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闪速存储器[浏览次数：271次]闪速存储器(Flash Memory)是一类非易失性存储器NVM(Non-Volatile Memory)即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失.相对传统的EEPROM芯片，这种芯片可以用电气的方法快速地擦写.由于快擦写存储器不需要存储电容器，故其集成度更高，制造成本低于DRAM.它使用方便，既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点，所以快擦写存储器技术发展最迅速。
目录∙闪速存储器的概要∙闪速存储器的分类及特征∙闪速存储器指令∙闪速存储器在图像采集系统中的应用∙闪速存储器的研究与进展闪速存储器的概要∙闪速存储器的基本存储器单元结构如图1所示。
一眼看上去就是n沟道的MOSFET那样的东西，但又与普通的FET不同，特点是在栅极（控制栅）与漏极／源极之间存在浮置栅，闪速存储器利用该浮置栅存储记忆。
图1 闪速存储器的单元结构浮置栅被设计成可以存储电荷的构造，栅极及主板利用氧化膜进行了绝缘处理，一次积累的电荷可以长时间（10年以上）保持。
当然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某种原因使绝缘膜遭到破坏，那么闪速存储器将失去记忆。
同时，因为热能必定致使电荷以某概率发生消减，因此数据保存的时间将受到温度的影响。
下面，我们将进一步讨论闪速存储器的擦除与写人的原理。
我们知道，数据的写人与擦除是通过主板与控制栅之间电荷的注人与释放来进行的。
例如，一般的NOR闪速存储器在写人时提高控制栅的电压，向浮置栅注人电荷（图2）。
而数据的擦除可以通过两种方法进行。
一种方法是通过给源极加上＋12V左右的高电压，释放浮置栅中的电荷（Smart Voltage Regulator）；另一种方法是通过给控制栅加上负电压（-10V左右），挤出浮置栅中的电荷（负极门擦除法）。
各种电压提供方式如图3所示。
闪速存储器一、闪速存储器的特点闪速存储器（Flash Memory）是一类非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。
Flash Memory集其它类非易失性存储器的特点：与EPROM相比较，闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压（某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作）；与EEPROM相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的特点。
其独特的性能使其广泛地运用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理（PDA）。
二、闪速存储器的技术分类全球闪速存储器的主要供应商有AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不同，分为几大阵营。
1 NOR技术NORNOR技术（亦称为Linear技术）闪速存储器是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架构。
它源于传统的EPROM器件，与其它Flash Memory技术相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS 固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
NOR技术Flash Memory具有以下特点：（1）程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行；（2）可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。
易失性存储器件随着现代科技的发展，计算机应用越来越广泛。
而存储器件作为计算机的重要组成部分，也得到了蓬勃的发展。
在存储器件中，易失性存储器件是一类非常重要的存储媒介。
本文将从易失性存储器件的定义、分类、特点和应用等方面进行探讨。
一、易失性存储器件的定义易失性存储器件，简称易失存储器，是指当断电或停电后，存储在其中的数据会丧失的一类存储设备。
它与非易失性存储器相对。
易失性存储器设备常用的有SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）。
二、易失性存储器件的分类根据存储原理的不同，易失性存储器件可分为静态存储和动态存储两种。
1. 静态存储器静态存储器是通过使用一些逻辑门电路构成存储单元，以静电的方式存储数据的存储器。
其特点是存取速度快、功耗低、数据刷新和读写操作简单。
常见的静态存储器有SRAM，它常用于高速缓存等要求读取速度较快的场合。
2. 动态存储器动态存储器通过利用电容器来存储数据，需要定期进行刷新来保持数据的有效性。
它的特点是存储密度高、成本低，但功耗较高，刷新操作较复杂，且读取速度相对较慢。
常见的动态存储器有DRAM，它被广泛应用于个人电脑主存储器等领域。
三、易失性存储器件的特点易失性存储器件相较于非易失性存储器件具有以下几个显著的特点：1. 数据临时性易失性存储器件中存储的数据在停电或断电后会丧失，因此其存储内容具有临时性。
这对一些对数据长时间存储要求较高的应用场景可能不适用。
2. 读写速度快易失性存储器件相比于非易失性存储器件具备更快的读写速度，使得其在对数据实时性要求较高的应用中得到广泛应用。
3. 存储单元密度高易失性存储器件由于不需要添加非易失性的存储介质，其存储单元的密度较高。
这使得易失存储器在相同物理空间内可以存储更多的信息。
4. 刷新操作和功耗问题动态存储器需要定期进行数据刷新操作，以保持数据的有效性。
这个过程对系统来说是一种额外的负担，并且也会消耗一定的功耗。
而静态存储器则不需要进行刷新操作，功耗相对较低。
存储芯片类型存储芯片是一种用于存储和保留数据的硬件设备。
它采用微电子技术，将一系列的存储单元集成在芯片上，用于存储二进制数据。
根据不同的功能和特性，存储芯片可以分为以下几个类型。
1. 静态随机访问存储器（SRAM）：SRAM是一种非易失性存储器，可以在断电时保持数据。
它的速度快，功耗低，但相对容量较小，成本较高，常用于高性能处理器的缓存和寄存器等。
2. 动态随机访问存储器（DRAM）：DRAM是一种易失性存储器，需要定期刷新以保持数据。
它的容量较大，成本较低，但速度相对较慢。
DRAM广泛应用于电脑内存等领域。
3. 闪存存储器：闪存存储器是一种非易失性存储器，可用于存储大容量的数据。
它的特点是速度较快、功耗较低，广泛应用于移动设备、数码相机等。
4. 可编程只读存储器（PROM）：PROM允许用户一次性编程，之后数据无法修改。
它广泛应用于系统固件、程序存储等领域。
5. 电子可擦除可编程只读存储器（EEPROM）：EEPROM可以通过电子擦除和编程来修改数据。
它的特点是可擦写次数较多，用于存储配置数据、固件更新等。
6. 闪存EEPROM（Flash EEPROM）：Flash EEPROM结合了闪存和EEPROM的优点，具有较快的读写速度和较大的容量，广泛应用于固态硬盘、USB闪存驱动器等。
7. 磁盘存储器：磁盘存储器是一种非常常见的存储设备，使用磁性材料存储数据。
它的特点是容量较大、价格相对较低。
硬盘和磁带是较常见的磁盘存储器。
8. 光盘存储器：光盘存储器使用激光技术读取和写入数据。
它的容量较大，但读写速度相对较慢。
常见的光盘存储器有CD、DVD和蓝光光盘。
9. 全固态硬盘（SSD）：SSD使用闪存技术存储数据，具有较高的读写速度和抗震性能。
它广泛应用于笔记本电脑、服务器等领域。
10. 内存卡：内存卡是一种小型的可移动存储设备，常用于数码相机、手机等设备的数据存储。
除了以上几种常见的存储芯片类型外，还有许多其他类型的存储芯片，如电容存储器（FRAM）、磁阻存储器（MRAM）等。
闪速存储器[浏览次数：271次]闪速存储器(Flash Memory)是一类非易失性存储器NVM(Non-Volatile Memory)即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失.相对传统的EEPROM芯片，这种芯片可以用电气的方法快速地擦写.由于快擦写存储器不需要存储电容器，故其集成度更高，制造成本低于DRAM.它使用方便，既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点，所以快擦写存储器技术发展最迅速。
目录∙闪速存储器的概要∙闪速存储器的分类及特征∙闪速存储器指令∙闪速存储器在图像采集系统中的应用∙闪速存储器的研究与进展闪速存储器的概要∙闪速存储器的基本存储器单元结构如图1所示。
一眼看上去就是n沟道的MOSFET那样的东西，但又与普通的FET不同，特点是在栅极（控制栅）与漏极／源极之间存在浮置栅，闪速存储器利用该浮置栅存储记忆。
图1 闪速存储器的单元结构浮置栅被设计成可以存储电荷的构造，栅极及主板利用氧化膜进行了绝缘处理，一次积累的电荷可以长时间（10年以上）保持。
当然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某种原因使绝缘膜遭到破坏，那么闪速存储器将失去记忆。
同时，因为热能必定致使电荷以某概率发生消减，因此数据保存的时间将受到温度的影响。
下面，我们将进一步讨论闪速存储器的擦除与写人的原理。
我们知道，数据的写人与擦除是通过主板与控制栅之间电荷的注人与释放来进行的。
例如，一般的NOR闪速存储器在写人时提高控制栅的电压，向浮置栅注人电荷（图2）。
而数据的擦除可以通过两种方法进行。
一种方法是通过给源极加上＋12V左右的高电压，释放浮置栅中的电荷（Smart Voltage Regulator）；另一种方法是通过给控制栅加上负电压（-10V左右），挤出浮置栅中的电荷（负极门擦除法）。
各种电压提供方式如图3所示。
专利名称：非易失性存储器件、包括其的存储装置以及其读取方法
专利类型：发明专利
发明人：金珉奭,金炯坤
申请号：CN202111203478.0
申请日：20211015
公开号：CN114496043A
公开日：
20220513
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本申请提供了非易失性存储器件、包括其的存储装置以及其读取方法。
所述非易失性存储器件从控制器接收读取命令和地址，并且响应于所述读取命令执行数据恢复读取操作。
在所述数据恢复读取操作中，对多个干扰源组中的每一个干扰源组重复地执行从连接到与根据所述地址选择的字线相邻的字线的存储单元获得干扰源组信息的操作以及恢复与连接到根据所述地址选择的字线的存储单元中的所获得的干扰源组信息相对应的数据的操作。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
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