《半导体器件物理》试卷(三)

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(最新整理)半导体物理学考试试卷及参考答案

半导体物理学考试试卷及参考答案
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《半导体物理学》试题与及答案

练习1-课后习题7
第二章半导体中杂质和缺陷能级
锑化铟的禁带宽度E g = 0.18 e V ，相对介电常数 εr = 17 ，电子的有效质量mn∗ = 0.015 m0， m 0为电子的惯性质量，求 ⅰ）施主杂质的电离能， ⅱ）施主的弱束缚电子基态轨道半径。
解：
练习2
第二章半导体中杂质和缺陷能级
所以样品的电导率为： q(n0 n p0 p )
代入数据得，电导率为2.62 ×1013S/cm 所以，电场强度 E J 1.996103 mA / cm

作业-课后习题2
第四章半导体的导电性
试计算本征Si 在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1450cm2/V·S 和500cm2/V·S。当掺入百万分之一的As 后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征Si 的电导率增大了多少倍？（ni=1.5×1010cm-3; Si原子浓度为 =5.0×1022cm-3,假定掺杂后电子迁移率为900cm2/V·S)
m0为电子惯性质量，k1=1/2a; a=0.314nm。试求：（1）禁带宽度；（2）导带底电子有效质量；（3）价带顶电子有效质量；（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
练习2-课后习题2
第一章半导体中的电子状态
2.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m和107V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
所以，300k时，
nT 300

(1.05 1019

5.7
1018 )
exp(
0.67 1.61019 21.381023 300)
1.961013cm3
77k时，

半导体器件物理考试试卷

一．概念题1.稳态：系统（半导体）能量处于最低，且各物理量如温度、载流子浓度等不随时间变化，则可称其处于稳态。

2.肖特基势垒：即Schottky Barrier，指一具有大的势垒高度（即势垒>>kT），以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触。

3.受激辐射：指处于激发态的半导体在一能量为hν的入射光照射下导带上的电子与价带上的空穴复合，发出与入射光具有相同能量、相位以及方向的光的过程。

4.自发辐射：指处于激发态的半导体，不需要外来的激发，导带中电子就与价带中的空穴复合，发出光子能量等于电子和空穴复合前所处能级能级差的光的过程。

5.非平衡状态：指系统（半导体）由于受光照、电注入等原因载流子浓度、电流密度等物理量不再稳定而随时间变化，变化最终达到稳定的状态。

6.对于共射组态双极型晶体管，理想情况下，当I b固定且V ec>0时，I c是不随变化的。

但实际上当V ec变化时，集电区空间电荷区宽度会随之变化，导致基区中载流子浓度随之变化，从而Ic随之变化。

具体表现为I c随V ec增加而增大，这种电流变化称为厄雷效应。

7.热电子：半导体中的电子可以吸收一定的能量（如光照射、电注入等）而被激发到更高的能级上，这些被激发到更高能级上的电子就称为热电子。

8.空穴：近满带中一些空的量子态被称为空穴。

由于电子的流动会导致这些空的量子态也流动，从而从其效果上可以把它当作一带有正单位电荷的与电子类似的载流子。

9.直接复合和间接复合：半导体的热平衡状态由于超量载流子的导入而被破坏时，会出现一些使系统回复平衡的机制称为复合。

在复合过程中，若电子从导带跃迁回价带过程中其动量不发生变化（即k不变）则称为直接复合，若其动量发生变化则称为间接复合。

二．问答题1.什么是欧姆接触：当一金属-半导体接触的接触电阻相对于半导体的主体电阻或串联电阻可以忽略不计时，则可被定义为欧姆接触。

降低接触电阻我们可以采取以下两个措施：（1）减小势垒高度。

半导体物理与器件考核试卷

A.氧化
B.硅化
C.硼化
D.镍化
17.在半导体工艺中，以下哪些步骤属于前道工艺？（）
A.光刻
B.蚀刻
C.离子注入
D.镀膜
18.以下哪些材料常用于半导体器件的互连？（）
A.铝
B.铜导线
C.镓
D.硅
19.在半导体物理中，以下哪些现象与载流子的复合有关？（）
A.发射
B.复合
C.陷阱
D.所有上述现象
20.以下哪些因素会影响半导体激光器的阈值电流？（）
半导体物理与器件考核试卷
考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，主要因为其（）
C. Nitrogen（氮的）
D. Excess electrons（过剩电子）
5. P-N结在反向偏置时，其内部的电场强度（）
A.减小
B.增大
C.消失
D.不变
6.以下哪个不是太阳能电池的工作原理？（）
A.光电效应
B.热电效应
C.光生伏特效应
D.量子效应
7.在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，MOS电容的C-V特性曲线中，积累区对应于（）
18. A, B
19. D
20. D
三、填空题
1.禁带
2.电子
3.降低
4.金属-氧化物-半导体
5.温度
6.栅氧化层质量
7.紫外光
8.能级
9.玻尔兹曼分布
10.温度

半导体物理试题及答案

半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。

A. 半导体的原子结构B. 半导体的电子结构C. 半导体的能带结构D. 半导体的晶格结构答案：C2. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。

A. 吸收能量B. 释放能量C. 吸收光子D. 释放光子答案：A3. PN结形成的基础是（）。

A. 杂质掺杂B. 温度变化C. 压力变化D. 磁场变化答案：A4. 半导体器件中的载流子主要是指（）。

A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 光子答案：C5. 半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。

A. 越好B. 越差C. 不变D. 先变好再变差答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。

答案：掺杂浓度2. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。

答案：带隙3. 在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。

答案：复合4. 半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________到________。

答案：阳极阴极5. 半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。

答案：减弱三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体的掺杂原理。

答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。

掺入的杂质元素可以是施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形成空穴，形成P型半导体。

2. 描述PN结的工作原理。

答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。

在PN结中，P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型半导体扩散。

由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，该电场会阻止更多的载流子通过PN结。

复旦半导体物理习题及答案3精品PPT课件

E(d) 0 E(d) 0
由泊松方程：积分得：
d 2V1(x) dx2
1 ( x)
c
(d
x
0)
d 2V2 (x) 2 (x) c (0 x d )
dx2
dV1 ( x) dx
c
x
C1 (d
x
0)
dV2 (x) dx
c
x
C2 (0
x
d)
第六次作业
由边界条件：
E(d ) dV1(x) 0 dx xd
E(d ) dV2 (x) 0
得到：C1
C2
cd
dx xd
E2 (x)
c
x
cd
c(x d ) (0
x
d)
V2 (x)
同理：V1 ( x)
c
E2 (x)dx (1 x2 dx) 2
c (1 x2 dx) 2 D1(d x 0)
D2
(0
x
d)
由边界条件： V1(0) V2 (0),V2 (d ) V2 (0) V1(0) V1(d )
饱和电流密度：电流密度：
Js
qDp pn0 Lp
qDn n p 0 Ln
1.30 1010 A / cm2
J
Js
exp
qV k0T
1
1.33105
A / cm2
第六次作业
2、条件与上题相同，计算下列电压下的势垒区宽度和单位面积上的电容：(1) -10V; (2) 0V; (3) 0.3V。
查图4－14得少子迁移率：由爱因斯坦关系求得：
由 L D 求得：
p 500cm2 /V s
Dp 13.0cm2 / s

半导体器件物理与工艺复习题(2024)

半导体器件物理复习题其次章：1）带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差，也称能隙。

物理意义：带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低2）什么是半导体的干脆带隙和间接带隙？其价带顶部与导带最低处发生在相同动量处(p ＝0)。

因此，当电子从价带转换到导带时，不须要动量转换。

这类半导体称为干脆带隙半导体。

3）能态密度：能量介于E ～E+△E 之间的量子态数目△Z 与能量差△E 之比4）热平衡状态：即在恒温下的稳定状态.(且无任何外来干扰,如照光、压力或电场). 在恒温下,连续的热扰动造成电子从价带激发到导带，同时在价带留下等量的空穴.半导体的电子系统有统一的费米能级,电子和空穴的激发与复合达到了动态平衡，其浓度是恒定的，载流子的数量与能量都是平衡。

即热平衡状态下的载流子浓度不变。

5）费米分布函数表达式？物理意义：它描述了在热平衡状态下,在一个费米粒子系统（如电子系统）中属于能量E 的一个量子态被一个电子占据的概率。

6本征半导体价带中的空穴浓度：7）本征费米能级Ei ：本征半导体的费米能级。

在什么条件下，本征Fermi 能级靠近禁带的中心：在室温下可以近似认为费米能级处于带隙中心8）本征载流子浓度n i : 对本征半导体而言，导带中每单位体积的电子数与价带每单位体积的空穴数相同,即浓度相同，称为本征载流子浓度，可表示为n ＝p ＝n i . 或：np=n i 29) 简并半导体：当杂质浓度超过肯定数量后，费米能级进入了价带或导带的半导体。

10)非简并半导体载流子浓度:且有: n p=n i 2 其中: n 型半导体多子和少子的浓度分别为:p 型半导体多子和少子的浓度分别为: 第三章：1）迁移率：是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大。

定义为：2）漂移电流: 载流子在热运动的同时，由于电场作用而产生的沿电场力方向的定向运动称作漂移运动。

半导体器件物理考试试卷2套

1稳态2肖特基势垒（要知道英文名）3受激辐射4自发辐射5非平衡状态6厄雷效应7 热电子8空穴9直接复合和间接复合问答题1什么是欧姆接触2激光器激射的条件论述题1、pn结的单向导通性（正向反向？？？）2、led的外量子效率受什么影响，如何提高？3、双极性晶体管的放大原理4、MOS和MES的区别5、异质结的应用推导题1 推导平衡状态的费米能级处处相等2光电探测器的外量子效率受什么影响稳态：半导体内载流子浓度不随时间变化而变化。

肖特基势垒：Schottky barrrier指一具有大的势垒高度（即金属与半导体功函数之差远大于KT）以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属—半导体接触。

受激辐射：一能量为ｈν光子撞击原本处于激态的原子，此原子被激发后转移到基态，并且放出一个与入射辐射相位相同、能量相同的光子，这个过程称为受激辐射。

自发辐射：处于激发态的原子很不稳定，经过短暂的时间后，在不受外来的激发情况下，它就会跳回基态，并放出一个光子，这个过程称为自发辐射。

非平衡状态：空穴与电子浓度之积大于热平衡载流子浓度的平方时，半导体处于非平衡状态。

Early效应：当集电极与基极间的反向偏压增加时（即V EC增大时），基区宽度减少，导致基区中的少数载流子浓度梯度增加，扩散电流随之增加，因此β0也增加。

这种随着V EC增大β0也增大从而导致BJT为非线性放大的效应称为Early效应。

热电子：真空能级以上的电子称为热电子。

空穴：电子挣脱化学键的束缚后留下来的空的键位，或者原子中空的量子状态，称为空穴，其有效质量为正。

直接复合和间接复合：电子直接由导带跃迁到价带从而发生非平衡载流子的复合，该复合称为直接复合。

若非平衡载流子是通过复合中心进行的复合，则该复合称为间接复合。

1稳态2肖特基势垒（要知道英文名）3受激辐射4自发辐射5非平衡状态6厄雷效应7 热电子8空穴9直接复合和间接复合问答题欧姆接触：相对于半导体器件总电阻而言，其接触电阻可以忽略的金属—半导体接触，称为欧姆接触。

半导体物理学期末复习试题和答案三

一、选择题。

1. 电离后向半导体提供空穴的杂质是（ A ）.电离后向半导体提供电子的杂质是（ B ）。

A. 受主杂质B. 施主杂质C. 中性杂质2. 在室温下.半导体Si 中掺入浓度为31410-cm 的磷杂质后.半导体中多数载流子是（ C ）.多子浓度为（ D ）.费米能级的位置（ G ）；一段时间后.再一次向半导体中掺入浓度为315101.1-⨯cm 的硼杂质.半导体中多数载流子是（ B ）.多子浓度为（ E ）.费米能级的位置（ H ）；如果.此时温度从室温升高至K 550.则杂质半导体费米能级的位置（ I ）。

（已知：室温下.31010-=cm n i ；K 550时.31710-=cm n i ）A. 电子和空穴B. 空穴C. 电子D. 31410-cmE. 31510-cmF. 315101.1-⨯cmG. 高于i E H. 低于i E I. 等于i E3. 在室温下.对于n 型硅材料.如果掺杂浓度增加.将导致禁带宽度（ B ）.电子浓度和空穴浓度的乘积00p n （ D ）2i n .功函数（ C ）。

如果有光注入的情况下.电子浓度和空穴浓度的乘积np （ E ）2i n 。

A. 增加B. 不变C. 减小D. 等于E. 不等于F. 不确定4. 导带底的电子是( C )。

A. 带正电的有效质量为正的粒子B. 带正电的有效质量为负的准粒子C. 带负电的有效质量为正的粒子D. 带负电的有效质量为负的准粒子5. P 型半导体MIS 结构中发生少子反型时.表面的导电类型与体材料的类型（ B ）。

在如图所示MIS 结构的C-V 特性图中.代表去强反型的（ G ）。

A. 相同B. 不同C. 无关D. AB 段E. CD 段F. DE 段G. EF 和GH 段6. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。

A. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i A S n N q T k V ln 0 B. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i A S n N q T k V ln 20 C. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i D S n N q T k V ln 0 D. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i D S n N q T k V ln 20 7. 由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是（ B ）电流.由于载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（ A ）电流。

重庆大学《半导体器件物理》2019-2020学年上学期期末试卷

重庆⼤学《半导体器件物理》2019-2020学年上学期期末试卷半导体器件物理2019-2020学年期末试卷专业：电⼦科学与技术第⼀部分：选择题（30分）半导体材料的主要特征是什么？A)⾼电导率、⾼热导率B)低电导率、低热导率C)⾼电导率、低热导率D)低电导率、⾼热导率pn结的主要特征是什么？A)电压降低、电流增加B)电压升⾼、电流减少C)电压不变、电流增加D)电压不变、电流减少晶体管的主要类型是什么？A)双极晶体管、场效晶体管B)单极晶体管、双极晶体管C)场效晶体管、单极晶体管D)双极晶体管、单极晶体管半导体器件的主要应⽤领域是什么？A)计算机、通信、消费电⼦B)医疗、能源、交通C)航空、国防、教育D)环境、农业、⾦融半导体材料的主要缺陷是什么？A)点缺陷、线缺陷、⾯缺陷B)点缺陷、⾯缺陷、体缺陷C)线缺陷、⾯缺陷、体缺陷D)点缺陷、线缺陷、体缺陷第⼆部分：简答题（40分）简要介绍半导体材料的定义和分类。

（10分）什么是pn结？请列举两个主要特征。

（10分）简要介绍晶体管的⼯作原理和主要类型。

（10分）什么是半导体器件的热噪声？请列举两个主要影响因素。

（10分）第三部分：论述题（30分）选择以下论述题之⼀，写⼀篇⼤约300字的结构良好的论述。

论半导体器件在现代电⼦技术中的重要性。

论半导体材料的发展趋势和挑战。

第四部分：案例分析（20分）阅读以下案例，回答相关问题：案例：⼀种新型半导体器件的设计和制作这种器件的主要特征是什么？（5分）这种器件的设计和制作过程中涉及到了哪些半导体器件物理的概念？（5分）这种器件的应⽤前景是什么？（10分）注意：本试卷总分为120分。

学⽣必须回答第⼀部分和第⼆部分的所有题⽬。

学⽣可以选择第三部分的⼀个论述题。

第四部分的案例分析必须详细准确。

试卷时间为2⼩时。

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图 4.1 C-V 特性曲线
根据上述曲线，可知：（1）曲线外推与 x 轴的交点，可求得自建电压；（2）由直线的斜率可推导出杂质分布。
2. MOS 场效应晶体管工作在线性区和饱和区时的直流电流－电压关系式的推导，并分析源、漏串连电阻 RD、RS 存在对饱和区的跨导 gm 和线性区漏－源输出电导 gd 的影响。答案：（1）线性区：感应沟道电荷为：QI = −C0[VG − VTH − V ( y)]（2-1），其中 V(y)为加上源漏之间的沟道电压 VD 之后，在 y 处建立起的电位。产生的漂移电流为 I D = ZµnQI ε y （2-2）
衬底掺杂浓度；（4）氧化层厚度；（5）衬底偏置电压。
2. 解释基区宽度调变效应对共射极晶体管输出特性的影响，并比较 MOS 场效
应晶体管的沟道长度调制效应对源漏电流-电压的影响。
答案：（1）晶体管达到饱和状态时，当 VCE 从某值开始继续增加，集电极电流 IC 随 VCE 增加而增加，从而呈现不饱和性的现象，这种现象起因于晶体管的基区宽度调变效应，也称为 Early 效应。基区宽度调变效应可解释为：
⎪ ⎩
N
d
−
Na
=
ax
可得：
n(xn
)
=
n(W 2
)
=
ni eψ
( xn ) / VT
4
则有：
ψ
(xn
)
=
VT
ln
aW 2ni
，
同理有：ψ
(x
p
)
=
−VT
ln
aW 2ni
因此有： ϕ 0
=ψ (xn ) −ψ (xp )
=
2VT ln
aW 2ni
（3）由于：
∫ ∫ Q =
W 2 0
qA( N d
−
2
则1 C
= dVG dQM
= dV0 dQM
+ dψ S dQM
，令 C0
≡ dQM dV0
CS
≡ dQM dψ S
≡ − dQS dψ S
则1 = 1 + 1 C C0 CS
即 C = 1 为归一化电容。 C0 1+ C0 CS
图 3.2 N 型半导体 MOS 电容的 C-V 特性曲线
(1) 积累区（VG>0）当 MOS 电容器的金属电极上加有较大的正偏压时，在表面
= ε0kS xd
则随外加偏压
VG 绝对值的增大，
xd 将增大，从而电容 CS 将减小，故 CS 和 C0 串联而成的 MOS 电容也将随 VG 绝对值的增大而减小。则在图中耗尽区，归一化 MOS 电容 C C0 随着外加偏压 VG 绝对值的增大而减小，呈现下降趋势。
(4) 反型区（VG<0）在耗尽区的基础上进一步加大 VG ，在 N 区表面感应出大
图 3.1 NPN 型双极型晶体管正常工作时的各工作电流分量图
InE 从发射区注入到基区中的电子流。 InC 到达集电结的电子流。 InE－InC 基区注入电子通过基区时复合所引起的复合电流。 IpE 从基区注入到发射区的空穴电流。 Irg 发射结空间电荷区耗尽层内的复合电流。 IC0 集电结反向电流，包括集电结反向饱和电流和集电结空间电荷区产生
电流。
各发射端电流的组成：
－IE=InE＋IpE＋Irg IB=IpE+Irg＋(InE－InC)－IC0
IC=InC+ IC0
2. 给出理想 N 型半导体 MOS 电容的 C-V 特性曲线，并分区进行分析。
答案：令 C 为 MOS 系统单位面积的微分电容 C ≡
dQM dVG
；又由于VG
= V0 +ψ S
（2-7）
gm
=
∂I D ∂VG
VD =C
=
C0 µn Z L
(VG
− VTH )
（2-8）
VD′S = VDS + (RS + RD )I D
（2-9）
g ′d
=
∂I D ∂V D′ ′S ′′
，
（2-10）
g d′
= 1+
gd gd (RS
+ RD )
VG′S = VGS + RS I D
（2-11）（2-12）
答案：NPN 型晶体管的发大作用时，由于发射结正偏，势垒降低 qVE，电子将从发射区向基区注入，空穴将从基区向发射区注入，基区出现过量电子，发射区出现过量空穴。当基区宽度很小（远远小于电子的扩散长度）时，从发射区注入到基区的电子除少部分被复合掉外，其余大部分能到达集电结耗尽区边缘，集电结处于反向偏压，集电结势垒增加了 qVC。来到集电结的电子被电场扫入集电区，成为集电极电流。此时，反偏集电结所提供的反向饱和电流可忽略不计。如果在集电极回路中接入适当的负载就可以实现信号的放大。
解：：
（1）由方程
d 2ψ dx 2 ρ=
=− q( N d
ρ kε 0 −N
a
⎫ ⎪ )⎪⎪⎬
N d − N a = ax
⎪ ⎪
⎪⎭
可得： d 2ψ = − qax
dx 2
kε 0
解方程得：
dψ dx
= − qax 2 2kε 0
+
C1
，利用其边界条件：
dψ dx
x=±W
=0
2
可得：
dψ = − qax 2 + qaW 2 , dx 2kε 0 8kε 0
造成多数载流子电子的大量积累。这时只要表面势ψ S 稍有变化，就会引起空间
电荷 QS 的很大变化，故半导体表面电容比较大，与绝缘体电容串联后可忽略。 MOS 系统的电容 C 基本上等于绝缘体电容 C0，从而在图中相应的位置上呈现一
水平线。当 VG 数值逐渐减小时，空间电荷区积累的空穴数随之减小，且 QS 随ψ S
对 I－V 特性产生的影响，它们包括
非常数迁移率效应
、
短沟道效应、窄沟道效应和体电荷效应。
4、双极型晶体管的工作模式有：正向有源模式，反向有源模式，饱和模式和截止模式。取决于发射结和集电结的偏置
状况。
二、简答题（共 18 分）
1．影响 MOSFET 阈值电压的因素。答案：（1）金属和半导体功函数差；（2）界面陷阱和氧化物电荷；（3）
3. PN 结少数载流子的电荷贮存效应。答案：当在 PN 结两端施加一恒定的正向偏压时，载流子被注入并保持在 PN
结二极管中，这种现象称为 PN 结少数载流子的电荷贮存效应。当正向偏压突然转换至反偏压时，在稳态条件下保持着的载流子并不能立刻消除。
1
三、分析（共 16 分）
1. 说明 NPN 型晶体管的发大作用的工作原理，给出理想 NPN 型双极型晶体管正常工作时的各工作电流分量图，并说明各电流的形成及晶体管各端（发射极、集电极、基极）电流的组成。
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将 ε y = − dV dy 和（2-1）代入（2-2）得:
I D dy = ZµnC0 (VG − VTH − V )dV
（2-3）
对式（2-3）从 y=0 到 y=L 以及 V=0 到 V=VD 积分，得
ID
= C0µn
Z L
[(VG
− VTH )VD
− VD2 ] 2
（2-4）
饱和区：当达到饱和区时令 QI＝0 得 V(L)=VG－VTH=VDsat （2-5）将（2-5）代入（2-4）得漏极饱和电流:
《半导体器件物理》2008 试卷（A）标准答案
一、填空题（共 34 分）：
1、 PN 结击穿的机制主要有雪崩击穿，齐纳击穿和热击穿等三种。
2、当金属与半导体接触时，若二者的接触有整流作用，则叫整流接触，反之叫欧姆接触。
3、MOS 场效应晶体管的二级效应是非线性，非一维，非平衡等因素
hFE
≡ a = γβT 1 − a 1 − γβT
≈ βT 1− βT
≈ 2L2n
x
2 B
电流增益正比于 xB-2，当 VCE 增大时，集电结空间电荷区展宽，使得有效基区宽度 xB 减小，xB 减小使得 hFE 增加，从而使得集电极电流 IC 随 VCE 的增加而增加。
（2） MOSFET 漏－源饱和电流随着沟道长度的减小(由于 VDS 增大，漏端耗尽区扩展所致)而增大的效应称为沟道长度调变效应。这个效应会使 MOS 场效应晶体管的输出特性曲线明显发生倾斜，导致它的输出阻抗降低。
g m′
=
∂I D ∂VG′′S′′
（43; gm RS
（2-14）
因此，考虑源、漏串连电阻 RD、RS 存在对饱和区的跨导 gm 和线性区漏－源输出电导 gd 的影响时，两者均呈现减小的趋势。
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Na
)dx
=
qaA
W 2 0
xdx
=
qaAW 8
2
=
qaA 8
⎡12kε ⎢ ⎣
0
(ϕ 0 qa
+
VR
)
⎤ ⎥
2
/
3
⎦
则电容 C 的表达式为：
C
=
dQ dVR
=
Akε
0
⎡12kε ⎢ ⎣
0
(ϕ 0 qa
+
VR
)
⎤ ⎥
−1
/
3
⎦
上式等效变换为：
1 C3
=
A3
k
12 2ε 2
0
qa
(ψ
0
+ VR )
根据上式，可描述出电容－电压的特性曲线如下：
) −ψ (−W 2