半导体器件 专利撰写

专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：不公告发明人
申请号：CN201811051364.7申请日：20180910
公开号：CN110890421A
公开日：
20200317
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种半导体器件，衬底中形成有定义出有源区的沟槽隔离结构，所述衬底上形成有栅电极，所述栅电极位于所述有源区上并延伸至所述沟槽隔离结构，所述栅电极在所述有源区及所述沟槽隔离结构的交界处具有凸出部，以使所述栅电极在所述交界处的横向宽度尺寸大于所述栅电极位于所述有源区中心区域上的横向宽度尺寸，进而增加了所述交界处的沟道区域的长度，降低了导通电流，能够抑制沟槽隔离结构俘获电子所带来的效应，从而提升器件的性能，且所述凸出部的横向宽度尺寸从所述交界处往所述有源区中心的方向逐渐减小，在增加所述交界处的沟道区域的长度的同时，导通电流不至于下降的太多，从而对器件的导通性能影响较小。

申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：渡边厚司,多良胜司,日高贤一申请号：CN200410055996.2
申请日：20040804
公开号：CN1581484A
公开日：
20050216
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种小型半导体器件，成本低，具有高集成度，且抑制由金线的寄生电感分量造成的电路的插入损耗的增加和隔离特性的下降。

半导体器件包括：对开关电路半导体芯片(111)的高频信号处理进行控制的控制用半导体芯片(110)；搭载在控制用半导体芯片(110)上，对高频信号进行处理的开关电路半导体芯片(111)；搭载了控制用半导体芯片(110)的基板(410)；作为与外部的接口的外部端子(113)；将控制用半导体芯片(110)、开关电路半导体芯片(111)和外部端子(113)之间连接的金线(210)；以及形成于控制用半导体芯片(110)上和基板(410)内部，用于对高频信号进行处理的MIM电容器(120、430)。

申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：胡建新
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：佐野聪明,石井智之,龟代典史,峰利之申请号：CN200610108919.8
申请日：20060728
公开号：CN1933178A
公开日：
20070321
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件，在增益单元结构的存储单元中，能实现稳定的读出动作。

本发明的半导体器件包括写入晶体管(Qw)，其具有：形成在绝缘层(6)上的源极(2)和漏极(3)；沟道(4)，由半导体构成，形成在绝缘层(6)上、并形成在源极(2)和漏极(3)之间；以及栅极(1)，形成在绝缘层(6)的上部、并形成在源极(2)和漏极(3)之间，与沟道(4)隔着栅极绝缘膜(5)而电绝缘，并控制沟道(4)的电位。

沟道(4)在源极(2)和漏极(3)的侧面将源极(2)和漏极(3)电连接。

申请人：株式会社瑞萨科技
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：季向冈
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专利名称：半导体器件专利类型：发明专利
发明人：芦田勉
申请号：CN99125004.4申请日：19991030
公开号：CN1253380A 公开日：
20000517
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：形成交错嵌入不同导电型的N沟道晶体管A与P沟道晶体管B的存储器单元。

通过共用N沟道晶体管A的沟道部分与P沟道晶体管B的P型漏区7a,同时共用P沟道晶体管B的沟道部分与N沟道晶体管A的N型源区5b,进行高集成化。

使相邻的P型漏区7a和N型源区5b的接合部位经常保持反向偏置,隔离P型漏区7a和N型源区5b。

由此,可使晶体管的各元件间的隔离区最小,可提供实现小型化和高集成化的半导体器件。

申请人：夏普公司
地址：日本大阪市
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：宇野友彰,女屋佳隆,加藤浩一,工藤良太郎,七种耕治申请号：CN201210308191.9
申请日：20120824
公开号：CN102956619A
公开日：
20130306
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明的实施例涉及半导体器件。

在可靠性上改进一种半导体器件。

在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。

在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。

金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。

用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。

在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。

申请人：瑞萨电子株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
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专利名称：半导体器件专利类型：发明专利
发明人：芦田勉
申请号：CN96107654.2申请日：19960607
公开号：CN1156335A 公开日：
19970806
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件，它包括：一个具有一个半导体衬底、在其一个表面上形成的一层绝缘膜、一层场氧化膜及各个压焊区的半导体芯片；分别形成于各个压焊区上的凸点；键合到该半导体芯片上的内引线；在各压焊区与该半导体芯片边缘之间的凹槽内形成的一个金属互连层；以及分别在每个压焊区与该金属互连层之间和该金属互连层与芯片边缘之间形成的一对虚设电极。

申请人：夏普公司
地址：日本大阪市
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：池田昌弘
申请号：CN201410442827.8申请日：20140902
公开号：CN104425619A
公开日：
20150318
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括具有掩埋栅电极的微制造晶体管。

在该半导体器件中，栅电极形成在衬底上，在与器件形成区的第一边平行的方向上延伸。

栅电极跨器件形成区定位。

多个掩埋栅电极掩埋在衬底的器件形成区中，并且在平面图上，栅电极与它们部分重叠。

掩埋栅电极相对于器件形成区的第一边倾斜地延伸并且彼此平行。

在各个掩埋栅电极中，与第一边相对的第一端部和与器件形成区的第二端部相对的第二端部都平行于第一边。

申请人：瑞萨电子株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：芳村淳,小牟田直幸,沼田英夫申请号：CN200510070829.X
申请日：20050519
公开号：CN1700467A
公开日：
20051123
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件，其特征在于，具备：具有电极部的基板；第1半导体元件，具有通过第1键合引线连接在所述电极部上的第1电极焊盘，并且粘接在所述基板上；以及第2半导体元件，具有通过第2键合引线连接在所述电极部上的第2电极焊盘，并且用由同一材料形成且弹性率不同的2层结构的粘接剂层粘接到所述第1半导体元件上。

申请人：株式会社东芝
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：长田健一,竹村理一郎,高浦则克,松崎望,河原尊之申请号：CN200910151383.1
申请日：20050218
公开号：CN101587746A
公开日：
20091125
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种半导体器件，具有多个存储单元、中央处理单元、计测RESET时间的定时器电路、计测SET时间的定时器电路，通过使存储单元中使用的NMOS晶体管的阈值电压比外围电路低，容易地进行复位动作。

该半导体器件的特征在于：改变在RESET和SET中流过的电流的方向，通过高速驱动位线，防止错误动作。

使用最小尺寸的CMOS晶体管，以核心电压(例如1.2V)使相变元件工作时，因为CMOS晶体管的偏移，所以误写入、数据破坏成为问题。

根据本发明，能以最小尺寸的单元晶体管实现低电压下的稳定工作。

申请人：株式会社瑞萨科技
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：岩濑铁平,登一博,户村善广,中村浩二郎,熊泽谦太郎申请号：CN200910129661.3
申请日：20090319
公开号：CN101840894A
公开日：
20100922
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明的目的在于在将多块半导体芯片配置于电路基板的两个表面并使其接合的两面安装结构的半导体器件中，实现一种能降低作用于芯片和密封树脂间的负荷、使它们不会剥离的所希望的结构。

在安装于电路基板上表面的半导体芯片(31)和安装于下表面的半导体芯片(32)重合的区域中，在电路基板的表面形成凹部(21)(或凸部22)。

申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：张鑫
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：江间泰示,安田真,水谷和宏申请号：CN201610182618.3
申请日：20160328
公开号：CN106024793A
公开日：
20161012
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种包括存储区域和逻辑区域的半导体器件。

存储区域包括通过将电荷累积到侧壁绝缘膜中来存储信息的晶体管(存储晶体管)。

使存储区域中包括的存储晶体管的侧壁绝缘膜的宽度大于逻辑区域中包括的晶体管(逻辑晶体管)的侧壁绝缘膜的宽度。

利用本发明，可以实现作为存储晶体管的展现出优良编程速度的晶体管和包括这种晶体管的半导体器件。

申请人：三重富士通半导体股份有限公司
地址：日本三重县
国籍：JP
代理机构：隆天知识产权代理有限公司
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：安村文次,土屋文男,伊东久范,井手琢二,川边直树,佐藤齐尚
申请号：CN201010176519.7
申请日：20100510
公开号：CN101894816A
公开日：
20101124
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：提供了一种可以防止半导体器件的最上层中的保护膜断裂以及改进半导体器件可靠性的技术。

在半导体芯片的主表面上方形成的键合焊盘为四边形形状，并且按照以下方式在每个键合焊盘上方的保护膜中形成开口，即，每个键合焊盘的接线键合区域中的保护膜交叠宽度变得宽于每个键合焊盘的探针区域中的保护膜交叠宽度。

申请人：瑞萨电子株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：菅野雄介,水野弘之,阪田健,渡部隆夫申请号：CN00816937.3
申请日：20001221
公开号：CN1409895A
公开日：
20030409
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：具备本发明的电平变换电路的半导体器件，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分，和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。

升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。

此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。

再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。

申请人：株式会社日立制作所
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
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专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：黑井隆,山下朋弘,堀田胜之申请号：CN03123822.X
申请日：20030516
公开号：CN1482664A
公开日：
20040317
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明的是，同时消除空隙产生、掺杂的绝缘体中的杂质向半导体衬底等扩散以及由氮化硅膜引起的栅绝缘膜变薄这些与元件隔离有关的问题。

在沟槽2内，在掺杂的氧化硅膜31D与衬底1之间配置氮氧化物膜310N1和氧化硅膜3101，在比掺杂的氧化硅膜31D更靠沟槽2的开口入口侧配置氧化硅膜3102。

借助于利用氧化硅膜3101的氮化处理形成氮氧化物膜310N1。

沟槽2的开口入口附近被氧化硅膜3101、3102和氮氧化硅膜310N1占据。

申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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半导体专利申请范文
结构要求清晰
摘要
本文论述了半导体专利申请的情况。

首先对半导体技术进行了介绍，详细阐述了其历史发展历程、技术原理及其应用域，以及它与电子信息技术的关系。

接着，介绍了半导体专利申请的法律依据、流程步骤及相关文件的编制，以及一些细节要求，如实用新型的可行性性能验证等。

最后，概括性地介绍了相关专利权的行使和保护，以及一些注意事项。

Introduction
半导体是电子信息技术的基础，在当今现代社会中发挥着越来越重要的作用。

半导体专利申请是利用半导体技术获取专利权，以确保产品对本人等的发明创造或商业经营的独占性、创新性和实用性能，具有十分重要的意义。

本文对半导体专利申请的法律依据、流程步骤、文件编制、实用新型的可行性性能验证以及相关专利权的行使和保护等方面进行了详细的介绍。

History and Princip eof Semiconductors
半导体是指介于导体与绝缘体之间的一种材料，其导电性能与电子流动的特性之间具有其中一种可调节的可变性，从而可以实现信号的放大、检测、调节、调制以及转换等功能。

自20世纪50年代，电子信息技术的发展壮大，其中半导体技术的作用也逐渐显现出来。

半导体技术是基于导体、半导体和绝缘体材料的特性的，它们通过电学、光学、热学等物理。