`0001 01A1在纯净的半导体中掺入5价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。
`0002 01A1在纯净的半导体中掺入3价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。
`0003 01A1PN结的导电特性是。
`0004 01A2为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度；（2）集电结面积比发射结面积。
`0005 02A1夹断电压是（）型场效应管的参数，开启电压是（）型场效应管的参数。
`0006 02A1场效应管有（）种载流子导电，场效应管是（）控制（）型器件。
`0007 02A1共射放大电路中输出电压与输入电压相位。
`0008 02A1在放大电路中，晶体管通常工作在工作区。
`0009 02A1双极性晶体管工作在放大区的条件：发射结，集电结。
`0010 02A1场效应管三个电极分别为极、极和极。
`0011 02A1在单管共集放大电路中，输出电压与输入电压的极性。
`0012 02A2在单管共基放大电路中，输出电压与输入电压的极性。
`0013 02A2场效应管放大电路有共、共和共三种基本形式。
`0014 02A2场效应管从结构上可以分为（）和（）型两大类型`0015 02A2单管共射极放大器，当工作点Q选择较高时，易出现失真。
`0016 02A2在电子线路中，一般用输出电阻R O来衡量放大器带负载的能力，R O越小，则带负载的能力。
`0017 02A2双极性晶体管工作在饱和区的条件：发射结，集电结。
`0018 02A2双极性晶体管工作在截止区的条件：发射结，集电结。
`0019 02A3单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现失真。
`0020 02A3某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2KΩ负载电阻后，输出电压降为4 V，这表明该放大电路的输出电阻为。
`0021 02A3如果信号源接近于理想电压源，通常希望放大电路的输入电阻；如果信号源接近于理想电流源，通常希望放大电路的输入电阻。
`0022 03A1设计一个输出功率为20W的推挽放大器，若用乙类OCL电路，则应选功放管的最大允许管耗P cm必须大于（）W。
`0023 03A1多级放大电路中常见的耦合方式有：，，，。
`0024 03A1对差动放大电路来说，有用的或要放大的信号是信号；无用的或需要抑制的信号是信号。
`0025 03A1大小相等、极性相反的信号称为信号；大小相等、极性相同的信号称为信号`0026 03A2乙类推挽功率放大器的（）较高，但这种电路会产生（）失真。
为了消除这种失真应使推挽功率放大器工作在（）类状态。
`0027 03A2在设计OTL功率放大器时，选择功率放大管时要特别注意P CM大于（），V（BR）CEO大于（），I CM大于（）三个条件。
`0028 03A2在乙类互补对称功率放大器中，因晶体管输入特性的非线性而引起的失真叫做。
`0029 03A2多级直流放大电路最主要的问题是问题，解决的办法是采用电路。
`0030 03A2甲类放大电路功放管导通角等于；乙类放大电路功放管导通角等于；甲乙类放大电路功放管导通角为。
`0031 03A3正常时OCL功率放大器的中点电压应为（），OTL功率放大器的中点电压应为（）。
`0032 03A3在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，功放管导通角最小的是类放大电路`0033 03A3电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电流源的很大。
`0034 04A1理想运算放大器的开环电压增益为，输出电阻为。
`0035 04A1理想集成运放的主要性能指标：r id= ；r od= 。
集成运算放大器的两个输入端：同相输入端和反相输入端。
前者的极性与输出端，后者的极性同输出端。
`0037 04A2差动放大器K CMR越大，表明其对信号的抑制能力越强。
`0038 04A2为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用耦合方式。
`0039 04A3直接耦合多级放大器既能放大信号，也能放大信号。
`0040 05A1深度负反馈的条件是。
`0041 05A2为了稳定静态工作点，应该引入负反馈。
`0042 05A2某负反馈放大电路的开环电压放大倍数为75，反馈系数为0.04，则闭环放大倍数为。
`0043 05A2若引回的反馈信号削弱输入信号而使放大电路的放大倍数降低，这种反馈称为反馈；若引回的反馈信号增强输入信号而使放大电路的放大倍数提高，这种反馈称为反馈。
`0044 05A3在放大电路中，为了稳定输出电压，应引入反馈；为了稳定输出电流，应引入反馈；为了使输出电阻降低，反馈；为了使输入电阻提高，应引入反馈。
2mV时，输出电压为2V。
加上负反馈后，输出电压为2V，则输入信号需变为20mV。
则该电路的反馈深。
`0047 06A2LC并联谐振回路在正弦波振荡电路中的主要作用是做网络，组成正弦波振荡电路。
`0048 06A2有源滤波器通常分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器，其缩写符号按顺序依次、、、。
直流稳压电源由电源变压器、、和组成。
`0050 07A2在直流电源中，滤波的目的是滤除整流电路输出电压中的成分。
`0051 01B1常温下，硅二极管的开启电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约( )V，锗二极管的开启电压约( )V，导通后在较大电流下的正向压降约( )V。
A.0.3 , 0.5 , 0.5 , 0.7B.0.5，0.7，0.3，0.5C.0.5，0.7，0.1，0.3D.0.3，0.5，0.1，0.2`0052 01B1稳压管正常工作时工作在( )区。
A.正向导通B.反向击穿C.反向截止D.饱和区`0053 01B1PN结加正向电压时，耗尽层将（）。
A变宽B变窄C不变D不定`0054 01B1电路如图所示，假如锗管VD1的导通压降为U1=0.2V，硅管VD2的导通压降为U2=0.6V。
流过VD1、VD2的电流I1和I2分别为（）和（）。
A. I1 =10mA, I2 =0mAB. I1 =0mA ，I2=10 mAC. I1=5 mA ，I2=5 mAD. 以上都不是`0055 01B2电路如图（a）（b）所示，设硅稳压管VD Z1、VD Z2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V，输出电压U O分别为( )和( )。
A. （a ）5.7V （b ）0.7VB. （a ）5V （b ）10VC. （a ）5.7V （b ）10VD. （a ）5.0V （b ）3.3V `0056 01B2 在如图所示电路中，VD Z1、VD Z2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V 和7V ，输出电压U O 为（ ）。
A.1VB. 6VC.7VD.0V`0057 01B2电路如图所示，设t u s ωsin 15=V ，稳压管VD Z 的稳定电压为8V ，R 为限流电阻，U O 的波形为（ ）A.正半周在8V 处出现切峰的正弦波B.正、负半周最大幅度均为15V 的正弦波C.正、负半周均在8V 处出现切峰的正弦波D.在+8V 处出现切峰，负半周均为-0.7V`0058 01B2在如图所示电路中，整流二极管VD 的反向击穿电压约为100V ，额定功耗为250mW 。
外加130V 反向电压，问该二极管反向电流最大会达到多少？之后二极管是否会损坏？A.反向电流忽略不计，不会损坏B.反向电流13mA ，不会损坏C.反向电流13mA ，损坏D.反向电流3mA ，损坏`0059 01B2以下特性中，半导体不具有的是 。
A.掺杂特性B.单向导电行C.光敏特性D.热敏特性`0060 01B2二极管正向导通时U D =0.7V 。
估算下图所示电路中，流过二极管的电流I D 和A 点的电位U A 是（ ）。
A. U A =3.3V , I D =9.3 mAB. U A =3.3V , I D =0.033 mAC. U A =-5.3V , I D =0.53 mAD. U A =-5.3V , I D=1.3mA`0061 02B1双极型晶体管工作在截止区的条件：发射结（ ），集电结（ ）。
A.反偏，正偏B. 正偏 ，反偏C. 反偏，反偏D. 正偏，正偏`0062 02B1当晶体管工作在放大区时，下列说法正确的是（ ）。
A.发射结和集电结均反偏B. 发射结和集电结均正偏C. 发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏`0063 02B1当晶体管工作在饱和区时，下列说法正确的是( )。
A.发射结和集电结均反偏B. 发射结和集电结均正偏C. 发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏`0064 02B1对于双极型晶体管，下列说法正确的是( )。
A.发射极和集电极可以调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度相同B.发射极和集电极可以调换使用，因为发射极和集电极的电流基本相同C.发射极和集电极不能调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度不相同发射区掺杂浓度比集电区高D. 发射极和集电极不能调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度不相同发射区掺杂浓度比集电区低`0065 02B1晶体管工作在放大区时的偏置状态为（）。
A. b--e b-- c间均正向偏置B. b--e、b--c间均反偏C. b--e间正偏、b--c 反偏D. b -- e间反偏b-- c正偏`0066 02B1在单管共射放大器中（）。
A i O与V i反相;B V O与i O同相；C V O与V i同相;D V O与V i反相.`0067 02B13DG6C晶体管的极限参数为P CM=100mw, I CM=16mA，U（BR）CEO=20V，在下列几种情况能正常工作的是：（）。
A U CE = 8V，I C = 15mA ;B U CE = 20V，IC = 15mA ;C U CE = 10V，I C = 8mA ;D U CE = 3V，I C = 25mA.`0068 02B1三极管三种组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是（）A共射电路B共基电路C共集电路D不能确定`0069 02B1三极管三种组态放大电路中，输出电阻最小的是（）A共射电路B共基电路C共集电路D不能确定~`0070 02B2双极型晶体管工作在放大区和饱和区的电流放大系数之间的关系为( )。
A.工作在饱和区的电流放大系数大于工作在放大区的电流放大系数B. 工作在饱和区的电流放大系数等于工作在放大区的电流放大系数C. 工作在饱和区的电流放大系数小于工作在放大区的电流放大系数D. 工作在饱和区的电流放大系数与工作在放大区的电流放大系数的关系不能确定`0071 02B2对于双极型晶体管，下列叙述正确的是( )。
