北京半导体企业及科研院所名录
北京半导体企业及科研院所名录（排名不分先后）________________________________________ ——制造企业——
首钢日电电子有限公司
北京宇翔电子有限公司
北京半导体器件九厂
北京燕东微电子有限公司
北京东光微电子有限责任公司
北京友泰半导体有限公司
中芯国际集成电路制造( 北京) 有限公司
北京半导体器件五厂
北京七星华创电子股份有限公司
——设计企业——
北京大学微电子学研究所
中国华大集成电路设计中心
大唐微电子技术有限公司
北京华虹集成电路设计有限责任公司
北京润光泰力科技发展有限公司
北京海尔集成电路设计有限公司
威盛电子(中国)有限公司
北京中星微电子有限公司
北京时代民芯科技有限公司
清华大学微电子学研究所
北京讯创集成电路股份有限公司
方舟科技(北京)有限公司
北京中庆微数字设备开发有限公司
北京兆日科技有限责任公司
北京东科微电子有限责任公司
北京宏思电子有限责任公司
北京北大青鸟环宇科技股份有限公司
北京思旺电子技术有限公司
北京NEC集成电路设计有限公司
北京凯赛德航天系统集成设计有限公司
北京中科联创科技有限公司
中国科学院微电子中心
北京市海阔电子股份有限公司
北京百拓立克科技发展有限责任公司
北京天宏绎集成电路科技发展有限公司
北京硅普京南科技企业孵化器有限公司
北京东世半导体技术有限公司
北京清华同方微电子有限公司
北京国芯安集成电路设计有限公司
北京奥贝克电子信息技术有限公司
北京协同伟业信息技术有限公司
北京福星晓程电子科技股份有限公司
北京北方华虹微系统有限公司
北京==万通微电子技术有限公司
科广新(北京)信息技术有限公司
北京迅风光通信技术开发有限责任公司北京利亚德电子科技有限公司
北京火马微电子技术有限公司
北京清华紫光微电子系统有限公司
北京宽广电信信息技术发展有限公司
国家专用集成电路设计工程技术研究中心北京旭成华达科技有限公司
北京联志创捷科技有限公司
中电智能卡有限责任公司
北京航天伟盈微电子有限公司
北京赛特克电子技术有限公司
北京富世鸿电子科技有限公司
北京凝思科技有限公司
北京时代华诺科技有限公司
北京北阳电子技术有限公司
奥华微电子(北京)有限公司
北京中科飞鸿科技有限公司
北京中电华大电子设计有限责任公司
安那络器件(中国)有限公司
北京弗赛尔电子设计有限公司
北京天一集成科技有限公司
北京迪吉特科技发展有限公司
北京畅讯新通科技有限公司
北京麦哲籁博科技有限公司
北京地太探测器制造有限公司
瑞萨集成电路设计(北京)有限公司
北京安立文高新技术有限公司
北京芯愿景软件技术有限公司
北京微辰信息技术有限公司
北京芯光天地集成电路设计有限公司
北京巨数数字技术开发有限公司
北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司北京神州龙芯集成电路设计有限公司
北京华兴微电子有限公司
北京睿丽彩电子有限公司
北京利科益华科技有限公司
北京清华同方凌讯科技有限公司
北京卡斯特信息系统技术有限公司
北京思旺电子技术有限公司
思略微电子(北京)有限公司
北京南山高科技有限公司
中国电子工程设计院
北京九方中实电子科技有限责任公司
北京明宇科技有限公司
英贝多嵌入式网络技术有限公司
北京芯网拓科技有限公司
兴唐通信科技股份有限公司
旭普科技有限公司
北京芯源东升集成电路技术开发有限公司
硅谷数模半导体(北京)有限公司
北京华大恒泰科技有限责任公司
北京北大众志微系统科技有限公司
北京矽正电子技术有限公司
北京飞宇微电子有限责任公司
北京希格玛晶华微电子股份有限公司
北京嘉盛联侨信息工作技术有限公司
深思计算机系统集成技术公司
北京天越鼎圣科技有限公司
北京智源利和微电子技术有限公司
中科院自动化研究所微电子设计中心
北京大学微电子学研究所ASIC设计教研室
北京机械工业自动化所专用集成电路及控制单元中心中国科学院声学研究所
信息产业部第15研究所ASIC设计中心
航天工业部公司九院激光门陈列室
首信集团首信研究院IP技术研究所
北京科技大学信息工程学院
北京首科微电子工业研发中心有限责任公司
中国科学院计算机技术研究所系统结构室
北京大学微处理器研究开发中心
北大宇环微电子系统工程公司
北京理工大学ASIC研究所
中电智能卡有限责任公司
北京芯慧同用微电子技术有限责任公司
芯晟(北京)科技有限公司
北京格林威尔科技发展有限公司
北京数安科技有限公司
北京时代飞龙科技发展有限责任公司
北京华大智宝电子系统有限公司
北京广嘉创业电子技术有限公司
——测试、封装企业——
北京合能阳光新能源科技有限公司（https://www.doczj.com/doc/3911767441.html,）北京自动测试技术研究所
北京华峰测控技术有限公司
威讯联合半导体（北京）有限公司
北京市半导体器件研究所
瑞萨四通集成电路有限公司
北京半导体器件六厂
北京东润泰思特测控技术有限公司
北京东英泰思特测控技术有限公司
北京泰思特测控技术有限公司
北京东兴泰思特检测技术有限公司
北京科力泰思特测控技术有限公司
北京华大泰思特半导体检测技术有限公司
——材料企业——
有研半导体材料股份有限公司
北京圣科佳电子有限责任公司
国泰半导体材料有限公司
北京中科稼英半导体有有限公司
北京科化新材料科技有限公司
中科院半导体研究所
北京科化化学新技术公司
中国科学院化学研究所
北京达博有色金属焊料有限责任公司
——设备企业——
北京建中机器厂(北京七星华创电子股份有限公司)
北京华林伟业电子设备有限公司
——其他——
北京首钢高新技术有限公司
北京国际工程咨询公司
北京林河工业开发区管理委员会
首都国际投资管理有限公司
北京市石景山高科技园区
京东方现代（北京）显示技术有限公司
京东方科技集团股份有限公司
北京万邦机电新技术公司
实用标准文案 1、硅材料 从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ－Si发展的总趋势。目前直径为8英寸（200mm）的Si单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸（300mm）硅片的集成电路（IC‘s）技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm，0.18μm工艺的硅ULSI生产线已经投入生产，300mm，0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。 从进一步提高硅IC‘S的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外，SOI材料，包括智能剥离（Smart cut）和SIMOX材料等也发展很快。目前，直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。 理论分析指出30nm左右将是硅MOS集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题，更重要的是将受硅、SiO2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘材料（如用Si3N4等来替代SiO2），低K介电互连材料，用Cu代替Al 引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此，人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA生物计算等之外，还把目光放在以GaAs、InP为基的化合物半导体材料，特别是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。
2017年中国十大半导体公司排名 2017年已接近尾声，接下来就让小编带你看看最新的中国十大半导体公司排名吧!1、环旭电子(601231)环旭电子股份有限公司是全球ODM/EMS领导厂商，专为国内外品牌电子产品或模组提供产品设计、微小化、物料采购、生产制造、物流与维修服务。环旭电子成立于2003年，现为日月光集团成员之一，于2012年成为上海证券交易所A股上市公司。环旭电子股份有限公司以信息、通讯、消费电子及汽车电子等高端电子产品EMS、JDM、ODM为主，主要产品包括WiFi ADSL、WiMAX、WiFi AP、WiFi Module、Blue-Tooth Module、LED LighTIng & Inverter、Barcode Scanner、DiskDrive Array、网络存储器、存储芯片、指纹辨识器等。2、长电科技(600584)成立于1972年，2003年在上交所主板成功上市。历经四十余年发展，长电科技已成为全球知名的集成电路封装测试企业。长电科技面向全球提供封装设计、产品开发及认证，以及从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。长电科技致力于可持续发展战略，崇尚员工、企业、客户、股东和社会和谐发展，合作共赢之理念，先后被评定为国家重点高新技术企业，中国电子百强企业，集成电路封装技术创新战略联盟理事长单位，中国驰名商标，中国出口产品质量示范企业等，拥有国内唯一的高密度集成电路国家工
程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等。由江阴长江电子实业有限公司整体变更设立为股份有限公司，是中国半导体第一大封装生产基地，国内著名的晶体管和集成电路制造商，产品质量处于国内领先水平。长电科技拥有目前体积最小可容纳引脚最多的全球顶尖封装科技，在同行业中技术优势十分突出。3、歌尔股份(002241)有限公司成立于2001年6月，2008年5月在深交所上市，主要从事微型声学模组、传感器、微显示光机模组等精密零组件，虚拟现实/增强现实、智能穿戴、智能音响、机器人/无人机等智能硬件的研发、制造和销售，目前已在多个领域建立了全球领先的综合竞争力。自上市以来，歌尔保持高速成长，年复合增长率达44.5%。4、中环股份(002129)天津中环半导体股份有限公司成立于1999年，前身为1969年组建的天津市第三半导体器件厂，2004年完成股份制改造，2007年4月在深圳证券交易所上市，股票简称“中环股份”，代码为002129。是生产经营半导体材料和半导体集成电路与器件的高新技 术企业，公司注册资本482，829，608元，总资产达20.51 亿。天津中环股份有限公司致力于半导体节能和新能源产业，是一家集半导体材料-新能源材料和节能型半导体器件-新能 源器件科研、生产、经营、创投于一体的国有控股企业。5、三安光电(600703)三安光电股份有限公司(以下简称“三安光电”或公司，证券代码：600703)是具有国际影响力的全色系
半导体整个生态链 主要分为：前端设计（design）,后端制造（mfg)、封装测试(package)，最后投向消费市场。 不同的厂商负责不同的阶段，环环相扣，最终将芯片集成到产品里，销售到用户手中。半导体厂商也分为2大类，一类是IDM (Integrated Design and Manufacture)，包含设计、制造、封测全流程，如Intel、TI、Samsung这类公司；另外一类是Fabless，只负责设计，芯片加工制造、封测委托给专业的Foundry，如华为海思、展讯、高通、MTK（台湾联发科）等。 前端设计是整个芯片流程的“魂”，从承接客户需求开始，到规格、系统架构设计、方案设计，再到Coding、UT/IT/ST（软件测试UT：unit testing 单元测试IT： integration testing 集成测试ST：system testing 系统测试），提交网表（netlist或称连线表，是指用基础的逻辑门来描述数字电路连接情况的描述方式）做Floorplan，最终输出GDS（Graphics Dispaly System）交给Foundry做加工。由于不同的工艺Foundry提供的工艺lib库不同，负责前端设计的工程师要提前差不多半年，开始熟悉工艺库，尝试不同的Floorplan设计，才能输出Foundry想要的GDS。 后端制造是整个芯片流程的“本”，拿到GDS以后，像台积电，就是Foundry 厂商，开始光刻流程，一层层mask光刻，最终加工厂芯片裸Die。 封装测试是整个芯片流程的“尾”，台积电加工好的芯片是一颗颗裸Die，外面没有任何包装。从晶圆图片，就可以看到一个圆圆的金光闪闪的东西，上面横七竖八的划了很多线，切出了很多小方块，那个就是裸Die。裸Die是不能集成到手机里的，需要外面加封装，用金线把芯片和PCB板连接起来，这样芯片才能真正的工作。 台积电是目前Foundry中的老大，华为麒麟系列芯片一直与台积电合作，如麒麟950就是16nm FF+工艺第一波量产的SoC芯片。 半导体行业的公司具主要分为四类： 集成器件制造商IDM (Integrated Design and Manufacture)：指不仅设计和销售微芯片，也运营自己的晶圆生产线。Intel，SAMSUNG(三星)，东芝，ST(意法半导体)，Infineon(英飞凌)和NXP(恩智浦半导体)。 无晶圆厂供应商Fabless：公司自己开发和销售半导体器件，但把芯片转包给独立的晶圆代工厂生产。例如：Altera(FPL)，爱特(FPL)，博通(网路器件)，CirrusLogicCrystal(音频，视频芯片)，莱迪思(FPL)，英伟达(FPL)，
半导体技术应聘个人简历 姓名：郭先生现所在地：广东东莞 身51112119*********59 高：170CM 证件：体12月06重：日58Kg 出生年月：1982年民族：汉族性别：男 工作经验：3 婚姻状况：未婚年 眉山户籍：四川 求职意向 意向岗位：半导体技术要求地区：市中心区，东莞，惠州 月薪要求：4500-5999 工作性质：全职 食宿要求：包食宿发展方向：技术加管理 教育经历 2004年09月～2007年07月江西蓝天学院机电一体化大专 2001年09月～2004年07月富加高中校理科高中 语言能力 英语(良好) 技能专长 计算机级别：高校非计算机专业二级 计算机能力： 熟练掌握计算机基础知识，具有一定计算机编程和绘图能力，掌握各种计算机绘图软件AUTOCAD、PHOTOSHOP等。 兴趣/爱好：团体运动(如：篮球，足球等) 工作经历 【NX*********公司】 职位名称：设备工程师助理 公司行业：电子·微电子 公司性质：外资企业 公司规模：1000人以上
公司描述： NXP 是一家新近独立的半导体公司，由飞利浦公司创立，已拥有五十年的悠久历消费类电子、安为移动通信、史，主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件， 全应用、非接触式付费与连线，以及车内娱乐与网络等产品带来更优质的感知体验。 NXP半导体广东有限公司成立于2006年10月,简称APG. 前身为飞利浦半导体(广东)有限公司,是由飞利浦电子集团公司创办的中国第一家全独资半导体项目 工作描述： 1.协助设备工程师改进设备并处理解决设备在生产过程中出现的问题,提高设备利用率。 2.设备在大修过程中，对设备进行跟进及实施处理办法。 3.对新进技术员进行设备的维护维修培训. 4.指导技术员对设备正确的规范的对设备进行定期的维护. 5.带领团队完成公司规定的各行指标(如:PPM Downtime等) 6.保持团队的凝集力，达到经验与技术共享，共同进步。 7.及时与生产部沟通，了解生产进度，配合生产部保质，保量，保时的完成生产任务。 【俊伟*********公司】 职位名称：PMC/SMT技术员 公司行业：五金·金属制品 公司性质：港资企业 公司规模：1000人以上 公司描述： 该公司主要是生产与加工汽车的各种零件,公司员工有1500人左右,产品主要销往欧美,是及产品开发生产与销售一体. 工作描述： 该公司主要是生产加工汽车零件,我在该厂做工程部技术员,主要为工程师做样板,以及解决样板中出现的一些小问题,如:水口过大,披风过长等. 自我评价 为人刻苦努力勤奋，有自己独特的思维能力和广泛的交际能力。在过去的工作中，凭自己扎实的理论基础和熟练的动手能力，在工作中得到上司和同事的好评，使自己对半导体生产设备有了系统的认识，目前，对半导体行业各种设备可以作系统的安装，调试及在线维护。工作上，积极认真，责任心强，适应能力快且愿意接受任何工作的挑战，更希望在各种工作中提高自己。．
常用的半导体材料有哪些？ 晶圆 初入半导体行业为了尽快入门，我们必须对这个行业的主要物料做一个详细的了解，因为制造业的结构框架是人机料法环测。物料是非常关键的一部分，特别是对于半导体这类被人家卡脖子的行业更要牢记于心，尽快摆脱西方的围堵，但是基础材料这块需要长时间的积累，短期我们很难扭转当下这种憋屈的局面。 在半导体产业中，材料和设备是基石，是推动集成电路技术创新的引擎。半导体材料在产业链中处于上游环节，和半导体设备一样，也是芯片制造的支撑性行业，所有的制造和封测工艺都会用到不同的半导体材料。 半导体材料一般均具有技术门槛高、客户认证周期长、供应链上下游联系紧密、行业集中度高、技术门槛高和产品更新换代快的特点，目前高端产品市场份额多为海外企业垄断，国产化率较低，寡头垄断格局一定程度制约
了国内企业快速发展。华为事件的发生发展告诉我们半导体材料国产替代已经非常紧迫了。 半导体材料细分行业多，芯片制造工序中各单项工艺均配套相应材料。按应用环节划分，半导体材料主要可分为制造材料和封装材料。在晶圆制造材料中，硅片及硅基材料占比最高，约占31%，其次依次为光掩模板14%，电子气体14%，光刻胶及其配套试剂12%，CMP抛光材料7%，靶材3%，以及其他材料占13%。 在半导体封装材料中，封装基板占比最高，占40%。其次依次为引线框架15%、键合丝15%、包封材料13%、陶瓷基板11%、芯片粘合材料4%、以及其他封装材料2%。封装材料中的基板的作用是保护芯片、物理支撑、连接芯片与电路板、散热。陶瓷封装体用于绝缘打包。包封树脂粘接封装载体、同时起到绝缘、保护作用。芯片粘贴材料用于粘结芯片与电路板。封装方面相对难度要低一点，所以我们国家的半导体企业主要集中在封测这一后工艺领域。 半导体材料中前端材料市场增速远高于后端材料，前端材料的增长归功于各种前端技术的积极使用，如极紫外(EUV)曝光，原子层沉积(ALD)和等离子体化学气相沉积(PECVD)等。
姓名：高东阳 学号：1511090121 学院：化工与材料学院专业：化学工程与工艺班级：B0901 指导教师：张芳 日期： 2011 年12月 7日
半导体材料的研究综述 高东阳辽东学院B0901 118003 摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分应用与器件。随着社会的进步和现代科学技术的发展，半导体材料越来越多的与现代高科技相结合，其产品更好的服务于人类，改变着人类的生活及生产。文章从半导体材料基本概念的界定、半导体材料产业的发展现状、半导体材料未来发展趋势等方面对我国近十年针对此问题的研究进行了综述，希望能引起全社会的关注和重视。 关键词：半导体材料，研究，综述 20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。彻底改变人们的生活方式。在此笔者主要针对半导体材料产业的发展、半导体材料的未来发展趋势等进行综述，希望引起社会的关注，并提出了切实可行的建议。 一、关于半导体材料基础材料概念界定的研究 陈良惠指出自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体、和绝缘体三大类。半导体的电导率在10-3～ 109欧·厘米范围。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而增大，这与金属导体恰好相反。凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。[1] 半导体材料（semiconductormaterial）是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。[2]随着社会的进步以及科学技术的发展，对于半导体材料的界定会越来越精确。 二、关于半导体材料产业的发展现状及解决对策的分析 王占国指出中国半导体产业市场需求强劲，市场规模的增速远高于全球平均水平。不过，产业规模的扩大和市场的繁荣并不表明国内企业分得的份额更大。相反，中国的半导体市场正日益成为外资公司的乐土。[3]
半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构为特征的固态量子器件和电路的新时代，并极有可能触发新的技术革命。半导体微电子和光电子材料已成为21世纪信息社会的二大支柱高技术产业的基础材料。它的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。 一、几种重要的半导体材料的发展现状与趋势 1.硅单晶材料 硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。目前微电子的器件和电路，其中有90％到95％都是用硅材料来制作的。那么随着硅单晶材料的进一步发展，还存在着一些问题亟待解决。硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的，它用石墨作为加热器。所以，来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染，使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。过饱和氧的污染，随着硅单晶直径的增大，长度的加长，它的分布也变得不均匀；这就是说材料的均匀性就会遇到问题。杂质和缺陷分布的不均匀，会使硅材料在进一步提高电路集成度应用的时候遇到困难。特别是过饱和的氧，在器件和电路的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N或P型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，它有着很好的应用前景。当然还有以硅材料为基础的SOI材料，也就是半导体/氧化物/绝缘体之意，这种材料在空间得到了广泛的应用。总之，从提高集成电路的成品率，降低成本来看的话，增大硅单晶的直径，仍然是一个大趋势；因为，只有材料的直径增大，电路的成本才会下降。我们知道硅技术有个摩尔定律，每隔18个月它的集成度就翻一番，它的价格就掉一半，价格下降是同硅的直径的增大密切相关的。在一个大圆片上跟一个小圆片上，工艺加工条件相同，但出的芯片数量则不同；所以说，增大硅的直径，仍然是硅单晶材料发展的一个大趋势。那我们从提高硅的
[2011-11-09] 全球10大半导体厂商排名及简介 全球10大半导体厂商排名: 1.英特尔(Intel) 2.三星(Samsung) 3.德州仪器(TI) 4.东芝(Toshiba) 5.台积电(TSMC) 6.意法半导体会(ST) 7.瑞萨科技(Renesas) 8.海力士(Hynix) 9.索尼(Sony) 10.高通(Qualcomm） 1.美国英特尔（Intel）公司，以生产CPU芯片闻名于世！ 2.三星(Samsung)电子公司成立于1969年，初期主要生产家用电子产品，如电视机和录像机等。七十年代始进入国际市场，逐渐发展成为全球五大电 子公司之一，产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。九十年代由 于经济方面的原因，三星公司进行了大规模的战略重组。1978年，三星半 导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体，1983年起随着成功发展 了64K DRAM超大规模集成电路，从此在单一家电类半导体产品基础上发展了许多新的半导体产品，逐渐成为全球领先的半导体厂商。它的半导体产 品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。 3.德州仪器(TI)公司总部位于美国德克萨斯州达拉斯城，是一家全球性的 半导体公司，是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商， 是推动电子数字化进程的引擎。主要IC产品有：数字信号处理器、模拟和混合信号器件、数字逻辑、ASIC、微控制器、语音和图形处理器、可编程 逻辑、军用器件等。 4.东芝(Toshiba)在国际市场上盛名远扬，家喻户晓。在日本之外，东芝拥 有100多家子公司和协作公司的庞大全球网络，仅海外子公司便拥有40,000 多名雇员，他们遍及全球各地，从事着从科研到采购、生产、销售以及市 场调研等工作。分布在世界各地的39个厂家构成东芝的生产网络，制造品种繁多的产品，包括最先进的半导体元件、显象管、彩色电视机、移动式 计算个人电脑、光?磁存储、消耗品及工业用发电机和变电装置。这些技术和设备均处世界领先地位的东芝生产厂家,强有力地保障着公司技术和整体 能力的发展，推动着电子工业的进步；同时也提供了更多的就业机会，进 一步促进了当地经济的蓬勃发展。 5.台积电(TSMC)成立于1987年，是全球最大的专业集成电路制造服务公司。身为专业集成电路制造服务业的创始者与领导者，TSMC在提供先进晶圆制程技术与最佳的制造效率上已建立声誉。自创立开始，TSMC即持续提供客户最先进的技术；2006年的总产能超过七百万片约当八寸晶圆，全年营 收约占专业集成电路制造服务领域的百分之五十。
新型半导体材料GaN GaN的发展背景 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 在宽禁带半导体材料中，氮化镓由于受到缺乏合适的单晶衬底材料、位错密度大等问题的困扰，发展较为缓慢，但进入90年代后，随着材料生长和器件工艺水平的不断发展，GaN半导体及器件的发展十分迅速，目前已经成为宽禁带半导体材料中耀眼的新星。 GaN的特性 具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN 具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。在室温下，GaN 不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n 型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。 很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn=1500cm2/v·s，相应的载流子浓度为n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。未掺杂载流子浓度可控制在
半导体材料的发展现状与趋势
半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs 等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构
的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N或P型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，
国内31家半导体上市公司排行 内容来源网络，由“深圳机械展（11万㎡，1100多家展商，超10万观众）”收集整理！更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示，就在深圳机械展. 中国芯是科技行业近几年的高频词汇之一，代表着我国对于国内半导体发展的期许，提升与现代信息安全息息相关的半导体行业的自给率，实现芯片自主替代一直是我国近年来的目标。为实现这一目标，我国从政策到资本为半导体产业提供了一系列帮助，以期在不久的将来进入到全球半导体行业一线阵营。 半导体是许多工业整机设备的核心，普遍应用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域。半导体主要由四个组成部分组成：集成电路，光电器件，分立器件，传感器。半导体行业的上游为半导体支撑业，包括半导体材料和半导体设备。中游按照制造技术分为分立器件和集成电路。下游为消费电子，计算机相关产品等终端设备。 截至3月31日收盘，中国A股半导体行业上市公司市值总额为3712．3亿元，其中市值超过100亿元的公司有11家，市值超过200亿元的公司有4家，分别为三安光电、利亚德、艾派克、兆易创新，其中三安光电以652．1亿元的市值位居首。 详细排名如下： 三安光电 三安光电是目前国内成立早、规模大、品质好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地，总部坐落于美丽的厦门，产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ
－Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产与销售。是我国国内LED芯片市场市占高、规模大的企业，技术水平比肩国际厂商。 利亚德 利亚德是一家专业从事LED应用产品研发、设计、生产、销售和服务的高新技术企业。公司生产的LED应用产品主要包括LED全彩显示产品、系统显示产品、创意显示产品、LED 电视、LED照明产品和LED背光标识系统等六大类。 艾派克 艾派克是一家以集成电路芯片研发、设计、生产与销售为核心，以激光和喷墨打印耗材应用为基础，以打印机产业为未来的高科技企业。是全球行业内领先的打印机加密SoC 芯片设计企业，是全球通用耗材行业的龙头企业。艾派克科技的业务涵盖通用耗材芯片、打印机SoC芯片、喷墨耗材、激光耗材、针式耗材及其部件产品和材料，可提供全方位的打印耗材解决方案。 兆易创新 兆易公司成立于2005年4月，是一家专门从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司，致力于各种高速和低功耗存储器的研究及开发，正在逐步建立世界级的存储器设计公司的市场地位。产品广泛地应用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。 长电科技 长电科技是主要从事研制、开发、生产销售半导体，电子原件，专用电子电气装置和销售企业自产机电产品及成套设备的公司。是中国半导体封装生产基地，国内著名的三极管制造商，集成电路封装测试龙头企业，国家重点高新技术企业。2015年成功并购同行业的
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半导体公司好名称大全 半导体公司好名称大全 公司名字 半导体公司公司名字大全 核心提示: 半导体公司公司名字大全。半导体指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 半导体公司公司名字大全 一.半导体公司取名建议 1.缺角字：看情况而使用 缺角字也不是绝对不能使用，也要和字的音和义，以及其他名称中的字结合起来。缺角字包括下面要讲到的独体字，一般谨慎使用的原因就在于这些字的视觉效果可能会带来一些潜意思的偏差。但是如果结合公司本身的情况，已经名称意义和相连的字的对比，一些缺角字还是可以使用的。 2.独体字：视觉效果更好
独体字和缺角字基本情况相同，但是独体字比缺角字在视觉效果上还是好很多的。 3.可以按行业相关字眼 公司名称一般和股权、行业等等有关。一般用于字号的可能就和股权或者母公司有关了。比如有些公司取名的时候，会把母公司或集团的字号放到前面。一般而言，这类公司的名字的字数就会增加。但就目前来说，纯粹的字号，基本在2-4字之间。2个字是最常见的公司名字。但是受到工商注册的影响，现在2个字的字号很难注册下来，特别是大城市，基本要求不要用2个字。2个字的词组是非常合适记忆与传播的，缺点是品牌区分度不高。 4.字型需要注意：简繁相谐 字型是给品牌受众者的关于品牌的第一印象，在还未去联想名称蕴含的意义，以及去读名称的音的时候，字型是最原始的接触。所以字型在商业命名中也同样需要注意。这里首先纠正一个误区，那就是太繁的字一定不能用，其实一些笔画较多的字还是可以斟酌使用的，这样的汉字一般蕴含的文化、历史内容比较多，而且能给受众很可靠、安稳的感觉。 二.半导体公司名称大全 仙童半导体公司 科达半导体公司 安森美半导体 深圳市三浦半导体有限公司 东芝公司 深爱半导体股份有限公司 恩智浦半导体广东有限公司 湖北台基半导体股份有限公司 瑞萨电子(中国)有限公司 天津中环领先材料技术有限公司
1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。 在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。 1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。 前言 自从有人类以来，已经过了上百万年的岁月。社会的进步可以用当时人类使用的器物来代表，从远古的石器时代、到铜器，再进步到铁器时代。现今，以硅为原料的电子元件产值，则超过了以钢为原料的产值，人类的历史因而正式进入了一个新的时代，也就是硅的时代。硅所代表的正是半导体元件，包括记忆元件、微处理机、逻辑元件、光电元件与侦测器等等在内，举凡电视、电话、电脑、电冰箱、汽车，这些半导体元件无时无刻都在为我们服务。 硅是地壳中最常见的元素，许多石头的主要成分都是二氧化硅，然而，经过数百道制程做出的积体电路，其价值可达上万美金；把石头变成硅晶片的过程是一项点石成金的成就，也是近代科学的奇蹟！ 在日本，有人把半导体比喻为工业社会的稻米，是近代社会一日不可或缺的。在国防上，惟有扎实的电子工业基础，才有强大的国防能力，1991年的波斯湾战争中，美国已经把新一代电子武器发挥得淋漓尽致。从1970年代以来，美国与日本间发生多次贸易摩擦，但最后在许多项目美国都妥协了，但是为了半导体，双方均不肯轻易让步，最后两国政府慎重其事地签订了协议，足证对此事的重视程度，这是因为半导体工业发展的成败，关系着国家的命脉，不可不慎。在台湾，半导体工业是新竹科学园区的主要支柱，半导体公司也是最赚钱的企业，台湾如果要成为明日的科技硅岛，半导体工业是我们必经的途径。
半导体材料的历史现状及研究进展(精)
半导体材料的研究进展 摘要:随着全球科技的快速发展,当今世界已经进入了信息时代,作为信息领域的命脉,光电子技术和微电子技术无疑成为了科技发展的焦点。半导体材料凭借着自身的性能特点也在迅速地扩大着它的使用领域。本文重点对半导体材料的发展历程、性能、种类和主要的半导体材料进行了讨论,并对半导体硅材料应用概况及其发展趋势作了概述。 关键词:半导体材料、性能、种类、应用概况、发展趋势 一、半导体材料的发展历程 半导体材料从发现到发展,从使用到创新,拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初,就曾出现过点接触矿石检波器。1930年,氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用,是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成,成为半导体的研究成果的重大突破。50年代末,薄膜生长激素的开发和集成电路的发明,是的微电子技术得到进一步发展。60年代,砷化镓材料制成半导体激光器,固溶体半导体此阿里奥在红外线方面的研究发展,半导体材料的应用得到扩展。1969年超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功,是的半导体器件的设计与制造从杂志工程发展到能带工程,将半导体材料的研究和应用推向了一个新的领域。90年代以来随着移动通信技术的飞速发展,砷化镓和磷化烟等半导体材料成为焦点,用于制作高速高频大功率激发光电子器件等;近些年,新型半导体材料的研究得到突破,以氮化镓为代表的先进半导体材料开始体现出超强优越性,被称为IT产业的新发动机。 新型半导体材料的研究和突破,常常导致新的技术革命和新兴产业的发展.以氮化镓为代表的第三代半导体材料,是继第一代半导体材料(以硅基半导体为代表和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表之后,在近10年发展起来的新型宽带半导体材料.作为第一代半导体材料,硅基半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个计算机产业的飞跃,并广泛应用于信息处理、自动控制等领域,对人类社会的发展起了极大的促进作用.硅基半导体材料虽然在微电子领域得到广泛应用,但硅材料本身间接能带结构的特点限制了其在光电子领域的应用.随着以光通
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1、硅材料 从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ - Si）单晶的直 径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ－Si 发展的总趋势。目前直径为8 英寸（200mm ）的Si 单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸（300mm ）硅片的集成电路（IC‘s）技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm , 0.18阿工艺的硅ULSI生产线已经投入生产，300mm , 0.13阿工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。 从进一步提高硅IC‘S 的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外，SOI 材料，包括智能剥离（Smart cut ）和SIMOX材料等也发展很快。目前，直径8英寸的硅外延片和SOI 材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。 理论分析指出30nm 左右将是硅MOS 集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题，更重要的是将受硅、SiO2 自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K 介电绝缘材料（如用Si3N4等来替代SiO2 ），低K介电互连材料，用Cu代替Al 引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI 的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此，人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA 生物计算等之外，还把目光放在以GaAs、InP 为基的化合物半导体材料，特别是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi 合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。 2、GaAs 和InP 单晶材料
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