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化学气相沉积技术制备石墨烯石墨烯是由一层厚度不超过0.34纳米的碳原子构成的二维材料，其独特的电子结构使其具有出色的导电和导热性能，以及高度的机械强度和化学稳定性。
随着对石墨烯特性深入研究，其在电子器件、光电器件、传感器等领域的应用已经得到了广泛的关注。
然而，由于石墨烯的薄膜结构和高度的化学不活性，其制备过程相对困难，直接从大块石墨材料中剥离制备的单层石墨烯技术及其它制备方法均存在一定的限制。
化学气相沉积(CVD)技术是目前制备石墨烯的主流方法之一，该方法采用化学气相反应在晶体表面生长出石墨烯薄膜。
CVD法制备石墨烯的基本流程包括三个步骤: 供气、反应和退火。
在供气阶段，通过流量控制进行等量且准确的混气。
在反应过程中，分解的烃类分子在催化剂的作用下发生裂解反应生成碳原子。
最后，在退火过程中，石墨烯薄膜进行结晶，并在同步的气氛中去除溶胶和杂质，使石墨烯晶体化。
CVD技术制备石墨烯的主要优点是可以大面积、高效率地制备石墨烯，并且可以调控其厚度、晶格结构和形态等性质。
同时，该方法可以利用超薄石墨烯薄膜的传感性能，通过对气体、化学物质的敏感性进行研究来实现高侦测灵敏度的传感器。
然而，CVD技术也存在一些缺陷。
首先，该方法需要使用成本较高的催化剂，以及高温、大气压等条件，而这些设备的购买和维护成本较高。
其次，CVD方法制备出的石墨烯薄膜一般需要后续的化学、物理处理才能得到所需要的特性，同时其制备过程中可能会出现少量的缺陷和折叠，并影响其性能。
目前，CVD制备石墨烯技术的研究已经趋于成熟，不断提高其生产效率和质量，同时探索其更广泛的应用也是科学家们关注的焦点之一。
通过CVD制备的石墨烯薄膜的特性及其应用已经成为国际上的研究热点之一，特别是在新型光电器件、传感器、生物医学等领域，其应用前景十分广阔，未来还将重点关注CVD制备石墨烯技术在材料分析方面的应用，因为石墨烯材料的精细结构以及其表面化学反应的区别，石墨烯在材料性能分析和精细结构调控方面具有很大的潜力，这将进一步推动石墨烯的应用和发展。
大面积石墨烯的合成与转移实验石墨烯（Graphene)是一种由碳原子组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，是只有一个碳原子厚度的二维材料.它的出现引起了全世界的研究热潮，并且以惊人的速度在发展。
它不但对物理化学方面的纳米技术产生了重大影响 ,而且对材料科学和工程以及各个学科之间的纳米技术也产生了重大的影响。
本实验中，大面积石墨烯的合成是通过化学气相沉积法(CVD）来合成，石墨烯的转移主要采用湿法转移来实现。
【实验目的】1、理解利用化学气相沉积法合成纳米材料的方法;2、熟悉双温区管式炉的操作；3、掌握大面积石墨烯合成的过程；4、掌握大面积石墨烯的湿法转移过程。
【实验原理】1、化学气相沉积(CVD）的基本原理化学气相沉积是一种化学气相生长法，简称CVD （Chemical Vapor Deposition）技术。
这种方法是把含有构成薄膜元素的一种或者几种化合物的单质气体提供给基片，利用加热、等离子体、紫外线乃至激光等能源，借助气相作用或者基片表面的化学反应（热分解或化学合成）生成要求的薄膜。
由于CVD法是一种化学合成的方法，所以可以制备多种物质的薄膜。
如各种单晶、多相或非晶态无机薄膜。
CVD法制备薄膜的过程，可分为以下几个主要阶段：（1）反应气体向基片表面扩散；（2）反应气体吸附于表面;（3）在基片表面上发生化学反应；（4）在基片表面产生的气相副产物脱离表面而扩散掉或被真空泵抽走，在基片上留下不会发的固体反应物-薄膜.2、大面积石墨烯在铜箔上的生长机理对于石墨烯这一新型的二维纳米材料在铜箔上生长的机理来说，暂时还没有确切的理论来解释，但目前比较流行的说法是：表面催化作用是石墨烯在铜箔上生长的主要机制（在镍箔上主要是析出机制）,甲烷在铜箔的催化下被分解，碳原子键断裂并在铜箔的表面以sp2杂化键重新形成并连接生成石墨烯(如图1所示为石墨烯制备过程图)。
上述过程发生在图 1中所示的甲烷分解阶段，而不是在降温阶段。
CHEMICAL INDUSTRY AND ENGINEERING PROGRESS 2018年第37卷第1期·168·化 工 进展石墨烯、3D 石墨烯及其复合材料的研究进展刘霞平，王会才，孙强，杨继斌（天津工业大学环境与化学工程学院，天津 300387）摘要：石墨烯是由单层碳原子紧密堆叠而成的蜂窝状材料，具有比表面积大、传热性能好、导电能力强等优点，普遍应用于各个领域。
但由于石墨烯使用过程中易团聚，导致其应用领域受限。
石墨烯组装而成的3D 石墨烯拥有更大的活性表面积等特性，近年来引发密切关注。
与此同时，石墨烯、3D 石墨烯改性成为当前探究的焦点。
本文在介绍石墨烯、3D 石墨烯的结构、性能及石墨烯制备的基础上，总结了3种复合材料的主要制备途径，并且分析了其合成方法的利弊。
重点探讨了它们在锂离子电池、燃料电池的电化学催化剂及传感器中的应用，简述了复合材料优良性能产生的机理。
提出在掺杂改性中应注意各元素掺杂量、掺杂比例、掺杂位点的确定等问题。
最后指出了石墨烯、3D 石墨烯及其复合材料的制备还面临不稳定、无法大规模生产、导电率低的瓶颈并对其在固态金属锂电池、透明电池、吸附材料等领域的发展前景做了展望。
关键词：石墨烯；3D 石墨烯；改性；团聚；复合材料中图分类号：TB33 文献标志码：A 文章编号：1000–6613（2018）01–0168–07 DOI ：10.16085/j.issn.1000-6613.2017-0838Research progress of graphene and 3D graphene compositesLIU Xiaping ，WANG Huicai ，SUN Qiang ，YANG Jibin（School of Environmental and Chemistry Engineering ，Tianjin Polytechnic University ，Tianjin 300387，China ）Abstract: Graphene is a honeycomb material composed of a flat monolayer of tightly packed carbonatoms. It has large surface area ，good heat transfer performance ，and excellent conductivity ，and therefore is widely used in various fields. However ，graphene is easy to aggregate ，which greatly limits its applications. In recent years ，the graphene assembled 3D graphene has attracted lots of attention because of its large active surface area and other good characteristics. At the same time ，the modifications of graphene and 3D graphene have become the focus of current research. This paper introduced the structure and properties of graphene and 3D graphene and the preparation of graphene ，and then summarized the main preparation methods of three kinds of composites ，followed by the analysis of the advantages and disadvantages of the synthesis method. Special emphasis was devoted to their applications in lithium ion batteries ，electrochemical catalysts of fuel cells and sensors. The mechanism of the excellent performance of composite materials was briefly introduced. It is suggested that the doping amount ，doping ratio and the doping sites are key factors in the doping modification. Finally ，it was pointed out that the preparation of graphene and 3D graphene composites is also facing bottlenecks of instability ，unable to prepare in large scale and low conductivity. Finally ，its prospects in the development of solid metal lithium batteries ，transparent batteries ，adsorption materials and other fields were also discussed. Key words ：graphene ；3D graphene ；modification ；agglomeration ；composites@ 。
cvd石墨烯的制备与转移CVD石墨烯的制备与转移引言：石墨烯作为一种二维材料，具有优异的电学、热学和力学性能，在电子器件、传感器、催化剂等领域具有广泛的应用前景。
其中，化学气相沉积（CVD）是一种常用的制备方法，可以在金属衬底上快速高效地合成大面积的石墨烯薄膜。
本文将重点介绍CVD石墨烯的制备过程以及转移技术。
一、CVD石墨烯的制备过程1. 基本原理CVD石墨烯的制备是通过在高温环境下使碳源气体分解生成石墨烯，并在金属衬底表面沉积形成薄膜。
常用的碳源气体有甲烷、乙烯等。
在高温条件下，碳源气体分解生成碳原子，然后在金属表面进行扩散和聚合，最终形成石墨烯结构。
2. 制备步骤（1）准备金属衬底：常用的金属衬底有镍、铜等。
首先需要对金属衬底进行表面处理，以提高石墨烯的生长质量。
（2）预处理：将金属衬底放入热处理炉中，在惰性气氛下进行退火处理，去除表面氧化物等杂质。
（3）生长条件设置：将处理后的金属衬底放入石墨炉中，加热到适当的温度。
同时，通过注入碳源气体和惰性气氛来控制反应气氛。
（4）生长时间控制：根据需要得到的石墨烯薄膜厚度，控制反应时间。
一般情况下，生长时间越长，石墨烯的厚度越大。
（5）冷却处理：将反应结束后的金属衬底冷却至室温，取出即可得到CVD生长的石墨烯。
二、CVD石墨烯的转移技术将CVD生长的石墨烯从金属衬底上转移到目标衬底上是进行后续器件制备的关键步骤。
常用的转移技术有机械剥离法、热释放法和湿法转移法。
1. 机械剥离法机械剥离法是最早被采用的一种石墨烯转移技术。
通过在石墨烯上涂覆一层粘性较弱的聚合物，然后用胶带或支撑材料将石墨烯剥离下来，再将其转移到目标衬底上。
这种方法操作简单，但对石墨烯的质量和完整性要求较高。
2. 热释放法热释放法通过在金属衬底上生长一层较厚的二硫化钼（MoS2）薄膜，然后通过加热使MoS2与金属衬底分离，从而将石墨烯转移到目标衬底上。
这种方法相对较容易实现，但需要使用高温来实现MoS2与金属衬底的分离。
微波等离子体化学气相沉积法制备石墨烯的研究进展涂昕;满卫东;游志恒;阳朔【摘要】Due to itsadvantages by low-temperature growth, a widely selection of the substrate materials and easily doped, microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD)is the first choice of the grapheme prepration by large area、high speed、high quality.The several main CVD methods for synthesizinggrapheme are compared.It found out that MPCVD has clear superiority.Then the study of graphene prepared by MPCVD is stly the application of graphene pre-pared by MPCVD is introduced and also the development trend of graphene prepared by MPCVD is prospected .%微波等离子体化学气相沉积（ MPCVD）法具有低温生长、基底材料选择广泛、容易掺杂等优点，是大面积、高速率、高质量石墨烯制备的首选。
首先通过比较制备石墨烯的几种主要CVD方法得出MPCVD法的优势，然后阐述了MPCVD法制备石墨烯的研究，最后介绍了MPCVD法制备的石墨烯的应用并对MPCVD法制备石墨烯的发展趋势进行了展望。
【期刊名称】《真空与低温》【年(卷),期】2014(000)002【总页数】9页(P63-70,76)【关键词】微波等离子体化学气相沉积;石墨烯;研究;应用【作者】涂昕;满卫东;游志恒;阳朔【作者单位】武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，湖北武汉430073;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，湖北武汉430073;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，湖北武汉430073;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，湖北武汉430073【正文语种】中文【中图分类】O4840 引言2004年，英国曼彻斯特大学的K．S．Novoselov等［1］采用微机械剥离法利用特殊胶带剥离高定向热解石墨(HOPG)首次获得了独立存在的高质量单层石墨烯。
化学气相沉积法在液态铜衬底上制备石墨烯的研究进展
王宇薇
【期刊名称】《辽宁工业大学学报:自然科学版》
【年(卷),期】2022(42)3
【摘要】石墨烯具有独特的物理和化学性质,其在微电子器件和储能器件等领域有着广阔的应用前景。
化学气相沉积(CVD)法是制备石墨烯最成熟的技术之一。
目前,多数CVD法利用固体金属催化剂制备石墨烯,制备的石墨烯普遍具有结构缺陷,如褶皱、裂纹和晶界等。
最近,利用液态金属催化剂尤其是液态铜制备石墨烯,能够降低石墨烯的缺陷密度。
本文对利用液态铜制备石墨烯的研究进展进行了简要的论述和分析。
【总页数】6页(P164-169)
【作者】王宇薇
【作者单位】锦州师范高等专科学校环境科学学院
【正文语种】中文
【中图分类】O793
【相关文献】
1.铜镍合金为衬底化学气相沉积法制备石墨烯研究
2.绝缘衬底上化学气相沉积法生长石墨烯材料
3.铜基底上双层至多层石墨烯常压化学气相沉积法制备与机理探讨
4.蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯
5.化学气相沉积法在金属衬底上制备石墨烯及其H_(2)刻蚀的研究进展
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石墨烯研究总结报告（一）引言概述:石墨烯作为一种新型二维材料，具有出色的电子、光学和力学性能，引起了广泛的研究兴趣。
本文通过梳理相关文献，对石墨烯的研究进展进行总结，以期为石墨烯的应用开发和进一步研究提供参考。
正文：一、石墨烯的制备方法1. 机械剥离法2. 化学气相沉积法3. 液相剥离法4. 氧化石墨烯还原法5. 其他新型制备方法的研究进展二、石墨烯的物理性质研究1. 石墨烯的带电输运性质2. 石墨烯的光学特性3. 石墨烯的力学性能4. 石墨烯的热导率研究5. 石墨烯的磁性研究三、石墨烯的化学功能化1. 石墨烯的表面修饰\ta. 按照种类分类\tb. 按照表面修饰方法分类2. 石墨烯复合材料的研究进展\ta. 石墨烯在聚合物复合材料中的应用 \tb. 石墨烯在金属基复合材料中的应用 \tc. 石墨烯在陶瓷基复合材料中的应用四、石墨烯的生物应用研究1. 石墨烯在生物传感器中的应用\ta. 生物传感器制备方法研究\tb. 石墨烯在DNA传感器中的应用\tc. 石墨烯在蛋白质传感器中的应用2. 石墨烯在药物传输和治疗中的应用\ta. 载药石墨烯的制备方法\tb. 石墨烯在癌症治疗中的应用\tc. 石墨烯在抗菌治疗中的应用五、石墨烯的应用前景展望1. 石墨烯在电子器件中的应用前景2. 石墨烯在能源领域中的应用前景3. 石墨烯在环境保护中的应用前景4. 石墨烯在医疗领域中的应用前景5. 石墨烯在材料领域中的应用前景总结：通过对石墨烯的制备方法、物理性质研究、化学功能化以及生物应用研究的详细梳理，我们可以看出石墨烯具有广泛的应用潜力。
虽然石墨烯的应用仍面临一些挑战，但可以预见，随着研究的深入和技术的进步，石墨烯将在各个领域发挥重要作用，并成为未来材料研究的热点之一。
石墨烯吸附材料的制备与应用研究进展石墨烯是由碳原子构成的单层二维晶体结构材料，具有出色的机械强度、电学性质和化学稳定性，因此被广泛研究与应用。
其中，石墨烯吸附材料作为一种重要的研究方向，因其在环境污染治理、能源存储和催化剂等领域的潜在应用而备受关注。
本文将对石墨烯吸附材料的制备方法和应用方面的研究进展进行综述。
首先，石墨烯吸附材料的制备方法多种多样。
常见的方法包括化学气相沉积法、机械剥离法和化学氧化还原法等。
化学气相沉积法通过在高温下使碳源气体分解沉积到基底上，从而得到石墨烯薄膜。
机械剥离法则是通过机械剥离的方式从三维石墨晶体中获得单层石墨烯。
而化学氧化还原法则是利用重要的氧化还原反应将石墨烯氧化，并经过还原制备得到功能化的石墨烯材料。
其次，石墨烯吸附材料在环境污染治理方面展现出巨大的潜力。
由于石墨烯吸附材料具有大的比表面积、高的孔隙率和优异的吸附性能，因此能有效地吸附和去除水中的重金属离子、有机物和有害气体等污染物。
同时，石墨烯吸附材料具有良好的再生性和稳定性，在环境污染治理中具有广阔的应用前景。
此外，石墨烯吸附材料在能源存储方面也具有重要的应用价值。
石墨烯具有极高的电导率和电子传输速率，因此可以作为电极材料应用于锂离子电池、超级电容器和燃料电池等能源存储设备中。
石墨烯吸附材料的多孔结构和大比表面积也有助于提高电池的循环稳定性和能量密度，使其在能源存储领域有着广泛的应用前景。
最后，在催化剂方面，石墨烯吸附材料也具有很高的应用潜力。
石墨烯吸附材料在催化领域可以作为催化剂的载体材料，用于各类有机反应和氧化反应中。
由于石墨烯具有高的比表面积和优异的导电性，可以提高催化剂的反应活性和稳定性。
此外，石墨烯吸附材料还可通过功能化来调控其催化性能，进一步拓展其在催化反应中的应用。
综上所述，石墨烯吸附材料作为一种新型的吸附材料，在环境污染治理、能源存储和催化剂等领域有着广泛的应用前景。
未来的研究方向包括制备方法的改进、功能化改性和材料性能的优化等，并且需要注重石墨烯吸附材料的可持续发展和大规模制备技术的实现，以满足实际应用的需求。
《石墨烯的化学气相积沉法制备》
石墨烯的化学气相积沉法制备
石墨烯是一种类似金属的新型纳米材料，具有优异的电学特性和高强度、高抗拉强度、以
及出色的热导性和保护性等特点，使其在电子、能源、动力、光学等领域具有重要的应用
价值。
因此，研究石墨烯的制备方法，是当前关注的热点问题。
化学气相积沉法是制备石墨烯的一种重要方法。
该方法是通过原料物质(一般选用无机颗
粒或有机溶剂)在加热的气态环境中，形成微粒，并在溶液中自由运动、并在两者的作用下，形成纳米粒子的积累，最终形成石墨烯薄膜。
化学气相积沉法制备石墨烯的关键步骤是控制反应条件，确定原料物质及其前驱体，原料
物质通常选用有机溶剂或无机颗粒，可以采用烷基醚、苯醚、二甲苯、碳酸酯、羧酸酯等
有机物质，也可以采用金刚石、金属氧化物、氧化铁、氧化锌或其他无机物质。
前驱体主
要由氢气、甲烷、乙烯等不同的碳氢键构成，可以控制石墨烯的微结构和性能特性，其制
备的石墨烯可以适应不同的应用场景。
石墨烯的化学气相积沉法有可以控制石墨烯的微结构和性能特性，是制备石墨烯的重要方法，在石墨烯的制备方面发挥着重要的作用。
此外，化学气相积沉法还具有反应条件简易
可控，操作简便，成本低等优势，是一种低成本、高产率的可行方法，可以有效地提高石
墨烯的制备效率。
总之，化学气相积沉法是制备石墨烯的一种重要方法，具有反应条件简易可控、操作简便、成本低等优势，可以有效地提高石墨烯的制备效率，并且可以控制石墨烯的微结构和性能
特性，在应用中发挥着重要作用。
石墨烯的研究进展刘乐浩，李铁虎，赵廷凯，王大为(西北工业大学材料科学与工程学院，西安710072)摘要石墨烯是碳的又一同素异形体，具有独特的二维结构和优异的力学、电学、光学、热学等性能，成为富勒烯和碳纳米管之后的又一研究热点。
全面综述了近几年来石墨烯的制备方法，洋细讨论了微机械剥离法、化学剥离法、化学合成法、外延生长法、电弧法、化学气相沉积法的优缺点，并针对制备方法存在的产量低、结构不稳定、高污染等问题，提出了一些大规模可控制备高质量石墨烯的建议。
还结合石墨烯的结构和特性，概括了石墨烯在复合材料、微电子、光学、能源、生物医学等领域的应用进展，并展望了其主要研究方向和发展趋势。
关键词石墨烯制备方法应用中图分类号：〇613. 71 文献标识码：Research Progress on GrapheneLIU Lehao，LI Tiehu，ZHAO Tingkai，WANG Dawei (School of Materials Science and Engineering，Northwestern Polytechnical University，Xi，an 710072)Abstract As an allotrope of carbon，graphene has become a research hotspot due to its unique two-dimensional structure and excellent mechanical，electrical，optical and thermal properties. Synthesis of graphene via different approaches ，such as micro mechanical stripping， chemical stripping， chemical synthesis， epitaxial growth， arc dis- charge，and chemical vapor deposition， are discussed in detail， and strategies for producing homogeneous graphene with improved yield and structural stability while limiting its pollution are proposed. Also application progress of gre- phene in polymer composites，micro electronics， optics， energy and biomedicine are summarized， and the main research direction and development trend are imagined.Key words graphene，preparation methods，applicationo引言富勒烯[1]和碳纳米管[2]已经成为碳材料研究的热点，而在2004年，Geim等[3]又发现了碳的又一同素异形体——石墨烯（Graphene)。
化学气相沉积法合成石墨烯的转移技术研究进展黄 曼１郭云龙2*武 斌2刘云圻2付朝阳1*王 帅1*(1华中科技大学化学与化工学院 武汉 4300742中国科学院化学研究所有机固体重点实验室 北京 100190)摘 要化学气相沉积(CVD)法合成石墨烯已为人们广泛研究采用。
其中，如何将生长的石墨烯材料转移到与各种器件匹配的基底上是十分重要的科学问题。
本文从方法、特点和结果等方面综述了由CVD法合成石墨烯的几种主要转移技术的研究进展，并对转移技术的未来做出了展望。
关键词化学气相沉积法 石墨烯 转移技术Progress in Transfer Techniques of Graphene Synthesized by Chemical VaporDepositionHuang Man1,Guo Yunlong2*,Wu Bin2,Liu Yunqi2,Fu Chaoyang1*,Wang Shuai1*(1School of Chemistry and Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074;2Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190)Abstract The growth of graphene by chemical vapour deposition (CVD) is being widely studied. The transfer of graphene grown by CVD onto a substrate for making devices is a very important area of research. In this paper, six main transfer techniques of CVD-grown graphene were analyzed. Also, the advances in the methods, characteristics and results of the transfer techniques of CVD-grown graphene were discussed. Finally, the future of transfer techniques was briefly introduced.Keywords Chemical vapor deposition,Graphene,Transfer techniques自2004年Geim等[1]发现石墨烯(graphene)以来，石墨烯的研究已为世界各国科学家所高度重视。
石墨烯是由单层碳原子紧密堆积而成的二维蜂窝状晶体，同时也是构建不同维度结构碳材料的基本结构单元，它可以卷曲成零维富勒烯、一维碳纳米管和三维石墨[2]。
石墨烯作为一种有独特电子性能的理想二维材料，引起了研究者们对于探索凝聚态物理学中的基本问题(例如，量子霍尔效应)以及开发各种应用(例如，透明电极等)的广泛兴趣[1~6]。
此外，石墨烯在晶体管、超级电容器和传感器等方面广泛的应用[6~9]也得到了产业界的广泛关注。
石墨烯已经成为材料科学、凝聚态物理学及高科技产品生产领域中一颗冉冉升起的“明星”[2]。
可控制备高质量、大面积单层、单晶石墨烯是石墨烯合成的趋势。
目前，石墨烯的主要制备方法有机械剥离法[1]、化学剥离法[10,11]、SiC外延生长法[12~14]、化学气相沉积(CVD)法[7,15~17]等。
其中，CVD 法是目前获得大面积高质量、层数可控的石墨烯的主要方法。
由于Cu极溶碳率低[15]，以Cu为基体的CVD法已经发展成迄今为止最具前景的大面积单层石墨烯合成法[18~23]。
另外，近年来，科学家们也对无需转移的CVD法合成的石墨烯做了相关研究[24,25]，它的突出优点是去除了传统转移黄 曼女，25岁，硕士，从事石墨烯的制备、表征及性能研究。
*联系人，E-mail: cyfu@；samuel19741203@；guoyunlong@国家自然科学基金项目(51173055)和跨世纪优秀人才和国家青年千人项目资助2012-03-25收稿，2012-09-25接受石墨烯技术的繁琐和影响，可以直接用于后续制备器件；不过这些达到无需转移要求的CVD法制备石墨烯技术也有它的不足之处，比如生长条件苛刻以及制备出的石墨烯质量不高等。
中国科学院化学研究所在CVD法制备石墨烯方面做了大量研究，并在近两年取得了一定突破。
Wu 等[21]在常压下于Cu箔表面可控地合成了大面积“等六角形”石墨烯，对进一步研究石墨烯的边缘/形貌机制等都有着重要的理论和实际意义；接着，他们又在“液态铜”上用CVD法成功制备出了均一的六角石墨烯片和薄膜[22]，实验发现以“液态铜”为基体更能有效控制生长过程中的成核机制，得到均一、单层、自对齐、大面积、单一区域的六角石墨烯片。
另外，Chen等[23]在SiO2绝缘基底上用CVD法直接合成了大面积多晶石墨烯，此方法易与现代半导体加工技术相集成。
总之，基于金属催化剂为基体的CVD生长石墨烯是非常有前景的合成方法，然而，制备出高质量的石墨烯只是石墨烯合成上的发展与进步，要使石墨烯真正在应用领域有所突破，石墨烯的转移技术是不可或缺的工艺手段。
因为在将石墨烯应用于器件时，需要将其转移至与器件相匹配的目标基底上，由此得到的石墨烯的优劣将影响器件的最终性能，因此，石墨烯的发展前景与其转移技术的发展是密不可分的。
但是，目前石墨烯的转移技术的发展还不尽人意，这就在一定程度上限制了石墨烯的应用与发展。
本文通过对近年来发表的关于CVD法合成石墨烯转移技术的文章分析，按转移原理分类予以阐述每种转移技术的优缺点，为石墨烯转移技术的研究提供理论与实践指导，并展望了改进已有转移技术及探索新技术的重要性与迫切性。
1 CVD法石墨烯主要转移技术1.1“基体刻蚀”法Reina等[26]运用“基体刻蚀”法[6~8,15,20,26~31]首次实现了CVD法合成石墨烯的转移。
他们以Si片表面蒸镀Ni为基体生长少数层石墨烯(FLG)，在旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)后，用稀盐酸(～3%)刻蚀掉Ni，然后转移至目标基底上，最后用丙酮除去PMMA。
不过，所得到的石墨烯容易破裂，这可能是由于平整度的不同导致石墨烯与基底不能够完全接触所致。
Li等[6]在此基础上提出了一种改进方法，他们在用丙酮除去PMMA之前，再次滴加少量原PMMA溶液使PMMA膜溶解，形成新的PMMA膜，在室温下放0.5 h后再用丙酮将其除去。
在原有PMMA膜的部分或全部溶解过程中，使得石墨烯表面机械应力进一步优化，进而与基底接触更加完全，粘附力相对增强。
这样转移得到的石墨烯薄膜裂缝和裂纹的密度均降低，而且具有高电导性和高光透过率，可以很好地应用于透明导电电极。
然而，即使这样的技术改进PMMA依然很难除去，石墨烯的表面仍有一定的PMMA薄膜存在，后续制备的器件得到的性能也会受到影响。
为研究如何更好地除去残留的PMMA，Lin等[32]通过理论和实践分析证明，虽然离获得大面积干净石墨烯还有很长一段路要走，但是退火可以为去除石墨烯表面的聚合污染物(比如PMMA)提供一种简易的方法。
Lee等[20]也指出，将转移至目标基底的石墨烯/PMMA经丙酮溶解后，再经500℃退火处理，得到的石墨烯表面要比只用丙酮溶解的石墨烯表面干净得多(图1)。
近期，Park等[9]针对如何除去石墨烯表面残留的PMMA提出了以下4种途径，并对比得出了它们的优劣。
(1)浸入丙酮中24h；(2)先用丙酮蒸汽以除去大部分的PMMA，然后浸入丙酮24 h，为使石墨直接退火3 h。
从图2可以看出，方法(3)得到的石墨烯的表面是4种里最干净的，这为石墨烯的转移提供了一种很好的途径。
表面残留物也可能来源于基体金属刻蚀过程，Liang等[18]之前研究了一种改进的“RCA(Radio Corporation of America)干净”转移法，较好地控制了污染物的来源和裂痕的形成，实现了石墨烯的干净无裂痕转移。
图1退火前与退火后石墨烯表面AFM图Fig.1AFM images of graphene surface before and after thermaltreatment图24种不同除去石墨烯表面PMMA方法得到的AFM图Fig.2AFM images of graphene surface by 4 kinds methods forremoving PMMA on surfaceA、B、C、D分别对应方法(1)、(2)、(3)、(4)总体来说，在各国研究者的不断努力下，目前CVD法石墨烯的“基体刻蚀”法转移得到了前所未有的改善，不过科学研究中创新是从来不会被遗忘的，他们在改善已有转移技术的同时，也在进行着新转移技术的开发。
1.2“roll-to-roll”转移技术Juang等[33]首次报道经由“roll-to-roll”过程将厘米级大小的FLG从Ni箔上转移至柔性目标基底聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上。
相比较刚性衬底来说，石墨烯在柔性的Ni箔基体上的转移用这种“热滚压”技术是比较实用的。
如图3，采用表面涂有乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EV A)的PET为目标基底，在150℃时，用热滚筒将EV A/PET和FLG/Ni压在一起，形成PET/EV A/FLG/Ni片，EV A层在PET和FLG之间起“胶粘剂”作用。
“热滚压”后，把得到的片在室温下放入冷滚筒中，以可控地使Ni以恒定的滚压速率均一地与PET/EV A/FLG分离。
他们经过大量实验证明，FLG在PET上的厚度与滚压速率无关，而是由FLG在Ni表面的厚度所决定。
换句话说，转移的石墨烯的厚度也许可以通过CVD过程沉积材料的厚度来控制。
不久，Hong等[8]也用此“roll-to-roll”转移法成功地将铜箔上CVD法合成的30英寸石墨烯转移到了目标基底上。
图3“roll-to-roll”转移过程Fig.3The procedure of “roll to roll”transfer图4电化学转移技术装置Fig.4The set-up of electrochemical transfer1.3“电化学转移”技术近期，Wang等[19]开创了一种“电化学剥离”转移技术，这是一种在将CVD法合成的石墨烯转移至目标基底的初期，使石墨烯薄膜与金属基体催化剂进行有效分离的方法。
