， 扩散距离远，单位面积消耗大 Al与SiO2的反应： 与 的反应： 3SiO2+4Al 3Si+2Al2O3 消耗掉表面氧化膜，增加黏附性 消耗掉表面氧化膜，

②Si在Al中扩散：Si在Al薄膜中的扩散比 在晶体Al中大40倍。
③Al与SiO2反应：3SiO2+4Al→3Si+2Al2O3
好处：降低Al/Si欧姆接触电阻；
改善Al与SiO2的粘附性。
9.2.3 Al/Si接触的尖楔现象
图9.3 Al-Si接触引线工艺
T=500℃，t=30min.， A=16μm2，W=5μm， d=1μm，消耗Si层厚度
①在低K介质层上刻蚀出Cu互连线用的沟槽； ②CVD淀积一层薄的金属势垒层：防止Cu的扩散； ③溅射淀积Cu的籽晶层：电镀或化学镀Cu需要； ④沟槽和通孔淀积Cu：电镀或化学镀； ⑤400℃下退火； ⑥Cu的CMP。
铜金属化（Copper Metallization）
9.4 多晶硅及硅化物
多晶硅：CMOS多晶硅 栅、局域互连线；
RC常数：表征互连线延迟，即 RC l 。
t m t ox ρ-互连线电阻率，l-互连线长度，ε-介质层介电常数
①低ρ的互连线：Cu，ρ=1.72μΩcm； （Al，ρ=2.82μΩcm）
②低K （ε）的介质材料： ε<3.5
Cu互连工艺的关键
①Cu的淀积：不能采用传统的Al互连布线工艺。 （没有适合Cu的传统刻蚀工艺）
Z=0.35μm。 （相当于VLSI的结深） ∵Si非均匀消耗， ∴实际上，A*<<A，即
Z*>>Z，故 Al形成尖楔
尖楔现象
机理：Si在Al中的溶解度及快速 扩散，使Al像尖钉一样楔进Si衬 底；
深度：超过1μm； 特点： <111>衬底：横向扩展 <100> 衬底：纵向扩展 MOS器件突出。 改善：Al中加1wt％-4wt％的过

➢ 由于SOC（系统芯片）的出现，给IC设计者提出了 更高的要求，也面临着新的挑战：设计者不仅要懂系 统、电路，也要懂工艺、制造。
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
半导体材料：硅
扩散
➢ 替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位：
Ⅲ、Ⅴ族元素
一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数
均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧 化层作为杂质扩散的掩蔽层。
➢ 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙：
Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级
2(Dt) 2
其中，NT：预淀积后硅片表面浅层的P原子浓度
N T311 0 5 (1cm )
D：P的扩散系数 t ：扩散时间 x：扩散深度
只要控制NT 、T、t 三个因素就可以决定扩散深度及浓度。
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
集成电路芯片的显微照片
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
V ss
p o ly 栅
V dd 布 线 通 道 参考孔
N+
P+
有源区
集成电路的内部单元(俯视图)
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用

多层薄膜体系中通常有应力存在，如图所示， (a) 存在张应力，(b) 存在压应力。
通常总的应力σ可以分为固有应力σi ，和热 应力σth两部分，即σ = σi+ σth 。
固有应力主要由薄膜的淀积条件决定，通过优化生长过程可以减小。 热
应力可由下式计算：
th1EV f f FST2T1
Ef杨氏模量，Vf泊松系数，αF 与αS为薄膜和衬底的热膨胀系数， T1为工作 时温度，T2为生长(或退火)温度。
4
9.1.2、电学特性
金属材料在集成电路中应用时，须考虑的电学性能主要包 括电阻率、电阻率的温度系数(TCR)、功函数、与半导体接 触的肖特基势垒高度。
对于接触材料和栅电极材料，其功函数、与半导体材料的 肖特基势垒高度和接触电阻是非常重要的参数。
ppt精选版
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9.1.3、机械特性、热力学特性以及化学反应特性
9.2.1、金属铝膜的制备方法
铝应用于集成电路中的互连引线，主要是采用溅射方法制备，淀积速 率快、厚度均匀、台阶覆盖能力强。
ppt精选版
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9.2.2、Al/Si接触中的几个物理现象
(1) Si在Al中的扩散
Si在Al中的溶解度比较高，在Al与Si接触处，在退火过程中， 会有大量的Si原子溶到Al中。溶解量不仅与退火温度下的溶解度 有关，还与Si在Al中的扩散情况有关。
(3) 三层夹心结构
在两层铝薄膜之间增加一个约500Å的过渡金属层。 经过退火，在两层铝之间将形成金属化合物，它们是很好的铝扩散阻挡层，可以 防止空洞穿透整个铝金属化引线；同时在铝晶粒间界也会形成化合物，降低铝原子 在铝晶粒间界中的扩散系数，从而减少了铝原子的迁移率，防止空洞和小丘的形成。 这种方法可以使MTF值提高2-3量级，但是工艺比较复杂。

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Байду номын сангаас❖ 知识就是财富 ❖ 丰富你的人生
71、既然我已经踏上这条道路，那么，任何东西都不应妨碍我沿着这条路走下去。——康德 72、家庭成为快乐的种子在外也不致成为障碍物但在旅行之际却是夜间的伴侣。——西塞罗 73、坚持意志伟大的事业需要始终不渝的精神。——伏尔泰 74、路漫漫其修道远，吾将上下而求索。——屈原 75、内外相应，言行相称。——韩非
集成电路制造工艺-金属化 与多层互连资料
26、机遇对于有准备的头脑有特别的 亲和力 。 27、自信是人格的核心。
28、目标的坚定是性格中最必要的力 量泉源 之一， 也是成 功的利 器之一 。没有 它，天 才也会 在矛盾 无定的 迷径中 ，徒劳 无功。- -查士 德斐尔 爵士。 29、困难就是机遇。--温斯顿．丘吉 尔。 30、我奋斗，所以我快乐。--格林斯 潘。

集成电路对金属化材料特性的要求
１．能与硅基形成低阻的欧姆接触． ２．长时期在较高电流密度负荷下，金属材料的抗电迁移
性能要好． ３．与绝缘体有良好的附着性． ４．耐腐蚀 ５．易于淀积和刻蚀 ６．易于键合，而且键合点能长期工作 ７．多层互连要求层与层间绝缘性好，层间不发生互相渗
透和扩散．
（2）溅射：溅射需要在真空系统中充入一定的惰性气体Ar， 这样在高压电场的作用下，由于气体放电形成离子，这些离 子在强电场作用下被加速，然后轰击靶材料，使其原子逸出 并被溅射到晶片上，形成金属膜。 采用这种方法可以淀积各种合金和难熔技术薄层，利用磁控 溅射所需要的电压比电子束蒸发要小一个数量级，产生的辐 射较小，磁控溅射是目前集成电路工艺中广泛采用的形成技
电阻） 机械特性 总的应力体现为两种情形：张应力和压应力 总应力造成的因素： 固有应力（由淀积生长条件决定，如晶格失配，结构，缺
陷，表面效应．．．） 热应力（衬底和薄膜热膨胀系数不同，生长温度与使用温
度不同）
金属材料的常规特性
危害：对互连体系可靠性产生严重影响，导致互连线出现 空洞，互连材料的电迁移
晶格结构和外延生长特性的影响
外延生长的单晶膜具有理想的特性． 影响单晶膜生长的因素： ✓ 薄膜和衬底材料晶格结构匹配程度 ✓ 界面附着稳定程度 ✓ 薄膜晶化生长稳定性 ✓ 淀积条件 ✓ 材料纯净度 ✓ 后续工艺处理的影响
晶格常数失配因子
薄膜和衬底材料晶格结构匹配程度
量化表征:晶格常数失配因子( )
Al与SiO2的反应
4Al+ 3SiO2
3Si+2Al2O3
吃掉Si表面的SiO2 ，降低接触电阻
改善与SiO2 的黏附性
尖楔现象
原因： 当铝硅形成接触孔时，由于硅在铝中有可观溶解度，在接触

刻蚀
去除多余的金属，形成所需的电路和元件结 构。
沉积
通过物理或化学方法在基材表面形成金属薄 膜。
检测与修复
检查金属化质量，对缺陷进行修复。
金属薄膜制备技术
物理气相沉积（PVD）
利用物理方法将金属原子或分子沉积 在基材表面。
化学气相沉积（CVD）
利用化学反应将金属化合物沉积在基 材面，再通过热分解得到金属薄膜 。
THANKS
节能减排
优化生产工艺，降低能耗和减少废弃 物排放，实现绿色制造和可持续发展 。
智能制造与数字化转型
智能监控与检测
利用传感器、机器视觉等技术实现生产过程的实时监控和检测，提高产品质量和生产效率。
数字化转型
推动金属化与多层互连产业的数字化转型，实现生产数据的实时采集、分析和优化，提升企业核心竞争力。
感谢观看
《金属化与多层互连 》PPT课件
• 金属化与多层互连概述 • 金属化材料与技术 • 多层互连结构与设计 • 金属化与多层互连的挑战与解决
方案 • 金属化与多层互连的未来发展
目录
01
金属化与多层互连概述
定义与特点
定义
金属化与多层互连是指在电子设备中，通过金属材料和多层互联结构实现电子 元器件之间的连接。
电性能问题
总结词
金属化与多层互连的电性能问题主要表现在信号传输延迟、噪声干扰和电磁干扰等方面。
详细描述
随着电子设备工作频率的不断提高，信号传输延迟、噪声干扰和电磁干扰等问题愈发突出。需要优化 金属化与多层互连的结构和材料，以减小信号传输延迟、降低噪声和电磁干扰，提高电子设备的性能 。
制程技术挑战
总结词
金属化与多层互连的制程技术挑战主要表现在高精度加工、高密度集成以及异种材料连 接等方面。

微电子工艺 电信学院微电子教研室
用于铜互连结构的阻挡层：提高欧姆接触可靠性更有效 的方法是用阻挡层金属化，这种方法可消除诸如浅结材 料刻蚀或结尖刺的问题。阻挡层金属是淀积金属或金属 塞，作用是阻止层上下的材料互相混合（见下图）。其 厚度对0.25µm工艺来说为100nm；对0.35µm工艺来说 为400～600nm。
金属铝
在半导体制造业中，最早的互连金属是铝， 目前在VLSI以下的工艺中仍然是最普通的互连金 属。在21世纪制造高性能IC工艺中，铜互连金属 有望取代铝。然而，由于基本工艺中铝互连金属 的普遍性， 所以选择铝金属化的背景是有益的。 铝在20℃时具有2.65µΩ-cm的低电阻率，比 铜、金及银的电阻率稍高。然而铜和银都比较容 易腐蚀，在硅和二氧化硅中有高的扩散率，这些 都阻止它们被用于半导体制造。另一方面，铝能 够很容易和二氧化硅反应，加热形成氧化铝（ AL2O3 ），这促进了氧化硅和铝之间的附着。还 有铝容易淀积在硅片上。基于这些原因。铝仍然 作为首先的金属应用于金属化。
电信学院微电子教研室
微电子工艺
引 言
芯片金属化是应用化学或物理处理方法在芯片 上淀积导电金属膜的过程。这一过程与介质的淀积 紧密相关，金属线在IC电路中传输信号，介质层则 保证信号不受邻近金属线的影响。 金属化对不同金属连接有专门的术语名称。互 连（interconnect）意指由导电材料（铝、多晶硅或 铜）制成的连线将信号传输到芯片的不同部分。互 连也被用做芯片上器件和整个封装之间普通的金属 连接。接触（contact）意指硅芯片内的器件与第一 层金属之间在硅表面的连接。通孔（via）是穿过 各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属层之间 形成电通路的开口。“填充薄膜”是指用金属薄膜填 充通孔，以便在两金属层之间形成电连接。

铝与掺杂多晶硅接触时，无重组现象。 对于重磷或重砷掺杂的多晶硅，磷或砷在多晶硅晶粒 间界分凝，使晶粒间界中的硅原子自由能减小，降低在铝 中的溶解度。故在淀积铝膜前一般先淀积一层重掺杂磷或 砷的多晶硅，提供溶解于铝中所需的硅原子，从而抑制了 尖楔现象。
铝-阻挡层结构
在铝与硅之间淀积一层薄的金属层，替代重磷掺杂 多晶硅层，阻止铝与硅之间的相互作用，从而限制尖楔 问题。这层金属称为阻挡层。 对阻挡层的要求 如果希望阻挡层本身又作为欧姆接触材料时，则 要求能与硅表面自然氧化层作用，破坏薄氧化层，且 与硅有很好的附着作用和低的欧姆接触电阻。一般采 用硅化物作为接触材料，阻挡层可采用TiN,TaN,WN。
三、机械特性 多层薄膜体系中通常有应力存在，总应力可分为固有应 力和热应力两部分。 固有应力：由淀积生长条件决定，如晶格失配，结构， 缺陷，表面效应（表面张力）等。
热应力：由于衬底和薄膜热膨胀系数不同，生长温 度与使用温度不同而造成的。
集成电路对金属化 材料特性的要求
应力造成的危害
对互连体系可靠性产生严重影响，导致互连线出现空洞，互连 材料的电迁移也与应力的存在有关。
使用低k材料作为介质层，减小了分布电容，对降低互 连线延迟时间同样起到重要的作用。
互连引线的延迟时间
互连引线的电阻R与互连材料的电阻率ρ、连线长 度l、引线宽度w、引线厚度tm有关，关系如下：
R l wtm
互连系统的电容C与互连引线的几何尺寸以及互连 引线下面介质层的介电常数ε 和引线厚度tox有关，关系 如下： wl
低K介质材料和淀积技术
Al-Si接触的改进
铝-硅合金金属化引线 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构
铝-阻挡层结构
其它方法 减小铝体积,采用Al/阻挡层/Al-Si-Cu 降低Si在Al中的扩散系数