半导体工艺试卷(A)

半导体芯片制造高级工考试试题•一、填空题• 1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

• 2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。

砷化镓片用( 硫酸)系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。

• 3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。

• 4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。

• 5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、( 银浆烧结)等。

• 6. 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般( 大于)同类电极系统的楔刀焊接。

•7. 芯片焊接质量通常进行镜检和( 剪切强度)两项试验。

•8. 如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合( 不合格)。

•9. 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内( 湿度)控制。

•10 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而( 可靠性)设计也包含在这三部分中间。

•11. 厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，( 氧化铍陶瓷)，氮化铝(A1N)陶瓷。

•12.微波混合集成电路是指工作频率从300 MHz～100 kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和( 集总参数)微波混合集成电路两类。

•13.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。

•14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。

陕西科技大学试题纸课程半导体物理班级学号姓名一、选择题（15）1. 金属-半导体接触整流理论：扩散理论和热电子发射理论分别只适用于（）。

（A）厚阻挡层和薄阻挡层（B）薄阻挡层和厚阻挡层（C）正向厚阻挡层和正向薄阻挡层（D）反向厚阻挡层和反向薄阻挡层２突变耗尽层的条件是（）（A）外加电压和接触电势都降落在耗尽层上（B）耗尽层中的电荷是由电力施主和电力受主的电荷组成（C）耗尽层外的半导体是电中性的（D）（A）、（B）（C）３自补偿效应的起因是（）（A）材料中先以存在某种深能级杂质（B）材料中先以存在某种深能级缺陷（C）掺入的杂质是双性杂质（D）掺杂导致某种缺陷产生４某半导体中导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）。

（A）不含施主杂质（B）不含受主杂质（C）不含任何杂质（D）处于绝对零度５实际上，在非平衡条件下，往往起重要作用的是（）。

（A）多数载流子（B）少数载流子（C）多数和少数载流子（D）非平衡少数载流子６硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件。

（A）高可靠性（B）高反压（C）高频（D）大功率７欲在掺杂适度的无表面态ｎ型硅（W m=4.25eV）上做欧姆接触，以下四种金属中最适合的是（）．（A）In(W m=3.8eV) （B）Cr(W m=4.6eV) （C）Au(W m=4.8eV) （D）Al(W m=4.2eV)８在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其（）。

（A）禁带较窄（B）禁带是间接跃迁型（C）禁带较宽（D）禁带是直接跃迁型９. 公式 *m qBn C =ω中的m n *( )。

（A ）对硅取值相同 （B ）对ＧａＰ取值相同 （C ）对ＧａA Ｓ取值相同 （D ）对Ｇｅ取值相同 10. 轻空穴指的是（ ）。

（A ）质量较小的原子组成的半导体中的空穴（B ）价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 （C ）价带顶附近曲率较小的等能面上空穴 （D ）自施－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 11根据费米分布函数，空穴占据（E F +kT) 能级的几率（ ）。

半导体工艺原理测试题及答案大全一、选择题（每题2分，共20分）1. 下列关于半导体材料的叙述中，错误的是：A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。

B. 半导体材料的导电性随温度升高而增加。

C. 半导体材料的导电性受光照影响。

D. 半导体材料的导电性不受掺杂影响。

答案：D2. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于：A. 沉积薄膜B. 氧化C. 刻蚀D. 形成图案答案：D3. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 无掺杂D. 以上都是答案：D4. 氧化层在半导体工艺中的作用不包括：A. 保护B. 绝缘C. 导电D. 隔离答案：C5. 扩散工艺在半导体工艺中主要用于：A. 形成晶体管B. 形成绝缘层C. 形成金属层D. 形成氧化层答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 在半导体工艺中，____是形成晶体管PN结的关键步骤。

答案：扩散2. 半导体工艺中的氧化层通常采用____材料。

答案：二氧化硅3. 光刻胶在光刻过程中的作用是____。

答案：形成掩模4. 离子注入技术可以用于____掺杂。

答案：N型或P型5. 在半导体工艺中，____技术用于去除不需要的材料。

答案：刻蚀三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述CMOS工艺中晶体管的工作原理。

答案：在CMOS工艺中，晶体管的工作原理基于PN结的开关特性。

N型晶体管（NMOS）在栅极电压高于源极电压时导通，而P型晶体管（PMOS）在栅极电压低于源极电压时导通。

通过控制栅极电压，可以实现晶体管的开关控制。

2. 描述氧化层在半导体工艺中的作用。

答案：氧化层在半导体工艺中主要起到保护、绝缘和隔离的作用。

它可以保护硅片不受化学腐蚀，防止杂质扩散，同时作为绝缘层隔离不同的晶体管或电路元件，确保电路的稳定性和可靠性。

3. 离子注入技术在半导体工艺中的应用是什么？答案：离子注入技术在半导体工艺中主要用于掺杂，通过将掺杂原子注入硅片，可以精确控制掺杂的类型、浓度和深度，从而制造出具有特定特性的半导体器件，如晶体管、二极管等。

半导体芯片制造工初级职业资格鉴定理论试卷（A 卷）注 意 事 项1. 请首先按要求在试卷的标封处填写您的姓名、考号和所在单位的名称。

2. 请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写您的答案。

3. 不要在试卷上乱写乱画，不要在标封区填写无关内容。

一、单项选择(第1题～第40题。

选择一个正确的答案，将相应的字母填入题内的括号中。

每题2分，满分80分。

)1. 示波器中的扫描发生器实际上是一个（ ）振荡器。

A 、正弦波 B 、多谐 C 、电容三点式 D 、电感三点式2. 发电机的基本工作原理是:( )A 、电磁感应B 、电流的磁效应C 、电流的热效应D 、通电导体的磁场中受力 3. 下列属于轮廓控制型数控机床是（ ）A 、数控车床B 、数控钻床C 、加工中心D 、数控镗床 4. 在多极直流放大器中，对零点飘逸影响最大的是（ ） A 、前级 B 、后级 C 、中间级 D 、前后级一样5. 由基本RS 处发起组成的数码寄存器清零时，须在触发器（ ）A 、R _端加一正脉冲 B 、R_端加一负脉冲C 、S _端加一正脉冲 D 、S _端加一负脉冲6. 工时定额通常包括作业时间、布置工作地时间、（ ）与生活需要的时间、以及加工准备和结束时间等。

A 、辅助B 、休息C 、停工损失D 、非生产性工作时所消耗 7. 串励直流电动机的机械特性是（ ）A 、一条直线B 、双曲线C 、抛物线D 、圆弧线 8. JSS-4A 型晶体管h 参数测试仪的电源为：（ ）电源。

A 、交流 B 、脉动直流 C 、高内阻稳压 D 、低内阻稳压9. 使用JSS-4A 型晶体三极管测试仪时，在电源开关未接通前，先将电压选择开关、电流选自开关放在（ ）量程上。

A 、所需B 、最小C 、最大D 、任意10. 单项半桥逆变器（电压型）的每个导电臂有一个电力晶体管和一个二极管（ ）组成。

A 、串联 B 、反串联 C 、并联 D 、反并联 11. 简单逆阻型晶闸管斩波器的调制方式是（ ）。

半导体工艺01——A题号一二三四五总分分数评卷人一名词解释（18分）1.分辨率及焦深的定义。

分辨率：在光刻中，分辨率被定义为清晰分辨出硅片上间隔很近的特征图形对的能力（例如相等的线条和间距）。

R=kλ / NA （k—工艺因子0.6-0.8；λ—曝光波长；NA—数值孔径）焦深：焦点周围的一个范围，在这个范围内图像连续保持清晰，这个范围被称做焦深DOF。

DOF=λ / 2（NA*NA）2.什么是热退火？在一定的温度下，经过适当时间的热处理，则晶片中的损伤就可能部分或全部得到消除，少数载流子寿命以及迁移率也会不同程度的得到恢复，掺入的杂质也得到一定比例的电激活，这样的处理过程称为热退火。

3 什么是深紫外光刻胶的化学放大？随着一种基于化学放大的DUV波长光刻胶的引入，光刻胶技术发生了一个重大的变化。

化学放大的意思是对于那些DNQ线性酚醛树脂极大的增加它们的敏感性，所有的正性和负性248nm的光刻胶都可以化学放大；4.什么是金属化？列举几种金属化工艺金属化是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以便形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。

金属化工艺包括蒸发、溅射、金属CVD、铜电镀5. 鸟嘴效应在局部氧化工艺过程中，由于氧化层比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化生长将抬高氮化物的边缘，我们称这种现象为鸟嘴效应。

6.SOG、BPSG、FSG、CVD、CMP、RTP各是什么的缩写？旋涂玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃、化学气相淀积、化学机械平坦化、快速热处理1二填空（22分）1.常见的外延方法：汽相外延（VPE）、液相外延（LPE）、分子束外延（MBE）；2. 集成电路封装的4个重要功能有：保护芯片以免由环境和传递引起的损坏为芯片的信号输入和输出提供互连成一片芯片的物理支撑散热2.引线键合的方法有：热压键合超声键合热超声球键合4. CVD的五种类型：化学气相淀积（CVD）、电镀、物理气相淀积（PVD或濺射）、蒸发、旋涂方法；5.列出Si/SiO界面处的四种氧化物电荷：界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷、正氧化物陷阱电荷、负氧化物陷阱电荷6 主要的ESD控制方法有：防静电的净化间材料. ESD接地空气电离三简答（24分）1. 简述光刻的步骤1）气相成底膜处理。

XX电子科技大学研究生考试卷〔B卷〕考试课程《半导体工艺与技术》考试日期年月日成绩学院电子信息学院学号X X1、什么是CMOS器件的闩锁效应？描述三种阻止闩锁效应的制造技术。

〔12分〕2、为什么要用区熔法生长硅晶体？比较FZ和CZ优缺点。

〔10分〕3、什么是LOCOS和STI？为什么在高级IC工艺中，STI取代了LOCOS？〔12分〕4、描述双大马士革铜布线〔图示〕。

〔12分〕5、列举光刻工艺流程。

〔12分〕6、列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。

〔10分〕7、列举离子注入和扩散的优缺点。

〔10分〕8、什么是CMP？列举CMP的优缺点。

〔10分〕9、列举并阐述三种以上未来32nm CMOS制造新工艺？〔12分〕共页第页1、什么是CMOS器件的闩锁效应？描述三种阻止闩锁效应的制造技术。

〔12分〕答：闩锁效应就是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管〔又称寄生可控硅，简称SCR〕被触发导通，在电源和地之间形成低阻抗大电流的通路，导致器件无法正常工作，甚至烧毁器件的现象。

这种寄生双极晶体管存在CMOS器件内的各个部分，包括输入端、输出端、内部反相器等。

当外来干扰噪声使某个寄生晶体管被触发导通时，就可能诱发闩锁，这种外来干扰噪声常常是随机的，如电源的浪涌脉冲、静电放电、辐射等。

闩锁效应往往发生在芯片中某一局部区域，有两种情况：一种是闩锁只发生在外围与输入、输出有关的地方，另一种是闩锁可能发生在芯片的任何地方，在使用中前一种情况遇到较多。

2、为什么要用区熔法生长硅晶体？比较FZ和CZ优缺点。

〔10分〕答：〔1〕原因：因为区熔法可以得到低至1011cm-1的载流子浓度。

区熔生长技术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。

柱状的高纯多晶材料固定于卡盘，一个金属线圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率的射频电流，射频功率技法的电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得多晶柱紧邻线圈的部分熔化，线圈移过后，熔料在结晶为为单晶。

13级【半导体集成电路】 A卷试题及答案解析题目/张华斌答案/王嘉达一、填空题（共30分，每空格1分）1.通常含以上的四端口器件，对于CMOS器件而言主要指V IN极、V OUT极、V DD极和V SS极。

【P28-图3.8】2.3.上制造p阱。

4.在PCB5.MOS反相器是MOS数字电路的基本单元，它可以分为静态反相器和动态反相器。

按负载元件和驱动元件之间的连线。

【P62-4.3.1 4.3.2 4.3.3】7.漏、电荷共享（电荷共享）、时间馈通和体效应等问题。

8.应，如寄生晶体管效应、寄生电容效应等。

【P9-正文第四行】9.CMOS反相器的功耗有静态功耗和动态功耗组成。

【P112】10.两极CMOS运算放大器中，为了保证系统稳定一般采用Miller电容作频率补偿，但由于该电容的加入，又会带来零点，这就要求对电路进行进一步的改进，改进方法有消除CC向前耦合的补偿方案和消除术。

二、选择题（共5题，每小题3分，共15分）1.判断一个MOS管是否导通的关键是（D ）与阈值电压作比较。

【P66】A 漏源电压B 栅源电压C 衬底与源间电压D 栅漏电压n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS 管。

n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

2.某集成电路芯片，查手册知其最大输出低电平V OL（MAX）=0.1V，最小输出高电平V OH（MIN）=4.5V，最小输入低电平V IN（MIN）=1.5V，最小输入高电平V IH（MIN）=3.5V，则其低电平噪声容限V NL=（A ）VA 1.4B 1.0C 3.0D 1.2低电平：V NML=|V IL，max-V OL，max| 高电平：V NMH=|V OH，min-V IH，min|3.在数字信号的传输过程中需要传输门单元电路来实现，在传输门传输信号的过程中无阈值电压损失的是（C ）A pMOS传输门B nMOS传输门C CMOS传输门D 都不是【P131-图7.8（C）】4.集成电阻器和电容器的高精度，主要有（C ）所决定。

赣 南 师 范 学 院2010–2011学年第一学期期末考试试卷（A 卷）开课学院：物电学院 课程名称：半导体物理学 考试形式：闭卷，所需时间：120分钟注意事项：1、教师出题时请勿超出边界虚线；2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚，答题不得超出密封线；3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。

一、填空题（共30分，每空1分）1、半导体中有 和 两种载流子，而金属中只有 一种载流子。

2、杂质原子进入材料体内有很多情况，常见的有两种，它们是 杂质和 杂质。

3、根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率，对于能量为E 的一个量子态，被一个电子占据的概率为()f E ，表达式为 ，()f E 称为电子的费米分布函数，它是描写 的一个统计分布函数。

当0F E E k T ->>时，费米分布函数转化为()B f E ，表达式为 ，()B f E 称为电子的玻尔兹曼分布函数。

在0F E E k T ->>时，量子态被电子占据的概率很小，这正是玻尔兹曼分布函数适用的范围。

费米统计率与玻尔兹曼统计率的主要差别在于 ，而在0F E E k T ->>的条件下，该原理失去作用，因而两种统计的结果变成一样了。

4、在一定温度下，当没有光照时，一块n 型半导体中， 为多数载流子， 是少数载流子，电子和空穴的浓度分别为0n 和0p ，则0n 和0p 的关系为 ，当用g h E ν>>（该半导体禁带宽度）的光照射该半导体时，光子就能把价带电子激发到导带上去，此时会产生 ，使导带比平衡时多出一部分电子n ，价带比平衡时多出一部分空穴p ，n 和p 的关系为 ，这时把非平衡电子称为非平衡 载流子，而把非平衡空穴称为非平衡 载流子。

在一般小注入情况下，在半导体材料中，非平衡 载流子带来的影响可忽略，原因是 ，而非平衡 载流子却往往起着重要作用，原因是 。

5、非平衡载流子的复合，就复合的微观机构讲，大致可分为两种，直接复合和间接复合，直接复合是指 ，间接复合是指 。

2010–2011学年第一学期期末考试试卷（A 卷）开课学院：物电学院 课程名称：半导体物理学 考试形式：闭卷，所需时间：120分钟注意事项：1、教师出题时请勿超出边界虚线； 2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚，答题不得超出密封线； 3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。

一、填空题（共30分，每空1分） 1、半导体中有 电子 和 空穴 两种载流子，而金属中只有 电子 一种载流子。

2、杂质原子进入材料体内有很多情况，常见的有两种，它们是 替代式 杂质和间隙式 杂质。

1、 3、根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率，对于能量为E 的一个量子态，被一个电子占据的概率为()f E ，表达式为 ，()f E 称为电子的费米分布函数，它是描写 在热平衡状态下，电子在允许的量子态上如何分布 的一个统计分布函数。

当0F E E k T ->>时，费米分布函数转化为()B f E ，表达式为 ，()B f E 称为电子的玻尔兹曼分布函数。

在0F E E k T ->>时，量子态被电子占据的概率很小，这正是玻尔兹曼分布函数适用的范围。

费米统计率与玻尔兹曼统计率的主要差别在于 前者受泡利不相容原理的限制 ，而在0F E E k T ->>的条件下，该原理失去作用，因而两种统计的结果变成一样了。

4、在一定温度下，当没有光照时，一块n 型半导体中， 电子 为多数载流子， 空穴 是少数载流子，电子和空穴的浓度分别为0n 和0p ，则0n 和0p 的关系为 大于 ，当用g h E ν>>（该半导体禁带宽度）的光照射该半导体时，光子就能把价带电子激发到导带上去，此时会产生 电子空穴对 ，使导带比平衡时多出一部分电子n ，价带比平衡时多出一部分空穴p ，n 和p 的关系为 ，这时把非平衡电子称为非平衡 多数 载流子，而把非平衡空穴称为非平衡 少数 载流子。

在一般小注入情况下，在半导体材料中，非平衡 多数 载流子带来的影响可忽略，原因是 注入的非平衡多数载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多 ，而非平衡 少数 载流子却往往起着重要作用，原因是 2、 注入的非平衡少数载流子浓度比平衡时的少数载流子浓度大得多。

半导体试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于金属和绝缘体之间，这是因为：A. 半导体材料内部存在大量的自由电子B. 半导体材料内部存在大量的空穴C. 半导体材料的能带结构D. 半导体材料的晶格结构答案：C2. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 同时进行N型和P型掺杂D. 不进行任何掺杂答案：A3. 半导体的PN结在正向偏置时，其导通的原因是：A. 电子从P区注入N区B. 空穴从N区注入P区C. 电子和空穴的复合D. 电子和空穴的注入答案：D4. 半导体器件中，晶体管的放大作用主要依赖于：A. 基极电流B. 发射极电流C. 集电极电流D. 所有电流的总和5. 下列哪种材料不适合作为半导体材料？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C6. 半导体器件的最小特征尺寸缩小，可以带来以下哪些好处？A. 降低成本B. 提高速度C. 减少功耗D. 所有以上答案：D7. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于：A. 制造晶体管B. 制造集成电路C. 制造绝缘体D. 制造导线答案：B8. 半导体的能带理论中，价带和导带之间的区域被称为：A. 能隙B. 能级C. 能带D. 能区答案：A9. 下列哪种半导体器件具有记忆功能？B. 晶体管C. 存储器D. 逻辑门答案：C10. 半导体器件的热稳定性主要取决于：A. 材料的热导率B. 器件的散热设计C. 器件的制造工艺D. 所有以上答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 半导体材料的特性包括：A. 导电性B. 绝缘性C. 半导体性D. 磁性答案：AC2. 下列哪些因素会影响半导体器件的性能？A. 温度B. 湿度C. 光照D. 电压答案：ABC3. 半导体器件的类型包括：A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻答案：ABC4. 下列哪些是半导体材料的掺杂元素？A. 硼B. 磷C. 铜D. 锗答案：AB5. 在半导体工艺中，下列哪些步骤是必要的？A. 清洗B. 氧化C. 蒸发D. 抛光答案：ABC三、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性主要依赖于______。

2019半导体物理试卷-A 卷答案半导体物理 课程考试题 A 卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日课程成绩构成：平时 10 分； 期中 5 分； 实验 15 分； 期末 70 分一、选择题（共25分；共 25题；每题1 分）A ）的半导体。

A. 不含杂质和缺陷B. 电阻率最高C. 电子密度和空穴密度相等D. 电子密度与本征载流子密度相等2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零；那么该半导体必定（ D ）。

A. 不含施主杂质B. 不含受主杂质C. 不含任何杂质D. 处于绝对零度3、对于只含一种杂质的非简并n 型半导体；费米能级E F 随温度上升而（ D ）。

A. 单调上升B. 单调下降C. 经过一个极小值趋近EiD. 经过一个极大值趋近Ei4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升；该材料为（ C ）。

A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体5、公式*/m q τμ=中的τ是半导体载流子的（ C ）。

A. 迁移时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散时间6、下面情况下的材料中；室温时功函数最大的是（ A ） A. 含硼1×1015cm -3的硅 B. 含磷1×1016cm -3的硅 C. 含硼1×1015cm -3；磷1×1016cm -3的硅 D. 纯净的硅7、室温下；如在半导体Si 中；同时掺有1×1014cm -3的硼和1.1×1015cm -3的磷；则电子浓度约为（ B ）；空穴浓度为（ D ）；费米能级为（ G ）。

将该半导体由室温度升至570K ；则多子浓度约为（ F ）；少子浓度为（ F ）；费米能级为（ I ）。

（已知：室温下；n i ≈1.5×1010cm -3；570K 时；n i ≈2×1017cm -3）A 、1×1014cm -3B 、1×1015cm -3C 、1.1×1015cm -3D 、2.25×105cm -3E 、1.2×1015cm -3F 、2×1017cm -3G 、高于EiH 、低于EiI 、等于Ei8、最有效的复合中心能级位置在（ D ）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（ C ）附近；常见的是（ E ）陷阱。

陕西科技大学试题纸课程半导体物理班级学号姓名一、选择题（15）1. 金属-半导体接触整流理论：扩散理论和热电子发射理论分别只适用于（）。

（A）厚阻挡层和薄阻挡层（B）薄阻挡层和厚阻挡层（C）正向厚阻挡层和正向薄阻挡层（D）反向厚阻挡层和反向薄阻挡层２突变耗尽层的条件是（）（A）外加电压和接触电势都降落在耗尽层上（B）耗尽层中的电荷是由电力施主和电力受主的电荷组成（C）耗尽层外的半导体是电中性的（D）（A）、（B）（C）３自补偿效应的起因是（）（A）材料中先以存在某种深能级杂质（B）材料中先以存在某种深能级缺陷（C）掺入的杂质是双性杂质（D）掺杂导致某种缺陷产生４某半导体中导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）。

（A）不含施主杂质（B）不含受主杂质（C）不含任何杂质（D）处于绝对零度５实际上，在非平衡条件下，往往起重要作用的是（）。

（A）多数载流子（B）少数载流子（C）多数和少数载流子（D）非平衡少数载流子６硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件。

（A）高可靠性（B）高反压（C）高频（D）大功率７欲在掺杂适度的无表面态ｎ型硅（W m=）上做欧姆接触，以下四种金属中最适合的是（）．（A）In(W m= （B）Cr(W m= （C）Au(W m= （D）Al(W m=８ 在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其（ ）。

（A ）禁带较窄 （B ）禁带是间接跃迁型 （C ） 禁带较宽 （D ） 禁带是直接跃迁型 ９. 公式 *m qB n C =ω中的m n *( )。

（A ）对硅取值相同 （B ）对ＧａＰ取值相同 （C ）对ＧａA Ｓ取值相同 （D ）对Ｇｅ取值相同 10. 轻空穴指的是（ ）。

（A ）质量较小的原子组成的半导体中的空穴（B ）价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴（C ）价带顶附近曲率较小的等能面上空穴 （D ）自施－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴11根据费米分布函数，空穴占据（E F +kT) 能级的几率（ ）。

选择题：在半导体制造过程中，下列哪一项不是光刻步骤的关键要素？A. 光刻胶的涂覆B. 掩模的对准与曝光C. 刻蚀工艺的实施（正确答案）D. 光刻胶的显影与去除下列哪种材料在半导体工艺中常用作栅极绝缘层？A. 硅（Si）B. 二氧化硅（SiO₂）（正确答案）C. 铝（Al）D. 铜（Cu）在CMOS工艺中，为了减小漏电流和提高器件性能，通常会对栅极氧化层进行哪种处理？A. 增厚处理B. 减薄处理C. 氮化处理（正确答案）D. 氧化处理半导体工艺中的“掺杂”是指什么？A. 在半导体材料中引入杂质以改变其导电性能（正确答案）B. 增加半导体材料的纯度C. 改变半导体材料的晶体结构D. 对半导体材料进行热处理下列哪项不是半导体工艺中清洗步骤的目的？A. 去除表面污染物B. 提高材料表面的润湿性C. 改变材料的电学性能（正确答案）D. 为后续工艺步骤做准备在半导体制造中，哪种技术常用于制造极小尺寸的图案和结构？A. 光刻技术（正确答案）B. 化学气相沉积C. 物理气相沉积D. 湿法刻蚀下列哪项是半导体工艺中常用的薄膜沉积技术？A. 溅射法（正确答案）B. 离子注入法C. 干法刻蚀法D. 湿法腐蚀法在半导体器件的封装过程中，下列哪一项不是必需的步骤？A. 晶圆测试B. 晶圆切割C. 晶圆抛光（正确答案）D. 芯片焊接半导体工艺中的“退火”步骤主要用于什么目的？A. 修复晶格损伤并激活掺杂剂（正确答案）B. 增加材料的电阻率C. 减少材料的导电性D. 改变材料的晶体结构类型。

一、选择题（10）1. 电子在晶体中的共有化运动指的是（）。

（A）电子在晶体中各处出现的几率相同（B）电子在晶体元胞中个点出现的几率相同；（C）电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同（D）电子在晶体各元胞对应点出现有相同的位相２本征半导体是指（）半导体。

（A）不含杂质与缺陷（B）电子密度与空穴密度相等（C）电阻率最高（D）电子密度与本征载流子密度相等３自补偿效应的起因是（）（A）材料中先以存在某种深能级杂质（B）材料中先以存在某种深能级缺陷（C）掺入的杂质是双性杂质（D）掺杂导致某种缺陷产生４某半导体中导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）。

（A）不含施主杂质（B）不含受主杂质（C）不含任何杂质（D）处于绝对零度５半导体中载流子扩散系数的大小决定与其中的（）。

（A）复合机构（B）散射机构（C）能带结构（D）晶体结构６硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件。

（A）高可靠性（B）高反压（C）高频（D）大功率７欲在掺杂适度的无表面态ｎ型硅上做欧姆接触，以下四种金属中最适合的是（）．（A）In(W m=3.8eV) （B）Cr(W m=4.6eV) （C）Au(W m=4.8eV) （D）Al(W m=4.2eV)８在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其（）。

（A）禁带较窄（B）禁带是间接跃迁型（C）禁带较宽（D）禁带是直接跃迁型９公式中的m n*( )。

（A）对硅取值相同（B）对GaP取值相同（C）对GaS取值相同（D）对Ga取值相同１０重空穴指的是（）。

（A）质量较大的原子组成的半导体中的空穴（B）价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴（C）价带顶附近曲率较小的等能面上空穴（D）自施－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴11根据费米分布函数，电子占据（E F +kT) 级的几率（）。

（A）等于空穴占据（E F +kT) 级的几率（B）等于空穴占据（E F -kT) 级的几率（C）大于电子占据E F的几率（D）大于空穴占据E F 的几率12 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级E F随温度的上升而（）。

半导体芯片制造中级工复习题一判断题：1.单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。

( √)2.迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。

掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。

同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。

(√)3.点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的复合体。

(√)4.位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。

(√)5.抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。

(×)6.液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。

( √)7.离子源是产生离子的装置。

（√）8.半导体芯片制造工艺对水质的要求一般. （×）9.光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。

（√）10.设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理，可直接进入净化区。

（×）11.干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。

（√）12.光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。

（×）13.在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。

因此要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性能上相互绝缘。

（√）14.金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。

（√）15.表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。

（√）二选择题1.下列材料属于N型半导体是AC 。

A 硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As) B．硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al)C 砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(Te) D．砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁2.属于绝缘体的正确答案是 B 。

工艺知识竞赛试题库一、公共知识：1.中英对照T/R：卷带（Tape and Reel） TEST：测试 Marking：印章V/I：Visual Inspection Packing：包装 P/N：型号（Part No.）Reel：卷盘 Lot No.：批号 Run Card：随工单WIP：在制品（Work in process）Stand-off：站立高度 NO Marking：无印记 Yield：良率 O/S：开短路 Package：封装形式Quantity：数量 Quality：质量 D/C：周期（Date Code）Tube：料管 Bulk：散装 Carry tape：载带Cover tape：盖带 PPM：百万分之一 SPC：统计过程控制Reel force：编带拉力 CPK：过程能力指数 CCD：光检Test program：测试程序 Machine：机器 Operator：操作工Monitor：值班长 Repairer：维修工 Manager：经理标签：Label Record：记录标准：StandardSOP：作业指导书 CP：控制计划（Control Plan）FMEA：潜在失效分析 DOE：实验设计 OCAP：超出控制的措施计划UPH：每小时产量 START: 开始 Pitch motor：步进马达GP：Green Product绿色产品2. 员工上班静电检测内容：防静电手链和防静电鞋。

3. 测试车间温湿度范围：温度20-26℃、湿度40-60%；包装区温湿度范围：温度20-28℃、湿度40-70%。

4.5S包括：整理、整顿、清理、清洁、素养五个方面。

5.ESD（Electrostatic discharge）静电放电：指具有不同静电电位的物体由于直接接触或静电感应所引起的物体之间静电电荷的转移。

6.公司质量方针：全员参与鼓励和要求新潮集团全体员工持续的创新质量价值持续改善持续改善我们的制程，产品和服务顾客满意倾听顾客的心声，达到顾客的要求7.公司愿景：成为一流的的半导体封测企业8. 公司使命：为客户提供最好的品质、最短的交期、最具竞争力的成本及全方位的服务。