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硅基太阳能电池的工作原理
硅基太阳能电池是目前应用最广泛的太阳能电池之一，其工作原理如下：
硅是一种半导体材料，其原子结构中有4个电子在外层能级上，可以与周围的原子形成共价键，形成晶体结构。
当光线照射到硅太阳能电池上时，能量会激发硅原子中的电子跃迁到更高的能级，使其脱离原子，形成自由电子和空穴。
P-N结是硅太阳能电池的关键部分。
P型硅材料中掺杂了少量的杂质，使其原子中存在多余的电子。
N型硅材料中掺杂了其他杂质，使其原子中电子较少。
当P-N结形成时，P型硅中的多余电子会向N型硅中扩散，形成负偏压区；而N 型硅中的电子会向P型硅中扩散，形成正偏压区。
在正偏压区，当光线照射到P-N结上时，会激发自由电子和空穴向P-N结运动，形成电流。
同时，P-N结的内部电场会阻碍自由电子和空穴的扩散，使其被迫朝着正负极移动，产生电势差和电压。
这样，太阳能光线被转化为了电能，从而实现了太阳能电池的工作。
总之，硅太阳能电池的工作原理是利用光的能量激发半导体中的电子和空穴，利用P-N结产生电势差和电流，将太阳能光线转化为电能。
晶体硅太阳能电池原理与制造工艺晶体硅太阳能电池原理与制造工艺1.硅太阳能电池丄作原理与结构太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应一般的半导体主要结构如图1-1:图1-1 半导体主要结构正电荷表示硅原子负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子当硅晶体中掺入其他的杂质如硼、磷等当掺入硼时硅晶体中就会存在着一个空穴它的形成可以参照图1-2o图1-2 P型半导体正电荷表示硅原子负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子黃色表示掺入的硼原子因为硼原子周围只有3个电子所以就会产生如图1-2所示的蓝色的空穴这个空穴因为没有电子而变得很不稳定容易吸收电子而中和形成Ppositive型半导体。
同样掺入磷原子以后因为磷原子有五个电子所以就会有一个电子变得非常活跃形成Nnegative型半导体。
黄色的为磷原子核红色的为多余的电子。
如图1-3所示。
图1-3 '型半导体正电荷表示硅原子负电荷表示圉绕在硅原子旁边的四个电子黃色表示掺入的磷原子当P型和'型半导体结合在一起时在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层界面的P型一侧带负电'型一侧带正电。
这是由于P型半导体多空穴X型半导体多自由电子出现了浓度差。
N区的电子会扩散到PP的“内电场”从而阻止扩区P区的空穴会扩散到N区一旦扩散就形成了一个由N指向散进行如图1-4所示。
达到平衡后就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差这就是P\结。
图1-4内电场的形成当晶片受光后PN结中N型半导体的空穴往P 型区移动而P型区中的电子往X型区移动从而形成从X型区到P型区的电流。
然后在P\结中形成电势差这就形成了电源。
如图1-5所示图1 -5硅太阳电池结构示意图由于半导体结后如果在半导体中流动电阻非常大损耗也就非常不是电的良导体电子在通过pn大。
但如果在上层全部涂上金属阳光就不能通过电流就不能产生因此一般用金属网格覆盖p-n结如图1-6梳状电极以增加入射光的面积。
图1-6梳状电极及SiO2保护膜另外硅表面非常光亮会反射掉大量的太阳光不能被电池利用。
硅材料化学高考知识点近年来，硅材料化学成为高考重要的考点之一。
硅材料化学不仅与日常生活息息相关，还在工业、农业、医疗等领域具有广泛应用。
下面将从硅材料的性质、制备方法、应用以及环境问题等方面深入探讨硅材料化学的高考知识点。
硅材料是指以硅元素为主要成分的材料，最常见的硅材料是硅石（SiO2）。
硅材料具有高熔点、高硬度、高化学稳定性和良好的光学性能等特点。
这些特性使得硅材料成为制造电子器件、太阳能电池、光纤等高端技术产品的理想材料。
在硅材料的制备方法方面，高考常考的有两种制备方法：熔融法和化学气相沉积法（CVD法）。
熔融法是将硅石与碳等材料加热到高温，使硅石发生还原反应生成硅，然后通过冷却结晶得到硅块。
CVD法则是将硅材料的原料气体通过加热使其分解沉积在衬底上形成薄膜。
这两种方法在工业生产中得到了广泛应用。
硅材料的应用与生产领域广泛，其中最常见的是电子器件制造。
硅材料具有半导体特性，可以通过控制杂质的加入和浓度来调节导电性。
这使得硅材料成为制造集成电路、晶体管、存储器件等电子元件的主要材料之一。
此外，硅材料的光学性能也使其成为制造光纤、太阳能电池等产品的重要原料。
虽然硅材料在工业中得到广泛应用，但也面临一些环境问题。
熔融法生产硅块时产生的高温烟气中含有大量的二氧化硅，如果未经处理直接排放到大气中，会形成硅尘污染和酸雨等环境问题。
此外，硅材料的生产还需要大量的能源输入，导致对能源资源的过度消耗。
因此，在硅材料的制备和使用过程中应注重环保和节能措施的应用。
总之，硅材料化学是高考中的重要考点。
了解硅材料的性质、制备方法、应用和环境问题等方面的知识，对于理解和应用硅材料化学具有重要意义。
希望同学们通过深入学习硅材料化学，加深对此领域的理解，为未来的学习和职业发展打下坚实基础。
晶体硅太阳能电池制造工艺原理(一)晶体硅太阳能电池制造工艺引言晶体硅太阳能电池是目前最常见的太阳能电池类型之一，它利用晶体硅的半导体特性将光能转化为电能。
本文将从原理到制造工艺，逐步介绍晶体硅太阳能电池的制造过程。
光伏效应太阳能电池的工作原理基于光伏效应，即在光照的作用下，半导体材料中的能带发生偏移，使得电子从价带跃迁到导带，产生电流。
晶体硅是一种典型的半导体材料，因此被广泛应用于太阳能电池制造。
晶体硅的制备制造晶体硅太阳能电池的第一步是准备合适的晶体硅材料。
常见的制备方法有单晶法和多晶法。
单晶法通过将硅熔体缓慢冷却，使单晶硅逐渐生长；而多晶法则通过快速冷却制得多晶硅，它的晶粒较小，但制备成本较低。
制备电池片1.切割：将制备好的晶体硅材料切割成薄片，常用的切割工具是金刚石线锯。
2.研磨：用化学机械研磨（CMP）工艺对切片进行表面平整化处理，以去除切割时产生的缺陷和污染物。
3.清洗：对研磨后的切片进行清洗处理，去除表面的污染物，提高电池片的质量。
4.获取P型和N型半导体：将切片进行热扩散或离子注入工艺，使得切片的一侧生成P型半导体，另一侧生成N型半导体。
制备电池结构1.沉积透明导电膜：在电池片表面沉积一层透明导电膜，通常使用氧化锡薄膜。
2.沉积抗反射膜：为了提高电池吸收光能的效率，需要在透明导电膜上沉积一层抗反射膜。
常用的抗反射膜材料有二氧化硅等。
3.打开电池片通孔：使用激光或机械刻蚀等方法，在电池片上打开通孔，方便后续电池的连线。
4.沉积金属电极：在电池片的正负电极位置沉积金属电极，常用的金属有铝、银等。
组装与封装1.清洗：清洗电池片和其他组件，确保没有灰尘和污染物。
2.焊接连接：使用焊接技术将电池片与其他元件连接起来，形成电池组。
3.封装：将电池组放入封装材料中，通常使用聚合物材料进行封装，保护电池并提供结构支撑。
总结晶体硅太阳能电池的制造工艺涉及多个步骤，从晶体硅的制备到电池结构的形成，最终完成组装与封装。
硅太阳能电池的工作原理
一、光吸收
硅太阳能电池利用光吸收原理将太阳光转化为电能。
当太阳光照射到硅太阳能电池表面时，光线中的光子与硅材料的原子相互作用，将光能转化为电子-空穴对。
二、能带隙
硅的能带隙约为 1.1eV，这意味着硅只能吸收能量大于或等于1.1eV的光子。
太阳光中能量低于此阈值的光子无法被硅吸收，因此它们穿过太阳能电池，不被转换为电能。
三、光电效应
当高能光子撞击硅原子时，其能量足以使硅原子中的电子从价带跃迁至导带，形成自由电子（电子）和自由空穴（空穴）。
这一过程称为光电效应。
四、载流子收集
一旦在硅太阳能电池中产生电子和空穴，就会在内部电场的作用下被分别推向电池的负极和正极。
电子流过负极，而空穴流过正极。
这样，光生载流子在电池内部形成电流。
五、串联结构
硅太阳能电池通常以串联方式连接，以提高输出电压。
每个太阳能电池都产生一定的电压，串联连接将这些电压相加，以产生更高的总输出电压。
串联结构还可以增加电池组的电流容量，使其能够提供更大的电力输出。
总结：硅太阳能电池通过光吸收将太阳光转换为电能，利用能带隙选择性地吸收特定能量的光子，产生自由电子和空穴。
这些载流子在内部电场的作用下被收集并形成电流。
太阳能电池通过串联连接以提高输出电压和电流容量。
硅材料（考试）第一章1.原子密度：2.硅在300K 时的晶格常数a 为5.43?。
请计算出每立方厘米体积中的硅原子数及常温下的硅原子密度。
解：每个晶胞中有8个原子，晶胞体积为a3，每个原子所占的空间体积为a3/8，因此每立方厘米体积中的硅原子数为：8/a3=8/(5.43×108)3=5×1022（个原子/cm3）密度=每立方厘米中的原子数×每摩尔原子质量/阿伏伽德罗常数=5×1022×28.09/(6.02×1023)g/cm3=2.33g/cm32.晶体内部的空隙：假使硅晶胞中的原子像圆球一样处在一体心立方晶格中，并使中心圆球与立方体八个角落的圆球紧密接触，试计算出这些圆球占此体心立方晶胞的空间比率。
圆球半径定义为晶体中最小原子间距的一半，即。
3.体心立方堆积：假使将圆球放入一体心立方晶格中，并使中心圆球与立方体八个角落的圆球紧密接触，试计算出这些圆球占此体心立方单胞的空间比率。
解：每单胞中的圆球(原子)数为＝(1/8)×8(角落)+1(中心)＝2；相邻两原子距离[沿图中立方体的对角线]=；每个圆球半径=；每个圆球体积= ；单胞中所能填的最大空间比率=圆球数×每个圆球体积/每个单胞总体积=因此整个体心立方单胞有68%为圆球所占据，32%的体积是空的。
4.硅的基本性质：属于元素周期表第三周期IV4族，原子序数14，原子量28.085 。
有无定形硅和晶体两种同素异形体。
硅原子的电子排布为1s22s22p63s23p2, 原子价主要为 4价，其次为2价，因而硅的化合物有二价化合物和四价化合物两种，四价化合物比较稳定。
熔点1420℃5.所谓硅的化学提纯是:1.将硅用化学方法转化为中间化合物，2.再将中间化合物提纯至所需的纯度，3.然后再还原成高纯硅。
6.固体能带理论的两个近似，并简要说明之1．绝热近似：由于原子实的质量是电子质量的103～105倍，所以原子实的运动要比价电子的运动缓慢得多，于是可以忽略原子实的运动，把问题简化为n 个价电子在N 个固定不动的周期排列的原子实的势场中运动，即把多体问题简化为多电子问题。
硅光电池原理硅光电池是利用半导体材料的光电转换原理制成的太阳能电池，其主要成分是纯度高达99.999%的硅晶体。
硅晶体在受到光照下会产生能量传导的效应，从而转换为电流输出。
硅光电池的结构由p型和n型硅组成的p-n结构的太阳能电池。
p型硅和n型硅的本征半导体浓度不同，故在两种材料接触的地方形成一个pn结。
在这个结点区域中，p区的材料富余正离子，n区的材料富余负离子。
当硅光电池受到光照后，光子的能量会使得硅中的电子受激发而离开原来的位置，从而产生了电子空穴对。
在p-n结区域，受光子激发的电子在电场力的作用下会向n型硅离开p-n结，空穴反之。
这样，p-n结上面的电子和空穴的流动形成了一个电池的正负极，产生了电流和电压输出。
这种构成的太阳能电池是硅太阳能电池。
硅光电池中的输出功率密度是指在单位面积上输出电能的能量。
这个值可以通过将硅光电池的输出电压和输出电流相乘来获得。
硅光电池的输出功率密度与光电转换效率和太阳能电池的面积有关。
提高硅光电池的输出功率密度需要提高其光电转换效率或扩大太阳能电池的面积。
硅光电池是利用半导体材料的光电转换原理制成的太阳能电池。
硅光电池的机理是通过在p-n结区域中产生电子-空穴对，使得硅太阳能电池可以产生电流和电压输出。
硅光电池的光电转换效率和输出功率密度是两个关键性能指标，这些指标取决于许多因素，包括光照强度，温度和制造工艺等。
硅光电池是当前最为广泛应用的太阳能电池，其广泛应用是因为硅材料的独特性能。
硅材料的晶体结构为直接半导体，具有很好的光谱响应特性，同时还具有优良的电特性和化学稳定性。
与其他太阳能电池相比，硅光电池有许多优势，包括成本低廉、长期稳定性好、可靠性高以及容易大规模生产等。
硅光电池是目前最主要的太阳能电池之一，已经在许多国家和地区被广泛应用于太阳能发电场、太阳能家电和太阳能充电器等领域。
硅光电池的性能因素主要包括硅材料的质量、太阳辐射、温度、制造工艺和光谱响应等因素。
1.下列关于硅的说法不正确的是（）A.硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体B.硅的导电性能介于金属与绝缘体之间，是良好的半导体材料C.硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应D.加热到一定温度时，硅能与氢气、氧气等非金属发生反应2.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是（）A.弗伦克尔缺陷B.肖特基缺陷C.位错D.层错3.关于光生伏特效应叙述中错误的是（）A.用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结；B.p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；C.非平衡载流子不破坏原来的热平衡；D.非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；4.其中不属于多晶硅的生产方法的是（）A.SiCl4法B.硅烷法C.直拉法D.西门子改良法5.下列说法错误的是（）A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减D.增大坩埚内径与晶体直径的比值6. 硅材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压UD是（）A．0.2V B．0.7V C．-0.2V D．-0.7V7.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？（）①籽晶熔接②引晶和缩颈③等径生长④收晶A.①②B.①②③④C.②③④D.③④8.半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A.①②④B.①②③④C.②③④D.③④9.硅片制备主要工艺流程是（）A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包10.下列说法错误的是（）A.通常，在不影响PN结特性的前提下，扩散温度选择低些，可以缩短扩散时间，有利于生产B.晶棒切割主要通过使用内圆切割、外圆切割、多线切割等方式进行切割C.直拉法生长单晶硅拉晶过程：籽晶熔接、引晶和缩颈、放肩、等径生长、收晶D.缩颈的主要目的：缩颈是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分参考答案:CDCCABBDAA。
硅材料制备技术基础知识单选题100道及答案解析1. 硅材料制备过程中，常用的提纯方法是（）A. 化学气相沉积B. 区域熔炼C. 电解精炼D. 萃取答案：B解析：区域熔炼是硅材料制备中常用的提纯方法。
2. 以下哪种原料常用于硅材料的制备（）A. 石英砂B. 碳酸钙C. 碳酸钠D. 氯化钠答案：A解析：石英砂是制备硅材料的常见原料。
3. 在硅的晶体生长中，直拉法的关键步骤是（）A. 引晶B. 缩颈C. 放肩D. 等径生长答案：A解析：引晶是直拉法晶体生长的关键起始步骤。
4. 硅材料的电阻率主要取决于（）A. 杂质浓度B. 晶体结构C. 温度D. 压力答案：A解析：杂质浓度对硅材料的电阻率起着决定性作用。
5. 制备硅单晶时，所用坩埚的材料通常是（）A. 石英B. 石墨C. 陶瓷D. 不锈钢答案：B解析：石墨坩埚常用于硅单晶的制备。
6. 硅材料的禁带宽度约为（）A. 0.67 eVB. 1.12 eVC. 2.0 eVD. 3.0 eV答案：B解析：硅材料的禁带宽度约为 1.12 eV。
7. 硅的原子序数是（）A. 12B. 14C. 16D. 18答案：B解析：硅的原子序数是14。
8. 以下哪种不是硅材料的常见应用（）A. 集成电路B. 玻璃制造C. 太阳能电池D. 半导体器件答案：B解析：玻璃制造通常不用硅材料，硅主要用于集成电路、太阳能电池和半导体器件等。
9. 硅的熔点约为（）A. 1083℃B. 1410℃C. 1728℃D. 2355℃答案：B解析：硅的熔点约为1410℃。
10. 在硅材料制备中，用于检测杂质含量的仪器是（）A. 分光光度计B. 质谱仪C. 原子吸收光谱仪D. 红外光谱仪答案：C解析：原子吸收光谱仪常用于检测杂质含量。
11. 硅材料的导电机理主要是（）A. 电子导电B. 空穴导电C. 电子和空穴导电D. 离子导电答案：C解析：硅材料中电子和空穴都参与导电。
12. 硅单晶生长过程中，控制晶体直径的方法是（）A. 控制温度B. 控制提拉速度C. 控制坩埚转速D. 控制保护气体流量答案：B解析：通过控制提拉速度来调节晶体直径。
硅材料电池原理及制造考试知识点Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】2、举例说明晶体缺陷主要类型。
晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷点缺陷：弗伦克尔缺陷、肖特基缺陷线缺陷：位错(棱位错、刃位错、螺旋位错)面缺陷：层错（外延层错、热氧化层错）4、简述光生伏特效应。
1）用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结；2）p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；3）非平衡载流子破坏原来的热平衡；4）非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；5）若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。
5、简述硅太阳能电池工作原理。
当拥有等于或者大于硅材料禁带宽度的光子照射到硅材料上，在价带上的电子吸收这个光子的能量，跃迁到导带上，并且在价带上留下一个空穴。
即是在禁带两端产生了电子—空穴对。
而硅电池本身即为一个PN结，产生的电子—空穴对即是注入的非平衡载流子，在内建电场的作用下，非平衡载流子分离，产生电流并在在整个硅电池两端形成电压。
6、如何从石英砂制取硅简要框图说明从石英到单晶硅的工艺。
工业硅制备原理：多晶硅生产工艺：法、硅烷法、流化床法、改良西门子法（、、）单晶硅的生长7、简述半导体硅中的杂质对其性能的影响.本征半导体 Si、Ge等的四个价电子，与另四个原子构成四个共价键，当掺入少量的五价原子（如P、As）时，就形成了n型半导体，由量子力学知识可知，这种掺杂后多余的电子的能级在禁带中紧靠空带处，DED～10-2eV，极易形成电子导电。
则半导体中的电子变为主要载流子，在室温下，除了本征激发之外还受到杂质电离的影响，载流子浓度增加，使半导体的电导率上升；而当掺入的杂质为三价原子时（如B、Ga、In等），多余的空穴的能级在禁带中紧靠满带处，DED～10-2eV，极易形成空穴导电，空穴为其主要载流子，与N型材料类似的，在室温下，由于杂志电离效果的存在，掺杂后的半导体硅的载流子浓度增大，电导率增大。
8、以P掺入Si为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和N型半导体。
P掺入Si，其中施主杂志是P原子。
掺杂过程中，一个磷原子占据了一个硅原子的位置，并与周围的四个硅原子，还剩余一个价电子。
同时磷原子所在的位置也多余了一个正电荷，此处即为正电中心，多余的电子在电离前就被束缚在这个正电中心的周围。
但是，这种束缚相对于共价键来说仍是微弱的，少量的能量就能使该电子从被束缚的状态变为自由电子，其过程被称为杂志电离。
正因为杂志电离需要的能量远低于从共价键中解放一个电子的能量，常温下，由于电离产生了大量的自由电子，把此类主要依靠电子导电（主要载流子为电子）的半导体称为N型半导体。
9、以B掺入Si为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和P型半导体B掺入Si，其中施主杂志是P原子。
掺杂过程中，一个硼原子占据了一个硅原子的位置，并与周围的四个硅原子，还缺少一个电子，必须从别处的硅原子中夺取一个价电子。
而在硼接受了这一个电子后，其整体带上了一个单位的负电荷，成为一个负电中心。
被夺走价电子而产生的空穴由于静电力的作用而被束缚在负电中心周围。
但是，这种束缚仍是微弱的，少量的能量就能使该该空穴从被束缚的状态变为自由载流子，其过程被称为杂志电离。
常温下，由于电离产生了大量的空穴，把此类主要依靠空穴导电（主要载流子为空穴）的半导体称为P型半导体。
10、解释平衡载流子和非平衡载流子并举例说明。
平衡载流子是指在PN结中只存在本征激发而产生的载流子，在这样的情况之下，PN结两端拥有统一的费米能级，此时平衡载流子浓度n0和p0唯一由EF 决定。
平衡态非简并半导体的n0和p0乘积为：，称为非简并半导体平衡态判据式。
但是半导体的平衡态条件并不总能成立，如果某些外界因素作用于平衡态半导体上，例如一定温度下用光子能量hγ≥Eg的光照射n型半导体，这时平衡态条件被破坏，样品就处于偏离平衡态的状态，称作非平衡态。
光照前半导体中电子和空穴浓度分别是n0和p0，并且n0>>p0。
光照后的非平衡态半导体中电子浓度n=n0+Δn ，空穴浓度p=p0+Δp，并且Δn=Δp，比平衡态多出来的这部分载流子Δn和Δp就称为非平衡载流子。
n型半导体中称Δn为非平衡多子，Δp为非平衡少子。
1、如何控制直拉法生长单晶硅的电阻率均匀性控制直拉法生长的单晶硅的电阻率均匀性分为控制其纵向电阻率的均匀性和径向电阻的均匀性：纵向电阻率均匀性的控制：变速拉晶（分别从分凝作用和蒸发作用考虑）、稀释溶质（双坩埚及连续送料CZ技术）横向电阻率均匀性的控制：调平固液界面2、Cz硅单晶生长工艺中影响纵向电阻率均匀性主要因素有哪些如何改善（含原理）。
对于直拉单晶的电阻率的主要影响因素有杂质的分凝、蒸发、沾污等。
对于K<1的杂质，分凝会使单晶尾部电阻率降低（分凝系数小于一，使杂质浓度在分凝过程中不断增大）；而当K>1时，单晶尾部的电阻率升高（分凝系数大于一，使杂质浓度在分凝过程中不断减少）。
坩埚的污染（引入P型杂质）会使N型单晶尾部的电阻率增高，使P型单晶尾部电阻率减小。
改善方法：1）变速拉晶法：Cs=KCl是基本原理，实际上K应该为Keff，其随着转速f的增加而增大。
通过速度f的改变可以调节晶体的电阻率。
2）双坩埚法（连通坩埚法、浮置坩埚法）：针对K<1的杂质情况，拉晶过程中在内坩埚熔体减少时外坩埚的熔体补充进来，使熔体杂质浓度的增加减缓，使长成的晶体的电阻率比较均匀。
3、影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素及改善措施。
控制直拉法生长的单晶硅的电阻率均匀性分为控制其纵向电阻率的均匀性和径向电阻的均匀性：纵向电阻率均匀性的控制：变速拉晶（分别从分凝作用和蒸发作用考虑）、稀释溶质（双坩埚及连续送料CZ技术）横向电阻率均匀性的控制：调平固液界面4、800g高纯多晶硅拉制电阻率为20～50Ω?cm的N型硅单晶，试拉单晶为P 型，头部电阻率为250Ω?cm，应掺入多少电阻率为8×10-3Ω?cm的P-Si合金已知：坩埚直径13cm，从熔化到放肩约为1小时，由ρ-N图得到8×10-3Ω?cm对应浓度为7×1018cm-3，E磷=10-3cm，K磷=，K硼=，d硅 = ?cm-3。
Cl1=Cs1/K硼=5×1013÷=×1013cm-3Cl2=Cs2/K磷=1×1014÷=×1014cm-3试拉为P型，而拉制的要求为N型，所以：Cl=Cl1+Cl2=×1014cm-3考虑到蒸发问题：Cl0=Clxexp(-EAt/V)=×1014cm-3则合金的量为：M合金=W硅Cl0/Cm≈×10-2g5、从形态、质量、能耗、大小、晶体形状及电池效率对比直拉单晶硅和铸造多晶硅的性质。
在形态上，直拉单晶硅形状一般为圆柱形，而铸造多晶硅一般铸造成硅锭，为方形。
在质量上由于单晶的工艺要求较高，其纯度一般要求在六个九以上；而相对的，铸造多晶硅的纯度要求相对较低。
在能耗上，单晶由于有拉晶的过程，相对能耗远大于铸造多晶硅。
而在晶体形状上，单晶硅的形状比较规则，其中晶体的缺陷明显较少，而多晶硅只满足短程有序，其形状规则性较差。
而在制造成的电池片效率上看，单晶的效率明优于多晶硅，单晶电池片的转化效率一般能超过百分之二十，而多晶在百分之十几。
6、简述多晶硅的铸造原理及工艺。
多晶硅的生产方法主要包含：SiCl4法、硅烷法、流化床法、西门子改良法而太阳能级多晶硅还包含以下方法生产：冶金法、气液沉淀法、重掺硅废料提纯法多晶硅的提纯一般来自于工业硅，其原理工艺如下：生成三氯氢硅：Si(s)+3HCl(g)àSiHCl3(g)+H2+Q提纯三氯氢硅：萃取法、络合物法、固体吸附法、部分水解法、精馏法通过氢气还原三氯氢硅生成高纯度硅、铸锭7、晶体生长中调平固液界面的目的是什么有哪些主要方法目的：当拉晶是固液界面并不平坦，对于分凝系数不为1的杂质而言，会导致产生的单晶硅的径向电阻率有较大的不均匀性。
方法：1、调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度减小2、调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦。
3、调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减4、增大坩埚内径与晶体直径的比值8、直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段缩颈的主要目的是什么主要阶段：籽晶熔接、引晶和缩颈、放肩、等径生长、收晶缩颈的主要目的：缩颈是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分。
其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。
9、解释晶体硅中缺陷和深能级杂质对电池效率的影响。
晶体硅中存在缺陷后，会在硅晶体能带的禁带中引入缺陷能级，形成一定的复合中心，减少电池中的载流子浓度，从一定角度上降低电池的效率。
而深能级杂质的电离能较大，主要起到了复合中心和陷阱的作用，会将载流子进行复合和束缚，同样存在一定的降低载流子浓度的作用，从一定程度上会降低电池的效率。
1、画出硅太阳能电池制造工艺流程简要方框图。
硅片加工→化学清洗和抛光→涂源扩散→真空蒸镀制备上电极→化学镀镍制备下电极→边缘腐蚀→中间测试分档→引线浸锡→蒸镀反射膜→总测分类2、框图简要说明硅片制备主要工艺流程。
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包3、说明晶棒切割的主要方式及特点。
晶棒切割主要通过使用内圆切割、外圆切割、多线切割等方式进行切割。
无论是内圆切割方式还是外圆切割方式，受制于刀片的厚度，对于硅料的使用率和本身硅片的厚度都有很强的局限性。
而相对较新的多线切割在材料的利用和硅片厚度上明显较为出色。
多线切割由于使用细钢丝替换刀片，使得材料的利用率大大上升，同时也能大大降低硅片的厚度。
4、为什么要消除硅片加工时产生的表面损伤层简要说明消除步骤及特点。
在切割、研磨和抛光过程中，会带来表面损伤层。
尤其在切割和研磨过程中表面形成一个晶格高度扭曲层和一个较深的弹性变形层。
退货或者扩散加热时，弹性应力消失，产生高密度位错层。
如此引进的二次缺陷比单晶生长时引进的多得多，从而产生无穷多的载流子复合中心，使光生载流子的寿命大大降低，无法被内建电场分离。
化学抛光：使用“OP4”腐蚀液分两次抛光硅片，总时间3~5分钟，抛光后用王水或者酸性双氧水清除残存离子型杂质和原子型杂质。
化学抛光只能去除一定限度的表面损伤层。
化学机械抛光：氧化铬抛光：速度快，工艺较易掌握，但抛光损伤层较厚硅胶化学机械抛光：利用二氧化硅胶体或者近胶体状溶液进行抛光，是抛光损伤层最小的一种方法。
