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模拟电路 习题答案5.放大电路的频率响应

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5 放大电路的频率响应自我检测题一．选择和填空1． 放大电路对高频信号的放大倍数下降，主要是因为C 的影响；低频时放大倍数下降， 主要是因为A的影响。

(A. 耦合电容和旁路电容； B. 晶体管的非线性；C. 晶体管的极间电容和分布电容 )2．共射放大电路中当输入信号频率为f L 、f H 时，电路放大倍数的幅值约下降为中频时的A；或者说是下降了DdB ；此时与中频相比， 放大倍数的附加相移约为 G度。

(A. 0.7 ，B. 0.5 ，C. 0.9) ； (D. 3dB ，E. 5dB ，F. 7dB)； (G. -45°， H. -90 °， I. -180 ° )3． 某放大电路 &3 所示。

由图可见，该电路的中频电 | A v |的对数幅频响应如图选择题& ； 上限频率 f H = 10 8 Hz ； 下限频率 f L = 102Hz ； 压增益 | A vM | =1000当 ff H 时电路的实际增益 =57dB ；当 ff L 时电路的实际增益 =57dB 。

20lg A v / dB80 +20dB/ 十倍频程-20dB/ 十倍频程60 40 2011021041061081010 f / Hz图选择题 34． 若放大电路存在频率失真，则当v i 为正弦波时， v o D。

（ A. 会产生线性失真B. 为非正弦波C.会产生非线性失真D. 为正弦波）D。

（ A. 输5． 放大电路如图选择题 5 所示，其中电容Ｃ１增大，则导致入电阻增大B. 输出电阻增大C.工作点升高D.下限频率降低）?+V CCR 1R 2C 1???RLv s _R 3v o? _?图选择题 5二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．改用特征频率 f T 高的晶体管， 可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。

（ √ ）2．增大分布电容的容量，可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。

模拟电路第五章 放大电路的频率响应

模拟电路第五章 放大电路的频率响应
从晶体管的物理结构出发，考虑发射结和集电结电容的影响，可 以得到在高频信号作用下的物理模型，称为混合π模型。
5.2.1 晶体管的混合π模型
结构：由体电阻、结电阻、结电容组成。
阻值小， 可忽略
阻值小， 可忽略
整理ppt
rbb’：基区体电阻 rb’e’：发射结电阻 Cπ：发射结电容 re：发射区体电阻 rb’c’：集电结电阻 Cμ：集电结电容 rc：集电区体电阻
④ Cπ的求法。
整理ppt
5.3 场效应管的高频等效电路
可与晶体管高频等效电流类比，简化、单向化变换。
单向化变换
忽略d-s间等效电容
很大，可忽略其电流
C g ' sC g s (1gm RL ' )C gd
极间电容 数值/pF
Cgs
Cgd
1～10 1～10 整理ppt
Cds 0.1～1
5.4 单管放大电路的频率响应 5.4.1 单管共射放大电路的频率响应
放大电路对信号频率适应程度，即信号频率对放大倍数的影响。 在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围，在设计放 大电路时，应满足信号频率的范围要求。
整理ppt
5.1.2 频率响应基本概念
一、RC高通电路频率响应
Au U Uoi 1RR1jjRRCC jC
令fL
1 2πRC
则Au
jf 1j
f
第五章 放大电路的频率响应
5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.3 场效应管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应
5.1 频率响应概述
5.1.1 必要性
由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容的存 在，当输入信号频率过低或过高时，放大倍数变小，并且产生超 前或滞后相移，即，放大倍数是频率的函数。

模拟电路习题答案 第5章 放大电路的频率响应题解

模拟电路习题答案 第5章 放大电路的频率响应题解

第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。

（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。

A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。

A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。

A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。

A.3dBB.4dBC.5dB（4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，oU 与i U 相位关系是 。

A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝ f H 时，oU 与i U 的相位关系是 。

A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚ 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C二、电路如图T5.2所示。

已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，'bb r ＝100Ω, β0＝80。

试求解：（1）中频电压放大倍数smu A ； （2）'πC ；（3）f H 和f L ；（4）画出波特图。

图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算：∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ（2）估算'πC ：pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。

模拟电路实验参考答案

模拟电路实验参考答案

模拟电路实验参考答案模拟电路实验参考答案在学习模拟电路实验的过程中，我们常常会遇到一些难题，需要参考答案来帮助我们解决问题。

本文将为大家提供一些常见模拟电路实验的参考答案，希望能够帮助大家更好地理解和掌握相关知识。

一、直流电路实验1. 题目：给定一个电路，其中包括一个电源、一个电阻和一个电流表，请计算电路中的电流大小。

答案：根据欧姆定律，电流大小等于电源电压除以电阻大小。

因此，可以通过测量电源电压和电阻大小来计算电流大小。

2. 题目：给定一个电路，其中包括一个电源、两个电阻和一个电压表，请计算电路中的总电阻和总电压。

答案：总电阻等于两个电阻的串联电阻之和；总电压等于电源电压。

二、交流电路实验1. 题目：给定一个交流电路，其中包括一个电源、一个电感和一个电容，请计算电路中的电感电流和电容电流。

答案：电感电流与电感的电压成正比，与电压频率成反比；电容电流与电容的电压成正比，与电压频率成正比。

2. 题目：给定一个交流电路，其中包括一个电源、一个电阻和一个电容，请计算电路中的电压相位差。

答案：电压相位差等于电阻电压与电容电压之间的相位差。

可以通过测量电阻电压和电容电压的相位差来计算。

三、放大电路实验1. 题目：给定一个放大电路，其中包括一个输入信号源、一个放大器和一个输出信号源，请计算放大器的放大倍数。

答案：放大倍数等于输出信号的幅值除以输入信号的幅值。

可以通过测量输出信号和输入信号的幅值来计算。

2. 题目：给定一个放大电路，其中包括一个输入信号源、一个放大器和一个输出信号源，请计算放大器的频率响应。

答案：频率响应描述了放大器对不同频率输入信号的响应程度。

可以通过测量输入信号和输出信号的频率来计算频率响应。

总结：通过以上的参考答案，我们可以更好地理解和掌握模拟电路实验中的各种问题和计算方法。

在实践中，我们还可以根据具体实验的要求和条件进行一些变化和扩展，以进一步提高我们的实验能力和理解能力。

希望本文的参考答案能够对大家有所帮助，祝愿大家在模拟电路实验中取得好成绩！。

山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(放大电路的频率响应)

童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(放大电路的频率响应)

题 4.3 图
解：共射电路在中频带的相移为－180°，由波特图可看出中频放大倍数为 100，下限
频率为 1Hz 和 10Hz，上限频率为 250kHz。故电压放大倍数为：
Au
(1
1 jf
100 )(1 10)(1
jf
j
2.5
f 105
)
(1
jf
)(1
10 f 2 j f )(1 10
表 4-1-2 放大管高频等效电路
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三、单管放大电路的频率响应 1．频率响应 典型单管放大电路如图 4-1-1（a）所示，中频段交流等效电路如图（b），低频段如图 （c），高频段如图（d）。
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f
fL )(1 j
f
的折线化波特图如图 4-1-2 中
)
jf
fH
fL
fH
实线所示，虚线为实际曲线。
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图 4-1-2 单管共射放大电路折线化波特图 折线图中，截止频率为拐点，在截止频率处，增益与中频段相比下降 3dB，相移＋45° 或－45°。Βιβλιοθήκη 3．放大电路频率特性的改善•
•
（1）高频特性改善：一定条件下，增益带宽积|Aumfbw|或|Ausmfbw|约为常量。要改善高
频特性，首先选择截止频率高的放大管，然后选择参数，使 Cπ′所在回路等效电阻尽量小。
（2）低频特性改善：应采用直接耦合的方式。
四、多级放大电路的频率响应（见表 4-1-3）
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模拟电路5.习题解答


A u
第五章 放大电路的频率响应
5.4
已知某放大电路的幅频特性如图P5.4所示。试问：
(1)该电路的耦合方式；
(2)该电路由几级放大电路组成； (3)当f=104Hz时，附加相移为多少？ 当f=105Hz时，附加相移以约为多少？
解： （1）直接耦合； （2）三级； （3）当f＝104Hz时， φ’＝－135o； 当f＝105Hz时， φ ’＝－270o 。
第五章 放大电路的频率响应
第五章 放大电路的频率响应
习题解答
第五章 放大电路的频率响应
5.2已知某放大电路的波特图如图P5.2所示，试写出AU的表达式。 解：设电路为基本共射放大电路， 其频率特性表达式如下：
32 (1
10 f )(1 j 5 ) jf 10 3.2j f 或Au f f (1 j )(1 j 5 ) 10 10
1 16 Hz 2 π Rs C s 1 1 1.1MHz ' ' 2 π(Rs ∥ RG )C GS 2 πRs C GS 12 .4 ( j
' ' C GS C GS (1 g m RL )C GD 72 pF
fH
f ) 16 A us f f (1 j )(1 j ) 6 16 1.1 10
(2)波特图如右图
第五章 放大电路的频率响应
5.14 电路如图P5.14所示，已知Cgs=Cgd=5pF， C1=C2=Cs=10μ F， gm=5mS，试求fH、、fL各约为多少，并写出Aus Ri ' ' ( g m RL ) g m RL 12 .4 Rs Ri
第五章 放大电路的频率响应

《模拟电子技术基础》第5章 放大电路的频率响应


Au
1 1 ( f fH)2
arctan( f fH )
频率响应概述
【 】 内容 回顾
（3）几个结论
① 电路低频段的放大倍数需乘因子
jf fL 1 jf fL
1
电路高频段的放大倍数需乘因子 1 jf fL
② 当 f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍，相角超前45º； 当 f=fH时放大倍数幅值也约降到0.707倍，相角滞后45º。
③ 截止频率决定于电容所在回路的时间常数
f L(H)
1
2π
④ 频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。
放大电路的频率参数
高通 电路
低通 电路
下限频率
fbw fH fL 上限频率
在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路电 容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。
在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和 分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号 损失，放大能力下降。
适应任何频率信号的等效电路
高频等效电路
用三极管高频等效 模型代替三极管; 保留电路中的电容； 其他部分画成交流通 路。
1、中频电压放大倍数 Aum、Ausm 断路
短路
Aum
Uo Ui
g mUbe rbe rbe
RC // U be
RL
中频电压 放大倍数 的计算与 h参数交 流等效电 路法计算 结果完全 相同！
rb'e
(1
) UT
IE
gm
0
rb'e
I EQ UT
0 gm rb'e
0Ib gmUb'e gmIbrb'e
•
5.2.2 晶体管电流放大倍数 的频率响应

模电第四习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。

( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

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2．场效应管的高频等效模型
（a）场效应管的高频等效模型
（b）简化模型 图 5.6 场效应管的高频等效模型
三、单管放大电路的频率响应 1．单管共射放大电路的频率响应 （1）中频电压放大倍数：
其中，
。
（2）低频电压放大倍数：
其中，fL 为下限频率，
fbw fH fL
3．波特图 （1）横坐标取频率，幅频纵轴取 20 lg | Au | dB ，相频纵轴取度数（°）。 （2）高通电路波特图，如图 5.3 所示。
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对数幅频特性：
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相频特性：f ? fL 时， =0°；f=fL 时， =+45°；f = fL 时， =+90°。
f fL
为 A&u 的相频特性。可知，当 f ?
fL 时，
| A&u | ，≈00；当 f=fL 时， | A&u | ，≈450；当 f = fL 时，| A&u | f / fL ，表示
f 每下降 10 倍， | A&u | 降低 10 倍；当 f 趋于零时， | A&u | 趋于零， 趋于+900。
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台
设一个N级放大电路各级的下限频率分别为
，上限频率分别为
，通频带分别为 率、上限频率和通频带分别为
，则该放大电路的下限频
2．截止频率的估算 （1）下限截止fL：
（2）上限截止fH：
5.2 课后习题详解
5.1 在图 5.1 所示电路中，已知晶体管的 rbb’、Cμ、Cπ，Ri≈rbe。
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A.0.5 倍
B.0.7 倍
C.0.9 倍
即增益下降 。
A.3dB
B.4dB
C.5dB
（ 4） 对 于 单 管 共 射 放 大 电 路 ， 当 f ＝ f L 时 ， U& o 与 U& i 相 位 关 系 是
。
A.＋ 45˚
B.－ 90˚
C.－ 135˚
当 f ＝ f H 时 ， U& o 与 U& i 的 相 位 关 系 是
C2
=
Rc
τ + RL
≈ 2.5μF
f L1
=
f L2
=
1 2πτ
≈ 6.4Hz
fL ≈ 1.1 2 fL1 ≈ 10Hz
5.11 在 图 P5.8（ a）所 示 电 路 中 ，若 Ce 突 然 开 路 ，则 中 频 电 压 放 大 倍 数
A&usm 、 f H 和 f L 各 产 生 什 么 变 化 （ 是 增 大 、 减 小 、 还 是 基 本 不 变 ） ？ 为 什 么 ？ 解 ： A&usm 将 减 小 ， 因 为 在 同 样 幅 值 的 U& i 作 用 下 ， I&b 将 减 小 ， I&c 随 之
减 小 ， U& o 必 然 减 小 。
fL 减小，因为少了一个影响低频特性的电容。
f H 增 大 。因 为 Cπ' 会 因 电 压 放 大 倍 数 数 值 的 减 小 而 大 大 减 小 ，所 以 虽 然 Cπ'
所在回落的等效电阻有所增大，但时间常数仍会减小很多，故 fH 增大。
5.12 在 图 P5.8（ a） 所 示 电 路 中 ， 若 C1＞ Ce， C2＞ Ce， β ＝ 100， rbe＝ 1kΩ，欲使 fL ＝60Hz，则 Ce 应 选多少微 法？
则 C1、 C2 各 为 多 少 ？ 下 限 频 率 fL≈ ?
解 ：（ 1） 求 解 C1: C2
因为
C1（ Rs＋ Ri） ＝ C2（ Rc＋ RL）
将电阻值代入上式，求出
C1 : C2＝5 : 1。 （ 2） 求 解 C1、 C2 的 容 量 和 下 限 频 率
C1
=
τ Rs + Ri
≈ 12.5μF
d B， A&u m ＝
（ 2） 电 路 的 下 限 频 率 fL≈
Hz， 上 限 频 率 fH≈
（ 3） 电 路 的 电 压 放 大 倍 数 的 表 达 式 A&u ＝
。 kHz.
。
图 T5.3
解 ：（ 1） 60
104
（ 2） 10
10
（ 3）
± 103
或
± 100 jf
(1 +
10)(1 + jf
（ 3） fH 和 fL；
（ 4） 画 出 波 特 图 。
图 T5.2
解 ：（ 1） 静 态 及 动 态 的 分 析 估 算 ：
I BQ
= VCC
− U BEQ Rb
≈ 22.6µ
A
I EQ = (1 + β )I BQ ≈ 1.8mA
U CEQ = VCC − I CQ Rc ≈ 3V
rb'e
=
(1 +
图 P5.3
解 ：观 察 波 特 图 可 知 ，中 频 电 压 增 益 为 40dB，即 中 频 放 大 倍 数 为 － 100；
下 限 截 止 频 率 为 1 Hz 和 10 Hz， 上 限 截 止 频 率 为 250k Hz。 故 电 路 A&u 的 表 达 式
为
第五章题解－6
A&u
=
(1 +
解 :（1）因 为下限 截 止频率为 0， 所以电路为直接耦合电路；
（ 2） 因 为 在 高 频 段 幅 频 特 性 为
图 P5.4
－60dB/十倍 频，所以 电路为三 级放大电 路； （ 3） 当 f ＝ 104Hz 时 ， φ '＝ － 135o； 当 f ＝ 105Hz 时 ， φ '≈ － 270o 。
1.1 3
≈
5.2kHz
第五章题解－7
5.6 已 知某电路 电压放大 倍数
A& u
=
(1 +
j
−10 jf f )(1 +
j
f
)
10
105
试求解：
（ 1 ） A&um ＝ ？ f L＝ ？ f H ＝ ?
（2）画 出波特图 。
解 ：（ 1） 变 换 电 压 放 大 倍 数 的 表 达 式 ， 求 出 A&um 、 f L、 f H。
则上限频率的表达
式 fH ＝
；当 Rs 为 零 时 ，f H 将
；当 Rb 减 小 时 ，g m 将
，Cπ' 将
，
fH 将
。
解 :（1）
2π
(Rs
+
1 Rb ∥ rbe ) C1
。①；①。
（ 2）
2π [rb'e
∥ (rbb'
1 +
Rb
∥ Rs )]Cπ'
；①；①，①，③。
第五章题解－5
5.2 已 知 某 电 路 的 波 特 图 如 图 P5 .2 所 示 ， 试 写 出 A&u 的 表 达 式 。
β ) 26mV I EQ
≈ 1.17kΩ
rbe = rbb' + rb'e ≈ 1.27kΩ Ri = rbe ∥ Rb ≈ 1.27kΩ
gm
=
I EQ UT
≈ 69.2mA/V
A& usm
=
Ri Rs + Ri
⋅ rb'e rbe
(−gm Rc ) ≈ −178
（ 2） 估 算 Cπ' ：
第五章题解－2
。
A.－ 45˚
B.－ 135˚
C.－ 225˚
解 ：（ 1） A （ 2） B， A （ 3） B A （ 4 ） C C
第五章题解－1
二 、 电 路 如 图 T5.2 所 示 。 已 知 ： VCC＝ 12V； 晶 体 管 的 Cμ ＝ 4pF， fT =
50 M Hz， rbb' ＝ 1 00Ω , β0＝ 8 0。 试 求 解 ： （ 1） 中 频 电 压 放 大 倍 数 A&usm ； （ 2 ） Cπ' ；
低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是
。
，而
A.耦 合电 容和旁路 电容的存 在
B.半导体 管极间电 容和分布 电容的存 在。
C.半导体 管的非线 性特性
D.放 大电 路的静态 工作点不 合适
（ 3）当 信 号 频 率 等 于 放 大 电 路 的 fL 或 fH 时 ，放 大 倍 数 的 值 约 下 降 到 中 频时的 。
的 容 量 均 相 等 ，静 态 时 所 有 电 路 中 晶 体 管 的 发 射 极 电 流 IEQ 均 相 等 。定 性 分 析 各电路，将结论填入空内。
图 P5.8
（1）低 频特性最 差即下限 频率最高 的电路是
;
（2）低 频特性最 好即下限 频率最低 的电路是
;
（3）高 频特性最 差即上限 频率最低 的电路是
A&u = (1 + j f )(1 + j
f
5 )(1 + j
f
)
5
10 4
2.5 ×105
A&um = 103
fL = 5Hz
f H ≈ 104 Hz
（2）波特图 如解图 P5.7 所示 。
解 图 P5.7
第五章题解－9
5 .8 电 路 如 图 P5 .8 所 示 。 已 知 ： 晶 体 管 的 β 、 rbb' 、 Cμ 均 相 等 ， 所 有 电 容
;
解 ：（ 1）（ a）
（ 2）（ c）
（ 3）（ c）
5.9 在 图 P5.8（ a） 所 示 电 路 中 ， 若 β ＝ 100， rbe＝ 1kΩ ， C1＝ C2＝ Ce ＝ 100μ F， 则 下 限 频 率 fL≈ ?
解 ：由 于 所 有 电 容 容 量 相 同 ，而 Ce 所 在 回 路 等 效 电 阻 最 小 ，所 以 下 限 频 率 决定于 Ce 所 在回路的 时间常数 。
f
j 10
4
)(1 +
f j105
)
(1 +
j f )(1 + 10
f j104
)(1 +
f j105
)
说 明 ： 该 放 大 电 路 的 中 频 放 大 倍 数 可 能 为 “ ＋ ”， 也 可 能 为 “ － ”。
第五章题解－4
习
题
5 . 1 在 图 P5. 1 所 示 电 路 中 ， 已 知 晶 体 管 的 rbb' 、 C μ 、 C π ， Ri ≈ rb e。
5 .5 若 某 电 路 的 幅 频 特 性 如 图 P5 .4 所 示 ， 试 写 出 A&u 的 表 达 式 ， 并 近 似 估
算 该 电 路 的 上 限 频 率 fH。
解 ： A&u 的 表 达 式 和 上 限 频 率 分 别 为
A& u
=
± 103 (1 + j f
)3
10 4
fH
≈
f
' H
第五章 放大电路的频率响应
自测题
一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电 路输出电 压幅值与 相位的变 化，可以 得到它的 频率 响