2014-2015 模拟电子技术基础-课程作业(华南理工大学).
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《模拟电子技术基础》平时作业-华南理工大学网络教育
2020年下半年度模拟电子技术基础作业1．集成运算放大器的基本组成有哪几个部分？并详细介绍各部功能及主要作用。
答：由输入级、中间级、输出级三部分组成。
作用如下： 输入级：采用差分放大电路以消除零点漂移和抑制干扰。
中间级：一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益。
输出级：一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。
2.测得放大电路中两个三极管中的两个电极的电流如图1试求：①另外一个电极电流的大小，并确定各电极的管脚。
②判断是NPN 型管还是PNP 型管。
③估算β值。
解：根据三极管电流关系I E = I C +I B ，I E >I C >>I B I E ≈I C ；确定①脚是基极；②脚是发射极， ③脚是集电极I E= I C +I B=1.86+0.03=1.89mA 发射极电流方向是流出。
根据管脚电流与方向确定NPN 型管Β= I C / I B =1.86/0.03=61图1 三极管管脚示意图3电路如图2所示，参数选择合理，若要满足振荡的相应条件， (1)将其正确连接成RC 桥式振荡电路。
（2）已知电路参数R=7.5K Ω，C 1=C 2=0.02μF,R 2=50 K Ω,估算振荡频率。
（3）已知电路参数R 2=50 K Ω,为保证电路起振，电阻R 1如何选取？解：5与7相连，3与1相连，4与2 相连，可组成RC 桥式振荡电路。
如图所示：（2）f o =2πRC =2×3.14×7.5×103×0.02×10−6=10.942×10−3≈1.06KHz（3）根据RC 桥式振荡电路的起振条件R 2>2R 1 50>2R 1 25KΩ>R 1图2 振荡器电路图。
华南理工大学模电习题附学习要点计划
B选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每空1分，共14分）1．已知常温下U T26mV,二极管D正偏电压UD，电流ID，其交流电阻rD=（）。
A.750B.C.375D. 2．BJT放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V、、0V，据此可判断BJT为(A)型三极管，其三个电极中①为(D)极。
A.PNPB.NPNC.发射极D.基极,E.集电极3．图1所示共射放大电路，设静态时I CQ5mA，晶体管饱和管压降U CES，当输入信号幅度增大到必定值时，电路将第一出现（）失真，其输出波形的()将削去一部分。
A.截止B.饱和C.顶部D.底部4．在图1所示电路中，已知晶体管的100，r be1k，U i20mV；静态工作时U BEQ，U CEQ5V，I BQ20uA，相应的电压增益为（）。
A．A u 1003300B．A u100150 11C．A u5250D．A u5 2010-35．依据不一样器件的工作原理，试判断（）可以构成复合管。
（A）（B）（C）（D）6．在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻R i 约为150kΩ，电压放大倍数的数值A u约为100，第一级电和第二级电路应采纳（）。
A.共集电路；共射电路B．共基电路；共射电路C.共集电路；共基电路D.共射电路；共射电路7．MOSFET构成的两级放大电路，总电压增益A u2000倍，此中第一级的电压增益为20倍，则第二级的电压增益为（）。
A．10dB B.20dB C.40dB《模拟电子技术》试卷第1页共12页8．对于单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为f H 、f L ，当f f L 时，U o滞后U i （ ）。
A ．180B ．135C ．90D ．459．某负反响放大电路，其开环增益A ui 10k ，反响系数 iu，开环输入电阻FR o800，可计算出其闭环输出电阻 R of=（ ）。
A.800k；B.80k；；D.810．负反响放大电路中，如需要从信号源获取更大电流，并稳固输出电压，应引入（）负反响。
《 模拟电子技术 》试卷A-附答案(华南理工大学)
诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A (2011.07.04)1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上；选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共20分) ．二极管D 的正偏电压D 0.62V U =，电流D 1mA I =，其交流电阻d r = ( )。
A ．620ΩB ．13ΩC ．26ΩD ．310Ω．集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。
A ．抑制温漂B ．增大放大倍数C ．展宽频带D ．降低输出电阻 ．已知图1所示电路中 V CC ＝12V ，R c ＝3kΩ，静态管压降 CEQ ＝6 V ；输出端负载电阻 R L =3 kΩ，若发现电路输出电( )。
A ．R W 减小 B ．R c 减小C ．V CC 减小D ．R b 减小．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 R e ，将使电路的( )。
A ．差模放大倍数增大B ．对共模信号抑制能力增强C ．差模输入电阻增大D ．输出电阻降低．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放( ) 。
A ．耦合电容和旁路电容的存在B ．半导体管极间电容和分布电容的存在。
C ．半导体管的非线性特性D ．放大电路的静态工作点不合适图16．欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ( )。
A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈7．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( )；将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
A ．积分运算电路B ．微分运算电路C ．反相比例运算电路D ．乘方运算电路8．如图2所示框图，要使由基本放大电路及正反馈网络构成的电路能产生正弦波振荡，其起振条件是( )。
(n 为整数)A. πA F n ϕϕ+=，1=F AB. 2πA F n ϕϕ+=，1>F AC. 2πA F n ϕϕ+=，1=F AD. πA F n ϕϕ+=，1>F A9．若图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES │， 则最大输出功率 P om ＝( )。
华南理工 模拟电子技术基础试卷14
模拟电子技术基础试卷试卷号：B140022校名___________ 系名___________ 专业___________ 姓名___________ 学号___________ 日期___________（请考生注意：本试卷共 页）一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D ( 本 大 题9分 )放大电路如图所示，设电容器对交流信号均可视为短路。
试比较它们的输入电阻和电压放大倍数的大小，并填空。
1．输入电阻最小的为图________电路； 2．输入电阻最大的为图________电路；3．电压放大倍数i ou u A u =最小的为图________电路； 4．电压放大倍数i ou u A u =最大的为图________电路。
( a )( b )( c )二、填空：将正确答案填写在横线上。
( 本 大 题10分 )为了测量某音频放大电路的通频带，使用实验室现有的正弦信号发生器、数字万用表交流档20Hz ～1kHz 和示波器DC ～20MHz 组成图示的测量电路。
正弦信号发生器用来产生不同频率的正弦输入信号；数字万用表用来测量不同频率下的输入电压和输出电压；示波器用来监视输出电压的波形，确保测量在不失真情况下进行。
试问，这样的测量方法是否存在问题？若存在问题。
则说明在不增加现有仪器、设备的条件下应如何测量。
三、解答下列各题 ( 本 大 题6分 )设图示电路中的二极管为理想二极管，（正向导通电阻等于零，反向电流等于零），电阻R 为30Ω。
当用R ×1档指针式万用表测量A 、B间的电阻时，若红表笔（带负电压）接A 端，黑表笔（带正电压）接B 端，则万用表的读数是多少？RRA四、解答下列各题 ( 本 大 题9分 )试分别说明有源低通和带通滤波电路在0→f 和∞→f 时的增益特点；定性画出它们的理想幅频特性()f A u，注明通带截止频率p f 和通带增益p u A 。
五、解答下列各题 ( 本 大 题10分 )电容三点式LC 正弦波振荡电路如图所示。
华南理工大学材料学院2014～2015学年第Ⅰ学期课表-高分子、材料化学、光电(2011级)、创新班
材料科学与工程学院2014~2015学年度第一学期授课时间表（高分子、材料化学、光电和创新班）（2014.9.1~2015.1.16）二零一四年七月三日显示器件驱动技术设计和照明光学系统设计：17-20周。
专业：高分子材料与工程年级：2012 人数：114人（甲班38，乙班37，丙班39）（本课表从2014年9月1日起执行）专业：材料化学年级：2012 人数：25人（本课表从2014年9月1日起执行）华南理工大学2014～2015学年第Ⅰ学期授课时间表专业：材料类创新班（本硕博连读）年级：2012 人数：31人（本课表从2014年9月1日起执行）高分子物理综合实验（高分子方向）：17-18周，材料物理化学与测试方法综合实验（无机方向）：17-18周。
备注：《中国近现代史纲要》原著导读、实践教学环节与课内教学并行，实践教学不多于8学时，由授课老师根据实际上课情况安排。
备注：《中国近现代史纲要》原著导读、实践教学环节与课内教学并行，实践教学不多于8学时，由授课老师根据实际上课情况安排。
专业：材料类创新班（本硕博连读）年级：2013 人数：26人（本课表从2014年9月1日起执行）专业：高分子材料与工程年级：2014 人数：120人（甲班40，乙班40，丙班40）（本课表从2014年9月1日起执行）备注：《思想道德修养与法律基础》原著导读、实践教学环节与课内教学并行，实践教学不多于12学时，由授课老师根据实际上课情况安排。
专业：材料化学年级：2014 人数：30人（本课表从2014年9月1日起执行）备注：《思想道德修养与法律基础》原著导读、实践教学环节与课内教学并行，实践教学不多于12学时，由授课老师根据实际上课情况安排。
专业：材料类创新班（本硕博连读）年级：2014 人数：25人（本课表从2014年9月1日起执行）。
华南理工大学大二电类专业模拟电子技术考试试卷及答案4
华南理工大学期末考试模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（25分）1．二极管最主要的特性是 。
2．三极管是 控制型器件，而场效应管是 控制型器件。
3．射极输出器具有______________恒小于1、接近于1，______________ 和__________同相，并具有_____________高和_______________低的特点。
5．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V ，经过电容滤波后为________V 二极管所承受的最大反向电压为 V 。
6、在门电路中，最基本的三种门电路是 门 门和 门。
7．时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为 时序电路和 时序电路。
二、单项选择题 （每小题 2分，总共20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为，则这只三极管是（ ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。
A ．不用输出变压器B ．不用输出端大电容C ．效率高D ．无交越失真 5．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区 6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。
(a) F =A B +A B(b) F =AB AB +(c) F =AB +A B8. 逻辑代数又称为 代数。
最基本的逻辑关系有 、 、 三种。
华南理工-模电试卷答案7
试卷号：B140014(答案)注：各主观题答案中每步得分是标准得分，实际得分应按下式换算：第步实际得分本题实际得分解答第步标准得分解答总标准得分N =N ⨯一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D(本大题分7小题, 每小题8.92857142857143分, 共62.5分)1、✶ B ................................................................................................................................................................................................... 2 ✷ E ............................................................................................................................................................................................................ 4 ✹ A ............................................................................................................................................................................................................ 6 C ............................................................................................................................................................................................................ 8 E (10)2、1．A (2)2．A (4)3．C (6)4．B (8)5．C (10)3、1．C ........................................................................................................................................................................................... 10/32．A .................................................................................................................................................................................................... 20/33．C (10)4、1．B (3)2．B ，B (7)3．A (10)5、1．甲错。
2014-2015(一)华南理工大学大学城校区通识教育课程表
教师姓名
童真 童真 王岩 殷继国 孟祥娟 万小丽 马建兴 沈玮玮 赵翔 涂健 刘志超 黄爱华 蒋仲杰/程爽 杨成浩/周伟家 刘江/黎立桂 卢桂宁/郭楚玲/党志 黄少斌/易筱筠/卢桂宁 王红飞 周云郊 张芩 杨清洪 林建 蔡文学/钟慧玲/张智勇/颜波 蔡文学/钟慧玲/张智勇/颜波 郭新波 陈中/林伟锋 叶君 李瑞 高兵 郑穗平 周世水 张雷
外国语学院 外国语学院 外国语学院 外国语学院 外国语学院 外国语学院 外国语学院 外国语学院 物理与光电学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 新闻与传播学院 学生工作处 学生工作处 学生工作处 学生工作处 学生工作处 学生工作处 艺术学院 艺术学院 艺术学院 艺术学院 艺术学院 艺术学院 艺术学院 艺术学院 艺术学院 艺术学院 艺术学院 艺术学院
周日第2,3,4节{第4-15周} 周一第5,6,7节{第6-16周} 周二第5,6,7节{第6-16周} 周一第5,6,7节{第6-16周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周三第5,6,7节{第4-15周} 周二第10,11,12节{第4-15周} 周二第5,6,7节{第6-16周} 周四第10,11,12节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周一第10,11,12节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周二第10,11,12节{第4-15周} 周一第10,11,12节{第4-15周} 周二第10,11,12节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周四第10,11,12节{第4-15周} 周五第10,11,12节{第4-15周} 周二第10,11,12节{第4-15周} 周二第10,11,12节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周二第10,11,12节{第4-15周} 周一第10,11,12节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周一第10,11,12节{第4-15周} 周二第10,11,12节{第4-15周} 周二第10,11,12节{第4-15周} 周五第10,11,12节{第4-15周} 周二第5,6,7节{第4-15周} 周二第8,9,10节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周二第10,11,12节{第4-15周} 周一第10,11,12节{第4-15周} 周四第10,11,12节{第4-15周} 周四第7,8,9节{第4-15周} 周三第10,11,12节{第4-15周} 周三第7,8,9节{第4-15周} 周五第7,8,9节{第4-15周}
2014-2015 模拟电子技术基础-课程作业(华南理工大学)
教材模拟电子技术基础(第四版清华大学模拟电子技术课程作业第 1章半导体器件1将 PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将 ( B 。
(a变宽 (b变窄 (c不变 2半导体二极管的主要特点是具有 ( B 。
(a电流放大作用 (b单向导电性(c电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压 ( A 。
(a正向电压大于 PN 结的死区电压 (b正向电压等于零 (c必须加反向电压4电路如图 1所示,设 D 1, D 2均为理想元件,已知输入电压u i =150sinωt V 如图2所示,试画出电压 u O 的波形。
D 2D 1u O+- 图1图2解:(1 ui 小于 60v 时 D1截止 D2导通, uo=80v; (2 ui 大于 60v 小于 100v 时D1、、 D2都导通, uo=ui; (3 ui 大于 100v 时 D1 导通 D2截止, uo=100v。
5电路如图 1所示,设输入信号 uI 1,uI2的波形如图 2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压 uO 的波形,并说明 t 1,t 2时间内二极管 D 1, D 2的工作状态。
uI2D1图1图2 uI1u解:t1:D1导通, D2截止 t2 :D2导通, D1截止1下列电路中能实现交流放大的是图 ( B 。
U oCCU CCU (c(d-ou o2图示电路,已知晶体管β=60, U BE. V =07 , R C k =2 Ω,忽略 U BE ,如要将集电极电流 I C 调整到 1.5mA , R B 应取 ( A 。
(a480kΩ (b120kΩ (c240kΩ (d360kΩ3固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流 IC 将 ( A 。
(a增加(b减少 (c基本不变4分压式偏置放大电路如图所示,晶体 T 的β=40, UBE. V =07,试求当 RB1, RB2分别开路时各电极的电位(U B , U C , U E 。
《模拟电子技术基础》-2021年春季平时作业华南理工大学网络教育学院
模拟电子技术基础 - 2021年春季平时作业华南理工大学网络教育学院一、引言《模拟电子技术基础》是华南理工大学网络教育学院本科课程的一门重要课程。
该课程主要介绍了模拟电子技术的基本理论和实践应用，包括模拟电路分析、运算放大器、滤波器设计、功放等内容。
本文将对2021年春季平时作业进行详细的说明和分析。
二、作业要求本次平时作业共包含多个题目，要求学生独立完成并按时提交。
每个题目都涉及到模拟电子技术基础的某个方面，旨在让学生通过解答题目巩固和应用课堂所学知识。
作业要求学生使用计算机辅助工具，例如MATLAB、Multisim等进行仿真和分析。
同时，学生需要撰写实验报告，包括实验目的、实验步骤、数据分析、结论等内容。
三、题目分析1.第一题：请设计一个滤波器，实现对特定频率信号的滤波。
要求给出滤波器的电路图、传输函数和频率响应曲线。
并通过仿真确认滤波器的性能。
对于这道题目，学生需要选择合适的滤波器类型（如低通滤波器、高通滤波器等）来实现对特定频率信号的滤波。
可以使用传统的被动滤波器，也可以采用集成电路实现。
需要给出相应的电路图，并使用计算机仿真工具进行性能验证。
2.第二题：请设计一个运算放大器电路，实现特定功能的信号处理。
要求给出电路图、输入输出特性曲线和参数设计计算过程。
这道题目要求学生设计一个特定功能的运算放大器电路。
学生需要根据所要实现的功能来选择电路拓扑，并进行参数设计。
同时，需要给出相应的电路图，并通过计算机仿真工具验证电路的性能。
3.第三题：请设计一个功放电路，实现对音频信号的放大。
要求给出电路图、频率响应曲线和功率计算结果。
这道题目要求学生设计一个功放电路，用于对音频信号进行放大。
学生需要选择合适的功放电路拓扑，并进行参数设计。
需要给出相应的电路图，并使用计算机仿真工具来验证电路的频率响应和计算功率。
四、实验过程学生可以按以下步骤来完成作业：1.阅读题目要求和分析题目内容；2.根据题目要求选择合适的电路拓扑，并进行设计；3.绘制电路图，并使用计算机辅助工具进行仿真；4.进行仿真分析，得到实验数据；5.撰写实验报告，包括实验目的、实验步骤、数据分析、结论等内容；6.按要求提交作业，包括电路图文件、仿真结果截图和实验报告。
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教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( B )。
(a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有( B )。
(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( A )。
(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。
D 2D 1u O+- 图1图2解：（1）ui 小于60v 时D1截止D2导通，uo=80v ； （2）ui 大于60v 小于100v 时D1、、D2都导通，uo=ui ； （3）ui 大于100v 时D1 导通D2截止，uo=100v 。
5电路如图1所示，设输入信号uI1,uI2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压uO的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2的工作状态。
uI2D1图1图2uI1u解：t1:D1导通，D2截止 t2 :D2导通，D1截止1下列电路中能实现交流放大的是图( B )。
U oCCU CCU (c)(d)-ou o2图示电路，已知晶体管β=60，U BE .V =07，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( A )。
(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k ΩV3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( A )。
(a)增加(b)减少 (c)基本不变4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE .V =07，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。
并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。
u o U CC 12V+-5放大电路如图所示,已知晶体管的输入电阻r be k =1Ω，电流放大系数β=50，要求: (1)画出放大器的微变等效电路；(2)计算放大电路输入电阻r i 及电压放大倍数Au 。
(1)Ωu o12V+－(2) 2B 1B B be B i //k 79.0//R R R r R r =Ω==5.6212//5.250//be L C -=-=-=r R R A u β第三章 多级放大电路1由两管组成的无射极电阻R E 简单差动放大电路，欲在双端输出时能很好的抑制零点漂移必须使得( A )。
(a)电路结构对称，两管特性及对应的电阻元件参数相同。
(b)电路结构对称，但两管特性不一定相同。
(c)两管特性及对应的电阻元件参数相同，但电路结构不一定对称。
2在多级直接耦合放大电路中，导致零点漂移最为严重的是( A )。
(a) 第一级的漂移(b)中间级漂移(c)末级漂移3在直接耦合放大电路中，采用差动式电路结构的主要目的是( B )。
(a)提高电压放大倍数 (b)抑制零点漂移 (c)提高带负载能力4电路如图所示，微安表的读数为100A μ，AB 支路的总电阻R L k =2Ω，β1=β2=50,U BE .V =06，计算时忽略R p 的影响，且不计微安表的内阻。
要求：(1)指出电路的输入，输出方式；(2)电路是如何抑制零点漂移的？(3)计算输入电压u I 的大小。
+u I5差动放大电路如图所示，问R E 对差模信号有无影响？为什么？U CC答：RE 基本上不影响差模信号的放大效果，因为输入差模信号时两管的集电极电流产生异向变化，两管电流一增一减，其变化量大小相等，因为通过RE 中的电流近似不变.6电路如图所示，其中两个晶体管特性完全相同。
试回答：(1)RE ，RC ，RZ 各起什么作用？(2)此电路是否能将交流信号u I 放大为u O ？(3)u I 和u O 的相位关系怎样，是同相还是反相？UCC1)这是个“差动放大器，RE是两个三极管共同的e极电阻，深度负反馈，起差动作用；RC是T1集电极电阻，为输出产生工作点；uz为T2提供规定的基极基准电压uz；RZ为uz的限流电阻。
2)因为T2的基极电压为一个稳定电压uz，T1的基极电压ui也是以这个电压为基准，当ui=uz时（应该作为ui的起始0电位，T1T2两个三极管的集电极电流相同，输出uo在一个电压上，当ui高于uz时，T1基极电流Ib1增加，T1集电极电流Ic=βIb1随之增加，T1的发射极电流Ie1=Ic1+Ib1增加流过电阻Re，这样T1T2的发射极电位Ue会提高，因为T2的基极电压是稳定的uz，T2的发射极电位Ue提高会使T2的集电极电流Ic2降低，Ic2的降低会阻止Ue的增加。
同理，如果ui低于uz时，T1基极电流Ib1减小，……，Ic2会增加阻止Ue的降低，这就是一个深度负反馈过程。
因为三极管的放大作用，可以使差动放大器的e点电位基本不变，这种互补作用可以弥补三极管因为温度变化或其它原因造成的三极管参数的漂移而引起的输出不稳定变化等问题。
3）电路可以作为交流信号放大，输出和输入是反相第四章集成运算放大器1从外部看，集成运放可等效成高性能的（ B ）A.双端输入双端输出的差分放大电路B.双端输入单端输出的差分放大电路C.单端输入双端输出的差分放大电路D 单端输入单端输出的差分放大电路2集成运放的输出级多采用（ A ）共射放大电路 B. 共集放大电路 C. 互补输出电路第5章放大电路的频率响应1低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ A ）(a) 耦合电容和旁路电容的存在(b) 半导体管极间电容和分布电容的存在(c)半导体管的非线性特性(d) 放大电路的静态工作点不合适2高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ B ）(a) 耦合电容和旁路电容的存在(b) 半导体管极间电容和分布电容的存在(c)半导体管的非线性特性(d) 放大电路的静态工作点不合适第六章负反馈放大电路1放大电路如图所示，R F支路引入的反馈为(C)。
(a)串联电压负反馈(b)串联电流负反馈(c)并联电压负反馈(d)正反馈CC2两级放大电路如图所示，第二级与第一级之间的R F支路引入的反馈为( A )。
(a)串联电压负反馈(b)串联电流负反馈(c)并联电压负反馈(d)并联电流负反馈RF3 在串联电压负反馈放大电路中，若将反馈深度增加，则该电路的输出电阻将(A)。
(a)减小(b)增加(c)不变4 两极阻容耦合放大电路如图所示，试指出其交流反馈支路及反馈的类型(电压，电流；串联，并联)，并在图上用瞬时极性判别反馈的极性(正，负反馈)。
oCC5某负反馈放大电路的开环放大倍数为50，反馈系数为0.02，问闭环放大倍数为多少？答：闭环放大倍数为25倍。
第7章 信号的运算1运算放大器接成图示电路后，其输入输出方式为( C )。
(a)双端输入双端输出 (b)双端输入单端输出 (c)单端输入单端输出 (d)单端输入双端输出O-∞＋R F2理想运算放大器的两个输入端的输入电流等于零，其原因是( B )。
(a)同相端和反相端的输入电流相等而相位相反 (b)运放的差模输入电阻接近无穷大 (c)运放的开环电压放大倍数接近无穷大3比例运算电路如图所示，该电路的输入电阻为( C )。
(a)零 (b)R1 (c)无穷大-∞＋4具有高输入阻抗和接地负载的电压控制电流源电路如图所示，设图中R R R =+12，试证明：i u R L I =-21/。
-∞＋-∞＋u O解：列方程组Ui-Uo1=RI2Uo-Ui=R2I2 Uo2=-Uo1 Uo-Uo2=R1I1 消去Uo2有 Ui-Uo1=RI2 Uo-Ui=R2I2 Uo+Uo1=R1I1第一、三式相加消去Uo1有 Uo-Ui=R2I2Uo+Ui=R1I1+RI2第二式减去第一式消去Uo 有2Ui=R1I1+(R-R2)I2= R1I1+(R1+R2-R2)I2=R1(I1+I2)=R1(-IL) IL=-2Ui/R15电路如图所示，求负载电流i L 与电压u S 之间关系的表达式。
-∞＋u OR6试用集成运放组成运算电路，要求实现以下运算关系，请画出电路，并在图中标出各电阻的阻值。
① u 0=－5u I ② u 0=－2u I1－10u I2第八章 正弦波振荡电路1自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置，此装置之所以能输出信号是因为( B )。
(a)有外加输入信号(b)满足了自激振荡条件(c)先施加输入信号激励振荡起来，然后去掉输入信号2一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为Au ，反馈系数为F ，能够稳定振荡的幅值条件是( C )。
(a)||A F u >1 (b)||A F u <1 (c)||A F u =13一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为AA u u =∠||ψA ，反馈系数为 F F =∠||ψF ，该振荡器要维持稳定的振荡，必须满足( A )。
(a)||A F u =>1，ψψπA F ()+=+21n (n=0，1，2，…) (b)||A F u =1，ψψπA F +=2n (n=0，1，2，…) (c)||A F u >1，ψψπA F ()+=-21n (n=0，1，2，…) 4电路如图所示，参数选择合理，若要满足振荡的相应条件，其正确的接法是( )。
(a)1与3相接，2与4相接 (b)1与4相接，2与3相接 (c)1与3相接，2与5相接-∞＋2145在图示文氏桥振荡电路中，已知R1=10 k Ω，R 和C 的可调范围分别为1~100 k Ω、0.001~1μF 。
（1） 振荡频率的可调范围是多少？（2）R F的下限值为多少？ 解：1)1.6HZ —160kHZ2)20 k Ω6将图示电路合理连接，构成桥式（即文氏桥）正弦波振荡电路，并估算电路的振荡频率和R1的最大值。
解：电路的振荡频率是160kHZR1的最大值是50 k Ω第九章 功率放大电路1无输出电容器的互补对称功率放大电路（OCL ），电源电压为±12V ，输入正弦信号u i 的幅度足够大，则输出正弦波幅度最大约等于( A )。
(a)12V (b)24V (c)6V2 OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( C )。
(a)T 1导通T 2截止 (b)T 1截止T 2导通 (c)T 1，T 2导通-12 V u i3欲提高功率放大器的效率，常需要( B )。
(a)增加电源供给的功率，减小动态输出功率 (b)增加动态输出功率，减小电源供给的功率 (c)设置静态工作点在接近饱和区处，增加静态电流I C4 OTL功率放大电路如图所示,该电路会产生(C)。