N+
p
P+
N+ P+
N+
双极集成电路工艺
• 接触孔光刻
N+
p
P+
N+ P+
N+
双极集成电路工艺
• 金属连线
N+
p
N+
P+
P+
N+
集成电路制造环境
• 超净厂房 无尘、恒温、恒湿
• 超净水 • 超净气体
常用气体(N2、O2、H2)纯度>99.9999% 颗粒控制严 0.5/L • 超净化学药品 纯度、颗粒控制
电流
IDS
门延迟 T
缩小因子
1/λ 1/k λ2/k λ/k λ/k2 k/ λ2
恒电场和恒电压缩小
参数
变量
恒电场
几何尺寸 W, L, tox, xj 1/λ
电压
VDS,VGS
1/λ
掺杂浓度 NA, ND
λ
电场
E
1
电流
IDS
1/ λ
门延迟 T
1/ λ
恒电压 1/ λ 1 λ2 λ λ 1/λ2
双极型晶体管的等比例缩小
工艺整合
• 双极集成电路 *数字双极集成电路-高速 *模拟双极集成电路-精度(含电容,pnp)
• CMOS集成电路 *数字逻辑,存储器CMOS *数字模拟混合CMOS
• BiCMOS集成电路 • 高压功率MOS • BCD集成电路
双极集成电路工艺
• 埋层光刻
P (111) Sub 10-20-cm
• 发射极条宽
k
• 基区掺杂浓度
k1.6