硅粉的加工危害很大的，首先是对工人的呼吸系统肺部危害，尘肺的形成，也就是常说的尘肺。还有就是硅粉在很细的时候达到一定的浓度在外界条件达到闪点的时候还会爆炸。。
我认为在多晶硅公司的那种硅粉力度更小，都是小于几十微米，几乎悬在空气中了，所以还是建议在工作的时候做好防护措施，要有专门的防尘口罩，一般的那种沙棉的是不行的，一定要选择细粉规格的那种。其次在工作时候穿好防护衣服，不要皮肤接触，工作后要记得沐浴更衣。。。总而言之，一定要做好防护，还有就是不要做太长时间！
山东三美微硅粉（硅灰）用于水利水电工程：在防渗及抗冲磨部位，掺入微硅粉后， 可大大提高抗渗、抗裂、抗冲磨、抗气蚀性能， 延长建筑物的使用寿命。如 大坝防渗混凝土面板、进水闸、隧洞、渠道、主厂房下部结构等水工建筑物和构筑物。 传统的抗磨蚀材料多用环氧砂浆等高分子材料，这类材料抗磨蚀能力虽好,但由于它本身线膨胀系数数倍于基底普通混凝土，与基底混凝土温度适应不好，在自然气候条件下容易开裂脱落，且施工复杂，有毒性，成本昂贵。而使用微硅粉混凝土,抗冲磨蚀能力提高一倍左右，抗48m／s流速级的抗磨蚀能力提高3倍以上。已经在三峡电站、二滩电站、紫坪铺电站、黄河小浪底电站、福建水口电站、青海龙羊峡电站等水利水电工程中广泛使用。
三美微硅粉（硅灰）用于配制高强度、高性能混凝土： 硅粉作为掺和料配制高强混凝土，实际应用中其强度等级可以做到100 Mpa。掺硅粉的高混凝土已应用于海洋石油钻井平台、大跨度桥梁、高层建筑、 隧洞、耐磨蚀路面和水工建筑的闸室底板等工程。
三美微硅粉（硅灰）用于海港工程和盐水建筑工程： 混凝土中掺入硅粉，可以提高混凝土的抗冲磨性能、抗渗性能， 防止钢筋电化学腐蚀，延长使用寿命。 水下工程中由于氯离子渗入混凝土中，引起钢筋快速锈蚀， 混凝土脱层，寿命短，破坏性严重。水下混凝土浇筑一般采用导管法，由于水泥浆的散失，使其与基层不能很好粘结，并且降低与水接触部分的强度。在水下混凝土中掺入微硅粉后，这些问题均能得明显的改善。 在香港青 马跨海大桥、江苏连云港木材码头等工程中已有成功的应用。
个人收集整理 仅供参考学习
1 / 17 特种机械加工技术
——太阳能级硅片切割技术
郑轩
(光为绿色新能源股份有限公司，河北高碑店，074000)
摘要：太阳能级多线切割技术是一种特殊的机械加工技术，它是在传统的机械加工的基础上建立起来的。随着太阳能市场的启动和发展，作为晶体硅太阳能电池制造过程的主要环节，越来越受到人们的重视。本文介绍了硅片切割的发展史，并从硅片切割的设备、工艺、生产流程和新技术等方面进行了较详细的阐述。资料个人收集整理，勿做商业用途
关键词：多线切割技术；硅片切割设备；硅片切割工艺；硅片生产流程；硅片切割新技术
Special machinery manufacture technology
——Solar wafer cutting technology
Zheng Xuan
(Lightway Green New Energy Co.,Ltd, Hebei Gaobeidian,074000 )资料个人收集整理，勿做商业用途
Abstract：Solar multi-saw technology is a special machinery
manufacture technology，that is based on traditional machinery
manufacture. With beginning and developing of solar markets,more
and more person pay attention to the link,which is the main node in
poly-silicon manufacture.This paper either introduce the development
of wafer cutting，or detailedrepresent equipments，technics，个人收集整理 仅供参考学习
－ 电子工业毫用设苗 趋势与展望
研磨液对硅片加工的发展前景
樊树斌
（中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津３００２２０）
摘 要：在硅片研磨过程中，由于应力的积累和剧烈的机械作用，硅片表面损伤严重，碎片率增 加：通过改进研磨液，不但可以把剧烈的机械作用转变为比较缓和的化学、机械作用，还能起到其
他较好的辅助作用并对其各成分作用，进行了理论分析，得到了硅片表面状态的改善和提高生产
效率的结果。
关键词：硅片；研磨；研磨液；应力 中图分类号：ＴＮ３０５．２ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００４．４５０７（２０１６）１１－０００１．０４
Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｐｒｏｓｐｅｃｔ ｏｆ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ ｆｏｒ
Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｗａｆｅｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
ＦＡＮ Ｓｈｕｂｉｎ
（Ｔｈｅ ４６ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ ＣＥＴＣ，Ｔｉａｎｊｉｎ ３００２２０，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ｗａｆ－ｅｒ ｌａｐｐｉｎｇ，ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅ ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｔｒｅｓｓ ａｎｄ ｔｈｅ ｖｉｏｌｅｎｔ
ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ａｃｔｉｏｎ，ｔｈｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｗａｆｅｒ ｉｓ ｓｅｒｉｏｕｓｌｙ ｄａｍａｇｅｄ，ａｎｄ ｔｈｅ ｒａｔｅ ｏｆ ｄｅｂｒｉｓ ｉｓ
ｉｎｃｒｅａｓｅｄ．Ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｓ ｔｈｅ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ｏｆｌａｐｐｉｎｇ ｆｌｕｉｄ，ｎｏｔ ｏｎｌｙ ｃａｎ ｔｈｅ ｉｎｔｅｎｓｅ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
ａｃｔｉｏｎ ｂｅ ｃｈａｎｇｅｄ ｉｎｔｏ ａ ｃｏｍｐａｒａｔｉｖｅ ｅａｓｅ ｏｆ ｃｈｅｍｉｃａｌ，ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ａｃｔｉｏｎ，ｂｕｔ ａｌｓｏ ｉｔ ｐｌａｙｓ ａ ｇｏｏｄ
ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｒｏｌｅ，ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｔｈｅ ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｏｆ ｅａｃｈ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ，ｔｈｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｗａｆｅｒ ｓｕｒｆａｃｅ
硅片腐蚀工艺
硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池，腐蚀电流较大，一般超过100A/cm2，但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求，目前主要使用氢氟酸（HF）,硝酸(HNO3)混合的酸性腐蚀液，以及氢氧化钾(KOH)或氢氧化钠（NaOH）等碱性腐蚀液。现在主要用的是HNO3-HF腐蚀液和NaOH腐蚀液。下面分别介绍这两种腐蚀液的腐蚀化学原理和基本规律。
1.HNO3-HF腐蚀液及腐蚀原理
通常情况下，硅的腐蚀液包括氧化剂（如HNO3）和络合剂（如HF）两部分。其配置为：浓度为70%的HNO3和浓度为50%的HF以体积比10～2:1，有关的化学反应如下：
3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑
硅被氧化后形成一层致密的二氧化硅薄膜，不溶于水和硝酸，但能溶于氢氟酸，这样腐蚀过程连续不断地进行。有关的化学反应如下：
SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O
2.NaOH腐蚀液
在氢氧化钠化学腐蚀时，采用10％～30％的氢氧化钠水溶液，温度为80～90℃,将硅片浸入腐蚀液中，腐蚀的化学方程式为
Si＋H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2↑
对于太阳电池所用的硅片化学腐蚀，从成本控制，环境保护和操作方便等因素出发，一般用氢氧化钠腐蚀液腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。
