李诚瞻 刘 键 刘新宇 薛丽君 陈晓娟 和致经
（ 中国 科 学 院 微 电 子 研 究 所 ，北 京 １０２） ０ ０ ９
摘 要 ： 比较 有 无 Ａ Ｎ 插 入 层 Ａ１ Ｎ／ Ｎ ＨＥ １ Ｇａ Ｇａ ＭＴ 在 直 流 偏 置 应 力 条 件 下 的 电流 崩塌 程 度 ， 究 Ａ１ 插 入 层 对 电 ｓ 研 Ｎ 流 崩 塌 的影 响 ． 测 试 结 果 看 ， Ａ１ 从 无 Ｎ插 入 层 的 Ａ Ｇａ Ｇａ ＭＴ 有 更 显 著 的 电 流 崩 塌 程 度 ， 明 ＡＩ 插 入 层 Ｉ Ｎ／ Ｎ ＨＥ ｓ 表 Ｎ
的源漏 电压 的情况 下才 能 发生 ． 源漏 电压下 ， 大 栅漏 之 间产生 强 电场 ， 沟道 热 电子受 激 发遂 穿到 ＡＩ Ｎ Ｇａ 表 面 ， 栅漏 之 间的表 面态 俘获 ， 栅耗尽 区横 向扩 被 使 展 ， 成 虚栅 ， 而减小 沟道 ２ Ｇ 浓 度 ， 致 器件 形 从 ＤＥ 导 漏 电流退 化 ， 出现 电流 崩塌 ［ ］ ５ ． Ｊ 针 对直 流 应 力 引起 的 电流 崩塌 ， 多 研 究 者通 很 过 改 善 材 料 结 构 的 方 法 抑 制 电 流 崩 塌 ． ｉ ｎ等 Ｓｍｉ
衬底 上 ，ＧＨｚ微波 功率 最 高可 达到 １ ６ ３． ４ ３ Ｗ＿ ］ 虽然 Ａｌ ａ Ｇａ ＭＴ在 高 频 、 功率 方 面 Ｇ Ｎ／ Ｎ ＨＥ 大 取得 了可喜 的 成 就 ， 是 电流 崩 塌 效 应 仍 然 是 Ａ１ 但 ． Ｇａ Ｇａ ＭＴ面临 的主 要 问题 ． 了脉 冲应 力 Ｎ／ Ｎ ＨＥ 除 引起 电流 崩 塌效 应 ［ ， 流偏 置 应 力 引起 的 电流崩 ４直 ］ 塌现 象也 值得 关 注 ． 量文 献报 道 ， 器件 施加 一定 大 对 时 间的 直流偏 置 应力 ， 器件 直流特 性 明显退 化 ， 出现 电流崩 塌现 象 ］ 这 种 电流 崩 塌 只 有 在 施 加 很 大 ．
