半导体考点整理

1.施主杂质：能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质。

2. 受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心的杂质。

3.受主能级：通过受主掺杂在半导体禁带中形成缺陷能级。

正常情况下，此能级被空穴占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。

4.施主能级：通过施主掺杂在半导体禁带中形成缺陷能级，被施主杂质束缚电子能量状态称为施主能级。

5.空穴：在电子挣脱价键的束缚成为自由电子，其价键中所留下来的空位。

6.间接复合：导带中的电子通过禁带的复合中心能级与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。

7.直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。

8.非平衡载流子：处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是平衡载流子浓度，比它们多出一部分。

比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。

9.直接带隙半导体：导带边和价带边处于 k 空间相同点的半导体通常被称为直接带隙半导体。

电子要跃迁的导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

例子有 GaAs，InP,InSb。

10.间接带隙半导体：导带边和价带边处于 k 空间不同点的半导体通常被称为间接带隙半导体。

形成半满能带不只需要吸收能量，还要该变动量。

例子有Ge，Si。

11.本征半导体：没有杂质和缺陷的半导体叫做本征半导体。

12.杂质半导体：在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。

掺入的杂质主要是三价或五价元素。

掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。

13. 迁移率：单位场强下电子的平均漂移速度。

14.扩散长度：非平衡载流子深入样品的平均距离。

由扩散系数和材料寿命决定。

15.复合中心：促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心。

16.状态密度：单位能量间隔内的量子态数目称为状态密度。

17.小注入：过剩载流子的浓度远小于热平衡多子浓度的情况18.过剩空穴：价带中超出热平衡状态浓度的空穴浓度△p=p-p。

第一章半导体中的电子状态1.分类说明半导体材料的晶格结构与结合特性。

答：金刚石结构特点：每个原子周围有四个最邻近的原子，组成一个正四面体结构，配位数是4. 夹角109°28′。

金刚石结构可以看成是两个面心立方晶包沿立方体的空间对角线相互位移四分之一对角线套构而成。

闪锌矿结构特点：双原子复式结构，它是由两类原子各自组成的面心立方晶胞沿立方体的空间对角线相互位移四分之一对角线套构而成。

以共价键为主，结合特性具有不同程度的离子性，称为极性半导体。

2.什么是电子共有化运动？原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同？答：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去。

因而，电子可以在整个晶体上运动。

因为个原子中相似壳层上的电子才有相同能量，电子只能在相似壳层上转移，因此共有化运动的产生是由于不同原子的相似壳层之间的交叠。

由于内外层交叠程度很不相同，所以只有最外层电子的共有化运动才显著。

3.说明能级分裂成能带的根本原因以及内外层能带有何不同？答：根本原因，当周围n个原子相互靠近时，每个原子中的电子除受到本身原子的势场作用外，还要受到其他原子的作用，其结果是每一个n度简并的能级都分裂为n个彼此相距很近的能级；·内壳层原来处于低能级，共有化运动很弱，能级分裂的很小，能带窄。

外壳层电子原来处于高能级，共有化运动显著，能带分裂的厉害，能带宽。

4.原子中的电子自由电子和晶体中电子受势场作用情况有何不同？自由电子和晶体中电子运动情况有何不同？答: 孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中运动，自由电子是在恒定为零的势场中运动，晶体中的电子是在严格周期性重复排列的势场中运动5.导体、半导体和绝缘体能带的区别？答：金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的，所以金属是良好的导电体。

绝缘体禁带宽度大，常温下激发到导带的电子很少，导电性差。

半导体物理考点归纳一· 1.金刚石 1) 结构特点：a. 由同类原子组成的复式晶格。

其复式晶格是由两个面心立方的子晶格彼此沿其空间对角线位移1/4的长度形成b. 属面心晶系，具立方对称性，共价键结合四面体。

c. 配位数为4，较低，较稳定。

(配位数：最近邻原子数)d. 一个晶体学晶胞内有4+8*1/8+6*1/2=8个原子。

2) 代表性半导体：族的C ，，等元素半导体大多属于这种结构。

2.闪锌矿 1) 结构特点：a. 共价性占优势，立方对称性；b. 晶胞结构类似于金刚石结构，但为双原子复式晶格；c. 属共价键晶体，但有不同的离子性。

2) 代表性半导体：等三五族元素化合物均属于此种结构。

3.电子共有化运动：原子结合为晶体时，轨道交叠。

外层轨道交叠程度较大，电子可从一个原子运动到另一原子中，因而电子可在整个晶体中运动，称为电子的共有化运动。

4.布洛赫波：kxi k k e x u x πϕ2)()(=晶体中电子运动的基本方程为： ，K 为波矢，(x)为一个与晶格同周期的周期性函数， 5.布里渊区：禁带出现在2a 处，即在布里渊区边界上；允带出现在以下几个区： 第一布里渊区:－1/2a<k<1/2a (简约布里渊区）第二布里渊区：-1<k<-1/2a,1/2a<k<1E(k)也是k 的周期函数，周期为1,即E(k)(),能带愈宽，共有化运动就更强烈。

6.施主杂质：V 族杂质在硅，锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们 为施主杂质或n 型杂质 7.施主能级：将施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级，记为。

施主能级离导带很近。

8.受主杂质：族杂质在硅，锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心，称它们为受主杂质或P 型杂质。

9.受主能级：把被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级，记)()(na x u x u k k +=为。

半导体知识点总结大全引言半导体是一种能够在一定条件下既能导电又能阻止电流的材料。

它是电子学领域中最重要的材料之一，广泛应用于集成电路、光电器件、太阳能电池等领域。

本文将对半导体的知识点进行总结，包括半导体基本概念、半导体的电子结构、PN结、MOS场效应管、半导体器件制造工艺等内容。

一、半导体的基本概念（一）电子结构1. 原子结构：半导体中的原子是由原子核和围绕原子核轨道上的电子组成。

原子核带正电荷，电子带负电荷，原子核中的质子数等于电子数。

2. 能带：在固体中，原子之间的电子形成了能带。

能带在能量上是连续的，但在实际情况下，会出现填满的能带和空的能带。

3. 半导体中的能带：半导体材料中，能带又分为价带和导带。

价带中的电子是成对出现的，导带中的电子可以自由运动。

（二）本征半导体和杂质半导体1. 本征半导体：在原子晶格中，半导体中的电子是在能带中的，且不受任何杂质的干扰。

典型的本征半导体有硅（Si）和锗（Ge）。

2. 杂质半导体：在本征半导体中加入少量杂质，形成掺杂，会产生额外的电子或空穴，使得半导体的导电性质发生变化。

常见的杂质有磷（P）、硼（B）等。

（三）半导体的导电性质1. P型半导体：当半导体中掺入三价元素（如硼），形成P型半导体。

P型半导体中导电的主要载流子是空穴。

2. N型半导体：当半导体中掺入五价元素（如磷），形成N型半导体。

N型半导体中导电的主要载流子是自由电子。

3. 载流子浓度：半导体中的载流子浓度与掺杂浓度有很大的关系，载流子浓度的大小决定了半导体的电导率。

4. 质量作用：半导体中载流子的浓度受温度的影响，其浓度与温度成指数关系。

二、半导体器件（一）PN结1. PN结的形成：PN结是由P型半导体和N型半导体通过扩散结合形成的。

2. PN结的电子结构：PN结中的电子从N区扩散到P区，而空穴从P区扩散到N区，当N区和P区中的载流子相遇时相互复合。

3. PN结的特性：PN结具有整流作用，即在正向偏置时具有低电阻，反向偏置时具有高电阻。

1.电子和空穴的异/同点。

答：不同点：电子带负电，空穴带正电；mp* = -mn*；电子是真实存在的，而空穴是人为假想定义的粒子；电子可以发生共有化运动，发生跃迁，空穴则不能。

相同点：电子和空穴均可以参与导电。

2.什么是回旋共振?答：半导体置于磁感应强度为B的均匀恒定磁场中,半导体中电子受到磁场作用力的方向是垂直于v与B所组成的平面。

从而, 电子在垂直于B的平面内作匀速圆周运动, 运动轨迹是一条螺旋线；再以电磁波通过半导体样品，当交变磁场的角频率ω等于回旋频率ωc时，会发生共振吸收，所以这种情况下，则称产生了回旋共振。

4.浅能级杂质电离能的计算。

答：类氢模型：氢原子中电子的能量为：E n=m0 q4/2（4）2Ч2n2其中n=1,2,3……氢原子基态电子电离能为：E0=E- E1=m0 q4/2（4）2Ч2施主杂质电离能为：受主杂质电离能为：5.杂质补偿作用：在半导体中，同时参杂有施主杂质和受主杂质，而施主杂质和受主杂质之间有相互抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。

6.费米能级的含义。

答:费米能级在半导体物理中是个很重要的物理参数，它是表征量子态是否被电子占据的一个界限，费米能级的位置直观的标志了电子占据量子态的情况。

在热力学零度时，能量比E F小的量子态几乎全部被电子所占据，而能量比E F大的量子态被电子战局的概率几乎为零，所以费米能级标志了电子填充能级的水平。

并且，半导体中，费米能级不是真正的能级，即不一定是允许的单电子能级，所以它可以像束缚状态的能级一样，可以处就等于系统中增加一个电子所引起的系统自由能的变化。

8.影响半导体电导率和迁移率的因素有哪些？答：迁移率的大小与杂质浓度和温度有关，也与外加电场强度有关系。

低掺杂并当室温下杂质全部电离时，杂质浓度越高，电导率越大；重参杂时或当浓度很高时，载流子迁移率随杂质浓度的增加而显著下降。

低温时，杂质散射起主要作用，温度升高，迁移率逐渐增大，电导率上升；当温度达到一定高度时，以晶格振动散射为主，温度继续升高，迁移率下降，电导率下降。

第一章 半导体电子状态1.半导体：通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。

2能带：晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。

这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。

导带与价带3.能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。

答：能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。

通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k 关系，从而系统地建立起该理论。

单电子近似： 将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。

绝热近似：近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。

4.有效质量：有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。

它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。

其大小由晶体自身的E-k 关系决定。

5.本征半导体：既无杂质有无缺陷的理想半导体材料。

6.空穴 ：是为处理价带电子导电问题而引进的概念。

设想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷，并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量，这样就引进了一个假想的粒子，称其为空穴。

它引起的假想电流正好等于价带中的电子电流。

7.空穴是如何引入的，其导电的实质是什么？答：空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。

设想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷，并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量，这样就引进了一个假想的粒子，称其为空穴。

这样引入的空穴，其产生的电流正好等于能带中其它电子的电流。

所以空穴导电的实质是能带中其它电子的导电作用，而事实上这种粒子是不存在的。

8.半导体的回旋共振现象是怎样发生的（以n 型半导体为例）答案：首先将半导体置于匀强磁场中。

半导体主要知识点梳理总结半导体主要知识点梳理总结作为当今时代信息技术和电子工业的核心材料，半导体在现代社会扮演着至关重要的角色。

从微芯片到太阳能电池，从智能手机到电子器件，半导体无处不在。

对于想要了解半导体的读者来说，本文将梳理总结半导体的主要知识点，帮助读者建立起一个全面而深入的理解。

一、半导体的基本概念半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有导电性能，但电阻较高。

半导体的导电性通过施加外加电压或光照来控制。

半导体的内部结构由两种材料的组合形成，即P型半导体和N型半导体。

P型半导体中主要存在电子缺陷，称为空穴，而N型半导体中存在过量的自由电子。

半导体的导电性质与其能带结构有关。

能带是描述材料中电子能量的概念，包括价带和导带。

价带是电子处于较低能级的带，而导带是电子处于较高能级的带。

半导体的导电能力取决于价带与导带之间的能隙，也就是电子跃迁的能量差。

如果能隙较小，电子容易从价带跃迁到导带，因此导电性能较好。

而如果能隙较大，电子跃迁需要更高的能量，导电性能较差。

二、PN结与二极管PN结是半导体器件中最基本的结构之一。

它是由P型和N 型半导体材料的交界处形成的结构。

PN结的形成依靠半导体材料中的杂质原子掺杂。

其中P型区域被掺杂有五价元素，如硼，而N型区域被掺杂有三价元素，如磷。

PN结中的P区域和N区域形成了电势差，在静态情况下形成了一个静电势垒。

二极管是基于PN结的一种半导体器件。

它具有单向导电性，即只有一个方向上才能导电。

正向偏压情况下，即P端电压高于N端，这时PN结处的电势垒会减小，电子和空穴会发生再结合，导电能力增强。

而在反向偏压情况下，电势垒增大，使得电流难以流过，呈现出不导电的状态。

二极管在电子电路中常用于整流、开关和波形修整等方面。

三、场效应管与晶体管场效应管（FET）是另一种PN结基础上发展起来的半导体器件。

它是一种通过操控电场来控制电流的器件。

FET主要由掺杂有两个N型材料之间的P型沟道构成。

半导体知识点总结半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，它具有一些特殊的电子性质，因此在现代电子技术中具有重要的应用。

本文将对半导体的基本概念、特性、原理以及应用进行详细的介绍和总结。

一、半导体的基本概念1、半导体材料半导体材料是一类电阻率介于导体和绝缘体之间的材料，它具有一些特殊的电子能带结构。

常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)、GaAs等。

2、半导体的掺杂半导体材料经过掺杂后，可以改变其电子结构和导电性质。

常见的掺杂有N型和P型两种类型，分别通过掺入杂质原子，引入额外的自由电子或空穴来改变半导体的导电性质。

3、半导体的结构半导体晶体结构通常是由大量的晶格排列组成，具有一定的晶格参数和对称性。

在半导体器件中，常见的晶体结构有晶体管、二极管、MOS器件等。

二、半导体的特性1、能带结构半导体的能带结构是其特有的性质，它决定了半导体的导电性质。

半导体的能带结构通常包括价带和导带，其中价带中填充电子的能级较低，而导带中电子的能级较高，两者之间的能隙称为禁带宽度。

2、电子迁移和载流子在外加电场的作用下，半导体中的自由电子和空穴可以在晶体内迁移，并形成电流。

这些移动的载流子是半导体器件工作的基础。

3、半导体的导电性半导体的导电性是由自由电子和空穴共同贡献的，通过掺杂和外加电场的调制，可以改变半导体的导电性。

三、半导体的原理1、P-N结P-N结是半导体器件中最基本的结构之一，它由P型半导体和N型半导体组成。

P-N结具有整流、放大、开关等功能，是二极管、光电二极管等器件的基础。

2、场效应器件场效应器件是一类利用外加电场控制半导体导电性质的器件，包括MOS场效应管、JFET场效应管等。

场效应器件具有高输入电阻、低功耗等优点，在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。

3、半导体光电器件半导体光电器件是一类利用光电效应将光能转化为电能的器件，包括光电二极管、光电导电器件等。

光电器件在光通信、光探测、光伏等领域有着重要的应用。

半导体知识点总结高中一、半导体的概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质。

在半导体中，电子的导电能力比绝缘体好，但并不及导体好。

半导体的导电机制是通过外加电场或光照来改变材料的导电性质。

二、半导体的基本性质1. 禁带宽度：半导体的能带结构是由价带和导带组成，两者之间的能带间隙称为禁带宽度。

禁带宽度决定了半导体的电学特性，一般被用来区分半导体的种类，如硅、锗等。

2. 导电机制：半导体的导电机制主要有两种，一是载流子的浓度可以通过外加电场或光照来改变，此时的导电机制称为电场效应或光照效应。

二是在高温下，少数载流子的浓度大大增加，使得半导体发生了电导，此时的导电机制称为热激发。

3. 施主和受主：半导体材料中的掺杂原子可以分为施主和受主，施主是指掺入材料中导致材料带负电性的原子，而受主是指导致带正电性的原子。

4. 电子与空穴：当半导体中的原子受到激发时，可以形成自由电子和自由空穴，这两者是载流子的基本单位。

三、半导体器件1. 二极管：二极管是一种半导体器件，它由P型区和N型区组成，具有单向导电性。

当加在二极管两端的电压大于开启电压时，二极管就开始导电了。

2. 晶体三极管：晶体三极管是一种电子器件，是由两个P型半导体和一个N型半导体层堆积而成的。

晶体三极管有放大信号、开关控制信号等功能。

四、半导体材料1. 硅(Si)：硅是目前最常用的半导体材料，具有稳定性好、制备工艺成熟、价格便宜等特点。

硅半导体的电子迁移率不高，电导率较低，但是它便宜易得，并且有很好的化学稳定性。

2. 锗(Ge)：在早期半导体技术中，锗是最早用作半导体材料的。

锗具有良好的电子迁移率，是一种重要的电子材料。

五、半导体的应用1. 微电子器件：微电子器件是半导体的最主要应用之一。

我们所见到的电子产品、电脑、手机等都离不开半导体器件。

2. 光电器件：半导体材料具有优异的光电性能，可以制备出各种光电器件，如光电二极管、光电晶体管等。

3. 太阳能电池：半导体材料可以转化光能为电能，利用太阳能电池板中的半导体材料可以将阳光直接转换为电能。

半导体物理知识点汇总总结一、半导体物理基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，它具有一些导体和绝缘体的特性。

半导体是由单一、多层、回交或互相稀释的混合晶形的二元、三元或多元化合物所组成。

它的特点是它的电导率介于导体和绝缘体之间，是导体的电导率∗101~1015倍，是绝缘体的电导率÷102~103倍。

半导体材料具有晶体结构，对它取决于结晶度的大小，织排效应特别大。

由于它的电导率数值在半导体晶体内并不等同，所以它是隔离的，具有相当大的飞行束度，并且不容易受到外界的干扰。

二、半导体晶体结构半导体是晶体材料中最均匀最典型的材料之一，半导体的基本结构是一个由原子排成的一种规则有序的晶体结构。

半导体原子是立方体的晶体，具有600个原子的立方体晶体结构，又称之为立方的晶体结构。

半导体晶体结构的代表性六面体晶体结构，是一种由两个或两个以上的六面全部说构成的立方晶体。

半导体晶体的界面都是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶体包围构成，是由两个或两个以上的六面全部说构成的立方晶体。

半导体晶体的界面都是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶点构成，是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶点构成。

三、半导体的能带结构半导体的能带“带”是指其电子是在“带”中运动的，是光电子带，又称作价带，当其中的自由电子都填满时另一种平面，又称导电带，当其中的自由电子并不填满时其另一种平面在有一些能够使电子轻易穿越的东西。

半导体的能带是由两个非常临近的能带组成的，其中价带的最上一层电子不足，而导电带的下一层电子却相当到往动能，这一些动能可能直到加到电子摆脱它自己体原子，变成自由电子，并且在整体晶体里自由活动。

四、半导体的导电机理半导体的导电机理是在外加电压加大时一部分自由电子均可以在各自能带中加速骚扰，从而增加在给导电子处所需要的电压增大并最终触碰到另一种平面上产生电流就可以。

五、半导体的掺杂掺杂是指在纯净半导体中加入某些以外杂质元素的行为。

（2）波矢k只能取一系列分立的值，每个k占有的线度为1/L；
本征激发：当温度一定时，价带电子受到激发而成为导带电子的过程
物质的能带可分为价带、禁带和导带三部分，导带和价带之间的空隙称为能隙。由于能带结构不同，在导电特性上就有了导体、绝缘体、半导体。
导体:通常指电阻率< 的物质。金属和合金一般都是导体，如铝、金、钨、铜、镍铬等。能带能隙很小或为 0 , 在室温下电子很容易获得能量而跃迁至导带而导电。
内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。
扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。
扩散的结果使空间电荷区变宽。
势垒电容 ：PN结的阻挡层类似于平板电容器，它在交界面两侧贮存着数值相等；极性相反的离子电荷，当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。
PN结电场很大 直接将PN结中的束缚电荷从共价键中拉出来 形成电子空穴对 很大反向电流
电击穿:当反向电流与电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率时,称为电击穿，是可逆的。即反压降低时,管子可恢复原来的状态。
雪崩击穿、齐纳击穿——可逆
热击穿:若反向电流与电压的乘积超出PN结的耗散功率,则管子会因为过热而烧毁,形成热击穿 热击穿——不可逆。
平均漂移速度的大小与电场强度成正比，其比值称为电子迁移率。
迁移率的意义：表征了在单位电场下载流子的平均漂移速度。它是表示半导体电迁移能力的重要参数。迁移率：反映载流子在电场作用下运动的难易程度
非平衡态到平衡态的弛豫时间。
电离杂质散射：即库仑散射.
能级E(K)被电子占据的概率：
第5章 非平衡载流子
注入的非平衡载流子浓度大于平衡时的少子浓度，小于平衡时的多子浓度，称为小注入。

半导体器件重要知识点总结一、半导体基础知识1. 半导体的概念及特性：半导体是指导电性介于导体和绝缘体之间的一类材料。

由于半导体材料的导电性能受温度、光照等外部条件的影响比较大，它可以在不同的条件下表现出不同的导电特性。

半导体材料常见的有硅、锗等。

2. P型半导体和N型半导体：P型半导体是指在半导体材料中掺入了3价元素，如硼、铝等，使其成为带正电荷的空穴主导的半导体材料。

N型半导体是指在半导体材料中掺入了5价元素，如磷、砷等，使其成为自由电子主导的半导体材料。

3. 掺杂：半导体器件在制造过程中一般都要进行掺杂，以改变其导电性能。

掺杂分为N型掺杂和P型掺杂，通过掺杂可以使半导体材料的导电性能得到调控，从而获得所需要的电子特性。

4. pn结：pn结是指将P型半导体和N型半导体直接连接而成的结构，它是构成各类半导体器件的基础之一。

pn结具有整流、发光、光电转换等特性，在各类器件中得到了广泛的应用。

二、半导体器件的基本知识1. 二极管（Diode）：二极管是一种基本的半导体器件，它采用pn结的结构，在正向偏置时可以导通，而在反向偏置时则将电流阻断。

二极管在各类电子电路中具有整流、电压稳定、信号检测等重要作用。

2. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种由半导体材料制成的三电极器件，它采用多个pn结的结构，其主要功能是放大信号、开关电路和稳定电路等。

晶体管在各类电子器件中扮演着至关重要的作用，是现代电子技术的重要组成部分。

3. 集成电路（IC）：集成电路是将大量的半导体器件集成在一块半导体芯片上的器件，它可以实现各种功能，如存储、计算、通信等。

集成电路在现代电子技术中已成为了各类电子产品不可或缺的一部分，是现代电子产品的核心之一。

4. MOS场效应管（MOSFET）：MOSFET是一种基于金属-氧化物-半导体的结构的场效应晶体管，它在功率控制、开关电路、放大器等方面有着重要的应用。

MOSFET在各类电源、电动机控制等领域得到了广泛的应用。

会很深，极有可能是以和其他知识点结合的形式出现在大题中。

请尽可能系统地在理解的基础上去复习，注意知识点内在的联系。

评判宗旨是理解第一，识记第二，亦即答案即使在表述上没有那么书面，比如是自己组织语言描述的，只要我觉得你理解正确，依然会算作对。

下周二的课程仍然是其他半导体部分的讲解，下周四最后一节半导体课是答疑课。

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一、半导体的电子状态1、金刚石结构（Si、Ge）Si、Ge原子组成，正四面体结构，由两个面心立方沿空间对角线互相平移1/4个空间对角线长度套构而成。

由相同原子构成的复式格子。

2、闪锌矿结构（GaAs）3-5族化合物分子构成，与金刚石结构类似，由两类原子各自形成的面心立方沿空间对角线相互平移1/4个空间对角线长度套构而成。

由共价键结合，有一定离子键。

由不同原子构成的复式格子。

3、纤锌矿结构（ZnS）与闪锌矿结构类似，以正四面体结构为基础，具有六方对称性，由两类原子各自组成的六方排列的双原子层堆积而成。

是共价化合物，但具有离子性，且离子性占优。

4、氯化钠结构（NaCl）沿棱方向平移1/2，形成的复式格子。

5、原子能级与晶体能带原子组成晶体时，由于原子间距非常小，于是电子可以在整个晶体中做共有化运动，导致能级劈裂形成能带。

6、脱离共价键所需的最低能量就是禁带宽度。

价带上的电子激发为准自由电子，即价带电子激发为导带电子的过程，称为本征激发。

7、有效质量的意义a.有效质量概括了半导体内部势场的作用（有效质量为负说明晶格对粒子做负功）b.有效质量可以直接由实验测定c.有效质量与能量函数对于k的二次微商成反比。

能带越窄，二次微商越小，有效质量越大。

8、测量有效质量的方法回旋共振。

当交变电磁场角频率等于回旋频率时，就可以发生共振吸收。

测出共振吸收时电磁波的角频率和磁感应强度，就可以算出有效质量。

为能观测出明显的共振吸收峰，要求样品纯度较高，且实验要在低温下进行。

9、空穴价带中空着的状态被看成带正电的粒子，称为空穴。

这是一种假想的粒子，其带正电荷+q，而且具有正的有效质量m p*。

10、轻/重空穴重空穴：有效质量较大的空穴轻空穴：有效质量较小的空穴11、间接带隙半导体导带底和价带顶处于不同k值的半导体。

二、半导体中的杂质和缺陷能级1、晶胞空间体积计算Si晶胞中有8个硅原子，每个原子看做半径为r的圆球，则8个原子占晶胞空间的百分数：立方体某顶角的圆球中心与距此顶角1/4体对角线长度处的圆球中心间的距离为2r，且等于边长为a的立方体体对角线长（a3）的1/4。

半导体物理知识点半导体是现代电子技术的核心材料，从我们日常使用的手机、电脑到各种高科技设备，都离不开半导体器件的应用。

了解半导体物理的基本知识点对于理解和掌握现代电子技术至关重要。

一、半导体的基本概念半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。

常见的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）等。

在纯净的半导体中，导电能力较弱，但通过掺入杂质可以显著改变其导电性能。

半导体中的载流子包括电子和空穴。

电子带负电，空穴带正电。

在半导体中，电子和空穴都能参与导电。

二、晶体结构半导体材料通常具有晶体结构。

以硅为例，其晶体结构是金刚石结构。

在晶体中，原子按照一定的规律排列，形成晶格。

晶格常数是描述晶体结构的重要参数。

对于硅，晶格常数约为 0543 纳米。

三、能带结构在量子力学的框架下，半导体的电子能量状态形成能带。

包括导带和价带。

导带中的电子能够自由移动，从而导电；价带中的电子被束缚，不能自由导电。

导带和价带之间存在禁带宽度，也称为能隙。

能隙的大小决定了半导体的导电性能。

能隙较小的半导体，如锗，在常温下就有一定的导电能力；而能隙较大的半导体，如硅，在常温下导电性能较差。

四、施主杂质和受主杂质为了改变半导体的导电性能，常常掺入杂质。

施主杂质能够提供电子，使半导体成为n 型半导体。

例如，在硅中掺入磷（P）等五价元素，就形成了 n 型半导体。

受主杂质能够接受电子，形成空穴，使半导体成为 p 型半导体。

例如，在硅中掺入硼（B）等三价元素，就形成了 p 型半导体。

五、pn 结pn 结是半导体器件的基本结构之一。

当 p 型半导体和 n 型半导体接触时，会形成一个特殊的区域，即 pn 结。

在 pn 结处，存在内建电场，阻止多数载流子的扩散，但促进少数载流子的漂移。

pn 结具有单向导电性，这是二极管的工作基础。

六、半导体的导电性半导体的电导率与温度、杂质浓度等因素密切相关。

随着温度的升高，本征半导体的电导率会增加，因为更多的电子会从价带跃迁至导带。

半导体主要知识点总结一、半导体的基本概念1.1半导体的定义与特点：半导体是介于导体和绝缘体之间的一类材料，具有介于导体和绝缘体之间的电阻率。

与导体相比，半导体的电阻率较高；与绝缘体相比，半导体的电子传导性能较好。

由于半导体具有这种特殊的电学性质，因此具有重要的电子学应用价值。

1.2半导体的晶体结构：半导体晶体结构通常是由离子键或共价键构成的晶体结构。

半导体的晶体结构对其电学性质有重要的影响，这也是半导体电学性质的重要基础。

1.3半导体的能带结构：半导体的电学性质与其能带结构密切相关。

在半导体的能带结构中，通常存在导带和价带，以及禁带。

导带中的载流子为自由电子，价带中的载流子为空穴，而在禁带中则没有载流子存在。

二、半导体的掺杂和电子输运2.1半导体的掺杂：半导体的电学性质可以通过掺杂来调控。

通常会向半导体中引入杂质原子，以改变半导体的电学性质。

N型半导体是指将少量的五价杂质引入四价半导体中，以增加自由电子的浓度。

P型半导体是指将少量的三价杂质引入四价半导体中，以增加空穴的浓度。

2.2半导体中的载流子输运：在半导体中，载流子可以通过漂移和扩散两种方式进行输运。

漂移是指载流子在电场作用下移动的过程，而扩散是指载流子由高浓度区域向低浓度区域扩散的过程。

这两种过程决定了半导体材料的电学性质。

三、半导体器件与应用3.1二极管：二极管是一种基本的半导体器件，由N型半导体和P型半导体组成。

二极管具有整流和选择通道的功能，是现代电子设备中广泛应用的器件之一。

3.2晶体管：晶体管是一种由多个半导体材料组成的器件。

它通常由多个P型半导体、N型半导体和掺杂层组成。

晶体管是目前电子设备中最重要的器件之一，具有放大、开关和稳定电流等功能。

3.3集成电路：集成电路是将大量的电子器件集成在一块芯片上的器件。

它是现代电子设备中最重要的组成部分之一，可以实现各种复杂的功能，如计算、存储和通信等。

3.4发光二极管：发光二极管是一种将电能转化为光能的半导体器件，具有高效、省电和寿命长的特点。

半导体物理知识点总结
1. 能带和价带：半导体中电子带有能量，能量随轨道高低而不同，能带包含在价带和导带中。

2. 能隙：能量带的差值，该值越小，材料越容易被激发。

3. 电子结构：材料中的电子布局，包括离子能、波函数、能态等。

4. 掺杂：向半导体中添加不同类型的掺杂，可改变材料的电学性质，如导电性能和半导体的唯一性。

5. pn结：半导体材料中，p型和n型结合，形成一个有峰值的pn结，可以用于制作二极管、场效应管或光电转换器等电子器件。

6. 入射光：当入射光击中半导体上，产生光伏效应，电子被激发并向两侧移动，形成电流。

7. 电子迁移率：电子在半导体中移动速度的度量，影响材料的导电性质。

8. 本征载流子：半导体中由温度效应造成的材料中存在的自由电子和空穴，这些载流子决定着材料的导电性质。

9. 孪晶：半导体材料结构中的孪晶对材料电学性质造成影响，不同方向的孪晶对应不同的导电性和多晶性。

10. 激发态：半导体中的电子在受到激发后，进入能带中的激发态，相应的能级决定着电子能量的状态。