第五章 机器的装配工艺〔例4.3〕说明装配尺寸链中组成环、封闭环(相依环)和公共环的含意。
〔例4.4〕何谓装配尺寸链组成最短原则?〔例4.5〕极值法解尺寸链与概率法解尺寸链有何不同?各用于何种情况?
〔例4.6〕试将装配尺寸链与工艺过程尺寸链进行比较．试述其异同：(从计算基本公式；组成环；封闭环：尺寸链解法：尺寸链构成等方面进行比较)
〔例4.7〕机器产品的装配精度与零件的加工精度、装配工艺方法有
什么关系？零件的加工精度直接影响到装配精度。对于大批量生产，为了简化
装配工作，便于流水作业，通常采用控制零件的加工误差来保证装配精
度。但是，进入装配的合格零件，总是存有一定的加工误差，当相关零
件装配在一起时，这些误差就有累积的可能。累积误差不超出装配精度
要求，当然是很理想的。此时装配就只是简单的连接过程。但事实并非
常能如此，累积误差往往超过规定范围，给装配带来困难。采用提高零
件加工精度来减小累积误差的办法，在零件加工并不十分困难，或者在
单件小批生产时还是可行的。这种办法增加了零件的制造成本。当装配
精度要求很高，零件加工精度无法满足装配要求，或者提高零件加工精
度不经济时，则必须考虑采用合适的装配工艺方法，达到既不增加零件
加工的困难又能满足装配精度的目的。由此可见，零件加工精度是保证
装配精度要求的基础。但装配精度不完全由零件精度来决定，它是由零
件的加工精度和合理的装配方法共同来保证的。如何正确处理好两者之
间的关系是产品设计和制造中的一个重要课题。
〔例4.8〕什么叫装配尺寸链？它与一般尺寸链有什么不同？
装配尺寸链是产品或部件在装配过程中，由相关零件的尺寸或位置
关系所组成的一个封闭的尺寸系统。即由一个封闭环和若干个与封闭环
关系密切的组成环组成。
它与一般尺寸链的不同点是：
1. 装配尺寸链的封闭环一定是机器产品或部件的某项装配精
度，因此，装配尺寸链的封闭环是十分明显的。
2. 装配精度只有机械产品装配后才能测量。
3. 装配尺寸链中的各组成环不是仅在一个零件上的尺寸，而是
《结构力学》经典习题及详解
一、判断题（将判断结果填入括弧，以 √表示正确 ，以 × 表示错误。）
1．图示桁架结构中有3个杆件轴力为0 。（×）
2．图示悬臂梁截面A的弯矩值是ql2。 (×)
3．静定多跨梁中基本部分、附属部分的划分与所承受的荷载无关。（√ ）
4．一般来说静定多跨梁的计算是先计算基本部分后计算附属部分。（× ）
5．用平衡条件能求出全部力的结构是静定结构。（ √ ）
6．求桁架力时截面法所截取的隔离体包含两个或两个以上的结点。（√ ）
7．超静定结构的力法基本结构不是唯一的。（√）
8．在桁架结构中，杆件力不是只有轴力。（×）
9．超静定结构由于支座位移可以产生力。 （√ ）
10．超静定结构的力与材料的性质无关。（× ）
11．力法典型方程的等号右端项不一定为0。 （√ ）
12．计算超静定结构的位移时，虚设力状态可以在力法的基本结构上设。（√）
13．用力矩分配法计算结构时，汇交于每一结点各杆端分配系数总和为1，则表明分配系数的计算无错误。 （× ）
14．力矩分配法适用于所有超静定结构的计算。（×）
15．当AB杆件刚度系数iSAB3时，杆件的B端为定向支座。 (×)
二、单项选择题（在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案，并将其代号填在题干后面的括号。不选、错选或多选者，该题无分。） FP 1．图示简支梁中间截面的弯矩为（ A ）
A． 82ql B． 42ql
C． 22ql D． 2ql
2．超静定结构在荷载作用下产生的力与刚度（B）
A． 无关 B． 相对值有关
C． 绝对值有关 D． 相对值绝对值都有关
3．超静定结构的超静定次数等于结构中（B ）
A．约束的数目 B．多余约束的数目
一、 桥式整流电路
1二极管的单向导电性：二极管的PN结加正向电压，处于导通状态；加反向电压，处于截止状态。
伏安特性曲线;
理想开关模型和恒压降模型：
理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0,而当其反向偏置时,认为它的电阻为无穷大,电流为零.就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V，锗管0.5 V
2桥式整流电流流向过程：
当u 2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd3和Vd4截止，负载RL是的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压；在u 2的负半周，u 2的实际极性是下正上负，二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2截止，负载RL上的电流仍是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压。
3计算:Vo,Io,二极管反向电压
Uo=0.9U2, Io=0.9U 2/RL,URM=√2 U 2
二.电源滤波器
1电源滤波的过程分析：电源滤波是在负载RL两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变，因而负载两端的电压也不会突变，使输出电压得以平滑，达到滤波的目的。
波形形成过程：输出端接负载RL时，当电源供电时，向负载提供电流的同时也向电容C充电，充电时间常数为τ充=（Ri∥RLC）≈RiC,一般Ri〈〈RL,忽略Ri压降的影响，电容上电压将随u 2迅速上升，当ωt=ωt1时，有u 2=u 0,此后u 2低于u 0，所有二极管截止，这时电容C通过RL放电，放电时间常数为RLC，放电时间慢，u 0变化平缓。当ωt=ωt2时，u 2=u 0, ωt2后u 2又变化到比u 0大，又开始充电过程，u 0迅速上升。ωt=ωt3时有u 2=u 0，ωt3后，电容通过RL放电。如此反复，周期性充放电。由于电容C的储能作用，RL上的电压波动大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大，要求电压脉动较小的场合。
1 2008-2009《模拟电路》考试试卷〔A〕
一、单项选择题（24分,每空1.5分）
（请选择下列各题中的正确答案并将代表该正确答案的英文字母填入方框内）
1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的 。 [ ]
A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大
C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小
2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 。［ ］
A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v
⒊ 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v，VE = -7v，VC = -4v，可以判定此晶体管是 管，处于 。 ［ ］
A NPN管，饱和区 B PNP管， 放大区
C PNP管，截止区 D NPN管， 放大区
⒋ 场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 。 [ ]
A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
⒌ 在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： 。
[ ]
A 共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小
B 共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小
