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采用ＨＳＥ方法，计算的带隙值提高，并接近实验值。
从态密度图中可以发现，随着Ａｌ浓度的增加，ＡＩ．３ｓ，印态在导带部分移向高能处，这会导致带隙的增加和蓝移现象的出现。
关键词：三元混晶ＡＩ，ＧａｌＡｓ；晶格参数；ＨＳＥ；电子能带结构；光学性质；声子谱ＫＥＹＷＯＲＤＳ：ｔｅｒｎａｒｙｍｉｘｅｄｃｒｙｓｔａｌＡ１，Ｇａｌ－ｘＡｓ；ｌａｔｔｉｃｅｐａｒａｍｅｔｅｒｓ；ＨＳＥ；ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｅｎｅｒｇｙｂａｎｄ；ｏｐｔｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ；ｐｈｏｎｏｎｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ参数来优化半导体的应用［１】，随着小结构体系的出现，比如说超晶格、量子阱，合金成分、尺寸大小、元件形状、掺杂和晶格应变控制的影响可以使材料的功能大大提高［甜。
１．２ＧａＡｓ的主要性质及其应用ｌ，２．１ＧａＡｓ的晶体结构砷化镓（ＧａＡｓ）属ⅡＩ—Ｖ族典型的化合物半导体，是一种重要的光电设备材料。
由于其内部原子排列的差异，具有三种晶体结构：（ａ）属面心立方晶系的闪锌矿结构（ＺｉｎｃＢｌｅｎｄｅ）；（ｂ）正斜方晶结构（Ｏｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ）：（Ｃ）纤锌矿结构（Ｗｕｒｔｚｉｔｅ）。
通常在室温下，体材料ＧａＡｓ以闪锌矿结构稳定存在。
该结构与金刚石相似，只不过它由不同的两类原子组成。
闪锌矿结构的ＧａＡｓ结构，是由两个立方晶格套构，沿空间对角线彼此平移四分之一长度而成，属于双原子复式格子。
每个原胞中包含ＩＩＩ族和ｖ族各一个原子，晶体结构属于面心立方晶格，配位数是４。
处于每个原子周围的最近邻四个原子，组成正四面体型结构，导致每一晶胞中含有Ｇａ原子Ａｓ原子各四个，共有八个原子。
Ａｓ原子位于体对角线的ｌ／４处，Ｇａ原子处在６个面心和８个角的位置。
ＧａＡｓ材料为极性半导体，这是由于化合物晶体结合的性质除共价键外，还具有离子键，但共价键占优势，正因为此化合物共价作用起主导作用，所以该化合物为闪锌矿结构的优势很大。
对于正斜方晶结构，只有在压强比较高时才能存在，属于亚稳态。
1．固体材料可以分为 晶体 和 非晶体 两大类，它们之间的主要区别是 。
2．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。
这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。
3．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是 电离杂质散射 和 晶格振动散射 。
前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。
4．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。
5．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末， 为非简并条件； 为弱简并条件； 简并条件。
6．空穴是半导体物理学中一个特有的概念，它是指： ；7．施主杂质电离后向 带释放 ，在材料中形成局域的 电中心；受主杂质电离后 带释放 ，在材料中形成 电中心；8．半导体中浅能级杂质的主要作用是 ；深能级杂质所起的主要作用 。
9. 半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。
10.施主杂质电离后向半导体提供 ，受主杂质电离后向半导体提供 ，本征激发后向半导体提供 。
11.对于一定的n 型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致 靠近Ei 。
12.热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与 和有关，而与 、 无关。
A. 杂质浓度B. 杂质类型C. 禁带宽度D. 温度12. 指出下图各表示的是什么类型半导体？13．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。
14．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 .15． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 qnn 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。
第一章 半导体的物质结构和能带结构1、参照元素周期表的格式列出可直接构成或作为化合物组元构成半导体的各主要元素，并按共价键由强到弱的顺序写出两种元素半导体和八种化合物半导体，并熟记之。
共价键由强到弱的两种元素半导体，例如：Si ，Ge共价键由强到弱的八种化合物半导体：例如：SiC ，BN ，AlN ，GaN ，GaAs ，ZnS ，CdS ，HgS2、何谓同质异晶型？举出4种有同质异晶型的半导体，并列举其至少两种异晶型体的名称和双原子层的堆垛顺序。
答：化学组成完全相同的不同晶体结构称为同质异晶型。
1． SiC ，其多种同质异型体中，3C-SiC 为立方结构的闪锌矿型晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而2H-SiC 为六方结构的纤锌矿型晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；4H-SiC 为立方与六方相混合的晶格结构，其碳硅双原子层的堆垛顺序为ABACABAC ⋅⋅⋅2． GaN ，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Ga-N 双原子层的堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而纤锌矿结构的Ga-N 双原子层的堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；3． ZnS ，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Zn-S 双原子层堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而纤锌矿结构的Zn-S 双原子层堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；4． ZnSe ，有闪锌矿结构和纤锌矿结构两种同质异型体，闪锌矿结构的Zn-Se 双原子层堆垛顺序为ABCABC ⋅⋅⋅；而纤锌矿结构的Zn-Se 双原子层堆垛顺序为ABAB ⋅⋅⋅；3、室温下自由电子的热速度大约是105m/s ，试求其德布洛意波长。
解：该自由电子的动量为：s m kg v m p /1011.9101011.9265310⋅⨯=⨯⨯==--由德布洛意关系，可知其德布洛意波长nm p h k 27.71027.71011.910625.6192634=⨯=⨯⨯===---λ4、对波矢为k 的作一维运动的电子，试证明其速度dk k dE )(1 =υ解：能量E 和动量P 波频率ν和波矢k 之间的关系分别是：ων ==h E ； P = k根据能量和动量的经典关系：20021,v m E v m P ==由以上两个公式可得：0222m kE =对这个结论求导可得：02)(m kdk k dE η=，进一步得：dk k dE m k )(10ηη= 根据动量的关系：v m k P 0==η可得：=v dkk dE m k)(10ηη=5、对导带底电子，试证明其平均速度和受到外力f 作用时的加速度可分别表示为*/n m k =υ 和 */nm f a = 解：将E （k ）在k=0出按泰勒级数展开取至k 2项，得到....)(21)()0()(20220+++===k dkEd k dk dE E k E k k 因为，k=0时能量取极小值，所以0)(0==k dk dE ，因而2022)(21)0()(k dkEd E k E k ==-令*02221)(1nk m dk E d == 代入上式得*222)0()(nm k E k E =- 根据量子力学概念，波包中心的运动速度为dkd v ω=式中，k 为对应的波矢。
Ch1 习题及思考题1．名词解释晶体液晶非晶体长程有序短程有序等同点空间点阵结构基元晶体结构晶体点阵空间格子布拉菲点阵单胞(晶胞) 点阵常数晶系2．体心单斜和底心正方是否皆为新点阵？3．绘图说明面心正方点阵可表示为体心正方点阵。
4．试证明金刚石晶体不是布拉菲点阵，而是复式面心立方点阵。
金刚石晶体属于立方晶系，其中碳原子坐标是（000）、（0 1/2 1/2）、（1/2 1/2 0）、（1/2 0 1/2）、（1/4 1/4 1/4）、（3/4 1/4 3/4）、（1/4 3/4 3/4）、（3/4 3/4 1/4）。
5．求金刚石结构中通过（0，0，0）和（3/4，3/4，1/4）两碳原子的晶向，及与该晶向垂直的晶面。
6．画出立方晶系中所有的｛110｝和｛111｝。
7．写出立方晶系中属于｛123｝晶面族的所有晶面和属于〈110〉晶向族的所有晶向。
8．画出立方晶系中具有下列密勒指数的晶面和晶向：（130）、（211）、（131）、（112）、（321）晶面和[210]、[111]、[321]、[121]晶向。
9．试在完整的六方晶系的晶胞中画出（1012）晶面和[1120]、[1101]，并列出｛1012｝晶面族中所有晶面的密勒指数。
10．点阵平面（110）、（311）和（132）是否属于同一晶带？如果是的话，试指出其晶带轴，另外再指出属于该晶带的任一其它点阵平面；如果不是的话，为什么？11．求（121）和（100）决定的晶带轴与（001）和（111）所决定的晶带轴所构成的晶面的晶面指数。
12．计算立方晶系[321]与[120]夹角，（111）与（111）之间的夹角。
13．写出镍晶体中面间距为0.1246nm的晶面族指数。
镍的点阵常数为0.3524nm。
14． 1）计算fcc结构的（111）面的面间距（用点阵常数表示）；2）欲确定一成分为18%Cr，18%Ni的不锈钢晶体在室温下的可能结构是fcc还是bcc，由X射线测得此晶体的（111）面间距为0.21nm，已知bcc铁的a=0.286nm，fcc铁的a=0.363nm，试问此晶体属何种结构？Ch2.1-2 习题及思考题1．分别说明什么是过渡族金属、镧系金属和锕系金属？2．什么是一次键、二次键？它们分别包括哪些键？3．什么是离子键、共价键和金属键？它们有何特性，并给予解释。
超晶格结构与特性作者：张海瑞来源：《价值工程》2014年第28期摘要：本文简要论述了半导体超晶格的分类，结构特性，能带结构与应变超晶格，以及它们的发展与应用。
Abstract： This paper briefly discusses the classification， structural characteristics and the band structure of semiconductor superlattice， strained-layer superlattice， and their development and application.关键词：超晶格；结构；类型；特征Key words： superlattice；structure；types；characteristics中图分类号：O431.2 文献标识码：A 文章编号：1006-4311（2014）28-0318-021 超晶格的定义及结构超晶格是指周期性交替生长的两种或多种材料构成的人造晶体。
相邻两层不同材料的厚度合称为超晶格的周期长度，一般来说这个周期长度比各层单层的晶格常数大几倍或更长，因此，这种结构获得了“超晶格”的名称。
下面对半导体超晶格的结构进行简单的介绍。
Ga1-xAlxAs/GaAs半导体超晶格结构是在半绝缘的GaAs衬底上，外延生长GaAs薄层，再在上面交替的生长厚度为几埃甚至上百埃的Ga1-xAlxAs和GaAs薄层而构成的。
掺杂时的Ga1-xAlxAs/GaAs的能带图如图2所示，GaAs的禁带宽度Eg1为1.424eV，Ga1-xAlxAs的禁带宽度Eg2则随组分x而变，其关系为：Eg2=Eg1+1.247x。
两种材料的禁带宽度之差ΔEg为：ΔEg=Eg2-Eg1=1.247x，可见，ΔEg也随Al组分x而变化。
从图2中可以看到，在Ga1-xAlxAs和GaAs的交界处，能带是不连续的，二者的导带底能量差为ΔEc，价带顶能量差为ΔEν，而且ΔEc+ΔEν=ΔEg。
