高通骁龙800系列处理器学习手册

高通处理器
1.高通骁龙200/400/600/800/805处理器：自从去年CES上，高通将自家处理器进行了系列的划分，这比之前按照型号区分的方法更加容易让人记住。

例如MSM8274和MSM8274AB同属于骁龙800系列。

2.MSM、APQ、MPQ：我们现在通常听到的高通处理器有例如：APQ8064、MSM8274AB、MPQ8064等。

其中APQ代表处理器不集成基带模块，像采用APQ8064处理器的小米2就外置了一块MDM8215M基带芯片。

而MSM则是处理器已经集成基带芯片，例如MSM8274AB处理器就集成了支持WCDMA的基带芯片。

而MPQ则是专门为智能电视等设备开发的处理器，例如小米电视搭载的MPQ8064。

3.MSM8X74AB中X的含义：熟悉高通的朋友们应该还记得，高通曾经推出过MSM8X50系列、MSM8X60系列，时至今日，高通又推出了MSM8X74AB系列。

其中X通常为2、6、9三个数字，2代表支持WCDMA网络，6代表支持CDMA和WCDMA 网络，9则代表支持CDMA、WCDMA和LTE网络制式。

目前最高端的MSM8974AB处理器理论上支持全部现有的网络制式。

但也需要射频模块、信号放大器等相应的硬件支持。

4.MSM8X74AB中AB的含义：如果你是小米的忠实用户，你就会想起小米1代搭载了高通MSM8260处理器，而小米1S则搭载了1.7GHz版MSM8260处理器，其代号就为MSM8260AB，AB可以简单的理解为小幅升级版，以此类推AC可以理解为AB的小幅升级版。

Camera Card ConnectorsWiGig ModuleSensor ExpansionHDMIPower SwitchType C USBAudio CardConnectorsVolumeAMOLED 5.5" display with T ouch PanelJTAGAPQ8098 ProcessorCard NFC ExpansionSolution HighlightsMaterials are subject to change without notice.87-PD100-1 Rev BComprehensive and expandable development and evaluation kit for the Snapdragon 835 Mobile Platform.The Snapdragon 835 Mobile Hardware Development Kit provides an open-frame solution for technology companies tointegrate and innovate devices based on the Snapdragon 835 Mobile Platform.The Snapdragon 835 Mobile Hardware Development Kit is a feature-rich Android development platform that is designed to provide an ideal starting point for creating high-performance mobile devices and applications based on the Snapdragon 835 Mobile Platform. The kit includes the hardware, software tools and accessories needed to immediately begin your mobile development work.With an advanced 10-nanometer design, the Snapdragon 835 Mobile Platform can support phenomenal mobile performance. It is 35% smaller and uses 25% less power than its predecessor and is engineered to support exceptionally long battery life, lifelike VR and AR experiences, cutting-edge camera capabilities and Gigabit Class download speeds.The Snapdragon 835 mobile development platform is designed to provide original equipment manufacturers (OEMs),hardware/software vendors, developers and engineers with next generationsoftware technology and tools to accelerate development and testing of devices.Kit ContentsProcessor Card wtih APQ8098 Mini-ITX carrier board GNSS card12V AC power adapter Battery (optional) Charger USB cableSetup guideDisplay Adapter Card is an additional accessoryDevelopment PlatformQualcomm Snapdragon and APQ8098 are products of Qualcomm T echnologies, Inc. and/or its subsidiaries.Snapdragon 835 Processor CardThe Snapdragon 835 Processor Card measuring 60mm x 70mm is where all the processing occurs. It is connected to the carrier via two 240-pin high speed board-to-board connectors. A top side heat sink and a bottom side heat conductive metal plate provide thermal protection.The Processor Card provides the basic common set of features with minimal integration effort. It integrates the following: Snapdragon 835 (APQ8098) mainapplication processorLPDDR4X up to 1866MHz 4GB RAM (POP) PMi8998 + PM8998 – PMIC forPeripheral LDOs, Boost RegulatorsWCN3990 Wi-Fi+ BT+ FM combo chipover SLIMbus, Analog IQ, UART, PCM128 GB UFS 2.1WCD9341 Audio Code Dimensions170mm x 170mm Mini-ITX CPU Quad-core Qualcomm® Kryo™ 280 CPU64-bit ARMv8-compliant processor at up to 2.2GHz GPU Qualcomm® Adreno™ 540 GPUOpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0 Full, Vulkan, DX12 DSP Qualcomm® Hexagon™ 682 DSP Memory and Storage4GB LPDDR4X PoP memory128GB UFS 2.1 Connectivity Wi-Fi: 802.11a/b/g/n/ac 2.4/5GHzBluetooth 5.0 + HS (backward compatible)GNSS (GPS/GLONASS/COMPASS/GALILEO) Camera Support3x MIPI CSI with support for 3D camera configuration Display2x MIPI dual 4-lane DSI + touch panel Multimedia HDMI 2.0 output - supports up to 4K UHD(3840 x 2400 at 60fps)and HDMI 2.0a (4K60)/ 4K30 Miracast I/O Interfaces1x PCIe, 1x JTAG, HDMI 2.0, 1x USB 3.1 Type C,1x USB 2.0 micro-B, 3x MIPI-CSI, 2x MIPI dual 4-lane DSI 4x Expansion headers for additional features (NFC, sensors etc.) LED3x General purpose LED, PMIC driven Battery 4.35V/3000mAh Operating System Android 7 Optional Accessories Display: 5.5” AMOLED LED (1440 x 2560)with PCAP Touch PanelCameras: 8M FF, Single 12M 2PD, Dual 12M+13M OZ+OIS SpecificationsWCN3990, WCD9341, PMi8998, PM8998, Qualcomm Hexagon, Qualcomm Adreno and Qualcomm Kryo are products of Qualcomm T echnologies, Inc. and/or its subsidiaries.©2018 Qualcomm T echnologies, Inc. All Rights Reserved. Qualcomm, Snapdragon, Hexagon, Kryo and Adreno are trademarks of Qualcomm Incorporated, registered in the United States and other countries. Other products and brand names may be trademarks or registered trademarks of their respective owners. 0318AT o learn more visit:。

高通公司骁龙800系列处理器率先采用台积电公司
28HPM先进制程技术
基于28nm HPM制程的骁龙800系列处理器为移动终端带来高性能和低功耗
2013年2月25日，美国圣迭戈及中国台湾新竹美国高通公司（NASDAQ：QCOM）与台积电公司（TWSE：2330，NYSE：TSM）今日共同宣布，美国高通公司的全资子公司美国高通技术公司将率先采用台积电公司28纳米高性能移动（28nm High Performance Mobile，28HPM）制程生产芯片。

台积公司28HPM制程领先业界，率先支持频率在2GHz以上同时具备低功耗优势的应用处理器，完全满足平板电脑和高端智能手机应用的需求。

首款采用28HPM制程生产的芯片为美国高通公司的的骁龙800系列处理器，配备四核Krait 400 CPU，每核频率最高达2.3GHz，专为低功耗打造。

同时，这款处理器也是全球首款集成4G LTE-Advanced调制解调器的系统级单芯片（SoC），支持载波聚合，Category 4数据传输速率最高达150Mbps。

相较于前几代产品，美国高通技术公司通过降低漏电和有功功率，大幅提升了骁龙800系列处理器的整体能效和处理速度。

骁龙800/Tegra 4/64位A7/Exynos 5420谁更强？智能手机发展之快已经超出大部分人的想象，2012年可谓“四核年”，众多高端智能手机都用上了四核处理器以及高清屏幕。

而到今年，SoC已经发展到Cortex-A15的时代，手机的处理性能又得到质的飞跃，2013年又有那些给力的处理器呢？三星三星是全球首家把Cortex-A15芯片放入手机的厂商，第一款产品正是大名鼎鼎的Galaxy S4，它使用了全新的猎户座Exynos 5410芯片，采用“4+4核”的big.LITTLE架构。

也因为这个架构的特殊性，很多人都喷Exynos 5410是个“伪八核”，实际上这种架构是对A15超高功耗的一种妥协。

如果只使用A15，这样会直接导致手机日常使用的时候温度和耗电都很大，因此配合较低频率和低功耗的Cortex-A7工作则可一定程度上改善这个问题。

而Exynos 5410使用了PowerVR SGX544MP3，而且频率高达533MHz，在推出的时候GPU 性能几乎无出其右。

而虽然参数上很强势，但是实际到了手机上，Exynos 5410还是遇到不少问题，由于在Galaxy S4上散热空间较小，所以导致SoC本身发热降频现象很严重。

而SGX5系列本身也不能完整支持OpenGL ES 3.0，所以到了Android 4.3的时期已经显得“战力不足”。

伴随着Note 3发布，三星也终于将第二款Exynos 5 OCTA系列的第二款芯片Exynos 5420应用到手机上，这款SoC依然采用4+4架构，但是在频率上比上一代产品更高，其中Cortex-A15的最高频率达到1.9GHz。

而且在GPU上更是更换了ARM最新的Mali-T628mp6，性能表现更是直逼Adreno 330。

Exynos 5420的综合性能在这一代的SoC中尤为突出，无论是CPU还是GPU表现都相当强势，相对来说对4K视频的支持则是软肋。

骁龙800规格处理28nm HPm四核Krait 400 CPU，单核速度可达2.3GHz LP-DDR3内存，高性能，低时延GPU 更新的Adreno 330 GPU，可将图形性能提升50%。

2支持高级图形和计算API，包括OpenGL ES 3.0、DirectX、OpenCL、Renderscript Compute 和FlexRender™3电源管理节能型高性能移动（HPm）技术aSMP动态CPU电源控制，可持续获取峰值性能新型集成高通Quick Charge 2.0，最多可将电池充电速度提升75%4DSP Hexagon, QDSP6V5A, 600MHzHexagon DSP可让多种应用程序以超低功耗运行，如音乐播放应用程序、增强型音频应用程序和高级编辑应用程序调制解调器True 4G LTE World Mode，支持LTE FDD、LTE TDD、WCDMA、CDMA1x、EV-DO、TD-SCDMA和GSM1具有载波聚合的4G LTE，速度高达150 MbpsUSB USB 3.0/2.01新型USB 3.0，可进行超快传输蓝牙BT4.0 +集成数字核WiFi802.11ac1 Wi-Fi，可达到最佳Wi-Fi性能+集成数字核1GPSIZat GNSS定位技术将多种定位服务整合至汽车和步行定位应用程序的单一高性能导航系统中视频捕捉、播放和显示超高清视频（具有四倍1080p像素密度）摄像头高达2100万像素，立体3D骁龙摄像头的双图像信号处理器支持同步摄像头/视频、640兆像素/秒的超快捕捉速度和计算型摄像头显示屏支持更高的显示屏分辨率（高达2560x2048）和Miracast 1080p高清质量1080p和4K外部显示屏处理技术28nm HPm1仅可用于所选处理器2与上一代Adreno 320对比3FlexRender可以直接或延迟渲染模式在图形像素间动态转换，从而帮助Adreno GPU提高速度、降低功耗4与不具备快速充电技术的终端对比骁龙800处理器包括以下部件编号：8074、8274、8674和8974。

四、高通骁龙801处理器Snapdragon 801
骁龙801处理器是骁龙800处理器的升级版本，无论硬件还是软件都全面向下兼容骁龙800处理器，同时该芯片支持双卡双待，具备eMMC 5.0存储接口，支持1080p H.265视频解码能力。

2、FlexRender可以直接或通过延迟渲染模式在图形像素间动态转换，从而帮助Adreno GPU提高速度、降低功耗
3、与不具备快速充电技术的终端对比
4、仅在部分处理器中提供
骁龙801处理器包括以下部件型号：8974 v3
高通骁龙602A 处理器详细参数
料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范
1、与上一代Adreno 305对比
2、FlexRender可以直接或延迟渲染模式在图形像素间动态转换，从而帮助Adreno GPU提高速度、降低功耗
骁龙602A处理器包括以下部件编号：8064-AU
十二、高通骁龙200处理器Snapdragon 200。

N32G030 x6/x8数据手册N32G030系列采用 32 bit ARM Cortex-M0内核，最高工作主频48MHz，集成多达64KB Flash,8KB SRAM，1x12bit 1Msps ADC，1xOPAMP，1xCOMP，集成多路U(S)ART、I2C、SPI关键特性●内核CPU―32位ARM Cortex-M0 内核，单周期硬件乘法指令―最高主频48MHz●加密存储器―高达64KByte片内Flash，支持加密存储，支持硬件ECC校验，10万次擦写次数，10年数据保持―8KByte片内SRAM，支持硬件奇偶校验●低功耗管理―Stop模式：RTC Run，最大8KByte Retention SRAM保持，CPU寄存器保持，所有IO保持―Power Down模式：支持3路IO唤醒●时钟―HSE：4MHz~20MHz外部高速晶体―LSE：32.768KHz外部低速晶体―HSI：内部高速RC OSC 8MHz―LSI：内部低速RC OSC 30KHz―内置高速PLL―支持1路时钟输出，可配置为可配置系统时钟、HSE、HSI或PLL后分频输出●复位―支持上电/掉电/外部引脚复位―支持可编程的低电压检测及复位―支持看门狗复位●通信接口―3个U(S)ART接口, 最高速率达3 Mbps，其中2个USART接口（支持1xISO7816，1xIrDA，LIN），其中1路支持低功耗特性（LPUART，此模式下最高通讯速率9600bps），可唤醒Stop模式―2个SPI接口，速率高达18 MHz，其中1个与I2S复用―2个I2C接口，速率高达1 MHz，主从模式可配，从机模式下支持双地址响应●模拟接口―1个12bit 1Msps高速ADC，多达12路外部单端输入通道―1个运算放大器，内置最大32倍可编程增益放大―1个高速模拟比较器，内置64级可调比较基准●最大支持40个支持复用功能的GPIOs●1个高速5通道DMA控制器，通道源地址及目的地址任意可配●RTC实时时钟，支持闰年万年历，闹钟事件，周期性唤醒,支持内外部时钟校准●1路蜂鸣器，支持互补输出，驱动能力最大16mA●定时计数器― 2 个16bit高级定时计数器，支持输入捕获，互补输出，正交编码输入等功能；每个定时器有4个独立的通道，其中3个通道支持6路互补PWM输出―1个16bit通用定时计数器，定时器有4个独立通道，支持输入捕获/输出比较/PWM输出―1个16bit基础定时计数器―1个16bit低功耗定时计数器―1x 24bit SysTick―1x 7bit 窗口看门狗(WWDG)―1x 12bit独立看门狗( IWDG)●编程方式―支持SWD在线调试接口―支持UART Bootloader●硬件除法器HDIV和均方根SQRT加速●安全特性―Flash存储加密―CRC16/32运算―支持写保护（WRP），多种读保护（RDP）等级（L0/L1/L2）―支持时钟失效监测，防拆监测●96位UID及128位UCID●工作条件―工作电压范围：1.8V~5.5V―工作温度范围：-40℃～105℃―ESD：±4KV（HBM模型）, ±1KV（CDM模型）●封装―UFQFPN20(3mm x 3mm)―TSSOP20(6.5mm x 4.4mm)―QFN32(4mm x 4mm)―QFN32(5mm x 5mm)―LQFP32(7mm x 7mm)―LQFP48(7mm x 7mm)―TQFP48(7mm x 7mm)●订购型号目录1产品简介 (5)命名规则 (6)器件一览 (7)2功能简介 (8)处理器内核 (8)存储器 (8)2.2.1嵌入式闪存存储器 (8)2.2.2嵌入式SRAM (8)2.2.3嵌套的向量式中断控制器(NVIC) (9)扩展中断/事件控制器(EXTI) (9)时钟系统 (9)启动模式 (10)供电方案 (10)可编程电压监测器 (11)低功耗模式 (11)直接存储器存取(DMA) (11)实时时钟(RTC) (11)定时器和看门狗 (12)2.11.1基本定时器-TIM6 (12)2.11.2通用定时器(TIM3) (12)2.11.3低功耗定时器(LPTIM) (13)2.11.4高级控制定时器(TIM1和TIM8) (13)2.11.5系统时基定时器(Systick) (14)2.11.6看门狗定时器(WDG) (14)I2C总线接口 (15)通用同步/异步收发器(USART) (16)串行外设接口(SPI) (18)串行音频接口(I2S) (18)通用输入输出接口(GPIO) (19)模拟/数字转换器(ADC) (20)运算放大器(OPAMP) (20)模拟比较器(COMP) (21)温度传感器(TS) (21)蜂鸣器(BEEPER) (21)HDIV和SQRT (21)循环冗余校验计算单元(CRC) (22)唯一设备序列号(UID) (22)串行SWD调试口(SWD) (22)3引脚定义和描述 (23)封装示意图 (23)3.1.1LQFP48 (23)3.1.2TQFP48 (24)3.1.3LQFP32 (25)3.1.4QFN32 (5mx5m) (26)3.1.5QFN32 (4mx4m) (27)3.1.6UFQFPN20 (28)3.1.7TSSOP20 (29)引脚复用定义 (30)4电气特性 (36)测试条件 (36)4.1.1最小和最大数值 (36)4.1.2典型数值 (36)4.1.3典型曲线 (36)4.1.4负载电容 (36)4.1.5引脚输入电压 (36)4.1.6供电方案 (37)4.1.7电流消耗测量 (38)绝对最大额定值 (38)工作条件 (39)4.3.1通用工作条件 (39)4.3.2上电和掉电时的工作条件 (39)4.3.3内嵌复位和电源控制模块特性 (39)4.3.4内置的参考电压 (40)4.3.5供电电流特性 (41)4.3.6外部时钟源特性 (43)4.3.7内部时钟源特性 (47)4.3.8低功耗模式唤醒时间 (47)4.3.9PLL特性 (48)4.3.10FLASH存储器特性 (48)4.3.11绝对最大值(电气敏感性) (48)4.3.12I/O端口特性 (49)4.3.13NRST引脚特性 (52)4.3.14TIM定时器特性 (52)4.3.15I2C接口特性 (53)4.3.16SPI/I2S接口特性 (55)4.3.1712位模数转换器(ADC)电气参数 (59)4.3.18运算放大器(OPAMP)电气参数 (61)4.3.19比较器(COMP)电气参数 (62)4.3.20温度传感器(TS)特性 (62)5封装尺寸 (63)LQFP48 (63)TQFP48 (64)LQFP32 (65)QFN32(5MX5M) (66)QFN32(4MX4M) (67)UFQFPN20 (68)TSSOP20 (69)6版本历史 (70)7声明 (71)表目录表1-1N32G030系列资源配置 (7)表2-1定时器功能比较 (12)表3-1管脚定义 (30)表4-1电压特性 (38)表4-2电流特性 (38)表4-3温度特性 (39)表4-4通用工作条件 (39)表4-5上电和掉电时的工作条件 (39)表4-6内嵌复位和电源控制模块特性 (39)表4-7内置的参照电压 (41)表4-8运行模式下的最大电流消耗，数据处理代码从内部闪存中运行 (41)表4-9运行模式下的最大电流消耗，数据处理代码从内部RAM中运行 (42)表4-10睡眠模式下的最大电流消耗，代码运行在F LASH或RAM中 (42)表4-11停机和待机模式下的典型消耗 (42)表4-12运行模式下的典型电流消耗，数据处理代码从内部F LASH中运行 (43)表4-13睡眠模式下的典型电流消耗，数据处理代码从内部F LASH或RAM中运行 (43)表4-14高速外部用户时钟特性 (43)表4-15低速外部用户时钟特性 (44)表4-16HSE4~20MH Z振荡器特性(1)(2) (45)表4-17LSE振荡器特性(F LSE=32.768K H Z)(1) (46)表4-18HSI振荡器特性(1)(2) (47)表4-19LSI振荡器特性(1) (47)表4-20低功耗模式的唤醒时间 (47)表4-21PLL特性 (48)表4-22闪存存储器特性 (48)表4-23闪存存储器寿命和数据保存期限 (48)表4-24ESD绝对最大值 (49)表4-25电气敏感性 (49)表4-26I/O静态特性 (49)表4-27输入输出交流特性 (50)表4-28NRST引脚特性 (52)表4-29TIM X(1)特性 (52)表4-30I2C接口特性 (54)表4-31SPI特性 (55)表4-32I2S特性(1) (58)表4-33ADC特性 (59)表4-34ADC精度–局限的测试条件(1)(2) (60)表4-35OPAMP特性 (61)表4-36COMP特性 (62)表4-37温度传感器特性 (62)图目录图1-1N32G030系列框图 (5)图1-2N32G030系列订货代码信息图示 (6)图2-1存储器映射图 (8)图2-2时钟树 (10)图3-1N32G030系列LQFP48引脚分布 (23)图3-2N32G030系列TQFP48引脚分布 (24)图3-3N32G030系列LQFP32引脚分布 (25)图3-4N32G030系列QFN32(5MX5M)引脚分布 (26)图3-5N32G030系列QFN32(4MX4M)引脚分布 (27)图3-6N32G030系列UFQFPN20引脚分布 (28)图3-7N32G030系列TSSOP20引脚分布 (29)图4-1引脚的负载条件 (36)图4-2引脚输入电压 (37)图4-3供电方案 (37)图4-4电流消耗测量方案 (38)图4-5外部高速时钟源的交流时序图 (44)图4-6外部低速时钟源的交流时序图 (45)图4-7使用8MH Z晶体的典型应用 (46)图4-8使用32.768K H晶体的典型应用 (46)图4-9输入输出交流特性定义 (51)图4-10建议的NRST引脚保护 (52)图4-11I2C总线交流波形和测量电路(1) (55)图4-12SPI时序图–从模式和CPHA=0 (56)图4-13SPI时序图–从模式和CPHA=1(1) (57)图4-14SPI时序图–主模式(1) (57)图4-15I2S从模式时序图(飞利浦协议)(1) (59)图4-16I2S主模式时序图(飞利浦协议)(1) (59)图4-17使用ADC典型的连接图 (61)图5-1LQFP48封装尺寸 (63)图5-2TQFP48封装尺寸 (64)图5-3LQFP32封装尺寸 (65)图5-4QFN32(5MX5M)封装尺寸 (66)图5-5QFN32(4MX4M)封装尺寸 (67)图5-6UFQFPN20封装尺寸 (68)图5-7TSOP20封装尺寸 (69)1产品简介N32G030系列微控制器产品采用32位ARM Cortex®-M0内核，最高工作主频48MHz，集成高达64KB加密存储Flash，最大8KB SRAM; 内置一个高速AHB总线，二个低速外设总线APB及总线矩阵，最多支持40个通用I/O，提供丰富的高性能模拟接口，包括1个12位1Msps ADC，最多支持12个外部输入通道、1路独立的运算放大器、1个高速比较器，同时提供多种数字通信接口，包括3个U(S)ART、2个I2C、2个SPI、1个I2S。