下载文档原格式
半导体激光器的应用与分类半导体光发射器是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易于集成等特点，被广泛应用。
按照其发光特性，可分为激光二极管（又称半导体激光器或二极管激光器，Laser Diode，LD），通常光谱宽度不]于5nm（采取专门措施可不大于0.1nm）；发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，光谱宽度一般不小于50nm；超辐射发光二极管(Superluminescent Dmde,SLD)，光谱宽度不大于5nm（采取专门措施可不大于0.1nm）；发光二极管（Light Emiltting，LED），光谱宽度一般不小于50nm；超辐射发光二极管（Superluminescent SLD），光谱宽度为30～50nm，本节重点介绍几种半导体激光器，钽电容简要介绍超辐射发光二极管。
半导体激光器的分类有多种方法。
按波长分：中远红外激光器、近红外激光器、可见光激光器、紫外激光器等；按结构分：双异质结激光器、大光腔激光器、分布反馈激光器、垂直腔面发射激光器；按应用领域分：光通信激光器、光存储激光器、大功率泵浦激光器、引信用脉冲激光器等；按管心组合方式分：单管、阵列（线阵、面阵）；按注入电流工作方式分：脉冲、连续、准连续等。
LD主要技术摄技术指标有光功率、中心波长、光谱宽度、阈值电流、工作电流、工作电压、斜率效率和电光转换效率等。
半导体激光器的光功率是指在规定驱动电流条件下输出的光功率，该指标直接与工作电流对应，这体现了半导体激光器的电流驱动特性。
如果是连续驱动条件，T491T336M004AT则输出功率就是连续光功率，如果是脉冲驱动条件，输出的光功率可用峰值功率或平均功率来衡量。
hymsm%ddz半导体激光器的中心波长是指激光器所发光谱曲线的中心点所对应的波长，通常用该指标来标称激光器的发光波长。
光谱宽度是标志个导体激光器光谱纯度的一个指标，通常用光谱曲线半高度对应的光谱全宽来表示。
半导体发光材料半导体发光材料是一种能够将电能转化为光能的材料，它在当今光电技术中发挥着重要的作用。
半导体发光材料的发展与应用已经极大地推动了显示技术、照明技术、激光技术等领域的发展，同时也为我们提供了更多的科技产品和便利。
半导体发光材料主要有发光二极管（LED）和半导体激光器（LD）两大类。
这两种材料的基本原理是通过施加电压使半导体中注入的电子跃迁到较低的能级，产生能量差大于光子能量的电子，从而激发发射特定波段的光。
其中，LED通过不同的材料和掺杂方法可以发射不同波长的光，实现了全彩色显示和照明；LD则可以实现高功率紧束的单色激光输出，广泛应用于光通信和材料加工等领域。
半导体发光材料具有许多优点，首先是高效能。
较传统的光源如白炽灯和荧光灯，半导体发光材料的能量转换效率更高，可以将电能转化为光能的比例提高至40%以上，大大节省了能源消耗。
其次，寿命长。
半导体发光材料的寿命能达到上万小时，远远超过传统的光源，大大减少了更换光源的频率和维护费用。
再次，体积小。
半导体发光材料具有小体积、轻质量等特点，方便了集成和应用。
以LED为例，它可以制作成各种不同形状的灯珠，方便用于各种光电产品。
半导体发光材料的应用领域非常广泛。
在显示技术方面，LED 已经广泛应用于室内和室外的显示屏幕、电视背光、车辆尾灯等领域，实现了更加真实、生动的图像和视频展示效果。
在照明技术方面，LED灯泡以其高效能、寿命长的优势逐渐取代了传统荧光灯和白炽灯，成为主流的照明光源。
在激光技术方面，半导体激光器不仅成为了医疗美容领域的重要工具，还在工业加工、光通信等领域发挥着重要作用。
然而，半导体发光材料也存在一些问题和挑战。
比如，半导体材料的成本较高，也对环境有一定的污染，需要进一步降低材料成本和环境污染。
此外，虽然已经取得了很大的进展，但半导体发光材料的颜色纯度和光输出强度仍有提高的空间，需要进一步研究和改进。
总之，半导体发光材料是当今光电技术中不可或缺的重要组成部分，它的出现和发展改变了我们的生活和工作方式。
一、
发光二极管的发光原理：
制作LED的材料是重掺杂的，热平衡状态下，N区有很多迁移率很高的电子，P区有较多迁移率较低的空穴。
由于PN结阻挡层的作用，两者不能自然复合。
当给PN结加以正向电压时，PN结中的电子和空穴辐射复合发光，是自发辐射发光。
激光器的发光原理：
激光器一般由三部分组成：工作介质，激励源，谐振腔。
其发光原理是给工作介质加以某种激励源，泵浦激励过程实现工作原子在上下能级间的粒子数反转分布，再通过工作物质中原子的自发辐射诱导受激辐射实现光的放大作用，经过谐振腔对光波模式的“筛选”和光学正反馈，最后形成持续震荡的相干光辐射，发射激光。
这两种光源的主要差别：
半导体激光器是基于载流子的受激跃迁辐射，发射的是相干光-激光；而二极管是基于注入的载流子的自发跃迁辐射，发射的是非相干光-荧光，而且LED的结构公差没有激光器那么严格，而且无粒子数反转、谐振腔等条件要求。
二、
光源波长与制作激光器所用的材料即工作介质密切相关。
工作介质可以是固体、气体、液体、半导体等。
激光器产生激光的条件之一是在特定的能级间实现粒子数的反转分布，从而使电子在能级之间跃迁完成发光。
不同的材料（工作介质）能级结构不同，能级差不同，电子跃迁所发射的光频也就不同，波长也就会不同，从而产生了不同颜色的光源。
所以不同材料的激光器产生激光的波长也不同。
举例说明：氩激光器产生的光波长为488nm，蓝光；氦氖激光器产生的光波长为543nm，绿光；红宝石激光器产生的光波长为694nm，红光。
发光二极管简称为LED。
由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。
当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。
在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。
砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。
因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机光二极发管LED。
激光二极管包括单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。
量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前市场应用的主流产品。
同激光器相比，激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，但其输出功率小（一般小于2mW），线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性能模拟信号。
在双向光接收机的回传模块中，上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。
双异质结(DH)平面条形结构，这种结构由三层不同类型半导体材料构成，不同材料发射不同的光波长。
图中标出所用材料和近似尺寸。
结构中间有一层厚0.1~0.3 μm的窄带隙P型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。
三层半导体置于基片(衬底)上，前后两个晶体解理面作为反射镜构成法布里-珀罗(F-P)谐振腔DH激光器工作原理：由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后，P层的空穴和N层的电子注入有源层。
P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。
同理，注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。
这样，注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.1~0.3 μm的有源层内形成粒子数反转分布，这时只要很小的外加电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。
另一方面，有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制在有源区内，因而电/光转换效率很高，输出激光的阈值电流很低，很小的散热体就可以在室温连续工作。
图3.6 DH激光器工作原理(a) 双异质结构；(b) 能带；(c) 折射率分布；(d) 光功率分布异质结，两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。
