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模拟电路第五版 习题解答 第6章

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图P6.1 ＲＣ桥式振荡电路

图P6.2 第六章

6.1图P6-1所示，RC桥式振荡电路中，已知频率为500Hz，C=0.047μF，RF为负温度系数、20kΩ的热敏电阻，试求R和R1的大小。

解：由于工作频率为500Hz，所以可选用集成运放LM741。

因提供的热敏电阻为负温度系数，故该电阻应接于RF的位置。为了保证起振，要求kRRF1021，现取k.R861。

根据已知fo及C，可求得

677610047050021216.CfRo

可取k.R86金属膜电阻。

6.2已知RC振荡电路如图P6.2所示，试求：（1）振荡频率fo=?（2）热敏电阻Rt的冷态阻值，Rt应具有怎样的温度特性？（3）若Rt分别采用10KΩ和1KΩ固定电阻，试说明输出电压波形的变化。

解：（1）HzHzRCfo9711002.0102.8212163 图P6.3 （2）Rt应具有正温度系数，Rt冷态电阻kRF521

（3）输出波形变化

＜3210101110RtRKRtF 停振 uo=0

＞311110111RtRKRtFuo为方波

6.3 分析图P6.3所示电路，标明二次线圈的同名端，使之满足相位平衡条件，并求出振荡频率。

解：(a)同名端标于二次侧线圈的下端

MHzHzHzLCfo877.010877.0103301010021216126

(b)同名端标于二次侧线圈的下端

MHzHzHzfo52.11052.11010036010036010140216126

(c)同名端标于二次侧线圈的下端

MHzHzHzfo476.010476.01020010560216126

6.4 根据自激振荡的相位条件，判断图P6.4所示电路能否产生振荡，在能振荡的电路中求出振荡频率的大小。 图P6.4

图解P6.4

解：分别画出图P6.4所示电路的简化交流通路如图解P6.4(a)、(b)、(c)所示。图(a)构成电容三点式LC振荡电路；图(b)不满足振荡相位条件，不能振荡；图(c)构成电感三点式LC振荡电路。

图(a)的振荡频率

MHzHzHzLCfo19.01019.010300210470021216612

图(c)的振荡频率

MHzHzHzLCfo424.010424.01047010)200100(21216126

6.5 振荡电路如图P6.5所示，它是什么类型的振荡电路？有何优点？计算它的振荡频率。

图P6.5 图解P6.5

图P6.6

图解P6.6

解：画出该电路的交流通路如图解P6.5所示，为改进型电容三点式振荡电路，称为克拉泼电路。其主要优点是晶体管寄生电容对振荡频率的影响很小，故振荡频率稳定度高。

MHz.HzLCfo2521010010502121126

6.6 图P6.6所示石英晶体振荡电路中，试说明它属于哪种类型的晶体振荡电路，并指出石英晶体在电路中的作用。

解：将图P6.6(a)改画成图解P6.6(a)所示。由图可见，电路构成并联型晶体振荡器，石英晶体在电路起电感作用，与C1、C2、C3构成改进型电容三点式LC振荡电路。

画出图P6.6(b)所示电路的交流通路如图解P6.6(b)所示，图中C1、C2、L构成选频网络，对频率等于晶体串联谐振频率的信号，晶体呈现很小的电阻，电路构成正反馈，且正反馈很强，使电路产生振荡，而对偏离晶体串联谐振频率的信号，晶体不但等效阻抗很大，且产生附加相移，电路将不满足振荡的振幅和相位条件而停振，所以图P6.6(b)所示电路为串联型晶体振荡电路，石英晶体工作在串联谐振状态。

图P6.7

图解P6.8 图解P6.7

图P6.8 6.7 试画出图P6.7所示各电压比较器的传输特性。

解： uI>2V时，运放输出负饱和电压，uO≈-6V；uI<2V时，运放输出正饱和电压，uO≈6V。因此，可画出传输特性如图解P6.7所示。

6.8 迟滞电压比较器如图P6.8所示，试画出该电路的传输特性；当输入电压为)V(tsinuI4时，试画出输出电压uO的波形。

解：由图可得

V)(URRRUVURRRUOLTLOHTH2620101026201010212212

因此可画出传输特性和uO波形分别如图解P6.8(a)、(b)所示。

图解P6.9 图P6.9 6.9 迟滞比较器如图P6.9所示，试计算门限电压UTH、UTL和回差电压，画出传输特性；当)(sin6VtuI时，试画出输出电压uO的波形。

解：由图可得

VUUUVVRRURRRURUVVRRURRRURUTLTHTOLREFTLOHREFTH6)2(4210106101010210410106101010210212211212211

故可画出传输特性uO波形分别如图解P6.9(a)、(b)所示。

6.10 电路如图P6.10所示，试画出输出电压uO和电容C两端电压uC的波形，求出它们的最大值和最小值以及振荡频率。

解：此为方波发生电路，由图可得 图解P6.10 图P6.10

图P6.11 图解P6.11 VURRRUVURRRUOLTLOHTH8.2)6(4350438.26435043212212

因此可画出uO、uC波形如图解P6.10所示。uO的最大值为+6V，最小值为-6V；uC的最大值为2.8V，最小值为-2.8V。

振荡频率为

ZZokHHRRRCf5105)504321ln(1001.0101021)21ln(2136312

6.11方波发生电路如图P6.11所示，图中二极管V1、V2特性相同，电位器RP用来调节输出方波的占空比，试分析它的工作原理并定性画出''',''','''RRRRRR时的振荡波形uO和uC。

图P6.12图解P6.12 解：电路输出高电平时，UOH经'1R、V1对C充电；输出低电平时，UOL经V2、''R放电。由于V1、V2特性相同，所以当R'与R''不相等时，定时电容C的充电和放电时间也就不相等，输出方波的占空比 将不等于50%，调节RP，即改变R'和R''的大小，输出方波的占空比随之改变。

当R'=R''，C的充放电时间相等，输出电压uo波形及电容两端电压uc波形，如图解P6.11(a)所示，方波的占空比为50%。

当R'＞R''，C充电慢、放电快，输出方波电压uO的占空比大于50%，uO和uC波形如图解P6.11(b)所示。

当R'＜R''，C放电快、放电慢，输出方波电压uO的占空比小于50%，uO和uC波形如图解P6.11(c)所示。

6.12三角波发生电路如图P6.12所示，试画出uO1、uO的波形，并求出其振荡频率。

解：此为由同相输入迟滞比较器（A1）和反相输入积分器（A2）构成的三角波发生器。

由图可得运放A1的同相输入端电位为

OOPuRRRuRRRu21112121

令uP1=0，则得

112OOuRRu

由于uO1≈±6V，故得迟滞比较器的门限电压分别为 图P6.13 VVRRUVVVRRUTLTH2)6(26151.561212

可画出uO1、uO的波形如图解P6.12所示。振荡频率为

ZZokHHRCRRTf19.310047.01051054101541633321

6.13频率合成器框图如图P6.13所示，要求输出信号频率为440kHz，频率间隔为2kHz,试求各分频比M及N。

解：2202440,50021000kHzkHzffNkHzkHzffMrors

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模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)

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.

绪论

一. 符号约定

• 大写字母、大写下标表示直流量。如：VCE、IC等。

• 小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。如： vCE、iB等。

• 小写字母、小写下标表示纯交流量。如： vce、ib等。

• 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如： 等。

二． 信号

〔1〕模型的转换

〔2〕分类

〔3〕频谱

二.放大电路

〔1〕模型 实用文档

. 〔2〕增益

如何确定电路的输出电阻ro ？

实用文档

. 三．频率响应以及带宽

第一章 半导体二极管

一.半导体的根底知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。

6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

邱关源《电路》第五版第6章--储能元件

邱关源《电路》第五版第6章--储能元件

第6章 储能元件

教学目的和要求：

1、熟练掌握电容、电感在电路中的VCR及功率、能量表达式；

2、掌握电容、电感在作串并联时的等效参数的求解。

重点：

1、电容、电感在电路中的VCR及功率、能量表达式；

2、电容、电感在作串并联时的等效参数的求解。

难点：

电容、电感在电路中的VCR

电阻电路：

——无记忆 静态元件（电路）；

电容、电感电路：

——动态元件（电路）

——实际电路有意接入的电容、电感——滤波

——信号变化快时，电阻模型不能表达实际器件

6.1 电容元件

1. 定义：

一个二端元件，如果在任一时刻t，它的电荷 q(t) 同它的电压 u(t) 之间的关系可以用 u-q 平面上的一条曲线来确定，则此二端元件称为电容元件。

对于线性时不变电容元件，这种电荷和电压的关系可表示为：

)()(tCutq C表示电容元件或电容的大小，单位为法拉F；

当电压和电流为关联方向时：

dtdCdtdCdtdquuiccc 公式1

电容电压与电流具有动态关系。（与时间有关） 由公式我们可以得出：

① ic 的大小取决于uc的变化率，与uc的大小无关，电容是动态元件；

② 当uc为常数（直流）时， ic = 0，电容相当于开路，电容有隔直的作用。

2. 电容器的VCR

dtdCdtdquicc 公式2

ttidtCidCdtCtut00111)(

ttidCut01)(0 公式3

电容元件VCR的积分关系

电容元件有记忆电流的作用，故称电容为记忆元件。

对于公式3

① 当 u，i 为非关联方向时，上述微分和积分表达式前要冠以负号 ;

② 上式中u(t0)称为电容电压的初始值，它反映电容初始时刻的储能状况，也称为初始状态。

第十三章 电路初探 单元训练B卷

第十三章 电路初探 单元训练B卷

第十三章 电路初探 单元训练B卷

一、 填空题

1．闪电时云层之间的电压可达109V= kV= mV

2.串联电路中，如果其中有一只灯泡坏了，其他灯泡 正常工作；并联电路中，如果其中有一只灯泡坏了，其他灯泡 正常工作；家庭用电中的电灯的连接方式是 。

3.要想得到持续的电流，电路中必须有 ，而且电路中还必须是

4. 如图所示，在电路中，若甲乙两处分别装入电表，当开关闭合后，两灯均能正常发光，则 处电表示电压表．

第4题

5.如图所示，V1的示数为9V，V2的示数6V，则电源总电压为 。

6.如图所示，a是电压表的负接线柱引出的导线头，开关S闭合后，a接b时，电压表的示数是6V，a接d时，电压表的示数为1.5V，则a接c时，电压表的示数为 V，则灯L1两端电压为

V，灯L2两端电压为 V。

第5题 第6题

二、选择题

7.如图所示，下列各电路图中，正确的是 （ ）

8.如图所示，下列电路中，开关同时控制电灯和电铃的是 （ ）

9.如图所示电路中，开关S闭合后，小灯泡L1、L2都能正常发光的是 （ ）

10．在如图所示的电路中，正确的电路组成是（ ）

11. 如图所示的电路中，电源电压不变，闭合开关K，电路正常工作．过了一会儿，两电表示数都变大，则该电路中出现的故障可能是 （ ）

A．灯L短路 B．灯L断路 C．电阻R断路 D．电阻R短路

12、如图(7)所示电路，以下说法正确的是( )

模拟电路1试题及答案1

模拟电路1试题及答案1

1 2008-2009《模拟电路》考试试卷〔A〕

一、单项选择题（24分,每空1.5分）

（请选择下列各题中的正确答案并将代表该正确答案的英文字母填入方框内）

1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的 。 [ ]

A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大

C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小

2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 。［ ］

A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v

⒊ 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v，VE = -7v，VC = -4v，可以判定此晶体管是 管，处于 。 ［ ］

A NPN管，饱和区 B PNP管， 放大区

C PNP管，截止区 D NPN管， 放大区

⒋ 场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 。 [ ]

A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

⒌ 在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： 。

[ ]

A 共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小

B 共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小