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光电三极管的工作原理光电三极管，也称为光电二极管，是一种电子元件，其工作原理基于光电效应。
其基本原理如下：1.光电效应：当光照射到半导体材料上时，光子会与半导体中的电子发生相互作用。
高能的光子能够将半导体中的某些电子从价带上解离，形成自由的电子和空穴对。
2.pn结：光电三极管的基本结构是由一个n型半导体和一个p型半导体组成的pn结。
当没有光照射时，pn结两侧形成一个内建电场，使得n区电子向p区移动而形成正电荷的空穴流。
3.光电三极管的结构：光电三极管的pn结能带差可决定了其工作方式。
通常，其外界接电极被称为阳极（A），与n区相连的接电极被称为阴极（K），与p区相连的接电极被称为阳极（C）。
4.工作原理：-暗电流：当光电三极管处于没有光照射的状态时，其阴极到阳极之间的电流被称为暗电流，主要由于热电子的扩散和漂移形成。
-光照射下的电流：当光照射到光电三极管的pn结时，光子能量被转化为电子能量，光子能够克服pn结的电场，使电子-空穴对通过电场，从而形成光电流。
该光电流会导致光电三极管的阴极到阳极之间的电流增加。
总结起来，光电三极管的工作原理就是利用光照射到半导体材料上时，光子与半导体中的电子相互作用，从而形成光电流。
通过控制光照射的强度，可以调节光电三极管的电流输出。
光电三极管在光电探测、光电转换等领域中有广泛应用。
光电三极管是一种能够将光信号转换为电信号的器件，其工作原理基于光电效应。
光电效应是指当光束照射到物质表面时，光子与物质中的电子相互作用，使电子从原子或分子中脱离并产生电流的现象。
光电三极管的结构一般由两个pn结组成，也就是一个npn型的晶体管。
其中，中间的n区被光照射，当光子能量大于半导体的带隙能量时，光子能够打破束缚在原子中的电子，使其成为自由电子。
在光照射下，n区释放出的电子和空穴会在pn结的内建电场影响下发生漂移和扩散运动。
正电荷的空穴由p区向n 区移动，而负电荷的电子由n区向p区移动。
817b芯片原理817b芯片原理是一种常用的集成电路芯片，它广泛应用于各种电子设备中。
该芯片具有多种功能和特性，可以实现各种复杂的电路控制和数据处理任务。
本文将从芯片的结构、工作原理、应用领域等多个方面介绍817b芯片的原理。
817b芯片是一种光耦合器件，它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光电晶体管）组成。
芯片的结构设计得非常精密，LED和光电晶体管之间通过透明的绝缘材料隔离，以防止光线干扰和电路短路。
此外，芯片还包括反向极性保护二极管，以防止芯片受到过电压的损坏。
在工作过程中，通过对LED端施加电流，LED会发出一定强度的光线。
这些光线会通过绝缘材料传播到光电晶体管的光敏区域，激发光电晶体管中的电子。
光电晶体管中的电子会产生电流，该电流会通过集电极输出给外部电路。
这样，通过控制LED输入电流的大小，就可以实现对输出电流的控制。
817b芯片的原理主要基于光电转换效应。
光电转换效应是指光线照射到光敏材料上时，能量被转化为电子能量的过程。
在817b芯片中，LED发出的光线被光敏三极管吸收后，光子的能量被电子吸收，电子被激发到导带中。
当有外部电压施加到芯片的集电极和发射极之间时，电子就会流动，从而形成输出电流。
817b芯片的应用非常广泛。
首先，它可以用作电路隔离器，将输入电路与输出电路隔离开来，从而保护电路的稳定性和安全性。
其次，它可以用作电压测量器，通过测量输出电流的大小，可以准确地获取输入电压的信息。
此外，817b芯片还可以用于电子开关、电子调光、电子计数器等多种应用场景。
总结起来，817b芯片是一种光耦合器件，它通过LED发出的光线来激发光敏三极管中的电子，并将电子能量转化为输出电流。
该芯片具有结构精密、工作稳定的特点，广泛应用于各种电子设备中。
通过对817b芯片原理的了解，我们可以更好地理解其工作机制和应用价值，为电子技术的发展做出贡献。
光耦的作用及工作原理
光耦是一种使用光电效应的器件，主要用于电气信号的隔离和传输。
它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光电晶体管）组成，通过光的转换将电信号转化为光信号，再通过光信号传递给另一端的光敏三极管而恢复为电信号。
光耦的工作原理如下：当给LED端加上正向电压时，LED会发出光。
这个时候，光会穿过耦合区域进入光敏三极管。
光敏三极管的光电效应会使该器件的电阻发生变化，形成一个等效的电流。
当光强足够强时，光敏三极管的电流将接近最大值；当光强足够弱时，电流接近于零。
根据光敏三极管的输出电流变化，可以实现对输入信号的隔离和传输。
光耦主要有两个作用：隔离和传输。
首先，光耦能够实现输入信号和输出信号之间的电气隔离，能够有效地防止噪声、干扰和电流尖峰等问题对系统的影响。
其次，光耦能够将输入信号转化为光信号，并可通过光纤等光介质进行传输。
光信号具有较高的传输速率和抗干扰能力，适用于远距离传输和高速传输需求。
需要注意的是，在使用光耦时，应根据实际需求选择适当的型号和参数，确保所选光耦的输入电流和输出电流能够满足系统要求，并保证光信号的传输质量和稳定性。
光电三极管工作原理光电三极管（Phototransistor）是一种可以将光信号转换为电信号的电子元件。
它是由光敏电阻和晶体管组成的二极管。
光电三极管常用于光电传感器和光电隔离器等应用中。
本文将对光电三极管的工作原理进行详细介绍。
光敏电阻是光电三极管的主要组成部分之一。
光敏电阻是一种对光敏感的电阻，它的电阻值会随着光照强度的变化而发生相应的变化。
当没有光照射到光敏电阻时，其电阻值较高；而当光照射到光敏电阻时，其电阻值会下降。
晶体管是光电三极管的另一个重要组成部分。
晶体管通常由三个区域构成，分别是发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。
光电三极管中的晶体管是PN结型晶体管，基区和发射区之间形成一个P型到N型的结，而集电区与基区之间形成一个N型到P型的结。
光电三极管的工作原理基于光敏电阻与晶体管之间的相互作用。
当光照射到光敏电阻上时，光敏电阻的电阻值下降。
这会导致光电三极管整体电阻的变化。
当电阻值下降到一定程度时，会导致基区和发射区之间的电压发生变化，从而控制晶体管的导电电流。
在光照较弱的情况下，光电三极管中的晶体管处于饱和状态，大量的电流可以流过晶体管。
而在光照较强的情况下，光敏电阻的电阻值下降，导致基区和发射区之间的电压降低，晶体管进入截止状态，电流无法通过。
因此，光电三极管可以根据光强的变化来调节导电电流的大小，实现对光信号的转换。
光电三极管的工作原理可以进一步被应用于光电传感器中。
光电传感器通过将光电三极管与其他电子元件结合起来，可以实现对光信号的检测和测量。
光电传感器通常可以用于光电开关、光电计数器、光电编码器等应用中。
在实际应用中，光电三极管需要适当的电源电压来保证其正常工作。
同时，还需要注意光敏电阻的光照范围和特性曲线，以便与所需应用相匹配。
总之，光电三极管是一种能够将光信号转换为电信号的电子元件。
它由光敏电阻和晶体管组成，通过光敏电阻与晶体管之间的相互作用实现对光信号的转换。
光电三极管参数
光电三极管（PhotoelectricTransistor）是一种能将光信号转换为电信号的器件。
它由一个PNP或NPN型晶体管与敏感光电二极管组成。
以下是光电三极管的一些参数解释：
1.最大漏极电压（Vceo）：光电三极管允许的最大电压跨越漏极和发射极之间的值。
2.最大光电流（Icmax）：光电三极管在最大光照条件下，可承受的最大光电流。
3.放大倍数（β）：光电三极管的放大倍数是指负载电流与基极电流之间的比率。
它衡量了光电三极管的放大效果。
4.光电电流（Iph）：在光照条件下，从光电二极管产生的电流。
5.光照强度光流特性曲线（ILIF）：表示光电三极管在不同光照强度下接收到的光照强度与光电流之间的关系。
6.相关噪声等参数：与其他传感器一样，光电三极管也会受到一些噪声的影响。
这些噪声包括热噪声和光热噪声等。
在选择光电三极管时，需要考虑这些噪声参数。
需要注意的是，光电三极管的具体参数可能因不同的厂家和型号而有所不同。
在选择和使用光电三极管时，需要根据具体的应用需求和技术要求仔细考虑这些参数。
光敏三极管发展历史
光敏三极管，也称为光敏三极管，是种光电晶体管，其工作原理与普通晶体管类似，只是集电极采用光敏结构。
光敏三极管的发展历史可以追溯到20世纪50年代，当时它被发明并开始应用于光电检测和光通信领域。
随着科技的不断发展和进步，光敏三极管的应用范围越来越广泛。
在20世纪60年代，随着光纤技术的出现，光敏三极管在光纤通信领域得到了广泛应用。
在20世纪70年代，随着集成电路技术的发展，光敏三极管开始被集成到各种电路中，成为光电转换的重要器件之一。
进入21世纪以来，随著物联网、智能家居等领域的快速发展，光敏三极管的应用前景更加广阔。
目前，光敏三极管已经广泛应用于光电检测、光电控制、光通信、医疗仪器等领域，成为现代光电技术中的重要组成部分。
总的来说，光敏三极管的发展历史经历了从最初的简单应用到现在的高度集成化和多样化应用的过程。
未来，随若技术的不断进步和应用需求的不断增长。
光敏三极管将会在更多领域得到应用和推广。
三极管放大时管子内部的工作原理1、发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。
同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。
也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
硅光电三极管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。
管芯基区面积做得较大，发射区面积却做得较小，入射光线主要被基区吸收。
与光电二极管一样，入射光在基区中激发出电子与空穴。
在基区漂移场的作用下，电子被拉向集电区，而空穴被积聚在靠近发射区的一边。
由于空穴的积累而引起发射区势垒的降低，其结果相当于在发射区两端加上一个正向电压，从而引起了倍率为β+1(相当于三极管共发射极电路中的电流增益)的电子注入，这就是硅光电三极管的工作原理。
光敏三极管(光电三极管)基础知识什么叫光敏三极管以接受光的信号而将其变换为电气信号为目的而制成之晶体管称为光敏三极管,也叫光电三极管,英文名是Photo Transister。
光敏三极管的原理及作用光敏三极管一般在基极开放状态使用(外部导线有两条线的情形比较多)，而将电压施加至射极、集极之两个端子，以便将逆偏压施至集极接合部。
光电信号转换原理及应用光电信号转换是指将光信号转化为电信号或将电信号转化为光信号的过程。
光电信号转换原理一般是通过光电器件将光信号转换为电信号，或者通过电光器件将电信号转换为光信号。
光电器件主要有光电二极管、光电三极管、光敏电阻、光电二极管阵列等；电光器件主要有电光二极管、电光三极管、光电晶体管、电控光开关等。
光电二极管是最简单的光电器件，其原理是依靠光电效应，当光照射到PN结上时，产生由光照引起的电流。
光电三极管是一种具有放大作用的光电器件，它由光电二极管与晶体管组成。
光敏电阻是一种具有光敏特性的电阻，即光照强度的改变会引起其电阻值的变化。
光电二极管阵列是将多个光电二极管组合在一起形成的一种器件。
电光二极管是将电信号转换为光信号的重要器件之一。
其原理是利用光电效应，在电场的作用下，电子从电极中跃迁到导带，形成载流子，产生光辐射。
电光三极管是将电信号转换为光信号的另一种常见器件，它通过在三极管的基极-发射极之间加高频信号，使载流子发射电流中包含了高频分量，从而产生光辐射。
光电晶体管是一种能实现从微弱电信号到光信号的转换的器件，它具有放大作用。
光电信号转换在许多领域中有广泛应用。
在通信领域，光电信号转换是实现光纤通信的关键技术之一。
光纤通信是利用光信号的传输进行远距离的高速数据传输，光电信号转换器是将发送端的电信号转换为光信号进行传输，接收端再将光信号转换为电信号。
在这个过程中，光电信号转换器起到了不可或缺的作用。
在图像传感领域，光电信号转换器被广泛应用于数码相机、监控摄像头等设备中。
数码相机中，光信号通过光电信号转换器转换为电信号，再通过模数转换器转换为数字信号，最终生成图像。
类似地，监控摄像头中的光电信号转换器将光信号转换为电信号，然后通过视频处理器进行处理，最终生成视频图像。
此外，光电信号转换在医疗领域也有着广泛的应用。
例如，光电信号转换器常用于心电图机、血氧仪等医疗设备中。
心电图机通过测量心脏的电信号来分析心脏的功能状态，其中光电信号转换器将心脏的电信号转换为可视化的心电图信号。
光耦开关原理光耦开关是一种常用的光电器件，它利用光电效应来实现电气信号的隔离和传输。
光耦开关由发光二极管（LED）和光敏三极管（光电晶体管）组成，通过LED发出的光信号来控制光敏三极管的导通和截止，从而实现输入和输出信号的隔离和传输。
在现代电子设备中，光耦开关被广泛应用于电源控制、数据传输、隔离保护等方面。
下面将详细介绍光耦开关的原理和应用。
光耦开关的工作原理。
光耦开关的工作原理基于光电效应和半导体器件的特性。
当LED端加上电压，LED会发出光信号，这个光信号会照射到光敏三极管上。
光敏三极管对光信号非常敏感，当光信号照射到光敏三极管上时，光敏三极管的导通电阻会显著减小，从而实现开关的闭合。
相反，当LED端断开电压时，光信号消失，光敏三极管的导通电阻会恢复到较大值，实现开关的断开。
通过这种方式，光耦开关实现了输入和输出信号的隔离和传输。
光耦开关的特点。
光耦开关具有很多优点，首先，它能够实现输入和输出信号的电气隔离，从而能够有效地避免输入端的高电压、高电流对输出端的影响，提高了系统的稳定性和安全性。
其次，光耦开关的响应速度快，开关动作迅速，能够满足高速信号传输的需求。
此外，光耦开关还具有体积小、重量轻、耐用性高等特点，适合于各种复杂的环境和场合。
光耦开关的应用。
光耦开关在电子设备中有着广泛的应用，首先，它常用于电源控制电路中，通过光耦开关实现电源的开关控制，保护电路和设备的安全。
其次，光耦开关还被应用于数据传输中，通过光耦开关实现数字信号的隔离和传输，提高了数据传输的稳定性和可靠性。
此外，光耦开关还被广泛应用于各种控制系统中，如自动化控制、仪器仪表、通讯设备等领域。
总结。
光耦开关作为一种重要的光电器件，具有电气隔离、高速响应、体积小等优点，被广泛应用于电源控制、数据传输、隔离保护等方面。
通过LED发出的光信号和光敏三极管的光电效应，光耦开关实现了输入和输出信号的隔离和传输。
在未来，随着电子技术的不断发展，光耦开关将会有更广泛的应用和更深入的研究，为电子设备的性能和功能提供更多的可能性。
光电三极管档位
光电三极管是一种具有三个电极的晶体管，其中基极未引出。
它根据光照强度的变化来控制集电极电流的大小，从而实现不同的工作状态。
光电三极管的档位主要取决于其应用场景和性能要求。
以下是一些常见的光电三极管档位：
1. 灵敏度档：灵敏度高的光电三极管可以检测到较弱的光照信号。
这类器件适用于需要高灵敏度探测的应用，如生物医学、光电传感器等。
2. 快速响应档：快速响应的光电三极管可以迅速响应光照变化，适用于对响应时间有要求的场景，如光纤通信、光雷达等。
3. 宽光谱响应档：宽光谱响应的光电三极管可以适应不同波长的光照，适用于光谱分析、环境监测等领域。
4. 线性输出档：线性输出的光电三极管可以提供较为稳定的电流输出，适用于需要精确控制和监测的光电系统。
5. 高功率档：高功率光电三极管具有较高的光电流和耗散功率，适用于高功率激光、闪光灯等领域。
在选择光电三极管时，需要根据实际应用需求和性能指标来选择合适的档位。
例如，要求灵敏度高时，可选用达林顿型光敏三极管；要求响应时间快、对温度敏感性小的情况下，可以选择光敏二极管。
此外，还需要考虑光电三极管的暗电流、最大耗散功率等参数。
需要注意的是，不同厂商和型号的光电三极管可能存在差异，因此在实际应用中，建议参考具体产品的技术参数和性能指标，结合自身需求进行选择。
光电传感器的分类和工作原理
光电传感器是一类基于光电效应原理的传感器，用于检测和测量光信号。
根据不同的工作原理和应用，光电传感器可以分为以下几种主要类型：
1.光敏电阻器（光敏电阻）：光敏电阻器是一种电阻，其电阻值随
光照强度的变化而变化。
当光照射到光敏电阻上时，导电材料内的电荷载流子发生变化，导致电阻值的变化。
光敏电阻器广泛应用于光照度测量、亮度控制和光强检测等领域。
2.光电二极管：光电二极管是一种半导体器件，当光照射到其PN
结时，会产生电流。
光电二极管具有快速响应速度和较高的灵敏度，广泛应用于光电转换和光电检测领域。
3.光电三极管：光电三极管（也称为光电晶体管）是一种具有放
大功能的光电传感器。
它通过光照射到其PNP或NPN结构的基区，控制集电极与发射极之间的电流，实现光信号的放大和检测。
4.光电子管：光电子管是一种真空管装置，通过光照射到阴极上，
释放出电子，经过加速和放大后形成输出信号。
光电子管具有高灵敏度和高速响应特性，广泛应用于光通信、光谱分析等领域。
5.光电开关：光电开关利用光敏元件和探测电路，实现对光信号
的检测和触发开关动作。
它通常由光源和接收器组成，光源发射光束，接收器检测到光束并产生相应的输出信号，触发开关
的操作。
这些光电传感器根据不同的工作原理和应用，可以实现光强度、光照度、距离、位置和速度等各种光学参数的检测和测量。
光耦的接法
在电子电路中，光耦是一种常用的光电器件，它由发光二极管和光敏三极管（光电晶体管）组成。
光耦的作用是实现光与电的相互转换，通常用于隔离输入输出信号、传输信号等应用。
光耦的接法对于电路性能具有重要影响，下面将介绍几种常见的光耦接法以及其特点。
串联接法
串联接法是将发光二极管和光敏三极管串联连接在一起的接法。
这种接法使得输入和输出信号可以通过光耦传递，同时实现信号的隔离。
串联接法在一些精密度要求较高、信号传输距离较短的场合中较为常见。
并联接法
并联接法是将发光二极管和光敏三极管并联连接在一起的接法。
这种接法在一些特定情况下能够提高光耦的响应速度和灵敏度，适用于一些对信号要求较高的场合。
然而，由于并联接法可能导致一些信号干扰和耦合现象，因此在设计电路时需要谨慎选择。
共阴极接法
共阴极接法是一种常见的光耦接法，即将光耦的负极（阴极）连接在一起，而正极（阳极）分别连接到输入和输出信号的接口上。
这种接法适用于一些需要共地连接的电路中，能够简化电路设计，降低电路复杂度。
共阳极接法
共阳极接法与共阴极接法相反，即将光耦的正极（阳极）连接在一起，而负极（阴极）分别连接到输入和输出信号的接口上。
这种接法在一些需要共正极连接的电路中较为常见，能够简化接线和提高电路的稳定性。
综上所述，光耦的接法在电子电路设计中具有重要作用，不同的接法适用于不同的场合。
在选择光耦接法时，需要根据电路要求、信号特性和性能需求来进行合理选择，
以实现最佳的电路性能和信号传输效果。
通过合理设计和应用光耦接法，可以有效提高电路的可靠性和稳定性，实现信号的精确传输和隔离。
光电三极管也称光敏三极管，它的电流受外部光照控制。
是一种半导体光电器件。
比光电二极管灵敏得多，光照集中电结附近区域。
利用雪崩倍增效应可获得具有内增益的半导体光电二极管（APD）,而采用一般晶体管放大原理，可得到另一种具有电流内增益的光伏探测器，即光电三极管。
它的普通双极晶体管十分相似，都是由两个十分靠近的p-n结-------发射结和集电结构成，并均具有电流发大作用。
为了充分吸收光子，光电三极管则需要一个较大的受光面，所以，它的响应频率远低于光电二极管。
[1]2.1机构与工作原理光电三极管是一种相当于在基极和集电极之间接有光电二极管的普通三极管，因此，结构与一般晶体管类似，但也有其特殊地方。
如图2.1.1所示。
图中e.b.c分别表示光电三极管的发射极.基极和集电极。
正常工作时保证基极--集电极结（b—c结）为反偏正状态，并作为受光结（即基区为光照区）。
光电三极管通常有npn和pnp型两种结构。
常用的材料有硅和锗。
例如用硅材料制作的npn结构有3DU型，pnp型有3GU型。
采用硅的npn型光电三极管其暗电流比锗光电三极管小，且受温度变化影响小，所以得到了广泛应用。
[2]光电三极管的工作有两个过程，一是光电转换;二是光电流放大。
光电转换过程是在集---基结内进行，它与一般光电二极管相同。
[3]当集电极加上相对于发射极为正向电压而基极开路时（见图2.1.1（b）），则b--c结处于反向偏压状态。
无光照时，由于热激发而产生的少数载流子，电子从基极进入集电极，空穴则从集电极移向基极，在外电路中有电流（即暗电流）流过。
当光照射基区时，在该区产生电子---空穴对，光生电子在内电场作用下漂移到集电极，形成光电流，这一过程类似于光电二极管。
于此同时，空穴则留在基区，使基极的电位升高，发射极便有大量电子经基极流向集电极，总的集电极电流为IC=IP +βI P=（1+β）IP2.1.1图2.1.1光电三极管结构及工作原理（a）结构示意图（b）光电变换原理（c）电流放大作用式中β为共发射极电流放大倍数。
3.3.4 光电三极管（光电晶体管）
一. 工作原理
光电三极管的工作原理分为两个过程：
一是光电转换；二是光电流放大。
集电极输出的电流为：
为提高光电三极管的增益，减小体积，常将光电二极管或光电三极管及三极管制作到一个硅片上构成集成光电器件。
二. 光电三极管特性
1.伏安特性
光电三极管在偏置电压为零时，无论光照度有多强，集电极电流都为零。
偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置。
随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。
光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。
这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。
2.时间响应（频率特性）
光电三极管的时间响应由以下四部分组成：
① 光生载流子对发射结电容C be 和集电结电容C bc 的充放电时间； ② 光生载流子渡越基区所需要的时间；
③ 光生载流子被收集到集电极的时间；
④ 输出电路的等效负载电阻R L 与等效电容C ce 所构成的RC 时间。
总时间为上述四项和。
比光电二极管的时间响应长。
通常，硅光电二极管的时间常数一般在0.1µs 以内，PIN 和雪崩光电二极管为ns 数量级，硅光电三极管长达5～10µs。
3.温度特性
硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流I d 和光电流I L 均随温度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅光电三极管的暗电流I d 和亮电流I L 受温度的影响要比硅光电二极管大得多。
4.光谱响应
光电二极管与硅光电三极管具有相同的光谱响应。
图所示为典型的硅光电三极管3DU3的光谱响应特性曲线，它的响应范围为0.4~1.0μm ，峰值波长为0.85μm 。
对于光电二极管，减薄PN 结的厚度可以使短波段波长的光谱响应得到提高，因为PN 结的厚度减薄后，短波段的光谱容易被减薄的PN 结吸收（扩散长度减小）。
因此，可以制造出具有不同光谱响应的光伏器件，例如蓝敏器件和色敏器件等。
蓝敏器件是在牺牲长波段光谱响应为代价获得的（减薄PN 结厚度，减少了长波段光子的吸收）。
光电三极管
无基极引线的光电三极管。
它是依靠光的“注入”，把集电结光电二极管的光电流加以放大，从而在集电极回路中得到一个被放大的光生电流。
注入的光强不同，得到的光生电流也不同。
无基极引线光电三极管实际使用时有电流控制和电压控制两种电路。
有基极引线的光电三极管。
具有基极引线的光电三极管，可以在基极上提供一定偏流，以减少器件的发射极电阻，改善弱光条件下的频率特性，P C I I β=
同时使光电三极管的交流放大倍数β进入线性区，有利于调制光的探测。
适用于高速开关电路和调制光的探测。
