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开关电源的EMI处理方法一、开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法。
1MHZ以内，以差模干扰为主。
①增大X电容量；②添加差模电感；③小功率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1MHZ-5MHZ，差模共模混合，采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，①对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器，调差模电感量；②对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；③也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整流二极管1N4007。
5M以上，以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
20-30MHZ，①对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置；②调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值；③在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
④改变PCB LAYOUT；⑤输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；⑥在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；⑦在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；⑧在变压器的输入电压脚加一个小电容。
⑨可以用增大MOS驱动电阻.30-50MHZ，普遍是MOS管高速开通关断引起。
①可以用增大MOS驱动电阻；②RCD缓冲电路采用1N4007 慢管；③VCC供电电压用1N4007 慢管来解决；④或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；⑤在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；⑥在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；⑦在变压器的输入电压脚加一个小电容；⑧PCB心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；⑨变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
开关电源EMI辐射超标整改方案作为工作于开关状态的能量转换装置，开关电源的电压、电流变化率很高，产生的干扰强度较大；干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相对于数字电路干扰源的位置较为清楚；开关频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰；而印刷线路板（PCB）走线通常采用手工布线，具有更大的随意性，这增加了PCB分布参数的提取和近场干扰估计的难度。
具体各个频率点超标解决方案如下：1MHz以内：以差模干扰为主1.增大X电容量；2.添加差模电感；3.小功率电源可采用PI型滤波器处理（建议靠近变压器的电解电容可选用较大些）。
1M-5MHz：差模共模混合，采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决；5MHz：以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减（diudiu2006）;对于25--30MHZ不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器。
1M-5MHZ：差模共模混合，采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，1.对于差模干扰超标可调整X电容量，添加差模电感器，调差模电感量;2.对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制；3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。
5MHz以上：以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔闭环。
处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
对于20M-30MHz：1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
电源EMI传导辐射实际整改经验总结（绝对值得）第一篇：电源EMI传导辐射实际整改经验总结(绝对值得)1、在反激式电源中，Y电容接初级地与次级地之间在20MHZ时，会比Y电容接在高压与次级地之间高5dB左右。
当然也要视情况而定。
2、MOS管驱动电阻最好能大于或等于47R。
降低驱动速度有利于改善MOS管与变压器的辐射。
一般采用慢速驱动和快速判断的办法。
3、若辐射在40MHZ-80MHZ之间有些余量不够，可适当地增加MOS管DS之间的电容值，以达到降低辐射量的效果。
4、若在输入AC线上套上磁环并绕2圈，有降低40-60MHZ之间辐射值的趋势，那么在输入EMI滤波部分中串入磁珠则会达到同样的效果。
如在NTC电阻上分别套上两个磁珠。
5、在变压器与MOS管D极之间最好能串入一个磁珠，以降低MOS管电流的变化速度，又能降低输出噪音。
6、电源输入AC滤波部分，X电容放在共模电厂的那个位置并不重要，注意布线时要将铜皮都集中于X电容的引脚处，以达到更好的滤波效果，但X电容最好不要与Y电容连接在同一焊点。
7、在300W左右的中功率电源中，其又是由几个不同的电源部分组成，一般采用三极共模电感。
第一级使用100UH-3MH左右的双线并绕锰锌磁环电感，其后再接Y电容，第二级与第三级可使用相同的共模电感，需要使用的电感量并不要求很大，一般10MH左右就能达到要求。
若把Y电容放在第二级与第三级之间，效果就会差一些。
如果采用两级共模滤波，秕一级电感量适当取大些，1.5-2.5MH左右。
8、如果采用三级，第一级电感量适当取小些，在200UH-1MH 之间。
测试辐射时，最好能在初次级之间的Y电容套上磁珠。
如果用三芯AC输入线，在黄绿地线上也串磁环，并绕上两到三圈。
9、在二极管上套磁珠，一般要求把磁珠套在其电压变化最剧烈的地方，在正端整流二极管中，其A端电压变化最剧烈。
10、实例分析：一台19W的二合一电源，在18MH左右处有超过QP值7dB，前级采用两级共模滤波方法和一个X电容，无论怎样更改滤波部分，此处的QP值总是难以压下来。
开关电源辐射的解决方法以开关电源辐射的解决方法为题，本文将从几个方面介绍如何解决开关电源辐射问题。
一、了解开关电源辐射问题开关电源是一种常见的电源供应器，广泛应用于各种电子设备中。
然而，开关电源在工作过程中会产生电磁辐射，可能对人体健康和其他电子设备造成影响。
因此，了解开关电源辐射问题的性质和特点非常重要。
二、降低开关电源辐射的方法1. 优化设计：在开关电源的设计阶段，可以通过优化电路结构和布局来减少辐射。
例如，合理选择元器件、减少信号回路长度、增加屏蔽层等措施可以有效降低辐射水平。
2. 使用滤波器：安装滤波器可以有效地减少开关电源的辐射。
滤波器可以通过屏蔽和过滤的作用阻挡和吸收辐射波，从而降低辐射水平。
3. 地线设计：良好的地线设计有助于减少开关电源辐射。
在设计中，应合理布置地线，确保良好的接地，避免地线回路过长或存在回环等问题。
4. 屏蔽处理：对于一些对辐射特别敏感的设备，可以采用屏蔽处理来减少辐射。
通过使用金属屏蔽罩、金属屏蔽带等屏蔽材料对开关电源进行包围，可以有效地阻挡和吸收辐射波，降低辐射水平。
5. 合理布局：在设备安装和布线过程中，应合理安排开关电源的位置和与其他设备之间的距离。
对于对辐射特别敏感的设备，应尽量远离开关电源，减少辐射对其造成的影响。
6. 选择合适的开关电源：在购买开关电源时，应选择符合国家标准和行业规范的产品。
合格的开关电源通常会在设计和制造过程中考虑辐射问题，并采取相应的措施进行降低。
7. 定期维护和检测：开关电源在使用过程中可能会出现老化或故障，导致辐射增加。
因此，定期对开关电源进行维护和检测非常重要，及时发现并解决问题，保证设备的正常运行和辐射水平的控制。
三、结语开关电源辐射问题是一个需要重视和解决的技术难题。
通过了解开关电源辐射问题的性质和特点，以及采取一系列有效的解决方法，可以有效降低开关电源辐射对人体健康和其他电子设备的影响。
在今后的使用和设计中，我们应不断总结经验，不断创新，为解决开关电源辐射问题贡献自己的力量。
如何利用周边设备进行开关电源辐射整改
1. 本期简介
辐射发射项目在EMC领域是比较容易出问题的项目，大多数产品在辐射发射项目测试时，总会遇到这样或者那样的超标情况。
有些时候我们整改总会感到无从下手，不管怎幺调试，测试数据一直没有明显变化，令人十分头疼。
本次期刊，我们将会针对辐射发射项目的整改思路进行一个梳理，介绍如何利用周边设备协助我们进行整改。
2. 案例1：现象描述
一款普通开关电源，在标准EN55015 CLASSB测试时，辐射发射项目超标，超标数据如下：
其垂直原始数据如下：。
开关电源辐射整改措施（共4篇）第1篇：开关电源EMI整改经验分享EMI整改经验分享EMC的分类及标准：EMC(ElectromagneticCompatibility)是电磁兼容，它包括EMI(电磁骚扰)和EMS（电磁抗骚扰）。
EMC定义为：设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中的任何设备的任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。
EMC整的称呼为电磁兼容。
EMP是指电磁脉冲。
EMC=EMI+EMSEMI：电磁干扰EMS：电磁相容性(免疫力)EMI可分为传导Conduction 及辐射Radiation两部分，Conduction规范一般可分为:FCCPart15JClaB；CISPR22(EN55022,EN61000-3-2,EN61000-3-3)ClaB；国标IT类（GB9254，GB17625）和AV类（GB13837，GB17625）。
FCC测试频率在450K-30MHz，CISPR22测试频率在150K--30MHz，Conduction可以用频谱分析仪测试，Radiation则必须到专门的实验室测试。
EMI为电磁干扰，EMI是EMC其中的一部分，EMI(ElectronicMagneticInterference)电磁干扰，EMI包括传导、辐射、电流谐波、电压闪烁等等。
电磁干扰是由干扰源、藕合通道和接收器三部分构成的，通常称作干扰的三要素。
EMI线性正比于电流，电流回路面积以及频率的平方即：EMI=K*I*S*F2。
I是电流，S是回路面积，F是频率，K是与电路板材料和其他因素有关的一个常数。
辐射干扰(30MHz—1GHz)是通过空间并以电磁波的特性和规律传播的。
但不是任何装置都能辐射电磁波的。
传导干扰(150K--30MHz)是沿着导体传播的干扰。
所以传导干扰的传播要求在干扰源和接收器之间有一完整的电路连接。
EMI是指产品的对外电磁干扰。
一般情况下分为ClaA&ClaB两个等级。
E M I传导与辐射超标整改方案集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#传导与辐射超标整改方案开关电源电磁干扰的产生机理及其传播途径功率开关器件的高额开关动作是导致开关电源产生电磁干扰(emi)的主要原因。
开关频率的提高一方面减小了电源的体积和重量，另一方面也导致了更为严重的emi问题。
开关电源工作时，其内部的电压和电流波形都是在非常短的时间内上升和下降的，因此，开关电源本身是一个噪声发生源。
开关电源产生的干扰，按噪声干扰源种类来分,可分为尖峰干扰和谐波干扰两种;若按耦合通路来分,可分为传导干扰和辐射干扰两种。
使电源产生的干扰不至于对电子系统和电网造成危害的根本办法是削弱噪声发生源，或者切断电源噪声和电子系统、电网之间的耦合途径。
现在按噪声干扰源来分别说明：1、二极管的反向恢复时间引起的干扰交流输入电压经功率二极管整流桥变为正弦脉动电压，经电容平滑后变为直流，但电容电流的波形不是正弦波而是脉冲波。
由电流波形可知，电流中含有高次谐波。
大量电流谐波分量流入电网，造成对电网的谐波污染。
另外，由于电流是脉冲波，使电源输入功率因数降低。
高频整流回路中的整流二极管正向导通时有较大的正向电流流过，在其受反偏电压而转向截止时，由于pn结中有较多的载流子积累，因而在载流子消失之前的一段时间里，电流会反向流动，致使载流子消失的反向恢复电流急剧减少而发生很大的电流变化(di/dt)。
2、开关管工作时产生的谐波干扰功率开关管在导通时流过较大的脉冲电流。
例如正激型、推挽型和桥式变换器的输入电流波形在阻性负载时近似为矩形波,其中含有丰富的高次谐波分量。
当采用零电流、零电压开关时,这种谐波干扰将会很小。
另外,功率开关管在截止期间,高频变压器绕组漏感引起的电流突变,也会产生尖峰干扰。
3、交流输入回路产生的干扰无工频变压器的开关电源输入端整流管在反向恢复期间会引起高频衰减振荡产生干扰。
开关电源产生的尖峰干扰和谐波干扰能量，通过开关电源的输入输出线传播出去而形成的干扰称之为传导干扰；而谐波和寄生振荡的能量，通过输入输出线传播时，都会在空间产生电场和磁场。
传导干扰整改方案第一篇：传导干扰整改方案传导发射整改方案失败原因分析1.所选emi滤波器额定电流过大（35a），而负载额定电流仅为1a，共模电流流过滤波器的共模扼流圈所产生的磁场过小，因此未能有效滤除共模干扰；2.emi滤波器引线过长，离电源入口端较远，且线缆为普通线缆，在高频段易产生电磁耦合；3.输入引线与输出引线距离太近，在高频段两者相互耦合；4.滤波器及控制器接地效果较差；5.动力接插件接地电阻太大，造成电缆屏蔽层接地效果差。
6.码盘线延长线与航插线连接时，屏蔽层不是360°搭接，接地效果差；7.电源线与信号线同走航插线，容易耦合。
8.控制板地未与壳体连接9.电源输出端滤波电路过于简单。
整改方案1.emi滤波器换用屏蔽线缆，且尽量靠近电源输入口，并有效接地；2.控制器内部连接线采用屏蔽线缆，且屏蔽层有效接地；3.控制板卡接地线上加高频扼流圈；4.控制器有效接地；（底板去除氧化层或者用瘪铜线）5.试验对比出负载属性，选择滤波器结构；6.计算滤波器谐振点，确保其小于150khz；7.在板卡电源输入前加额定电流1a或3a的滤波器，并增加差模电容容值和共模电容容值观察滤波效果，而后，在滤波器后端增加一级共模扼流圈和共模电容，并调节共模扼流圈电感值和共模电容容值，观察滤波效果；8.在板卡电源输出端增加差模电容，若效果仍不满足要求，则进行割线，加入一级滤波电路；9.在控制器外部供电电缆上套磁环；整改所需器件清单第二篇：EMI传导与辐射超标整改方案传导与辐射超标整改方案开关电源电磁干扰的产生机理及其传播途径功率开关器件的高额开关动作是导致开关电源产生电磁干扰(emi)的主要原因。
开关频率的提高一方面减小了电源的体积和重量，另一方面也导致了更为严重的emi问题。
开关电源工作时，其内部的电压和电流波形都是在非常短的时间内上升和下降的，因此，开关电源本身是一个噪声发生源。
开关电源产生的干扰，按噪声干扰源种类来分,可分为尖峰干扰和谐波干扰两种;若按耦合通路来分,可分为传导干扰和辐射干扰两种。
目前，电子产品电磁兼容问题越来越受到人们的重视，尤其是世界上发达国家，已经形成了一套完整的电磁兼容体系，同时我国也正在建立电磁兼容体系，因此，实现产品的电磁兼容是进入国际市场的通行证。
对于开关电源来说，由于开关管、整流管工作在大电流、高电压的条件下，对外界会产生很强的电磁干扰，因此开关电源的传导发射和电磁辐射发射相对其它产品来说更加难以实现电磁兼容，但如果我们对开关电源产生电磁干扰的原理了解清楚后，就不难找到合适的对策，将传导发射电平和辐射发射电平降到合适的水平，实现电磁兼容性设计。
开关电源电磁干扰的产生机理及其传播途径功率开关器件的高额开关动作是导致开关电源产生电磁干扰( EMI )的主要原因。
开关频率的提高一方面减小了电源的体积和重量，另一方面也导致了更为严重的EMI 问题。
开关电源工作时，其内部的电压和电流波形都是在非常短的时间内上升和下降的，因此，开关电源本身是一个噪声发生源。
开关电源产生的干扰，按噪声干扰源种类来分，可分为尖峰干扰和谐波干扰两种；若按耦合通路来分，可分为传导干扰和辐射干扰两种。
使电源产生的干扰不至于对电子系统和电网造成危害的根本办法是削弱噪声发生源，或者切断电源噪声和电子系统、电网之间的耦合途径。
现在按噪声干扰源来分别说明：1、二极管的反向恢复时间引起的干扰交流输入电压经功率二极管整流桥变为正弦脉动电压，经电容平滑后变为直流，但电容电流的波形不是正弦波而是脉冲波。
由电流波形可知，电流中含有高次谐波。
大量电流谐波分量流入电网，造成对电网的谐波污染。
另外，由于电流是脉冲波，使电源输入功率因数降低。
高频整流回路中的整流二极管正向导通时有较大的正向电流流过，在其受反偏电压而转向截止时，由于PN 结中有较多的载流子积累，因而在载流子消失之前的一段时间里，电流会反向流动，致使载流子消失的反向恢复电流急剧减少而发生很大的电流变化(di/dt) 。
2、开关管工作时产生的谐波干扰功率开关管在导通时流过较大的脉冲电流。
例如正激型、推挽型和桥式变换器的输入电流波形在阻性负载时近似为矩形波，其中含有丰富的高次谐波分量。
当采用零电流、零电压开关时，这种谐波干扰将会很小。
另外，功率开关管在截止期间，高频变压器绕组漏感引起的电流突变，也会产生尖峰干扰。
3、交流输入回路产生的干扰无工频变压器的开关电源输入端整流管在反向恢复期间会引起高频衰减振荡产生干扰。
开关电源产生的尖峰干扰和谐波干扰能量，通过开关电源的输入输出线传播出去而形成的干扰称之为传导干扰；而谐波和寄生振荡的能量，通过输入输出线传播时，都会在空间产生电场和磁场。
这种通过电磁辐射产生的干扰称为辐射干扰。
4、其他原因元器件的寄生参数，开关电源的原理图设计不够完美，印刷线路板（PCB ）走线通常采用手工布置，具有很大的随意性，PCB 的近场干扰大，并且印刷板上器件的安装、放置，以及方位的不合理都会造成EMI 干扰。
这增加了 PCB 分布参数的提取和近场干扰估计的难度。
Flyback 架构 noise 在频谱上的反应0.15MHz 处产生的振荡是开关频率的 3 次谐波引起的干扰；0.2MHz 处产生的振荡是开关频率的 4 次谐波和 Mosfet 振荡 2（ 190.5KHz ）基波的迭加，引起的干扰；所以这部分较强；0.25MHz 处产生的振荡是开关频率的 5 次谐波引起的干扰；0.35MHz 处产生的振荡是开关频率的7 次谐波引起的干扰；0.39MHz 处产生的振荡是开关频率的8 次谐波和 Mosfet 振荡 2（ 190.5KHz ）基波的迭加引起的干扰；1.31MHz 处产生的振荡是Diode 振荡 1 （ 1.31MHz ）的基波引起的干扰；3.3MHz 处产生的振荡是Mosfet 振荡 1（ 3.3MHz ）的基波引起的干扰；开关管、整流二极管的振荡会产生较强的干扰设计开关电源时防止EMI 的措施：1.把噪音电路节点的 PCB 铜箔面积最大限度地减小，如开关管的漏极、集电极、初次级绕组的节点等；2.使输入和输出端远离噪音元件，如变压器线包、变压器磁芯、开关管的散热片等等；3.使噪音元件（如未遮蔽的变压器线包、未遮蔽的变压器磁芯和开关管等等）远离外壳边缘，因为在正常操作下外壳边缘很可能靠近外面的接地线；4.如果变压器没有使用电场屏蔽，要保持屏蔽体和散热片远离变压器；5.尽量减小以下电流环的面积：次级（输出）整流器、初级开关功率器件、栅极（基极）驱动线路、辅助整流器；6.不要将门极（基极）的驱动返馈环路和初级开关电路或辅助整流电路混在一起；7.调整优化阻尼电阻值，使它在开关的死区时间里不产生振铃响声；8.防止 EMI 滤波电感饱和；9.使拐弯节点和次级电路的元件远离初级电路的屏蔽体或者开关管的散热片；10.保持初级电路的摆动的节点和元件本体远离屏蔽或者散热片；11.使高频输入的EMI 滤波器靠近输入电缆或者连接器端；12.保持高频输出的 EMI 滤波器靠近输出电线端子；13.使 EMI 滤波器对面的 PCB 板的铜箔和元件本体之间保持一定距离；14.在辅助线圈的整流器的线路上放一些电阻；15.在磁棒线圈上并联阻尼电阻；16.在输出 RF 滤波器两端并联阻尼电阻；17. 在 PCB 设计时允许放 1nF/500V 陶瓷电容器或者还可以是一串电阻，跨接在变压器的初级的静端和辅助绕组之间；18.保持 EMI 滤波器远离功率变压器，尤其是避免定位在绕包的端部；19. 在 PCB 面积足够的情况下,可在PCB 上留下放屏蔽绕组用的脚位和放RC 阻尼器的位置，RC 阻尼器可跨接在屏蔽绕组两端；20.空间允许的话在开关功率场效应管的漏极和门极之间放一个小径向引线电容器（米勒电容， 10 皮法 /1 千伏电容）；21.空间允许的话放一个小的 RC 阻尼器在直流输出端；22.不要把 AC 插座与初级开关管的散热片靠在一起。
开关电源EMI 的特点作为工作于开关状态的能量转换装置，开关电源的电压、电流变化率很高，产生的干扰强度较大；干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相对于数字电路干扰源的位置较为清楚；开关频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰；而印刷线路板 (PCB) 走线通常采用手工布线，具有更大的随意性，这增加了 PCB 分布参数的提取和近场干扰估计的难度。
1MHZ 以内 ---- 以差模干扰为主，增大X 电容就可解决；1MHZ---5MHZ--- 差模共模混合，采用输入端并一系列X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决；5M 以上 --- 以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环绕 2 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减(diudiu2006) ；对于 25--30MHZ不过可以采用加大对地 Y 电容、在变压器外面包铜皮、改变PCBLAYOUT 、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，最少绕10 圈、在输出整流管两端并RC 滤波器；30---50MHZ---普遍是MOS管高速开通关断引起，可以用增大MOS 驱动电阻， RCD 缓冲电路采用 1N4007慢管，VCC供电电压用1N4007 慢管来解决；100---200MHZ---普遍是输出整流管反向恢复电流引起，可以在整流管上串磁珠；100MHz-200MHz 之间大部分出于 PFCMOSFET 及 PFC 二极管，现在 MOSFET 及 PFC 二极管串磁珠有效果，水平方向基本可以解决问题，但垂直方向就很无奈了。
开关电源的辐射一般只会影响到100M 以下的频段，也可以在MOS 、二极管上加相应吸收回路，但效率会有所降低。
1MHZ 以内 ---- 以差模干扰为主1.增大 X 电容量；2.添加差模电感；3.小功率电源可采用PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1MHZ---5MHZ---差模共模混合采用输入端并联一系列X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决。
1.对于差模干扰超标可调整X 电容量，添加差模电感器，调差模电感量；2.对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制；3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107 一对普通整流二极管1N4007 。
5M 以上 --- 以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用；也可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔闭环。
处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
对于 20--30MHZ1.对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置；2.调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值；3.在变压器外面包铜箔、变压器最里层加屏蔽层，调整变压器的各绕组的排布；4.改变 PCBLAYOUT ；5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；6.在输出整流管两端并联RC 滤波器且调整合理的参数；7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；8.在变压器的输入电压脚加一个小电容；9.可以用增大MOS 驱动电阻。
30---50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起1.可以用增大MOS 驱动电阻；2.RCD 缓冲电路采用1N4007 慢管；3.VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决；4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；5.在 MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；8.PCB 心 LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS 构成的电路环尽可能的小；9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50---100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起1.可以在整流管上串磁珠；2.调整输出整流管的吸收电路参数；3.可改变一二次侧跨接Y 电容支路的阻抗，如 PIN 脚处加 BEADCORE或串接适当的电阻；MOSFET ，铁夹卡4.也可改变MOSFET ，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡DIODE ，改变散热器的接地点）；5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。
200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI 标准。
传导方面EMI 对策传导冷机时在 0.15-1MHZ 超标，热机时就有 7DB 余量。
主要原因是初级 BULK 电容 DF 值过大造成的，冷机时 ESR 比较大，热机时 ESR 比较小，开关电流在 ESR 上形成开关电压，ESR 低的电解电容或者它会压在一个电流LN 线间流动，这就是差模干扰。
解决办法是用在两个电解电容之间加一个差模电感.........辐射方面EMI 对策辐射在 30～ 300MHz频段内出现宽带噪声超标通过在电源线上增加去耦磁环（可开合）进行验证，如果有改善则说明和电源线有关系，采用以下整改方法：如果设备有一体化滤波器，检查滤波器的接地是否良好，接地线是否尽可能短；金属外壳的滤波器的接地最好直接通过其外壳和地之间的大面积搭接。
