半桥控制与驱动功率集成芯片
- 格式:pdf
- 大小:448.18 KB
- 文档页数:8
半桥电路和全桥驱动芯片1. 引言1.1 简介半桥电路和全桥驱动芯片是电子领域中常用的电路和芯片,用于驱动各种电力设备和电机。
半桥电路通过控制半导体器件的通断来实现对电机的控制,常用于单向转动的电机驱动;全桥驱动芯片则可以实现对双向转动电机的精细控制,具有更高的效率和精度。
半桥电路和全桥驱动芯片在工业、汽车、航空航天等各个领域都有着广泛的应用。
在汽车领域,半桥电路可以用于控制汽车的电动窗户、天窗等设备;全桥驱动芯片则可以用于控制电动汽车的电机,提高汽车的性能和节能效果。
这两种驱动方案的出现,提高了电机控制的精度和效率,为各种电力设备的应用提供了更多的选择。
在未来,随着电动化趋势的加速和自动化技术的不断发展,半桥电路和全桥驱动芯片的应用领域将会更加广泛,为人们的生活和工作带来更多的便利和创新。
1.2 应用领域半桥电路和全桥驱动芯片广泛应用于各种电力电子系统中。
它们在电机驱动、电动汽车、充电桩、UPS等领域中起到至关重要的作用。
在电机驱动系统中,半桥电路和全桥驱动芯片可以提供高效的电机控制,实现电机的快速启动和精确控制。
在电动汽车和充电桩中,半桥电路和全桥驱动芯片可以实现电池充电和电机驱动功能,提高系统的整体效率和性能。
在UPS系统中,半桥电路和全桥驱动芯片可以提供可靠的电力转换功能,确保电力系统的稳定运行。
半桥电路和全桥驱动芯片在各种电力电子系统中都有着广泛的应用前景,将会在未来的发展中发挥越来越重要的作用。
1.3 意义半桥电路和全桥驱动芯片作为电子领域中非常重要的组件,在现代电路设计中发挥着至关重要的作用。
它们在各种电子设备中都有广泛的应用,例如电动汽车驱动系统、直流电机控制系统、变频空调控制系统等。
在这些应用领域中,半桥电路和全桥驱动芯片能够有效地控制电流和电压,实现电子设备的高效工作。
半桥电路和全桥驱动芯片的意义在于它们能够提高电子设备的性能和可靠性。
通过合理设计和选择适合的驱动方案,可以有效地提高设备的工作效率,降低能耗,延长设备的使用寿命,同时减少故障率,提高设备的稳定性和可靠性。
半桥驱动芯片损坏原因1.引言1.1 概述半桥驱动芯片是一种常用于电力系统中的电子器件,用于驱动半桥拓扑结构的功率开关。
然而,在实际应用中,我们经常会遇到半桥驱动芯片损坏的情况,导致系统无法正常工作。
为了解决这个问题,本文将对半桥驱动芯片损坏的原因进行深入分析。
首先,电压过高是导致半桥驱动芯片损坏的一大原因。
在电力系统中,由于电压波动或其他原因,半桥驱动芯片可能会承受超过其额定电压的电压。
这种过高的电压会导致芯片内部的电路元件受到电压击穿或击打,进而损坏。
因此,合理设计电路以及采取电压保护措施是避免电压过高对半桥驱动芯片造成损坏的重要方法。
另外,电流过大也是半桥驱动芯片损坏的常见原因之一。
在电力系统中,由于负载的突然变化或其他原因,半桥驱动芯片可能会承受超过其额定电流的电流冲击。
这种过大的电流会使芯片内部的导线、电阻等元件发生过载,进而导致芯片的损坏。
因此,在设计电路时,应合理考虑负载电流的变化范围,并适当增加过流保护电路,以防止电流过大对半桥驱动芯片造成损害。
此外,温度因素也会对半桥驱动芯片的损坏产生重要影响。
在正常工作时,半桥驱动芯片会产生一定的功耗,从而产生一定的热量。
如果芯片的散热不良或工作环境温度过高,将导致芯片温度升高。
过高的温度会引起芯片内部电路元件的热膨胀、导线老化等问题,严重时甚至可能导致短路、开路等故障,进而损坏芯片。
因此,在设计电路时,应充分考虑芯片的散热条件,并采取必要的散热措施,以确保芯片在正常工作温度范围内。
综上所述,半桥驱动芯片损坏的原因主要包括电压过高、电流过大和温度因素。
为了确保半桥驱动芯片的可靠性和稳定性,我们应注重电路设计的合理性、采取适当的过压、过流保护措施,并确保芯片的正常散热环境。
通过这些措施的综合应用,我们可以有效地降低半桥驱动芯片损坏的风险,提高系统的可靠性和稳定性。
1.2文章结构2. 正文2.1 第一个要点在讨论半桥驱动芯片损坏原因之前,我们首先需要了解半桥驱动芯片的基本工作原理和结构。
半桥驱动芯片半桥驱动芯片是一种常用于直流电机驱动的集成电路芯片,它能够将输入的控制信号转换为高低电平,从而控制电机的正转和反转。
下面我将介绍半桥驱动芯片的原理、结构和应用。
半桥驱动芯片的原理是利用 N 型和 P 型 MOSFET 两个互补的晶体管,分别用来控制电机的正转和反转。
当输入信号为高电平时,N 型 MOSFET 关闭,P 型 MOSFET 打开,电机正转;当输入信号为低电平时,P 型 MOSFET 关闭,N 型 MOSFET打开,电机反转。
这样就实现了对电机的控制。
半桥驱动芯片的结构主要由输入端、输出端和驱动芯片三个部分组成。
输入端接收来自微控制器的控制信号,然后通过内部电路进行处理,并控制输出端的高低电平。
输出端连接电机,根据输入端的控制信号,输出高低电平,从而驱动电机的运动。
驱动芯片则是整个半桥驱动芯片的核心,它包含了控制逻辑、功率 MOSFET 驱动电路以及保护电路等功能。
半桥驱动芯片具有多种应用场景。
首先,它广泛应用于直流电机的驱动控制中,如机器人、电动工具、电动车等。
其次,半桥驱动芯片也可以用于开关电源、电子变压器等功率控制电路中,实现开关和变压功能。
此外,半桥驱动芯片还可以用于电池管理系统、电子锁、无线充电等领域,提供相应的控制和驱动功能。
半桥驱动芯片具有以下优点:首先,它能够实现高效的电机驱动控制,提高了电机的性能和效率。
其次,它具有快速响应和准确的控制能力,能够实时控制电机的运行状态。
另外,半桥驱动芯片还具有过流保护、过热保护和短路保护等功能,能够有效保护电机和驱动芯片的安全。
最后,半桥驱动芯片在设计和使用上需要注意一些问题。
首先,要根据实际应用需求选择适合的半桥驱动芯片型号,考虑到电流、电压和功率等参数。
其次,在设计电路时,要合理布局电路,避免干扰和损耗。
另外,使用时应注意电源和地的连接,以及输入信号的稳定性和可靠性。
总之,半桥驱动芯片是一种重要的电机驱动控制技术,在工业和消费电子领域有广泛的应用。
UBA2211驱动CFL的半桥功率集成电路产品数据手册1.概述UBA2211是一种高压单片集成电路,采用半桥结构,用于驱动的紧凑型荧光灯(CFL)。
该系列产品提供了简单一体化的照明控制方案,适用于各种市电输入和功率范围的灯管。
专利技术和集成保护类型:·预热阶段t)和预热电流。
在启动阶-- 预热应用:可调节的预热电流控制模式,调节预热时间(ph段触发该模式-- 非预热应用:点火后,专用的辉光时间控制,最小化电极点火损害。
·电流饱和保护(SCP):在点火阶段,提供专门饱和保护。
这确保了灯电感运行在饱和电流以下,且不超过集成半桥功率管的额定电流。
·RMS电流控制f保证RMS电流为恒值。
正常工作下,将启芯片内部计算RMS电流,通过改变频率OSC动专门的RMS电流控制,保证恒定的灯电流和IC损耗,正常半桥灯管电流可以通过检测电R)来设定。
阻(SENSE·过热保护和电容模式保护在非标准条件下,过热和电容模式保护会对电路进行检测,确保系统正常关闭和在灯管达到使用寿命时,处于安全状态。
2.特性和优点2.1系统集成度·集成半桥功率晶体管UBA2211A:市电220V,导通阻抗13.5Ω,最大点火电流0.9AUBA2211B:市电220V,导通阻抗9Ω,最大点火电流1.35AUBA2211C:市电220V,导通阻抗6.6Ω,最大点火电流1.85A·集成自举二极管·集成高压供电电源2.2灯管寿命·电流控制预热,预热时间和电流可调·最小辉光时间支持冷起动·灯功率不受电源电压变化影响·点火期间电感饱和保护2.3安全性·过热保护·电容模式保护·过功率控制·灯管寿命终止时,系统自动关闭2.4 应用简单·可调工作频率,方便与各种灯管匹配·该系列各种型号包含相同的控制器功能,保证使用于各种功率范围的CFL。
集成式半桥芯片(integrated half-bridge chip)是一种集成了半桥驱动电路的芯片。
半桥电路是一种常见的功率电子电路,常用于驱动直流电机或控制交流电流。
它由两个开关器件(通常是MOSFET或IGBT)组成,一个用于导通(ON)状态,另一个用于关断(OFF)状态。
集成式半桥芯片将半桥电路的驱动电路与功率开关器件集成在一个芯片中,从而提供了一种简化电路设计和组装的方案。
它通常具有以下特点:
1. 集成度高:驱动电路和功率开关器件都在同一个芯片上,简化了电路的设计和布局。
这可以减少电路的体积、重量和成本,并提高整体系统的可靠性。
2. 低功耗:集成式半桥芯片通常经过专门优化以降低功耗,并且可以提供高效的能量转换。
这使得它在一些对功耗要求高的应用中具有优势。
3. 保护功能:集成式半桥芯片通常包含多种保护功能,如过流保护、过温保护和过压保护等。
这些保护功能可以提高系统的安全性和可靠性。
4. 驱动能力强:集成式半桥芯片通常能够提供足够的电流和电压来驱动功率开关器件,从而满足各种应用的需求。
总之,集成式半桥芯片是一种集成了半桥驱动电路的芯片,通过简化电路设计、提高效率和增加保护功能等方面的优势,可以在各种功率电子应用中发挥重要作用。
使用简洁、性能优秀的LLC控制IC—UCC25600 LLC谐振半桥电路正获得广泛的的应用,TI公司新推出的UCC25600具有功能齐备,使用简洁,性能优秀,是一款出类拔萃的IC设计产品,主要特色有:·可变开关频率控制。
·可调最小开关频率。
(精度4%)·可调最大开关频率。
·可调死区时间,达到最高效率。
·可调软起动时间。
·易操作的ON/OFF控制。
·过流保护。
·过热保护。
·偏制电压的UVLO和OVP。
·内部栅驱动能力,源出04A,漏入0.8A。
·工作环境温度-40~+125°C。
UCC25600用于 100W~1KW电源的谐振半桥控制,它执行频率调制控制功能,而且价格低于16PIN的现有LLC控制器。
内部振荡频率低端到30KHZ,高端到350KHZ,偏差不到4%,使设计师节省了功率级的过功率设计,进一步减小了系统成本。
死区时间调节,在zvs时具有最小的励磁电流,从而使效率更高。
可调的软启动可以使设计有最大的柔性,以满足终端设备的需要。
输出驱动能力可以采用最低成本的变压器。
UCC25600整个系统保护功能包括过流,欠压,偏置源的过压,及芯片过热,其基本应用电路如图1。
图1 UCC25600基本应用电路8个引脚功能如下:1PIN倒多数 DT 此端设置高边、低边开关之间的死区时间,外接一只电阻到地,由内部2.25V电压基准经外部一支电阻设置死区时间,为防止其短路,最小死区时间内部定在120ns。
2PIN RT 电流流出此端设置栅驱动频率,光耦集电极接于此端,控制开关频率,用于稳压。
并接一支电阻到GND,设置最低频率。
为了设置最高频率的限制,简单地与光耦串入一支电阻,它限制此端流出的最大电流,从而限制了最高频率。
3PIN OC 过流保护端,此端电压达到1.1V以上时,栅驱动拉到低电平,降到0.6V以下时,重新软启动。
飞兆半导体推出全新双路集成电磁螺线管驱动器等飞兆半导体推出全新双路集成电磁螺线管驱动器飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新双集成电磁螺线管驱动器(DISD)解决方案FDMS2380,为汽车控制系统设计人员带来更可靠的螺线管控制运作性能,以及节省电路板空间。
FDMS2380是智能化并带有双独立通道的半桥驱动器,下桥臂驱动专为感性负载而设计的内置电流再循环和退磁电路,并具备其它集成功能包括过压、过流和过热电路,用于保护器件和诊断反馈引脚。
FDMS2380采用节省空间的8mm×12mm PQFN封装。
飞兆半导体的FDMS2380采用多晶片方式,在节省空间的单一封装中集成多个控制和功率半导体晶片,从而提供针对汽车和工业螺线管应用而优化的紧凑及高可靠性设计解决方案。
FDMS2380的主要特性包括:采用PQFN封装的独立双通道,较之于同级的单通道和分立式解决方案,可在较小的电路板空间中提供更多的功能诊断信号功能提供更好的故障处理和保护内置过流,过压、过热诊断功能,以防止器件故障具有扩展工作电压范围,无需附加保护功能即可处理汽车功率总线飞兆半导体拥有独特的先进工艺和封装技术,配合其将功率模拟,功率分立和光电功能集成到创新封装中的能力,使公司得以针对汽车电子市场开发出各种高能效的解决方案。
飞兆半导体拥有业界最广泛全面的产品组合,功耗范围从1w~1200w以上,能够最大限度地提高当前汽车电子应用的能源效率,涵盖功率管理、车身控制、电机控制、点火和引擎管理,以及电动和混合动力电动汽车系统。
FDMS2380采用无铅(Pb-free)端子,潮湿敏感度符合IPc/JEDECJ-STD-020标准对无铅回流焊的要求。
所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令(RoHS)的要求。
奥地利微电子推出高速、高分辨率、磁线性、运动编码器IC AS5305奥地利微电子公司发布了一款磁线性运动编码器IC AS5305,该产品专为包括工业驱动、x -y平台或电机等应用在内的线性运动和离轴旋转测量而设计。
常用半桥同步整流芯片1.引言1.1 概述半桥同步整流芯片是一种常用的电力电子器件,它主要用于将交流电源转换为直流电源。
半桥同步整流芯片是通过控制开关管的导通和关断来实现电流的正向传导和反向传导,从而实现对电源的高效整流。
相对于传统的整流电路,半桥同步整流芯片具有快速开关速度、低功耗损失和高效率的特点。
半桥同步整流芯片的应用领域非常广泛。
它可以在电力供应系统中用于交流电源的变换和整流,如逆变电源、风力发电系统和太阳能电池组等。
同时,在电动汽车充电机、电源适配器和电焊设备中,半桥同步整流芯片也扮演着重要的角色。
其技术发展不仅能提高整流效率,减少功耗,还能保证电源稳定输出,并最大限度地延长电器设备的使用寿命。
本文将系统介绍半桥同步整流芯片的原理和应用。
首先,我们将深入解析半桥同步整流芯片的工作原理,包括开关管的导通和关断过程、电流传输机制等。
其次,我们将探讨半桥同步整流芯片在不同领域的应用,重点关注其在电力转换和能源管理中的应用。
最后,我们将总结该芯片的优缺点,并展望其未来的发展方向。
通过本文的阅读,读者将对半桥同步整流芯片的基本原理和应用有所了解,具备一定的实际应用能力。
我们希望本文能为相关领域的从业人员和电子技术爱好者提供有价值的参考。
同时,我们也希望能够引起更多人对半桥同步整流芯片技术的关注和研究。
1.2文章结构1.2 文章结构本文将围绕半桥同步整流芯片展开,通过以下几个部分进行阐述。
首先,在引言部分,我们将对半桥同步整流芯片进行概述,介绍其基本原理和应用领域。
通过对这一概览的了解,读者可以对半桥同步整流芯片有一个初步的认识。
接下来,在正文部分,我们将分为两个小节来详细讨论半桥同步整流芯片。
首先,我们将深入探讨它的原理,包括其内部电路结构、工作原理和模块组成等方面。
我们将解释半桥同步整流芯片是如何实现高效能量转换和电压稳定的。
随后,我们将介绍半桥同步整流芯片在各种领域中的应用,如电源电子、通信设备和电动车等。
三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片1. 引言在现代电子技术中,半桥栅极驱动集成电路芯片是一种常见且重要的电子元件。
它能够有效地控制和驱动功率半导体器件,如MOSFET和IGBT等。
本文将介绍三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片,包括其原理、特点、应用等方面的内容。
2. 半桥栅极驱动集成电路芯片原理半桥栅极驱动集成电路芯片是一种专门用于控制和驱动功率半导体器件的集成电路。
它通常由输入端、输出端、逻辑控制单元和驱动单元等部分组成。
输入端通常接收来自控制信号源的信号,用于指示开关状态。
输出端则连接到功率半导体器件的栅极,通过改变栅极信号来控制功率器件的导通与截止状态。
逻辑控制单元负责接收输入信号,并进行逻辑判断。
它可以根据输入信号的不同组合来产生相应的控制信号,用于驱动驱动单元的工作。
驱动单元是半桥栅极驱动集成电路芯片的核心部分。
它通常由多个逻辑门电路、电流源和电压源等组成。
驱动单元根据逻辑控制单元产生的信号,通过改变栅极信号的电平和波形来控制功率半导体器件的导通与截止状态。
3. 三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片3.1 半桥栅极驱动集成电路芯片A半桥栅极驱动集成电路芯片A是一款高性能的半桥栅极驱动芯片。
它采用了先进的CMOS工艺,具有低功耗、高响应速度和抗干扰能力强等特点。
该芯片具有多种保护功能,如过温保护、过流保护和过压保护等。
它还支持多种工作模式选择,包括PWM模式、脉冲模式和直流模式等。
半桥栅极驱动集成电路芯片A广泛应用于各种领域,如工业自动化、新能源汽车和消费电子等。
它能够有效地控制和驱动功率半导体器件,提高系统的可靠性和稳定性。
3.2 半桥栅极驱动集成电路芯片B半桥栅极驱动集成电路芯片B是一款高集成度的半桥栅极驱动芯片。
它采用了先进的BICMOS工艺,具有低功耗、高效率和小尺寸等特点。
该芯片内部集成了多个逻辑门电路和驱动单元,能够实现多种控制功能。
它支持多种输入信号格式,如PWM信号、脉冲信号和模拟信号等。
半桥栅极驱动芯片半桥栅极驱动芯片(Half-Bridge Gate Driver Chip)半桥栅极驱动芯片是一种用于驱动半桥功率器件(例如电力MOSFET、IGBT 等)的关键组件。
它主要负责控制功率器件的开关,以实现对电力系统的有效控制和保护。
半桥栅极驱动芯片的基本原理是通过输出控制信号来控制半桥功率器件的开关状态。
它通常具有两个栅极驱动输出引脚,分别对应 N 沟道和 P 沟道功率器件。
通过精确控制输入信号的脉冲宽度和频率,可以实现功率器件的开关和切换。
半桥栅极驱动芯片的主要功能包括以下几个方面:1. 开关控制:根据输入信号的脉冲宽度和频率,控制功率器件的开关状态。
这样可以实现对电力系统的有效控制,如变换电压、调整电流等。
2. 防过流保护:通过监测电流的大小,当电流超过设定值时,自动切断功率器件的开关以保护电路和设备的安全运行。
3. 短路保护:在系统短路发生时,自动切断功率器件的开关,以防止进一步损坏电路和设备。
4. 温度保护:监测功率器件的温度,当温度过高时,自动切断开关以防止功率器件过热,从而保护电路和设备的安全运行。
5. 看门狗功能:监测系统的工作状态,当系统处于异常状态时,自动切断开关以保护电路和设备。
半桥栅极驱动芯片的优势主要体现在以下几个方面:1. 高效性能:半桥栅极驱动芯片采用先进的驱动技术和高性能材料,具有较低的功耗和高的效率,可以更好地满足功率器件的控制需求。
2. 可靠性:半桥栅极驱动芯片具有良好的抗干扰能力和稳定的工作性能,能够在恶劣的工作环境下长时间稳定运行。
3. 安全性:半桥栅极驱动芯片具有多种保护功能,可以有效地防止电路和设备的损坏,提高系统的可靠性和安全性。
4. 节省空间:半桥栅极驱动芯片体积小巧,集成度高,可以有效地节省系统的空间,提高系统的紧凑性。
总之,半桥栅极驱动芯片是控制和保护半桥功率器件的重要组成部分。
它具有高效性能、可靠性、安全性和节省空间的优势,广泛应用于工业控制、电力系统等领域。
半桥llc用芯片全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:半桥LLC(Load-Linked Command)是一种采用半桥拓扑结构的直流/直流(DC/DC)电源转换器,用于转换输入电压为输出电压,广泛应用于电子设备、通信设备、工业控制系统等领域。
半桥LLC拓扑结构具有高效率、高可靠性和高功率密度的特点,是目前DC/DC电源转换器领域的热门选择之一。
半桥LLC拓扑结构由半桥输出级和LLC谐振电路组成。
半桥输出级由两个功率开关管(通常为MOSFET管)组成,用于控制电源的输出。
LLC谐振电路由电感、电容和谐振变压器组成,用于实现高效率的能量传输。
半桥LLC拓扑结构的优点在于:1)能够实现零电压开关(ZVS)和零电流开关(ZCS),减少开关损耗;2)能够实现高效率的能量传输,并且输出电压波形平稳;3)具有较高的抗干扰能力,适用于各种工作环境。
在半桥LLC拓扑结构中,芯片扮演着至关重要的角色。
芯片的设计和制造质量直接影响到整个电源转换器的性能和稳定性。
目前市场上主要流行的芯片品牌有TI、ADI、Infineon等,这些芯片厂商提供了各种不同规格和性能的半桥LLC用芯片,满足不同应用需求。
在选择半桥LLC用芯片时,需考虑以下几个关键因素:1)工作频率:半桥LLC电源转换器的工作频率通常在几十KHz到几百KHz之间,需选择工作频率相匹配的芯片;2)电压和电流:芯片的额定电压和电流需与实际应用要求相符;3)效率和功率密度:芯片的效率和功率密度直接影响到整个系统的性能和散热要求;4)保护功能:芯片应具备过流、过压、过温等多重保护功能,提高系统的稳定性和安全性。
除了选择合适的半桥LLC用芯片,其它器件和线路设计也对整个电源转换器的性能有着重要影响。
合理设计谐振电路、合适选择电感、电容和谐振变压器等元件,都可以提高系统的效率和稳定性。
优化PCB布局和散热设计,也可以减少系统的损耗和提高系统的可靠性。
半桥LLC用芯片是实现高效率、高可靠性和高功率密度DC/DC电源转换器的重要组成部分。
ahb不对称半桥控制芯片AHB(Asymmetrical Half-Bridge)非对称半桥拓扑控制器芯片是一种高效、灵活的电源管理解决方案,适用于各种快充应用,如PD充电器。
与传统的对称半桥拓扑相比,AHB非对称半桥拓扑具有更高的转换效率和更宽的输出电压范围,无需搭配外置降压电路即可实现。
AHB不对称半桥控制芯片内部集成了AHB控制器、半桥驱动器和功率开关等关键组件,通过精确控制功率开关的导通和关断,实现电源的高效转换和稳定输出。
此外,这类芯片通常还具备多种保护功能,如过流保护、过压保护、过温保护等,以确保电源系统的安全可靠运行。
在市场上,已经有多家半导体公司推出了AHB不对称半桥控制芯片产品,如杰华特微电子的JW1556和JW1556B,以及东科半导体的DK8715AD等。
这些芯片产品具有不同的特点和优势,可以满足不同快充应用的需求。
以杰华特的JW1556为例,该芯片采用QFN 4x4-20封装,适用于离线反激式转换器应用。
它具备超高效率,可以灵活调整输出电压,支持65-300W快充应用,非常适合应对PD充电器宽电压输出需求。
此外,杰华特还提供了一站式的解决方案,包括JW1556 AHB控制芯片、JW1571 升压PFC控制芯片和JW7726B 同步整流芯片等组成的PD 3.1电源典型应用。
而东科半导体的DK8715AD则是一款为单口140W PD3.1充电器量身打造的全合封AHB半桥芯片。
它将AHB控制器、半桥驱动器和氮化镓半桥器件集成在芯片内部,充分发挥了氮化镓性能优势,并大幅简化了充电器的电路设计。
这款芯片具有高转换效率和成本优化的特点,非常适合快充领域的应用需求。
总的来说,AHB不对称半桥控制芯片是一种高效、灵活的电源管理解决方案,可以满足各种快充应用的需求。
随着快充技术的不断发展和普及,这类芯片的市场前景将会更加广阔。
TEA1716TResonant power supply control IC with PFC Rev. 3-30November 2012Barney HuJul 29 -Aug 4,20151. General description•TEA1716T在一个multi-chip IC中集成了功率因数校正器(PFC)控制器和半桥谐振变换器的控制器(HBC)。
其提供了在一个boost变换器中离散FET的驱动功能以及在谐振半桥架构的两个离散功率FET的驱动功能。
•通过执行高功率级别的QR工作以及低功率级别的valley skipping的QR工作,有效的PFC 得以实现。
OCP,OVP以及去磁传感确保了所有条件下的安全工作。
•HBC模块是一个ZVS LLC谐振变换器的高压控制器。
它包含一个高压电平转变电路和保护电路,包括OCP,开环保护,电容模式保护和通用锁定保护输入。
•高压芯片由专用高压Bipolar-CMOS-DMOS功率逻辑组成,使其能够从整流后的普通主电压有效直接启动。
低压绝缘硅片(SOI)芯片用于准确、高速的保护功能和控制。
•TEA1716T控制PFC电路和谐振转换器是非常灵活的。
它可以广泛的应用在一个宽的电源电压范围。
PFC和HBC控制器结合在一个单一的电源控制IC使得TEA1716T理想地用于液晶和等离子电视。
•使用TEA1716T提供高效、可靠的电力供应,从90W到500W可以轻松地使用TEA1716T 设计,用最少的外部组件。
•TEA1716T的集成Burst mode和电源管理功能使谐振应用能满足能源使用产品指令(EuP) lot 6(待机模式,< 0. 5 W)。
2. Features and benefits2. 1 General features•集成PFC和HBC控制器•通用电源运行,从70V-276V (AC)•高水平的集成导致较少的外部组件数量和成本效益的设计•集成Burst mode sensing•兼容能源使用产品指令(EuP) lot 6•使能输入只允许使能PFC或者PFC 和HBC控制器•芯片上的高压启动源•独立运行或从外部DC源供应2. 2 PFC controller features•及时控制边界模式操作•谷底和零电压开关带来最小损耗•频率限制来减少开关损耗•精确的boost电压调节•软启动和软停止的Burst mode开关2. 3 HBC controller features•集成高压电平位移器•可调节最大和最小频率•半桥开关频率最大可达500KHz•自适应非重叠(Adaptive non-overlap)时间•突发模式(Burst mode)开关2. 4 Protection features•系统故障条件下安全重启模式•通用latched保护输入,对输出过电压保护或外部温度保护•保护定时器对time-out 和restart•过温保护•对两个控制器软启动•欠电压保护--电源((brownout)),boost,IC供电和输出电压•对两个控制器进行过流保护和调节•对boost电压精确的过压保护•对HBC控制器的容性模式保护3. Applications•LCD television•Plasma television•Notebook adapter•Desktop and all-in-one PCs4. Ordering information5. Block diagram• 6. 1 Pinning22SSHBC/EN使能下拉信号23RCPROT Time‐out24SNSBOOST Boost电压调节的采样输入,外部连接到7. 1 Overview of IC modulesTEA1716T功能可组合如下:•电源模块: IC供电管理,包括重启和(锁定)关断状态。
半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下,提高能效已经成为业界共识。
与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比,双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。
因此,在注重高能效的应用中,软开关技术越来越受设计人员青睐。
另一方面,半桥配置最适合提供高能效/高功率密度的中低功率应用。
半桥配置涉及两种基本类型的MOSFET驱动器,即高端(High-Side)驱动器和低端(Low-Side)驱动器。
高端表示MOSFET的源极能够在地与高压输入端之间浮动,而低端表示MOSFET的源极始终接地,参见图1。
当高端开关从关闭转向导通时,MOSFET源极电压从地电平上升至高压输入端电平,这表示施加在MOSFET门极的电压也必须随之浮动上升。
这要求某种形式的隔离或浮动门驱动电路。
与之不同,低端MOSFET的源极始终接地,故门驱动电压也能够接地参考,这使驱动低端MOSFET的门极更加简单。
图1:LLC半桥拓扑结构电路图。
所有软开关拓扑结构都应用带浮接参考引脚(如MOSFET源极引脚)的功率开关。
在如图1所示的LLC半桥拓扑结构中,高端MOSFET开关连接至高压输入端,不能够采用主电源控制器来驱动,而需要另行选定驱动电路。
这驱动电路是控制电路与功率开关之间的接口,将控制信号放大至驱动功率开关管所要求的电平,并在功率开关管与逻辑电平控制电路之间有要求时提供电气隔离。
高端MOSFET驱动方案常见的有两种,一是基于变压器的方案,二是基于硅集成电路(IC)驱动器的方案。
本文将分别讨论这两种半桥拓扑结。
半桥同步整流控制芯片1.引言1.1 概述半桥同步整流控制芯片是一种用于控制半桥同步整流技术的关键元件。
半桥同步整流技术是一种高效的电力转换技术,用于将交流电源转换为直流电源。
传统的整流技术存在着功耗大、效率低、噪声大等问题,而半桥同步整流技术通过控制芯片的精确操作,可以实现更高的功率转换效率和更低的能量损耗。
半桥同步整流控制芯片的设计原理主要包括两个方面:电路控制和信号处理。
首先,电路控制部分通过对半桥开关管的控制,实现对半桥整流电路的开关控制。
这样可以有效地减小电流漏失和功率损耗,提高整体的电力转换效率。
其次,信号处理部分对输入电流和输出电压进行采样和反馈,然后根据设定的转换效率和输出电压要求,通过算法调整半桥开关管的开关频率和开关时间,使得整流电路能够灵活地响应输入电流和输出电压的变化,实现稳定的电力转换过程。
半桥同步整流控制芯片的设计目的是为了提高电力转换的效率和稳定性。
通过精确的控制和反馈机制,可以使得半桥整流电路在不同负载和电源条件下都能保持高效稳定地工作,从而减少能量损耗和噪声产生。
同时,控制芯片还需要考虑功率密度、热管理、保护机制等方面的设计,以确保整个电路的可靠性和安全性。
总而言之,半桥同步整流控制芯片是实现高效电力转换的关键元件,它通过精确的电路控制和信号处理实现对半桥整流电路的优化控制,提高转换效率和稳定性。
在未来的发展中,随着电力转换技术的不断进步,半桥同步整流控制芯片将会在各种应用场景中发挥更加重要的作用。
1.2 文章结构文章结构部分的内容可以包括以下内容:文章的结构部分主要是为读者提供一个对整篇文章的整体了解和导引,同时也是为了使读者更好地理解文章的内容和逻辑结构。
在本文中,共分为以下几个部分进行介绍和解释。
首先,引言部分是文章的开头部分,用来引入和引发读者对于半桥同步整流控制芯片这一话题的兴趣和关注。
在引言的概述中,将对半桥同步整流控制芯片的基本概念、应用领域和意义进行简要阐述,以使读者对该话题有一个整体的认识。
半桥llc用芯片-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分:半桥LLC用芯片是一种在电子领域广泛应用的技术,它基于半桥拓扑结构,并结合LLC谐振电路实现高效的功率转换和控制。
该技术在电源管理、充电器、逆变器等领域有着重要的应用价值,并且在节能、高效、稳定的要求下得到越来越广泛的应用。
本文将深入介绍半桥LLC用芯片的原理、应用领域、优势以及未来发展方向,希望可以为读者提供深入了解和探讨这一前沿技术的思路。
文章结构部分应该包括以下内容:文章结构部分应该包括以下内容:文章结构部分应该包括以下内容:在本篇长文中,我们将探讨半桥LLC用芯片的概念、原理、应用领域、优势和未来发展。
具体结构如下:1. 引言1.1 概述:介绍半桥LLC用芯片的基本概念和作用。
1.2 文章结构:介绍本文将要讨论的内容和结构安排。
1.3 目的:说明本文的写作目的和意义。
2. 正文2.1 半桥LLC用芯片的概念及原理:深入解析半桥LLC用芯片的工作原理和技术特点。
2.2 半桥LLC用芯片的应用领域:探讨半桥LLC用芯片在实际应用中的各种场景和行业。
2.3 半桥LLC用芯片的优势和未来发展:分析半桥LLC用芯片相对于其他技术的优势,并展望其未来在市场上的发展趋势。
3. 结论3.1 总结半桥LLC用芯片的重要性:总结半桥LLC用芯片在现代科技领域的重要作用。
3.2 展望半桥LLC用芯片的发展前景:对半桥LLC用芯片未来发展的预测和展望。
3.3 结束语:总结全文,强调半桥LLC用芯片的重要性和价值。
1.3 目的:本文的目的是介绍半桥LLC用芯片这一新型技术在电子领域的应用情况以及优势,探讨其未来发展趋势。
通过深入了解半桥LLC用芯片的概念、原理和应用领域,可以帮助读者更全面地了解这一领域的发展动态,为读者提供参考和启发。
同时,本文还将对半桥LLC用芯片技术的重要性进行总结,并展望其未来的发展前景,以期为相关领域的研究人员和从业者提供一定的参考和借鉴价值。
使用简洁、性能优秀的LLC控制IC—UCC25600 LLC谐振半桥电路正获得广泛的的应用,TI公司新推出的UCC25600具有功能齐备,使用简洁,性能优秀,是一款出类拔萃的IC设计产品,主要特色有:·可变开关频率控制。
·可调最小开关频率。
(精度4%)·可调最大开关频率。
·可调死区时间,达到最高效率。
·可调软起动时间。
·易操作的ON/OFF控制。
·过流保护。
·过热保护。
·偏制电压的UVLO和OVP。
·内部栅驱动能力,源出04A,漏入0.8A。
·工作环境温度-40~+125°C。
UCC25600用于 100W~1KW电源的谐振半桥控制,它执行频率调制控制功能,而且价格低于16PIN的现有LLC控制器。
内部振荡频率低端到30KHZ,高端到350KHZ,偏差不到4%,使设计师节省了功率级的过功率设计,进一步减小了系统成本。
死区时间调节,在zvs时具有最小的励磁电流,从而使效率更高。
可调的软启动可以使设计有最大的柔性,以满足终端设备的需要。
输出驱动能力可以采用最低成本的变压器。
UCC25600整个系统保护功能包括过流,欠压,偏置源的过压,及芯片过热,其基本应用电路如图1。
图1 UCC25600基本应用电路8个引脚功能如下:1PIN倒多数 DT 此端设置高边、低边开关之间的死区时间,外接一只电阻到地,由内部2.25V电压基准经外部一支电阻设置死区时间,为防止其短路,最小死区时间内部定在120ns。
2PIN RT 电流流出此端设置栅驱动频率,光耦集电极接于此端,控制开关频率,用于稳压。
并接一支电阻到GND,设置最低频率。
为了设置最高频率的限制,简单地与光耦串入一支电阻,它限制此端流出的最大电流,从而限制了最高频率。
3PIN OC 过流保护端,此端电压达到1.1V以上时,栅驱动拉到低电平,降到0.6V以下时,重新软启动。