2007年模拟、数字及电力电子技术试卷及答案详解

电力电子技术模拟试题（附答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。

（）A、正确B、错误正确答案：B2.平板式晶闸管的缺点是安装不方便。

（）A、正确B、错误正确答案：A3.有源逆变电路是把直流电能变换成50Hz交流电能送回交流电网。

（）A、正确B、错误正确答案：A4.为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。

（）A、正确B、错误正确答案：B5.GTO开通时间是指延迟时间和上升时间之和。

（）A、正确B、错误正确答案：A6.给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。

A、正确B、错误正确答案：B7.降压斩波电路运行情况只有一种：电感电流连续模式。

（）A、正确B、错误正确答案：B8.晶闸管的额定电流一般比实际工作电流的最大值大 1.5～2倍。

（）A、正确B、错误正确答案：A9.无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。

（）A、正确B、错误正确答案：B10.GTO制成逆导型，能够承受反向电压。

（）A、正确B、错误正确答案：B11.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。

（）A、正确B、错误正确答案：B12.三相全控桥整流电路中，输出电压的脉动频率为150Hz。

（）A、正确B、错误正确答案：B13.在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。

（）A、正确正确答案：B14.斩波电路具有效率高、体积小、重量轻、成本低等优点。

（）A、正确B、错误正确答案：A15.电压型逆变器其中间直流环节以电容贮能。

（）A、正确B、错误正确答案：A16.整流电路按电路结构不同分为零式电路和桥式电路。

（）A、正确B、错误正确答案：A17.降压斩波电路中二极管作用是续流。

（）A、正确B、错误正确答案：A18.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。

（）A、正确B、错误正确答案：B19.直流变换电路多用于牵引调速。

（）A、正确B、错误正确答案：A20.无源逆变电路是把直流电能逆变成交流电能送给交流电网。

2007年（上）高等教育自学考试全国统一命题考试模拟、数字及电力电子技术试卷及答案详解第一部分选择题一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1．测得NPN型三极管三个电极的电位分别为U C=3．3V，U B=3．7V，U E=3V，则该管工作在( )A．放大区B．截止区C．饱和区D．击穿区2．理想运放组成的电路如题2图所示，其电压放大倍数为( )A．－10 B．11 C．10 D．－11题2图3．要提高放大电路的负载能力，可采用( )A．串联负反馈B．并联负反馈C．电流负反馈D．电压负反馈4．桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为20V，则输出直流电压为( )A．9V B．18V C．24V D．28V5．逻辑函数的最简与或式为( )6．逻辑函数的标准与或式为．( )A．∑(0,1,3,5,7) B．∑(1,2,4,5,6)C．∑ (0,2,3,6,7) D．∑ (1,3 4,6,7) 7．逻辑函数F(A，B，C，D)=∑(O，2，5，7，8，10，13，15)的最简与或非式为( )8．逻辑函数F(A，B，C，D)=∑(4，5，6，12，13，14)，其约束条件为BC =0，则最简与或式为( )9．题9图为TTL逻辑门，其输出F为( )题9图10．题10图为触发器的状态图，该触发器为( )题10图11．题11图中触发器的次态Q n+1为( )题11图12．为了将三角波变换为同频率矩形波，应选用( )A．计数器B．单稳态触发器C．施密特触发器D．多谐振荡器13．晶闸管SCR的导通条件是( )A．u ak＞0 u gk＜0 B．u ak＜0 u gk＜0 C．u ak＞0 u gk＞0 D．u ak＜0 u gk＞0 14．三相半波相控整流电路带电阻性负载，电源电压有效值为U2，则晶闸管SCR在电路中承受的最大反向电压为( )15．将固定的直流电压变成可调的直流电压称为( )A．整流B．斩波C．变频D．逆变第二部分非选择题二、填空题（本大题共10小题，每小题1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。

一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括_信息电子技术__和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在___开关______状态。

当器件的工作频率较高时，___开关______损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为____载波比_________，当它为常数时的调制方式称为___同步______调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状___不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是____MOSFET_____，单管输出功率最大的是___GTO__________，应用最为广泛的是_____IGBT______。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为有源逆变，如果接到负载，则称为无源逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为___VD2____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为___V2____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（D）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（C）晶闸管导通。

2007 - 2008学年第二学期《模拟电子技术》期末试卷（A）姓名：学号：专业班级：__________（请考生注意，本试卷共6页）8小题,每空1分, 总计20分）1. PN结的伏安特性方程 i =I S(e U/UT-1)，表明PN结呈现单向导电性。

2. 放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为 U A= -9V，U B= -6.2V，U C= -6V，则该三极管是锗PNP 型三极管，A为集电极；B为基极；C为发射极。

3. 对于下图所示的电压跟随器，其输出电压与输入电压的关系是 u o＝u i，输入电阻趋于零；输出电阻趋于无穷大，该电路是电压串联类型反馈电路（反馈组态）。

4．多级放大电路与各单级放大电路比较，多级放大电路压增益大，单级放大电路通頻带宽。

5．双端输入、双端输出差动放大电路如下所示，已知静态时V O=V C1-V C2=0，设差模电压增益|A VD|=100，共模电压增益A VC=0，V i1=10mV，V i2=5mV，则差模输入电压V id为 5mV ，共模输入电压V ic为7.5mV ，输出电压|V o|= 0.5V 。

6.所示放大电路中引入的反馈组态是电流串联负反馈。

该反馈能稳定电路的输出电__流_。

7．场效应管（FET）用于放大时，应工作在恒流区。

8．为了稳定放大器的静态工作点，应引入直流负反馈；为了稳定放大器的交流性能，应引入交流负反馈。

v o二、选择题（共10小题，每题1分，总计10分）1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ]A．温度 B．掺杂工艺的类型C．杂质浓度 D．晶体中的缺陷2.滞回比较器有2个阈值电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生次跃变。

［ A ］A. 1B. 2C. 3D. 03.当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为。

[ C ］A. 反向偏置但不击穿B. 正向偏置但不击穿C. 反向偏置且被击穿D. 正向偏置且被击穿4.双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是 [ A ]A．发射结正偏；集电结正偏 B．发射结正偏；集电结反偏C．发射结反偏；集电结正偏 D．发射结反偏；集电结反偏5.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使。

模拟、数字及电力电子技术自考题模拟2(总分：100.00，做题时间：90分钟)一、第Ⅰ部分选择题单项选择题(总题数：15，分数：30.00)1.晶体管作为开关时的工作区域是______（分数：2.00）A.饱和区+放大区B.击穿区+截止区C.放大区+击穿区D.饱和区+截止区√解析：[考点] 本题主要考查的知识点为晶体管的开关电性。

在放大电路中晶体管工作在放大区；而在开关电路中，晶体管工作在饱和区和截止区。

2.用二进制代码表示十进制的十个状态0～9，二进制代码至少应当有______（分数：2.00）A.8位B.4位√C.2位D.1位解析：3.如果编码0100表示十进制数4，则此码不可能是______（分数：2.00）A.8421BCD码B.5211BCD码√C.余3循环码D.2421BCD码解析：4.已知某逻辑函数的真值表如题4表所示，该逻辑函数表达式为______A B y0 0 00 1 11 0 11 1 0A．B．C．D．（分数：2.00）A.B.C.D. √解析：[考点] 本题主要考查的知识点为由逻辑真值表写出逻辑函数式。

5.将表达式AB+CD变成与非-与非表达式，其形式为______A．B．C．D．（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：6.逻辑函数的标准与或表达式为______A．B．C．D．（分数：2.00）A.B.C.D. √解析：[考点] 本题主要考查的知识点为求标准与或式的方法。

任何一个逻辑函数都可以化为最小项之和的形式，称为最小项表达式，也称为标准与或表达式。

7.下图所示电路输出端Y的表达式为______A．B．C．D．（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：[考点] 本题主要考查的知识点为OC门的逻辑功能和使用方法。

输入信号A、B送入OC与非门，该与非门输出为；输入信号C、D送入OC异或门，该异或门输出为。

两个输出端做“线与”连接，故输出。

8.JK触发器要求状态0→1时，其输入信号应为______（分数：2.00）A.J=0，K=0或1B.J=1，K=0或1 √C.J=0或1，K=0D.J=0或1，K=1解析：[考点] 本题主要考查的知识点为JK触发器的逻辑功能。

北京交通大学学生考试试题课程名称：电力电子技术（A卷）2009 –2010学年2学期出题：课程组一、单选题（每题2分，共20分）1、下列功率器件中，哪种器件最适合于小功率、高开关频率的变换器？①SCR ②IGBT ③MOSFET ④IGCT2、在单相全控桥带大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为：①0.707U2②1.414U2③0.9U2④3.14U23、对三相半波可控整流电路电阻性负载来说，触发脉冲的移相范围是：①0︒~90︒②0︒~120︒③0︒~150︒④0︒~180︒4、下列哪个电路不能实现输入输出之间的能量双向流动：①PWM整流电路②无源逆变电路③交交变频电路④BUCK电路5、单端反激变换器是①BOOST变换器的派生电路②BUCK变换器的派生电路③丘克变换器的派生电路④BUCK—BOOST变换器的派生电路6、在谐振变换器中，ZVS表示①零电压开关②零电流开关③硬开关④PWM开关7、采用并联缓冲吸收电路的目的是为了①减小导通损耗②减小关断过电压③实现开关器件的并联④实现软开关8、在晶闸管串联电路中，实现动态均压的主要元件是：①二极管②电感③电阻④电容9、晶闸管交流调压电路采用以下哪种控制方式：①相位控制②周期控制③通断控制④斩波控制10、在下列哪个电路中采用晶闸管时，需要加入强迫关断电路：①相控整流电路②有源逆变电路③无源逆变电路④交交变频电路二、判断题，正确的划“√”，不正确的划“×”（每题2分，共10分）（注意：每个小题后面有4个判断，答对4个判断得2分；答对3个判断得1分；其它不得分）1、三相电压型无源逆变器，每相桥臂由上下两个开关器件构成，下列哪些说法正确？①输出电压波形与负载性质有关（）②可以采用同步调制，也可以采用异步调制（）③可以采用方波控制，也可以采用PWM控制（）④桥臂上下两个开关器件换相时，在控制上应的控制需遵循“先断后开”的原则（）2、在带有大电感负载且触发角相同的情况下，单相全控桥电路与单相半控桥电路相比：①全控桥的输出电压平均值低于半控桥（）②全控桥的功率因数低于半控桥（）③全控桥负载电流连续而半控桥负载电流不连续（）④都会存在失控现象（）3、Boost DC—DC变换器：①工作状态（连续或断续）是根据负载电流的情况定义的（）②在连续工作状态下，输入电流是连续的（）③电感的作用是储能和滤波（）④又可称降压斩波器（）4、在谐振变换器中，下列哪些说法是正确的？①零电压开关、零电流开关都属于软开关（）②软开关的开关损耗比硬开关大（）③软开关的开关频率可以比硬开关高（）④软开关的电压、电流应力与硬开关相同（）5、晶闸管相控整流电路，考虑交流侧电抗时存在换相重叠角，其大小与许多因素有关：①直流负载电流越大，换相重叠角越大（）②输入变压器漏抗越大，换相重叠角越大（）③交流输入电压越大，换相重叠角越大（）④触发角α越大，换相重叠角越大（）三、简答题（共20分）1、如图所示交－直－交系统电路图， （1）简要说明图中各个变流器的作用；（2）当负载电机工作在发电状态时，说明该变流系统中的能量传递路径。

北京交通大学学生考试试题课程名称：电力电子技术（A 卷） 2009 –2010学年 2学期 出题：课程组一、单选题（每题2分，共20分）1、下列功率器件中，哪种器件最适合于小功率、高开关频率的变换器？① SCR② IGBT③ MOSFET ④ IGCT2、在单相全控桥带大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为：① 0.707U 2② 1.414U 2③ 0.9U 2④ 3.14U 23、对三相半波可控整流电路电阻性负载来说，触发脉冲的移相范围是：① 0︒~90︒② 0︒~120︒③ 0︒~150︒ ④ 0︒~180︒4、下列哪个电路不能实现输入输出之间的能量双向流动：① PWM 整流电路 ② 无源逆变电路 ③ 交交变频电路 ④ BUCK 电路5、单端反激变换器是① BOOST 变换器的派生电路 ② BUCK 变换器的派生电路③ 丘克变换器的派生电路 ④ BUCK —BOOST 变换器的派生电路6、在谐振变换器中，ZVS 表示① 零电压开关② 零电流开关③ 硬开关 ④ PWM 开关 7、采用并联缓冲吸收电路的目的是为了① 减小导通损耗 ② 减小关断过电压 ③ 实现开关器件的并联 ④ 实现软开关 8、在晶闸管串联电路中，实现动态均压的主要元件是：① 二极管② 电感③ 电阻 ④ 电容9、晶闸管交流调压电路采用以下哪种控制方式：① 相位控制② 周期控制③ 通断控制 ④ 斩波控制学院 班级 学号 姓名 ------------------------------------装 -------------------------------------------------------------------订--------------------------------------线-----------------10、在下列哪个电路中采用晶闸管时，需要加入强迫关断电路：①相控整流电路②有源逆变电路③无源逆变电路④交交变频电路二、判断题，正确的划“√”，不正确的划“×”（每题2分，共10分）（注意：本题共有5个小题。

湖南人文科技学院通控系电信、自动化、通信专业06级2007---2008学年第一学期模拟电子技术课程考核试卷(A)答案考核方式: （闭卷) 考试时量：120 分钟一、填空题：（每空1分，共20分）1、在纯净的半导体中掺入三价杂质元素构成的半导体叫P型半导体。

2、场效应管是电压控制器件。

3、共集电极放大器的主要特点是输入电阻高，输出电阻低；输入与输出同相；电压增益小于1而接近于1。

4、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。

5、理想集成运放从输入端流入内部的电流等于零，这种现象叫虚断，两输入端之间的电压等于零，这种现象叫虚短。

6、用示波器观察到NPN硅管组成的共射放大电路的集电极输出的波形的下半周出现了削波，这是饱和失真。

7、有用信号频率低于400Hz，应采用低通滤波器。

8、三端集成稳压器7815的输出电压为15V。

9、一般把幅频响应的高低两个半功率点间的频率差定义为通频带。

10、常见的功率放大电路有甲类、乙类、甲乙类和丙类等四种。

11、工作在乙类的互补对称电路将出现交越失真，解决的方法是采用甲乙类互补对称电路。

12、在V GS=0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用，才形成感生沟道的FET 称为叫增强型FET。

13、在差动放大电路中，若从两输入端输入的信号电压分别为u i1=-3mV，u i2=5mV，则差模输入电压u id= -8 mV，共模输入信号uiC= 1 mV，若A vd= -80，A vc= -0.3，则差动放大电路中双输入双输出时，输出电压V o= 639.7 mV。

二、判断题：（下列说法是否正确，凡对者打“ √ ”，错者打“ ×”每小题1分，共12分）( √ )1、耗尽型MOSFET的V GS可正、可负或为零。

( × )2、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。

( √ )3、复合管的β值近似为两只晶体管β值的乘积。

( × )4、N型半导体中没有空穴。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。