电力电子复习回顾
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大二电力电子技术基础知识点总结如下是大二电力电子技术基础知识点的总结:电力电子技术是电气工程领域的重要分支之一,它主要涉及电力电子器件和电力电子电路的设计与应用。
在大二的学习中,我们接触到了很多电力电子技术的基础知识点,这些知识点对于我们的学习和未来的工作都有着重要的意义。
下面是对这些知识点的总结:1. 电力电子器件电力电子器件是实现电力电子技术的基石,常见的电力电子器件有功率场效应管(MOSFET)、双极型晶体管(BJT)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。
这些器件具有不同的特性和应用场景,我们需要掌握它们的工作原理、特性参数以及选型和驱动方法。
2. 电力电子电路电力电子电路是电力电子技术的核心,其中包括直流-直流变换器、直流-交流变换器、交流-交流变换器等。
我们需要了解这些电路的结构和工作原理,掌握它们的控制方法、效率计算以及应用领域。
3. 开关功率器件开关功率器件是电力电子电路的关键组成部分,常见的开关功率器件有晶闸管(SCR)、双向可控硅(Triac)、发光二极管(LED)等。
了解开关功率器件的工作原理、特性和保护方法,能够更好地设计和应用电力电子电路。
4. 电力电子变换器电力电子变换器是实现电能的变换与调控的关键设备,常见的电力电子变换器有直流电压变换器、直流电流变换器、交流电压变换器等。
我们需要了解这些变换器的结构和动作原理,掌握它们的控制策略、效率计算以及在电力系统中的应用。
5. 短路保护与故障诊断在电力电子技术应用中,短路故障是常见的问题。
我们需要学习短路保护的原理和方法,能够设计和应用短路保护电路。
同时,故障诊断技术也十分重要,我们需要了解故障诊断的基本原理和方法,能够快速准确地分析和解决故障问题。
6. 可编程控制器(PLC)在电力电子技术中的应用近年来,可编程控制器在电力电子技术中的应用越来越广泛。
我们需要了解PLC的基本原理和应用技巧,能够利用PLC实现电力电子设备的自动控制和远程监控。
电力电子技术复习题1第1章电力电子器件1、电力电子器件一般工作在开关状态。
2、在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。
3、电力电子器件组成得系统,一般由—控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压与电流得过冲,往往需添加保护电路。
4、按内部电子与空穴两种载流子参与导电得情况,电力电子器件可分为_单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5、电力二极管得工作特性可概括为承受正向电压导通,承受反相电压截止。
6、电力二极管得主要类型有—普通二极管_、_快恢复二极管 _ _肖特基二极管_。
7、肖特基二极管得开关损耗小于快恢复二极管得开关损耗。
8、晶闸管得基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9、对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH 。
10、晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为.UDSM大于_UbQ11、逆导晶闸管就是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上得功率集成器件。
12、GTO寻多元集成结构就是为了便于实现门极控制关断而设计得。
13、MOSFE得漏极伏安特性中得三个区域与 GTR共发射极接法时得输出特性中得三个区域有对应关系,其中前者得截止区对应后者得_截止区_、前者得饱与区对应后者得放大区、前者得非饱与区对应后者得饱与区。
14、电力MOSFE得通态电阻具有正温度系数。
15、IGBT得开启电压UGE(th)随温度升高而略有下降,开关速度小于电力 MOSFET16、按照驱动电路加在电力电子器件控制端与公共端之间得性质,可将电力电子器件分为电压驱动型与电流驱动型两类。
17、IGBT得通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负—温度系数,在 1/2或1/3额定电流以上区段具有 _正_ —温度系数。
18、在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)中,属于不可控器件得就是_电力二极管__,属于半控型器件得就是—晶闸管属于全控型器件得就是_ GTO、GTR、电力 MOSFET IGBT 属于单极型电力电子器件得有_电力MOSFET _属于双极型器件得有_电力二极管、晶闸管、 GTO、GTR_,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控得器件中,容量最大得就是_晶闸管_,工作频率最高得就是_电力MOSFET!于电压驱动得就是丄力MOSFET IGBT _,属于电流驱动得就是_晶闸管、GTO、GTR _ 第2章整流电路电阻负载得特点就是_电压与电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角a得最大移相范围就是_0-180[。
电力电子技术知识点总结一、电力电子器件1. 晶闸管:晶闸管是一种具有双向导电性能的电子器件,可以控制大电流、大功率的交流电路。
其结构简单,稳定性好,具有一定的可逆性,可用作直流电压调节元件、交流电压调节元件、静止开关、逆变器等。
2. 可控硅:可控硅是一种具有双向导电性的半导体器件,具有控制开关特性,可用于控制大电流、大功率的交流电路。
可控硅具有可控性强,工作稳定等特点,适用于电力调节、交流电源、逆变器等领域。
3. MOSFET:MOSFET是一种以金属氧化物半导体栅极场效应晶体管为基础的器件,和普通的MOS晶体管相比,MOSFET在导通电阻上有较低的压降、耗散功率小、寄生电容小、开关速度快等优点,适用于开关电路、逆变器、电源调节等领域。
4. IGBT:IGBT是一种继承了MOSFET和双极晶体管的特点的半导体器件,具有高阻塞电压、低导通压降、大电流、耐脉冲电流等特点,适用于高频开关电路、变频器、电源逆变器、电机调速等领域。
5. 二极管:二极管是最基本的电子元件之一,具有正向导通和反向截止的特点,广泛用于整流、短路保护、开关电源等方面。
以上所述的电力电子器件是电力电子技术的基础,掌握了这些器件的特性和应用,对于电力电子技术的学习和应用具有重要的意义。
二、电力电子拓扑结构1. 变流器拓扑结构:变流器是电力电子技术中的一种重要装置,用于将直流电转换为交流电或者改变交流电的频率、电压和相数等。
常见的变流器拓扑结构包括单相全桥变流器、三相全桥变流器、单相半桥变流器、三相半桥变流器等。
2. 逆变器拓扑结构:逆变器是电力电子技术中的一种重要装置,用于将直流电转换为交流电,逆变器可以选择不同的拓扑结构和控制策略,以满足不同的电力系统需求。
常见的逆变器拓扑结构包括单相全桥逆变器、三相全桥逆变器、单相半桥逆变器、三相半桥逆变器等。
3. 母线型柔性直流输电系统:母线型柔性直流输电系统是一种新型电力电子系统,用于将大容量的交流电转换为直流电进行长距离输电。
《电力电子技术》复习资料一 电力电子器件1. 要点:① 半控器件:晶闸管(SCR )全控器件:绝缘栅双极型晶体管(IGBT )、电力晶体管(GTR )、 门极关断晶闸管(GTO )、电力场效应管(MOSEFT ) 不可控器件:电力二极管各器件的导通条件、关断方法、电气符号及特点。
②注意电流有效值与电流平均值的区别: 平均值:整流后得到的直流电压、电流。
有效值:直流电压、电流所对应的交流值。
波形系数:K f =有效值/平均值 。
③电力电子技术器件的保护、串并联及缓冲电路: du /dt :关断时,采用阻容电路(RC )。
di/dt :导通时,采用电感电路。
二 整流电路1. 单相半波电路:① 注意电阻负载、电感负载的区别: ② 有效值与平均值的计算:平均值:整流后得到的直流电压、电流。
21cos 0.452d U U α+=d d U I R=有效值:直流电压、电流所对应的交流值。
U U =U I R = 波形系数:电流有效值与平均值之比。
f dIk I =② 注意计算功率、容量、功率因数时要用有效值。
③ 晶闸管的选型计算:Ⅰ求额度电压:2TM U =,再取1.5~2倍的裕量。
Ⅱ 求额度电流(通态平均电流I T (AV )) 先求出负载电流的有效值(f d I k I =); →求晶闸管的电流有效值(I T =I );→求晶闸管的电流平均值(()/T AV T f I I k =),再取1.5~2倍裕量。
2. 单相全桥电路负载:①注意电阻负载、电感负载和反电动势负载的区别: ② 电阻负载的计算:α移相范围:0~π负载平均值:整流后得到的直流电压、电流。
(半波的2倍)21cos 0.92d U U α+=d d U I R=负载有效值:直流电压、电流所对应的交流值。
U U =U I R = 晶闸管:电流平均值I dT 、电流有效值I T :dT d12I I =T I =③ 电感负载的计算:Ⅰ加续流二极管时,与电阻负载相同。
电力电子技术第五版复习资料第1章绪论1 电力电子技术定义:是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,是应用于电力领域的电子技术,主要用于电力变换。
2 电力变换的种类(1)交流变直流AC-DC:整流(2)直流变交流DC-AC:逆变(3)直流变直流DC-DC:一般通过直流斩波电路实现(4)交流变交流AC-AC:一般称作交流电力控制3 电力电子技术分类:分为电力电子器件制造技术和变流技术。
第2章电力电子器件1 电力电子器件与主电路的关系(1)主电路:指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。
(2)电力电子器件:指应用于主电路中,能够实现电能变换或控制的电子器件。
2 电力电子器件一般都工作于开关状态,以减小本身损耗。
3 电力电子系统基本组成与工作原理(1)一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。
(2)检测主电路中的信号并送入控制电路,根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。
(3)控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。
(4)同时,在主电路和控制电路中附加一些保护电路,以保证系统正常可靠运行。
4 电力电子器件的分类根据控制信号所控制的程度分类(1)半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
如SCR晶闸管。
(2)全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。
如GTO、GTR、MOSFET 和IGBT。
(3)不可控器件:不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。
如电力二极管。
根据驱动信号的性质分类(1)电流型器件:通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。
如SCR、GTO、GTR。
(2)电压型器件:通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。
如MOSFET、IGBT。
根据器件内部载流子参与导电的情况分类(1)单极型器件:内部由一种载流子参与导电的器件。
电力电子复习资料电力电子复习资料电力电子作为一门重要的学科,涉及到电力系统的控制、变换和转换等方面。
它在现代电力工程中发挥着重要的作用,广泛应用于电力变换器、电力调节器、电力传输和配电系统等领域。
本文将从电力电子的基本原理、常见的电力电子器件以及应用案例等方面进行复习资料的整理。
一、电力电子的基本原理电力电子的基本原理主要包括电力电子器件的工作原理、电力电子系统的运行原理以及电力电子的控制原理等。
在电力电子器件的工作原理方面,主要涉及到晶闸管、可控硅、IGBT等常见的电力电子器件。
晶闸管是一种双向导通的开关器件,通过控制晶闸管的触发电压和电流来实现对电路的开关控制。
可控硅是一种单向导通的开关器件,通过控制可控硅的触发角来实现对电路的开关控制。
IGBT是一种结合了晶体管和可控硅的特点的双向导通开关器件,具有高开关速度和低导通压降的特点。
在电力电子系统的运行原理方面,主要涉及到电力电子变换器的工作原理。
电力电子变换器是一种能够将电能从一种形式转换为另一种形式的装置,常见的电力电子变换器包括直流-直流变换器、直流-交流变换器和交流-交流变换器等。
通过控制电力电子变换器的开关状态和开关频率,可以实现对电能的转换和调节。
在电力电子的控制原理方面,主要涉及到电力电子系统的控制方法和控制策略。
电力电子系统的控制方法主要包括开环控制和闭环控制两种方式。
开环控制是指根据系统的输入和输出之间的关系,通过对输入信号进行调节来实现对输出信号的控制。
闭环控制是指通过对系统的反馈信号进行采样和比较,根据误差信号来调节系统的输入信号,从而实现对输出信号的控制。
电力电子系统的控制策略主要包括脉宽调制、频率调制和电压调制等。
二、常见的电力电子器件电力电子器件是电力电子系统中的核心组成部分,常见的电力电子器件包括晶闸管、可控硅、IGBT、MOSFET和二极管等。
晶闸管是一种双向导通的开关器件,具有开关速度快、导通压降低等特点,广泛应用于交流调压、直流调压和交流变频等领域。
电力电子期末总结知识点本学期,我们学习了关于电力电子的相关知识,涉及到了电力电子器件、电力电子系统、电力电子控制等方面。
在这门课程中,我们学习到了许多重要的知识点,下面我将对这些知识点进行总结。
首先,我们学习了电力电子器件。
电力电子器件是实现电力电子变换功能的关键部件。
在本学期的学习中,我们重点学习了晶闸管、整流二极管、可控硅、MOSFET、IGBT等常见的电力电子器件。
我们深入了解了这些器件的工作原理、特性以及应用范围,对于理解电力电子的基本原理和设计具有非常重要的意义。
其次,我们学习了电力电子系统。
电力电子系统是由电力电子器件和其他辅助电路组成的系统。
在本学期的学习中,我们涉及到了各种不同类型的电力电子系统,如交流调压器、交流变频器、逆变器等。
我们通过学习这些系统的工作原理和控制方法,深入了解了电力电子在实际应用中的广泛用途。
此外,我们还学习了电力电子控制。
电力电子控制是电力电子技术中的另一个重要组成部分,它能够对电力电子器件和系统进行精确的控制,实现电能的有效转换和调节。
在本学期的学习中,我们学习了各种电力电子控制方法,如PWM控制、电压调节、电流控制等。
通过学习这些方法,我们掌握了实际应用中电力电子控制的技术要点。
综上所述,本学期学习了电力电子器件、电力电子系统以及电力电子控制等多个方面的知识。
通过本学期的学习,我们对电力电子技术有了更深入的理解,掌握了电力电子的基本原理和设计方法。
这些知识对于我们日后的工作和研究具有重要的指导意义。
希望在未来的学习和工作中,能够不断应用和深化这些知识,为电力系统的发展做出贡献。
电力电子复习回顾————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:电力电子复习回顾第二章电力电子器件一、电力电子器件概论1、按器件的可控性分类,普通晶闸管属于( B )A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电压型器件2、具有自关断能力的电力半导体器件称为( A )A.全控型器件B.半控型器件C.不控型器件D.触发型器件3、下面给出的四个电力半导体器件中,哪个是全控型电力半导体器件( C )A 二极管B 晶闸管C 电力晶体管D 逆导晶闸管二、功率二极管1、功率二极管的封装形式有螺栓型和平板型,平板型的散热效果好。
2、ZP400表示功率二级管的额定电流为400 A。
3、常用的功率二极管有三种类型:普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
三、晶闸管(SCR)1、处于阻断状态的晶闸管,只有在阳极承受正向电压,且_ 时,才能使其开通。
2、在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )。
A.干扰信号B.触发电压信号C.触发电流信号D.干扰信号和触发信号3、为防止晶闸管误触发,应使干扰信号不超过( )A. 安全区B. 不触发区C. 可靠触发区D. 可触发区4、造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素,一是阳极的电压上升率du/dt太快,二是( )A.阳极电流上升太快B.阳极电流过大C.阳极电压过高D.电阻过大4、由门极控制导通的晶闸管导通后,门极信号( )。
A.失去作用B.需维持原值C.需降低D.需提高5、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定6、使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至______以下。
7、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM_______U BO。
8、晶闸管额定通态平均电流I VEAR是在规定条件下定义的,条件要求环境温度为_____。
9、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为()。
A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流10、决定触发脉冲最小宽度一个重要因素是( )。
A. 维持电流I HB. 擎住电流I LC. 浪涌电流I TSmD. 额定电流11、对于同一个晶闸管,其维持电流I H _______擎住电流I L 。
12、KP100-12表示额定电流 A ,额定电压 V 的普通型晶闸管。
13、晶闸管电流的波形系数定义为( ) A.)(AV T Tm f I I K = B.TmAV T f I I K )(=C.K f =I T (AV )·I TmD.K f =I T (AV )-I Tm14、在I T(AV)定义条件下的波形系数k f 为( )A. πB.2πC. 23πD.2π四、门极可关断晶闸管1、门极可关断晶闸管是一种__________层半导体结构的三端器件。
2、要关断GTO ,则需( )A 在门极加正脉冲信号B 在门极加负脉冲信号C 加强迫关断电路D 加正弦波信号3、GTO 的电流关断增益βoff =( )。
A.||m in G ATO I I B.||GTATO I I C.||GD ATO I I D.||:GMTO A I I 五、功率晶体管1、功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止2、功率晶体管的二次击穿现象表现为( )A.从高电压小电流向低电压大电流跃变B.从低电压大电流向高电压小电流跃变C.从高电压大电流向低电压小电流跃变D.从低电压小电流向高电压大电流跃变3、功率晶体管的安全工作区范围由几条曲线限定( )A.4条B.3C.5条D.2条4、功率晶体管驱动电路中的抗饱和电路,用来减少晶体管的( )A. 存储时间B. du/dtC. di/dtD. 基极电流5、对于功率晶体管的基极驱动电路,驱动电流的后沿应是一个较大的负电流,以利于功率晶体管的( C )A.导通B.寿命C.关断D.饱和(六)电力MOSFET管1、电力MOSFET导通时工作在区。
(七)IGBT1、双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是()。
A.GTOB.IGBTC.GTRD.SCR2、IGBT是( )A.电流驱动型元件B.电压驱动型元件C.半控型元件D.不控型元件(八)器件共性1、触发电路中的触发信号应具有()A.足够大的触发功率B.足够小的触发功率C.尽可能缓的前沿D.尽可能窄的宽度2、常用的抑制过电压的方法有两种,一是用 元件吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。
二是用_____元件限制过电压的幅值。
3、快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )A.功率晶体管B.IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管4、可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是( D )A.功率晶体管GTRB.IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管5、在功率晶体管的主电路中,为了有效地抑制dt di 和dt du,则应设置 ( )A.触发电路B.控制电路C.开关电路D.缓冲保护电路6、对功率晶体管设置_ 电路,可防止过电压和减小功率晶体管两端的du/dt 。
7、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用___ 型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。
8、晶闸管串联时,为达到静态均压,可在晶闸管两端并联相同的( )。
A .电阻B .电容C .电感D .阻容元件9、当晶闸管串联时,为实现动态均压,可在各个晶闸管两端并联( )A. RB. LC. CD. RC第二章 整流电路(一)单相半波全控整流电路1、单相半波可控整流电路中,从晶闸管开始导通到关断之间的角度称为__________。
2、在晶闸管单相半波可控整流电路中,从晶闸管开始承受正向电压算起,到触发脉冲到来时刻为止,这段时间的电角度称为_____。
3、单相半波可控整流纯电阻负载电路,控制角 =_____时,负载电流的平均值最大。
4、单相半波可控整流电路中,控制角α的最大移相范围是__________。
5、大电感负载,接有续流二极管的单相半波可控变流电路设控制角为α,则续流二极管的导通角为( )A.2π+αB.2π-α C 、 π-α D.π+α(二)单相全控桥1、单相全控桥式带电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )A 90 °B 120 °C 150 °D 180 °2、带电阻性负载的单相全控桥,晶闸管所承受的最大正向电压为( ) A 22U 2 B 22U 2 C 2U 2 D 2U 23、单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为( )A. 22U2 B. 2U2 C.22U2 D. 6U24、当控制角α、交流电源电压和负载相同时,单相全控桥式整流电路的功率因素是单相半波整流电路的功率因素的( )A. 2倍B. 2倍C. 1倍D.21倍5、能在两象限运行的电路为( )(电压为纵坐标,电流为横坐标)A. 单相全控桥式电路B. 单相半控桥式电路C. 带续流管的单相全控桥式电路D. 带续流管的单相半控桥式电路6、单相全控桥能在Ⅰ、_________象限中工作。
(电压为纵坐标,电流为横坐标)7、单相桥式可控整流电路中,脉冲间隔τ= ,晶闸管最大导通角=maxθ,晶闸管承受的最大电压TmU= 。
8、单相桥式全控整流电路反电动势负载为使电路可靠工作,控制角α必须停止导电角δ。
9、.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于停止导电角δ时,晶闸管的导通角θ=( )A.π-αB.π+αC.π-δ-αD.π+δ-α10、在单相全控桥整流电路带反电势负载时,若交流电源有效值为U2,反电势为E时,停止导电角δ= ,若晶闸管不导通时,输出电压应为_ _____。
(三)三相半波1、三相半波可控整流电路中使用_______个晶闸管。
2、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A.交流相电压的过零点B. 是相邻相电压正半周的交点R、S、T处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°3、三相半波可控整流电阻性负载电路的控制角α为何值时,输出电流波形会出现零点。
(注意是出现一个零点,而不是一段为零的区域)()A.15°B.30°C.45°D.60°4、电阻性负载三相半波可控整流电路,相电压的有效值为U2,当控制角α=0°时,整流输出电压平均值等于()A.1.41U2B.2.18U2C.1.73U2D.1.17U25、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位互差()A.150°B.60°C.120° D6、三相半波可控整流电路,在电阻性负载时,当控制角α≤30°,每个晶闸管的导通角θ=__。
此电路的移相范围为____。
7、三相半波可控整流电路带电阻性负载工作时,在控制角α>30°时,负载电流出现_______。
晶闸管所承受的最大反向电压为。
8、在电感性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大正向电压为_________。
9、在大电感性负载三相半波可控整流电路中,输出电流基本是______。
(四)三相全控桥1、三相全控桥的共阳极组各器件的导通顺序依次为V 12,V 14,V 16,其中V 12对应于__________相。
2、三相桥式不控整流电路交流侧三相相电压正半周波的三个自然换相点互相间隔( )A 60 °B 90 °C 120 °D 180 °3、三相全控桥式整流电路中,共阴极组的三个晶闸管的触发脉冲相位互差( )A 60°B 90°C 120°D 150°4、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔,依次在______半周触发共阴极组的各晶闸管。
5、三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差( )度。
A.60B.90C.120D.1806、三相桥式不控整流电路中,二极管在自然换相点按1、 2、3、4、5、6、l 的顺序每隔多少度换相一次( )A 45°B 60°C 90°D 120°7、在三相桥式不控整流电路中,整流输出电压的平均值为( ) A.22U 34.2U 63≈π或 B.22U 17.1U 263≈π或 C.22U 56.1U 62≈π或 D.22U 78.0U 6≈π或8、已知三相桥式不控整流电路交流侧线电压u AB 的表达式为u AB=)6t sin(U 62π+ω,则u CA 的表达式为( ) A.)65t sin(U 6u 2CAπ+ω= B.)65t sin(U 3u 2CA π+ω= C.)32t sin(U 6u 2CA π-ω= D.)65t sin(U 6u 2CA π-ω= 9、电阻性负载三相全控桥式整流电路,在一个输入电源周期内,整流输出电压有____个波头。