无机材料的烧结
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二氧化硅粉末烧结二氧化硅是一种常见的无机化合物,其粉末在工业上常用于制备陶瓷、玻璃和光纤等材料。
而二氧化硅粉末烧结则是一种常用的加工方法,可以将二氧化硅粉末通过高温处理,使其颗粒结合成坚固的块体材料。
本文将详细介绍二氧化硅粉末烧结的过程和应用。
一、烧结工艺二氧化硅粉末烧结是通过加热和压缩的方式实现的。
首先,将二氧化硅粉末放入烧结模具中,然后施加一定的压力,使粉末颗粒之间产生接触。
接着,将模具放入烧结炉中,升温至合适的温度,使粉末颗粒发生烧结反应。
在烧结过程中,二氧化硅颗粒之间发生结合,形成致密的结构。
最后,冷却模具并取出烧结体,即可得到二氧化硅烧结块体。
二、烧结特点二氧化硅粉末烧结具有以下特点。
1.致密性:通过烧结,二氧化硅颗粒之间形成结合,使得烧结体具有较高的致密性。
这种致密性使得烧结体具有较好的力学性能和化学稳定性。
2.高温稳定性:二氧化硅烧结体具有较高的耐高温能力,可以在高温环境下长时间稳定工作。
这使得二氧化硅烧结体在高温装备、热工业等领域得到广泛应用。
3.良好的机械性能:二氧化硅烧结体具有较高的硬度和强度,可以承受较大的外力和压力。
这使得二氧化硅烧结体在结构材料、磨料工具等领域有广泛的应用。
三、应用领域二氧化硅粉末烧结体在工业领域有着广泛的应用。
1.陶瓷制造:二氧化硅烧结体可以作为陶瓷制品的原料,用于制造各种陶瓷制品,如陶瓷瓷砖、陶瓷器皿等。
2.玻璃制造:二氧化硅烧结体可以作为玻璃制造过程中的助剂,用于提升玻璃的硬度和透明度。
3.光纤制造:二氧化硅烧结体可以作为光纤的主要原料,用于制造光纤通信设备。
4.高温装备:二氧化硅烧结体具有较高的耐高温能力,可以用于制造高温装备,如炉窑、耐火材料等。
5.磨料工具:二氧化硅烧结体具有较高的硬度和强度,可以用于制造磨料工具,如砂纸、砂轮等。
总结:二氧化硅粉末烧结是一种常用的加工方法,可以将二氧化硅粉末制备成坚固的块体材料。
烧结体具有致密性、高温稳定性和良好的机械性能等特点,在陶瓷制造、玻璃制造、光纤制造、高温装备和磨料工具等领域有广泛的应用。
数学建模在材料科学研究中的运用例一 探讨热膨胀系数同弹性模量关系的数学模型1、问题现代科技水平的不断发展,机械,航空等领域中对设备精度要求也越来越高。
材料科学中的热物性随着设备中机械精度的提高温度对设备精度的影响得到各国科研性工程技术人员的重视。
热物性理论研究日益加强,材料的热膨胀理论、热容理论、导热性、热稳定性等理论,都是研究的热点。
材料的热膨胀同弹性模量本质上都同材料晶体结构和原子间作用力有着密切的关系,两者之间有着必然的联系。
为了深入了解材料热膨胀机理,就需要建立热膨胀系数和弹性模量的模型。
2、建立模型固体材料的热膨胀本质归结为晶体原点间平均距离随温度升高而增大。
温度越高,质点振动越大,质点间距也相应增加,宏观上晶体就发生了膨胀。
现以较为典型的双原子模型解释。
如图示,设r 0 为双原子平衡时位置,横坐标为原子间距,纵坐标为原子间势能U ( r) 。
当温度升高后,原子由于振动加剧而使间距变为r = r o + x ,则原子势能变为U ( r) = U ( r o + x) 。
将函数U ( r o + x ) 在r = r o 处展开成泰勒级数: (1) 因为0d o =⎥⎦⎤⎢⎣⎡r dr U 略去x 3 及以后的高次项,则(1) 式成为2o22d d !21x r r U ) U ( r U ( r) o ⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=。
........r d !31d d !213332o22+⎥⎦⎤⎢⎣⎡+⎥⎦⎤⎢⎣⎡+⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=x d U x r r U x r dr dU ) U ( r U ( r) o o此时U ( r) 代表一条抛物线, 如图示虚线。
温度升高,原子在平衡位置r 0 处振幅增大, 但不会产生膨胀, 这与膨胀事实相反。
故考虑进x 3项,则由(1) 式得(2)(2) 式图形如图1实线所示。
由图可见,其原子振动平衡位置随温度升高(平行横坐标的平行线1 ,2 ,3 , ⋯代表升高的温度T1 , T2 ,T3 , ⋯) 将扩大,如图AB 点线所示,引起晶体膨胀。
碳化硅烧结工艺技术简介碳化硅是一种重要的无机非金属材料,具有优异的高温、高硬度、高强度、高导热性和耐腐蚀性能。
碳化硅烧结工艺技术是将粉末形式的碳化硅材料在高温下进行烧结,使其形成致密的块状材料。
这种工艺技术广泛应用于高温、耐腐蚀等领域。
工艺步骤1. 原料制备碳化硅烧结工艺的第一步是制备碳化硅粉末。
一般采用高纯度的硅和石墨粉作为原料,在高温下进行反应生成碳化硅。
得到的碳化硅粉末需要进行粒度分级,以保证烧结后的坯体质量。
2. 造粒将得到的碳化硅粉末进行造粒,目的是提高粉末的流动性和绿坯的成型性。
造粒方法包括湿法造粒和干法造粒两种。
湿法造粒一般采用喷雾干燥法,将碳化硅粉末悬浮在溶液中,通过喷雾干燥使其形成颗粒状。
干法造粒则采用机械化方法,通过辊压或压片等方式将碳化硅粉末压制成颗粒。
3. 成型将造粒得到的碳化硅粉末进行成型。
常用的成型方法有压制成型、注浆成型和挤出成型等。
其中,最常用的是压制成型。
将碳化硅粉末放入模具中,在一定的温度和压力下进行压制,使其成型成绿坯。
4. 烧结将成型的绿坯进行烧结。
碳化硅烧结工艺中一般采用高温烧结的方法,常用的烧结设备有电炉和高频炉。
烧结过程中,绿坯在高温下进行结晶和致密化,使其形成致密块状的碳化硅材料。
烧结温度和时间根据需求进行调控,以获得理想的材料性能。
5. 加工和表面处理经过烧结的碳化硅块材料需要进行加工和表面处理,以满足特定的工程要求。
加工包括切割、研磨、钻孔等,表面处理包括抛光、涂层等。
这些步骤的目的是给碳化硅材料提供最终的形状和表面质量,以便于后续的应用。
工艺优势1.高温性能优异:碳化硅具有高熔点和高热导率,能够在高温下长时间稳定工作,因此在高温领域有广泛的应用,如高温炉、轻质隔热材料等。
2.高硬度和高强度:碳化硅具有极高的硬度和强度,能够耐受大部分物理和化学侵蚀,因此在耐磨、耐腐蚀的工作环境中具有广泛的应用,如磨具、切削工具等。
3.优良的导热性:碳化硅具有高导热性能,能够快速传导和散热,因此在散热器等应用中具有重要作用。
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第二章、晶体结构缺陷1缺陷的概念2、热缺陷(弗伦克尔缺陷、肖特基缺陷)热缺陷是一种本征缺陷、高于0K就存在,热缺陷浓度的计算影响热缺陷浓度的因数:温度和热缺陷形成能(晶体结构)弗伦克尔缺陷肖特基缺陷3、杂质缺陷、固溶体4、非化学计量化合物结构缺陷(半导体)种类、形成条件、缺陷的计算等5、连续置换型固溶体的形成条件6、影响形成间隙型固溶体的因素7、组分缺陷(补偿缺陷):不等价离子取代形成条件、特点(浓度取决于掺杂量和固溶度)缺陷浓度的计算、与热缺陷的比较幻灯片68、缺陷反应方程和固溶式9、固溶体的研究与计算写出缺陷反应方程T固溶式、算出晶胞的体积和重量T理论密度(间隙型、置换型)T和实测密度比较10、位错概念刃位错:滑移方向与位错线垂直,伯格斯矢量b与位错线垂直螺位错:滑移方向与位错线平行,伯格斯矢量b与位错线平行混合位错:滑移方向与位错线既不平行,又不垂直。
幻灯片7第三章、非晶态固体1熔体的结构:不同聚合程度的各种聚合物的混合物硅酸盐熔体的粘度与组成的关系2、非晶态物质的特点3、玻璃的通性4、Tg、Tf ,相对应的粘度和特点5、网络形成体、网络改变(变性)体、网络中间体玻璃形成的结晶化学观点:键强,键能6、玻璃形成的动力学条件(相变),3T图7、玻璃的结构学说(二种玻璃结构学说的共同之处和不同之处)8、玻璃的结构参数Z可根据玻璃类型定,先计算R,再计算X、Y 注意网络中间体在其中的作用。
9、硅酸盐晶体与硅酸盐玻璃的区别10、硼的反常现象幻灯片8第四章、表面与界面1表面能和表面张力,表面的特征2、润湿的概念、定义、计算;槽角、二面角的计算改善润湿的方法:去除表面吸附膜(提高固体表面能)、改变表面粗糙度、降低固液界面能3、表面粗糙度对润湿的影响4、吸附膜对润湿的影响5、弯曲表面的效应(开尔文公式的应用)6、界面的分类与特点7、多晶体组织8、粘土荷电的原因,阳离子交换序9、粘土与水的作用,电动电位及对泥浆性能的影响流动性,稳定性,悬浮性,触变性,可塑性10、瘠性料的悬浮与塑化泥浆发生触变的原因,改善方法幻灯片9第五章、相平衡1、相律以及相图中的一些基本概念相、独立组分、自由度等2、水型物质相图的特点(固液界线的斜率为负)3、单元系统相图中可逆与不可逆多晶转变的特点4、S iO2相图中的多晶转变(重建型转变、位移型转变)5、一致熔化合物和不一致熔化合物的特点6、形成连续固溶体的二元相图的特点(没有二元无变量点)7、相图应用幻灯片108、界线、连线的概念,以及他们的关系9、等含量规则、等比例规则、背向规则、杠杆规则、连线规则、切线规则、重心规则。
名词解释肖特基缺陷:正常格点上的原子,热起伏过程中获得能量离开平衡位置迁移到晶体表面,晶体内正常格点上留下空位弗伦克尔缺陷:晶格热振动时,能量足够大的原子离开平衡位置,挤到晶格间隙中,形成间隙原子,原来位置上形成空位空间群:晶体结构中一切对称要素的集合称为空间群。
本征扩散:指空位来源于晶体结构中本征热缺陷而引起质点的迁移的扩散方式;非本征扩散是由不等价杂质离子取代造成晶格空位,由此而引起的质点迁移。
固溶体:在固态条件下,一种组分(溶剂)内“溶解”了其它组分(溶质)而形成的单一、均匀的晶态固体称为固溶体。
烧结与熔融:烧结是在远低于固态物质的熔融温度下进行的,熔融时全部组元都转变为液相,而烧结时至少有一组元是固态的。
等同点:在晶体结构中占据相同的位置和具有相同的环境的点点阵(空间点阵):空间点阵,一系列在三维空间按周期性排列的几何点结点间距:行列中两个相邻结点间的距离晶体:内部质点在三维空间按周期性重复排列的固体,具有格子构造的固体基本性质:结晶均一性、各向异性、自限性、对称性、最小内能性对称:物体中相同部分之间的有规律的重复宏观晶体的对称要素:对称轴、对称中心、对称面、倒转轴对称变换(对称操作):使对称物体中各相同部分作有规律重复的变换动作对称型(点群):宏观晶体中对称要素的集合,包含了宏观晶体中全部对称要素的总和以及它们相互间的组合关系晶胞:晶体结构中的平行六面体单位,其形状大小与对应的空间格子中的平行六面体一致。
单位晶胞:能够充分反映整个晶体结构特征的最小结构单位,其形状大小与对应的单位平行六面体完全一致。
配位数:晶体结构中,原子或离子的周围,与它直接相邻结合的原子个数或所有异号离子的个数。
固相反应:广义:固相参与的化学反应;狭义:固体与固体发生化学反应生成新的固体。
固相反应速度较慢、需要高温烧结:一种或多种固体粉末经过成型,在加热到一定温度后开始收缩,在低于熔点的温度下变成致密、坚硬的烧结体的过程,包括粉末颗粒表面的粘结和粉末内部物质的传递与迁移。
cvd碳化硅和烧结碳化硅
碳化硅(SiC)是一种无机化合物,具有多种形式,其中包括CVD碳化硅和烧结碳化硅。
CVD碳化硅是通过化学气相沉积(CVD)工艺制备的碳化硅薄膜或涂层。
在CVD过程中,将气态前体物质通过化学反应沉积在基底表面,形成薄膜或涂层。
CVD碳化硅通常具有良好的致密性、均匀性和化学纯度,可以用于涂层、薄膜或其他应用领域。
烧结碳化硅是一种通过高温烧结碳化硅粉末制备的材料。
烧结过程中,碳化硅粉末在高温下结合成致密的块状材料。
烧结碳化硅通常具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀等优良性能,因此被广泛应用于陶瓷工业、耐火材料、磨料、工具材料等领域。
从材料制备的角度来看,CVD碳化硅主要是通过化学气相沉积技术制备而成,具有薄膜或涂层的特点;而烧结碳化硅则是通过高温烧结碳化硅粉末得到块状材料,具有高强度和耐磨损性能。
从应用角度来看,CVD碳化硅常用于涂层、光学薄膜、半导体器件等领域,而烧结碳化硅则常用于制造耐火材料、陶瓷制品、磨具和工具等领域。
总的来说,CVD碳化硅和烧结碳化硅是碳化硅材料的两种常见形式,它们在制备方法、结构特点和应用领域上有着明显的区别,但都具有优异的性能,在不同的领域都有着重要的应用前景。
水玻璃结合剂(water glass binder)一种无机材料的胶结剂。
又称泡花碱。
在工业上呗广泛用作无机材料胶结剂,在耐火材料工业作为结合剂用相当广泛,也广泛用于造纸及纺织等工业。
添加剂对耐火材料烧结的影响在固相烧结时,少量的添加剂(烧结助剂)可与主晶相形成固溶体促进缺陷增加;在液相烧结时,添加剂能够改变液相的性质(如粘度、组成等),因而能起促进烧结的作用。
添加剂的作用可能在于以下几个方面。
形成固溶体。
当添加物与烧结物形成固溶体时,可以增加晶格缺陷,活化晶格,从而促进烧结。
一般来说,他们之间形成有限置换固溶体更有助于促进烧结。
添加剂离子的电价、半径与主晶格离子的电价、半径相差越大,晶格畸变程序也越大,促进烧结的作用也越明显。
如Al2O3烧结时,加入3%的Cr2O3形成连续固溶体可在1860℃烧结,而加入1%~2%只需在1600℃左右就能致密化。
阻止晶型转变。
有些氧化物在烧结时发生晶型转变并伴有较大的体积效应,这就难以实现烧结致密化,并容易引起坯体开裂。
这时若能选用适宜的添加剂加以抑制,即可促进烧结。
ZrO2烧结时添加一定量的CaO、MgO就属这一机理。
约在1200℃,m- ZrO2转变为t- ZrO2,并伴有约10%的体积收缩,使制品稳定性变坏。
引入电价比Zr4+低的Ca2+(或Mg2+),可形成稳定的立方萤石结构的固溶体。
这样,既防止了制品的开裂,又增加了晶体中缺陷浓度,使烧结加快。
抑制晶粒长大。
烧结后期晶粒长大,对促进烧结致密化有重要作用。
但若二次再结晶或间断性晶粒长大过快,会使晶粒变粗、晶界变宽而出现反致密化现象并影响制品的显微结构。
这时,可通过加入能抑制晶粒异常长大的添加剂来促进烧结。
在烧结透明Al2O3制品时,为抑制二次再结晶,消除晶界上的气孔,一般加入MgO或MgF2,高温下形成镁铝尖晶石包裹在Al2O3晶粒表面,抑制了晶界迁移的速度,并促使气孔的排出,对促进坯体的烧结具有显著的作用。
第八章烧结过程8-1 名词解释:烧结烧结温度泰曼温度液相烧结固相烧结初次再结晶晶粒长大二次再结晶(1)烧结:粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理,目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
(2)烧结温度:坯体在高温作用下,发生一系列物理化学反应,最后显气孔率接近于零,达到致密程度最大值时,工艺上称此种状态为"烧结",达到烧结时相应的温度,称为"烧结温度"。
(3)泰曼温度:固体晶格开始明显流动的温度,一般在固体熔点(绝对温度)的2/3处的温度。
在煅烧时,固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移,在晶格内部空间扩散(容积扩散)和再结晶。
而在塔曼温度以上,主要为烧结,结晶黏结长大。
(4)液相烧结:烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
(5)固相烧结:在固态状态下进行的烧结。
(6)初次再结晶:初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
(7)晶粒长大:是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.(8)二次再结晶:再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。
8-2 烧结推动力是什么?它可凭哪些方式推动物质的迁移,各适用于何种烧结机理?解:推动力有:(1)粉状物料的表面能与多晶烧结体的晶界能的差值,烧结推动力与相变和化学反应的能量相比很小,因而不能自发进行,必须加热!!(2)颗粒堆积后,有很多细小气孔弯曲表面由于表面张力而产生压力差,(3)表面能与颗粒之间形成的毛细管力。
传质方式:(1)扩散(表面扩散、界面扩散、体积扩散);(2)蒸发与凝聚;(3)溶解与沉淀;(4)黏滞流动和塑性流动等,一般烧结过程中各不同阶段有不同的传质机理,即烧结过程中往往有几种传质机理在起作用。
8-3 下列过程中,哪一个能使烧结体强度增大,而不产生坯体宏观上的收缩? 试说明理由。
(1)蒸发-冷凝;(2)体积扩散;(3)粘性流动;(4)晶界扩散;(5)表面扩散;(6)溶解-沉淀解:蒸发-凝聚机理(凝聚速率=颈部体积增加)烧结时颈部扩大,气孔形状改变,但双球之间中心距不变,因此坯体不发生收缩,密度不变。