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5 放大电路的频率响应自我检测题一．选择和填空1． 放大电路对高频信号的放大倍数下降，主要是因为C 的影响；低频时放大倍数下降， 主要是因为A的影响。
(A. 耦合电容和旁路电容； B. 晶体管的非线性；C. 晶体管的极间电容和分布电容 )2．共射放大电路中当输入信号频率为f L 、f H 时，电路放大倍数的幅值约下降为中频时的A；或者说是下降了DdB ；此时与中频相比， 放大倍数的附加相移约为 G度。
(A. 0.7 ，B. 0.5 ，C. 0.9) ； (D. 3dB ，E. 5dB ，F. 7dB)； (G. -45°， H. -90 °， I. -180 ° )3． 某放大电路 &3 所示。
由图可见，该电路的中频电 | A v |的对数幅频响应如图选择题& ； 上限频率 f H = 10 8 Hz ； 下限频率 f L = 102Hz ； 压增益 | A vM | =1000当 ff H 时电路的实际增益 =57dB ；当 ff L 时电路的实际增益 =57dB 。
20lg A v / dB80 +20dB/ 十倍频程-20dB/ 十倍频程60 40 2011021041061081010 f / Hz图选择题 34． 若放大电路存在频率失真，则当v i 为正弦波时， v o D。
（ A. 会产生线性失真B. 为非正弦波C.会产生非线性失真D. 为正弦波）D。
（ A. 输5． 放大电路如图选择题 5 所示，其中电容Ｃ１增大，则导致入电阻增大B. 输出电阻增大C.工作点升高D.下限频率降低）?+V CCR 1R 2C 1???RLv s _R 3v o? _?图选择题 5二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．改用特征频率 f T 高的晶体管， 可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。
（ √ ）2．增大分布电容的容量，可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。
第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dBB.4dBC.5dB（4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，oU 与i U 相位关系是 。
A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝ f H 时，oU 与i U 的相位关系是 。
A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚ 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C二、电路如图T5.2所示。
已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，'bb r ＝100Ω, β0＝80。
试求解：（1）中频电压放大倍数smu A ； （2）'πC ；（3）f H 和f L ；（4）画出波特图。
图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算：∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ（2）估算'πC ：pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。
模拟电路实验参考答案模拟电路实验参考答案在学习模拟电路实验的过程中，我们常常会遇到一些难题，需要参考答案来帮助我们解决问题。
本文将为大家提供一些常见模拟电路实验的参考答案，希望能够帮助大家更好地理解和掌握相关知识。
一、直流电路实验1. 题目：给定一个电路，其中包括一个电源、一个电阻和一个电流表，请计算电路中的电流大小。
答案：根据欧姆定律，电流大小等于电源电压除以电阻大小。
因此，可以通过测量电源电压和电阻大小来计算电流大小。
2. 题目：给定一个电路，其中包括一个电源、两个电阻和一个电压表，请计算电路中的总电阻和总电压。
答案：总电阻等于两个电阻的串联电阻之和；总电压等于电源电压。
二、交流电路实验1. 题目：给定一个交流电路，其中包括一个电源、一个电感和一个电容，请计算电路中的电感电流和电容电流。
答案：电感电流与电感的电压成正比，与电压频率成反比；电容电流与电容的电压成正比，与电压频率成正比。
2. 题目：给定一个交流电路，其中包括一个电源、一个电阻和一个电容，请计算电路中的电压相位差。
答案：电压相位差等于电阻电压与电容电压之间的相位差。
可以通过测量电阻电压和电容电压的相位差来计算。
三、放大电路实验1. 题目：给定一个放大电路，其中包括一个输入信号源、一个放大器和一个输出信号源，请计算放大器的放大倍数。
答案：放大倍数等于输出信号的幅值除以输入信号的幅值。
可以通过测量输出信号和输入信号的幅值来计算。
2. 题目：给定一个放大电路，其中包括一个输入信号源、一个放大器和一个输出信号源，请计算放大器的频率响应。
答案：频率响应描述了放大器对不同频率输入信号的响应程度。
可以通过测量输入信号和输出信号的频率来计算频率响应。
总结：通过以上的参考答案，我们可以更好地理解和掌握模拟电路实验中的各种问题和计算方法。
在实践中，我们还可以根据具体实验的要求和条件进行一些变化和扩展，以进一步提高我们的实验能力和理解能力。
希望本文的参考答案能够对大家有所帮助，祝愿大家在模拟电路实验中取得好成绩！。
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
第五章 放大电路的频率响应5.1具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截止频率处,幅值下降[ ]A. 3dBB. 6dBC. 10dBD. 20dB5.2在出现频率失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 [ ] A. 正弦波 B. 三角波 C. 矩形波 D. 方波5.3 多级放大电路放大倍数的波特图是 [ ] A. 各级波特图的叠加 B. 各级波特图的乘积C. 各级波特图中通频带最窄者D. 各级波特图中通频带最宽者 5.4 当输入信号频率为f L 或f H 时，放大倍数的幅值约为中频时的 [ ]倍。
A.0.7 B.0.5 C.0.9 D.0.15.5 在阻容耦合放大器中，下列哪种方法能够降低放大器的下限频率？[ ]A ．增大耦合电容B ．减小耦合电容C ．选用极间电容小的晶体管D ．选用极间电容大的晶体管5.6 当我们将两个带宽均为BW 的放大器级联后，级联放大器的带宽 [ ] A 小于BW B 等于BW C 大于BW D 不能确定 5.7 填空：已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为6100010(1)(1)1010u fjA f f j j =++ （式中f 单位：Hz ）表明其下限频率为 ，上限频率为 ，中频电压增益为 dB ，输出电压与输入电压在中频段的相位差为 。
5.8 选择正确的答案填空。
幅度失真和相位失真统称为 失真(a.交越b.频率)，它属于 失真(a.线性b.非线性)，在出现这类失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 波(a.正弦b.非正弦)，若u i 为非正弦波，则u o 与u i 的频率成分 (a.相同b.不同)。
饱和失真、截止失真、交越失真都属于 失真(a.线性b.非线性)，在出现这类失真时，若u i为非正弦波，则u o为波(a.正弦b.非正弦)，u o与u i的频率成分(a.相同b.不同)。
5.9 选择正确的答案填空。
晶体管主要频率参数之间的关系是。
a.f a<fβ<f Tb.f T<fβ<f ac.f a<f T <fβd.fβ<f T <f ae.fβ<f a <f T5.10 选择正确的答案填空。
习题4-1．晶体管放大电路在高频信号下电压放大倍数的数值下降的原因是什么？而低频信号下电压放大倍数的数值下降的原因是什么？高频信号下电压放大倍数的数值下降的原因是晶体管极间电容和分布电容的影响； 低频信号下电压放大倍数的数值下降的原因是电路中耦合电容和旁路电容的影响。
4-2．在实验中，如何利用信号发生器、示波器或晶体管毫伏表测量放大电路的通频带宽度？1）调整好放大电路的静态值，加入合适的正弦交流信号u I （mV 、kH Z 数量级），通过示波器观察输出波形是否正常；2）用毫伏表测量输出电压u O 的值，计算电压放大倍数。
3）增加信号频率，观察输出波形和幅值的变化，当输出电压下降为正常值的0.7倍左右时，记录上限截止频率f H 。
4）减小信号频率，观察输出波形和幅值的变化，当输出电压下降为正常值的0.7倍左右时，记录下限截止频率f L 。
5）计算通频带宽度4-3．电路如图，已知 V CC =12V 、R b =400kΩ、R c = 3kΩ、R L = 6kΩ、R S =1 kΩ、C 1=10μF ，晶体管的C μ=4pF 、f T =50MHz 、r bb’=100Ω、β = 50。
解：（1） 中频电压放大倍数，先计算静态工作点 V5.735.112mA 5.1mA 03.050mA 03.0k40012C C CC CE B C B CC B =⨯-=-==⨯====≈R I V U I I VR V I β （2）求πC 'pF 8404116176)1(115）6//3（058.0g S 058.0265.1g pF 17641088421218845.12651)1( MHz 150M 50m m 6=⨯+=-+='-=⨯-='-=====-⨯⨯=-=Ω=⨯=+====''μππμβπβππββC k C C R k U I C f r C I U r f f LT E e b E T e b T（3）H L f f 、u sR LR cR b+ u i－+u o－V CCR s题4-3图C 1kHz 3871084049028.6121490884//)100400000//1000(//)//(Hz 2.161010）984//400000（28.61）//（21k 984.08841001261≈⨯⨯⨯='=Ω≈+=+=≈⨯⨯⨯==Ω=+=-''-πππC R f r r R R R C r R f r H e b b b B S be B L be（4）画波特图计算中频电压放大倍数A umdB40lg 201042000058.0984884≈-=⨯⨯-='-='um L m be e b um A R g r r A4-4 某高频小功率晶体管，当I C =1.5mA 时，3pF 、MHz 100、50、k 1.1μT ===Ω=C f r be β(说明:pF 3=μC )求: πC r r g b b e b m 、、、''(说明: 原求e b C '即πC )解： 计算各参数pF 873102884212121688411008845.12651)1(MHz 250M100S 058.0265.1g 6m =-⨯⨯⨯=-=Ω=-=-=Ω=⨯=+=======''''ππββμβπβC f r C r r r I U r f f U I e b e b be b b E T e b TT E16.2 Φ387000-90o -135o -180o -225o -270of ／Hz40f ／Hz-20dB/10倍频20dB/10倍频4-5 某电路电压放大倍数为510jff f (1j )(1j )1010u A -=++解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出um A 、L f 和H f 。
第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dBB.4dBC.5dB（4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 。
A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝ f H 时，o U 与iU 的相位关系是 。
A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚ 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C二、电路如图T5.2所示。
已知：V C C＝12V；晶体管的Cμ＝4pF，f T = 50MHz，'bbr＝100Ω, β0＝80。
试求解：（1）中频电压放大倍数smuA ；（2）'πC；（3）f H和f L；（4）画出波特图。
图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算：∥178)(mA/V2.69k27.1k27.1k17.1mV26)1(V3mA8.1)1(Aμ6.22cmbeeb'isismTEQmbbeieb'bb'beEQeb'cCQCCCEQBQEQbBEQCCBQ-≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=RgrrRRRAUIgRrRrrrIrRIVUIIRUVIuββ（2）估算'πC：pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。
