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3. 丹培(Dember)效应
如图1-13所示,当半导体材料的一部分被遮蔽,另 一部分被光均匀照射时,在曝光区产生本征吸收的情况 下,将产生高密度的电子与空穴载流子,而遮蔽区的载 流子浓度很低,形成浓度差。
这种由于载流子迁移率 的差别产生受照面与遮 光面之间的伏特现象称 为丹培效应。
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dg12qhK bfdl32e,12de,
在强辐射作用的情况下半导体材料的光电导灵敏度 不仅与材料的性质有关而且与入射辐射量有关,是 非线性的。
2. 光生伏特效应
光生伏特效应是基于半导体PN结基础上的一种将光 能转换成电能的效应。当入射辐射作用在半导体PN结上 产生本征吸收时,价带中的光生空穴与导带中的光生电子 在PN结内建电场的作用下分开,形成光生伏特电压或光 生电流的现象。
表明,具有能量的光子被电子吸收 后,只要光子的能量大于光电发射 材料的光电发射阈值Eth,则质量为 m的电子的初始动能便大于0。
光电发射阈值Eth的概念是建立在材料的能带结构基础上 的,对于金属材料,由于它的能级结构如图1-15所示, 导带与价带连在一起,因此,它的光电发射阈值Eth等于 真空能级与费米能级之差
结果在垂直于光照方向与磁 场方向的半导体上下表面上 产生伏特电压,称为光磁电 场。这种现象称为半导体的 光磁电效应。
光磁电场为
EZqB(nD 0 nnpp )0 (pp0pd)
式中,Δp0,Δpd分别为x=0,x=d处n型半导体在光 辐射作用下激发出的少数载流子(空穴)的浓度; D为双极性载流子的扩散系数,在数值上等于
丹培效应产生的光生电压可由下式计算
U DK q T n n p p l n 1n 0n n p p0 n p 0