BT33单结晶体管(双基极二极管)原理.pptx

单结晶体管工作原理
单结晶体管是一种双极型半导体器件，由三层输运结构组成，包括一层P型半导体（P区）、一层N型半导体（N区）和一层P型半导体（P区）。

它的工作原理如下：
1. 静态工作方式：当单结晶体管处于静止状态时，没有电流流过其结构。

P区与N区之间形成了一个PN结，这个结上有一个电势差。

当外加一个管子（基极）电压时，通过控制PN结的电势差，可以控制PN结的导电特性。

2. 动态工作方式：当单结晶体管处于动态工作状态时，有电流流过其结构。

当管子电压（基极电压）增加时，PN结中的电势差减小，导致PN结内的电流增加。

这个电流可以通过收集电极（集电极）流出。

当管子电压减小，PN结中的电势差增大，导致PN结内的电流减小。

这个电流可以通过发射电极（发射极）流入。

3. 开关特性：单结晶体管可以被用作开关，通过控制管子的电压来控制PN结内的电流。

当管子电压为低电平时，PN结内的电流较小，相当于开关是关闭的。

当管子电压为高电平时，PN结内的电流较大，相当于开关是打开的。

总之，单结晶体管的工作原理是基于控制PN结内的电势差，通过改变电流流过结构来实现信号放大和开关控制的功能。

单结晶体管（单基极二极管）本理之阳早格格创做体管又喊单基极二极管，它的标记战形状睹附图推断单结晶体管收射极E的要领是：把万用表置于R*100挡大概R*1K挡，乌表笔交假设的收射极，白表笔交其余二极，当出现二次矮电阻时，乌表笔交的便是单结晶体管的收射极.单结晶体管B1战B2的推断要领是：把万用表置于R*100挡大概R*1K挡，用乌表笔交收射极，白表笔分别交其余二极，二次丈量中，电阻大的一次，白表笔交的便是B1极.应当证明的是，上述判别B1、B2的要领，纷歧定对付所有的单结晶体管皆适用，有各别管子的E--B1间的正背电阻值较小.没有过准确天推断哪极是B1，哪极是 B2正在本质使用中本去没有特天要害.纵然B1、B2用颠倒了，也没有会使管子益坏，只做用输出脉冲的幅度（单结晶体管多做脉冲爆收器使用），当创造输出的脉冲幅度偏偏小时，只消将本去假定的B1、B2对付调过去便不妨了.单结晶体管处事本理-单基极二极管伏安个性直线-单结管单基极二极管(单结晶体管)的结构单基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示.正在一片下电阻率的N型硅片一侧的二端各引出一个电极，分别称为第一基极B1战第二基极B2.而正在硅片是另一侧较靠拢B2处创造一个PN结，正在P型硅上引出一个电极，称为收射极E.二个基极之间的电阻为R BB，普遍正在2~15kW之间，R BB普遍可分为二段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻.单基极二极管的标记睹图1的左侧.图1 单基极二极管的结构与标记等效电路单基极二极管的处事本理将单基极二极管按图2(a)交于电路之中，瞅察其个性.最先正在二个基极之间加电压U BB，再正在收射极E战第一基极B1之间加上电压U E，U E不妨用电位器R P举止安排.那样该电路不妨改绘成图2(b)的形式，单基极二极管不妨用一个PN结战二个电阻R B1、R B2组成的等效电路代替.(a) (b)图2 单基极二极管的个性尝试电路当基极间加电压U BB时，R B1上分得的电压为式中称为分压比，与管子结构有闭，约正在0.5～0.9之间.U E＝U BB＋U D时，单结晶体管内正在PN结导通，收射极电流I E突然删大.把那个突变面称为峰面P.对付应的电压U E战电流I E分别称为峰面电压U P战峰面电流I P.隐然，峰面电压Up＝U BB＋U D式中U D为单结晶体管中PN结的正背压落，普遍与U D＝0.7V.正在单结晶体管中PN结导通之后，从收射区（P区）背基压（N区）收射了洪量的空穴型载流子，I E删少很快，E战B1之间形成矮阻导通状态，R B1赶快减小，而E战B1之间的电压U E也随着下落.那一段个性直线的动背电阻为背值，果此称为背阻区.而B2的电位下于E的电位，空穴型载流子没有会背B2疏通，电阻R B2基础上没有变.当收射极电流I E删大到某一数值时，电压U E下落到最矮面.个性由线上的那一面称为谷面V.与此面相对付应的是谷面电压U V战谷面电流I V.今后，当安排R P使收射极电流继承删大时，收射极电压略有降下，但是变更没有大.谷面左边的那部分个性称为鼓战区.综上所述，单结晶体管具备以下个性：（1）当收射极电压等于峰面电压U P时，单结晶体管导通.导通之后，当收射极电压小于谷面电压U V时，单结晶体管便回复停止.（2）单结晶体管的峰面电压U P与中加牢固电压U BB及其分压比有闭.而分压比是由管子结构决断的，不妨瞅干常数.对付于分压比分歧的管子，大概者中加电压U BB的数值分歧时，峰值电压U P也便分歧.（3）分歧单结晶体管的谷面电压U V战谷面电流I V皆纷歧样.谷面电压约莫正在2~5V之间.正在触收电路中，常采用稍大一些、U V矮一些战I V大一些的单结管，以删大输出脉冲幅度战移相范畴.单结晶体管触收电路单结晶体管触收的单相半控桥式整流电路图3 单结晶体管的伏安个性直线1．安排R P，使U E从整渐渐减少.当U E比较小时（U E＜U BB＋U D），单结晶体管内的PN结处于反背偏偏置，E与B1之间没有克没有及导通，浮现很大电阻.当U E很小时，有一个很小的反背泄电流.随着U E的删下，那个电流渐渐形成一个约莫几微安的正背泄电流.那一段正在图3所示的直线中称为停止区，即单结晶体管尚已导通的一段.。

单结晶体管工作原理及其应用什么是单结晶体管单结晶体管又叫做双基极二极管，和二极管、三极管一样都属于晶体管的一种。

它是由一个PN结构成发射极并且有两个基极的三端晶体管。

单结晶体管内部结构单结晶体管内部由一个高电阻率的N型硅片，在其两端通过欧姆接触引出两个基极，分别为第一基极B1和第二基极B2，在靠近第二基极B2的一侧有一个PN结，在这个PN结上引出发射极E。

单结晶体管内部结构示意图单结晶体管电路符号及其等效电路单结晶体管电路特性在上面的等效电路中，单结晶体管两个基极之间的电阻称作“基极电阻”，基极电阻的阻值等于第一基极与发射极之间的电阻RB1和第二基极与发射极之间的电阻RB2值之和。

其中，RB1的阻值随着发射极E的电流变化而变化，而RB2的阻值不受发射极电流的影响。

在两个基极之间施加一定的电压VBB，则A点电压VA=[RB1/(RB1 RB2)]VBB=(RB1/RBB)VBB=ηVBB；其中η成为分压比，其数值根据不同型号的晶体管一般在0.5到0.9之间。

•当发射极电压VE<ηVBB时，发射结处于反偏状态，此时晶体管截止；•当发射极电压VE>ηVBB 二极管管压降VD时，PN结处于正向导通状态，RB1的阻值迅速减小，VE会随之下降，此时晶体管出现负阻特性，晶体管由截止进入负阻特性的临界点称为“峰点”；•随着发射极E电流的上升，发射极电压VE会不断下降，当下降到一个点之后便不再下降，这个点称为“谷点”；单结晶体管的型号命名方式以常用型号BT35为例，单结晶体管的型号命名方式如下图：单结晶体管型号命名方式单结晶体管封装及引脚识别单结晶体管采用金属直插封装，在其引脚端有引脚识别标志。

面向引脚，靠近凸起的为发射极E，逆时针方向分别为第二基极B2和第一基极B1。

单结晶体管实物单结晶体管引脚排序单结晶体管应用电路以电子驱蚊器电路为例，了解单结晶体管的应用。

超声波驱蚊器电路以上为单结晶体管BT33构成的电子驱蚊器电路图，其工作原理为：当电源开关SW闭合后，电池正极通过可调电阻RP和固定电阻R1向电容C1充电，当C1两端电压达到BT33的峰点电压时，单结晶体管导通，此时C1会通过电阻R3放电，单结晶体管截止；电池正极再次通过电阻向C1充电，当电压达到峰点电压后，晶体管再次导通。

B T33单结晶体管(双基极二极管)原理单结晶体管（双基极二极管）原理体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。

单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。

应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。

不过准确地判断哪极是B1，哪极是 B2在实际使用中并不特别重要。

即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。

单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。

在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。

而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。

两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15kW之间，R BB一般可分为两段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。

双基极二极管的符号见图1的右侧。

图1 双基极二极管的结构与符号等效电路双基极二极管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。

首先在两个基极之间加电压U BB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压U E，U E可以用电位器R P进行调节。

这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻R B1、R B2组成的等效电路替代。

B T33单结晶体管(双基极二极管)原理单结晶体管（双基极二极管）原理体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。

单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。

应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。

不过准确地判断哪极是B1，哪极是 B2在实际使用中并不特别重要。

即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。

单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。

在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。

而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。

两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15kW之间，R BB一般可分为两段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。

双基极二极管的符号见图1的右侧。

图1 双基极二极管的结构与符号等效电路双基极二极管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。

首先在两个基极之间加电压U BB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压U E，U E可以用电位器R P进行调节。

这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻R B1、R B2组成的等效电路替代。

BT33型调光台灯电路的制作一、电路工作原理下图为调光台灯电路，可使灯泡两端交流电压在几十伏至二百伏范围内变化，调光作用显著。

图一、家用调光台灯电路图二、单结晶体管符号1．单结晶体管和单向晶闸管（1）单结晶体管单结晶体管有两个基极，仅有一个PN结，故称双基极二极管或单结晶体管。

图二所示是单结晶体管的图形符号，发射极箭头倾斜指向b1，表示经PN结的电流只流向bl极。

国产单结晶体管有BT31、BT32、BT33、BT35等型号。

单结晶体管在一定条件下具有负阻特性，即当发射极电流I增加时，发射极电压Ve反而减小。

利用单结晶体管的负阻特性和RC充放电电路，可制作脉冲振荡器。

单结晶体管的主要参数有基极直流电阻Rbb和分压比。

Rbb是射极开路时b 1、b2间的直流电阻，约2～10kW，Rbb阻值过大或过小均不宜使用。

另外一个是b1、b2间的分压比，其大小由管内工艺结构决定，一般为0.3～0.8。

（2）单向晶闸管晶体闸流管又名可控硅，简称晶闸管。

广泛应用于无触点开关电路及可控整流设备。

晶闸管有三个电极：阳极A、阴极K和控制极G。

图三（a）、（b）所示是其电路符号和内部结构。

单向晶闸管有以下三个工作特点：①晶闸管导通必须具备两个条件：一是晶闸管阳极A与阴极K间必须接正向电压。

二是控制极与阴极之间也要接正向电压；②晶闸管一旦导通后，降低或去掉控制极电压，晶闸管仍然导通；③晶闸管导通后要关断时，必须减小其阳极电流使其小于晶闸管的导通维持电流。

晶闸管的控制电压Vc和电流Ic都较小，电压仅几伏，电流只有几十至几百毫安，但被控制的电压或电流却可以很大，可达数千伏、几百安培。

可见晶闸管是一种可控单向导电开关，常用于弱电控制强电的各类电路。

图三、晶闸管符号和内部结构2．电路调光原理图一中，VT、R2、R3、R4、RP、C组成单结晶体管张弛振荡器。

接通电源前，电容C上电压为零。

接通电源后，电容经由R4、RP充电，电容的电压V逐渐升高。