磁光Kerr效应
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当一束单色线偏振光照射在磁光介质薄膜表面时,部分光线将发生透射,透射光线的偏振面与入射光的偏振面相比有一转角,这个转角被叫做磁光法拉第转角(θF).而反射光线的偏振面与入射光的偏振面相比也有一转角,这个转角被叫做磁光克尔转角(θk),这种效应叫做磁光克尔效应.磁光克尔效应包括三种情况:(1)纵向克尔效应,即磁化强度既平行于介质表面又平行于光线的入射面时的克尔效应;(2)极向克尔效应,即磁化强度与介质表面垂直时发生的克尔效应;(3)横向克尔效应,即磁化强度与介质表面平行时发生的克尔效应
写入了信息的磁光介质,利用磁光克尔效应来读出所写的信息.具体方法是:将一束单色偏振光聚焦后照射在介质表面上的某点,通过检测该点处磁畴的磁化方向来辨别信息的“0”或“1”。例如,被照射的点为正向磁化,+θk,,相反被照射的点为反向磁化,-θk。因此,如果偏振分析器的轴向恰好调整为与垂直于记录介质的平面成θk夹角,那么在介质上反向磁化点的反射光线将不能通过偏振分析器,而在介质的正向磁化处,反射光则可以通过偏振分析器。这表明反射光的偏振面旋转了2θk的角度.这样,如果我们在经过磁光介质表面反射的光线后方,在通过偏振分析器后的光路上安放一光电检测装置(例如光电倍增管),就可以很方便地辨认出反射点是正向磁化还是反向磁化,也就是完成了“0”和“1”的辨认.如果把磁光介质附着在可旋转的圆盘表面,磁光盘.旋转时,如果同时有单色偏振光聚焦在磁光盘表面,就可实现光线的逐点扫描,即信息被连续读出。
Θk影响因素
1、温度,通常、温度的升高θk将减小;
2、θk与成分的配比有很大的关系
3、与入射光的波长有密切的关系。测得θk与波长的关系曲线-磁光谱。一定波长对应峰值。第四,与制备的工艺有直接关系,如退火的程序、时间、环境
倾向采用波长更短的光(如蓝色激光)作为光源来进行磁光信息存储,其光子具有更高能量。