bsim模型公式

基于ＢＳＩＭ３ｖ３模型参数提取　

对于当前的集成电路设计技术，计　

算机辅助模拟已成为一种不可缺少的工　

具。电路模拟器能否用于大规模集成电　

路的设计和分析取决于模拟器中所采用　

的器件模型参数的准确性。本论文选取　

目前业界占主流地位的ＢＳＩＭ３（Ｂｅｒｋｅ—　

ｌｅｙ　Ｓｈｏｒｔ—ｃｈａｎｎｅｌ　ＩＧＦＥＴ　Ｍｏｄｅ１）为将要　

提取的模型，它是目前较为先进的深亚　

微米ＭＯＳＦＥＴ模型。论文提取ＣＭＯＳ　

工艺的模型参数，采用局域优化的方法，　

根据模型参数的物理含义，确定模型参　

数的提取顺序。最后对提取得到的模型　

参数进行验证，给出了模型参数的误差　

值，并对它们的误差进行了比较、分析。　

１绪论　

设计集成电路时，如果没有能够正　

确预测电路特性的模拟工具帮助，设计　复杂的芯片几乎是不可能的。作为电路　

设计和分析工具的模拟器，它的可信度　

取决于其中器件模型及其模型参数的正　

确性。由于器件尺寸越来越小，器件模型　

越来越复杂，如何能得到既简洁又能精　

确描述器件特性的模型就成为了电路模　

拟中重要的问题。在选定了器件模型的　

情况下，该模型参数的准确性将直接影　

响到设计工作是否正确。　

一个理想的元器件模型，应该既能　

正确反映元器件的电学特性又适宜于在　

计算机上进行数值求解。一般来讲，元器　

件模型的精度越高，模型本身就越复杂，　

所要求的模型参数个数也越多，这样计　

算时所占内存量增多，并导致计算时间　的增加。反之，如果模型过于粗糙，会导　

致分析结果的不可靠。因此，所用的模型　

的复杂程度要根据实际需要而定的。器　

～２０一￣．－７－世界／２０１１．０６／　北方工业大学杨兵　

件模型通过电流一电压（Ｉ—Ｖ）、电容一电　型参数的物理意义不变。　

压（Ｃ—Ｖ）特性以及器件中载流子的输运　本文根据ＣＭＯＳ工艺对ＢＳＩＭ３模　

过程描述了器件的端特性，这些模型应　型参数的提取方法进行研究。用两种方　

能够反映器件在所有工作区域的特性。　法（Ｓｉｎｇｌｅ—Ｂｉｎｎｉｎｇ器件模型提取方法　

一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化

禹玥昀;林宏;赵同林;狄光智;石艳玲

【摘 要】研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法，在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数，增加了其时间调制因子，优化并拟合其与HCI加压时间( Stress time)的关系式，以宽长比为10μm/0.5μm 5 V的MOSFET为研究对象，在开放的SPICE和BSIM3源代码对模型库文件进行修改，实现了该可靠性模型。实验表明，该模型的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合，因而适用于预测标准工艺MOS器件在一定工作电压及时间下性能参数的变化，进而评估标准工艺器件的寿命。%An innovative

modeling method is presented for describing BSIM3v3 SPICE reliability

model of MOSFET due to hot carrier injection. Seven main parameters

associated with HCI are optimized in Original BSIM3v3 source code,and

increased their relevant time modulating coefficient which can be acquired

seven equations. In this work, 5 V operating voltage nMOSFET with 10 μm

gate length and 0.5 μm gate width is prepared. The I-V simulation curve

after parameters extraction fit the measured results very well,so an

第1页共15页压轴题公式与模型汇总

一、常用公式

1、(1)两直线垂直与平行

222111,bxkybxky

①当

21//yy

时，则

2121,bbkk

；②当

21yy

时，则1

21kk

(2)已知直线y=kx+b：

比例系数k称为斜率，k=tanA=1212yyxx，其中∠A为直线与x轴的夹角(取锐角)；

①当k=±1时，∠A=45°；②当k=±3

3时，∠A=30°③当k=±

3时，∠A=60°

如图：

2、中点公式

已知),(),,(

2211yxByxA

，则AB中点坐标为）（

2,

22121yyxx

3、两点之间距离公式

已知),(),,(

2211yxByxA

，则AB=2

212

21)()(yyxx

4、求已知点关于已知直线对称的点的坐标，如下图

已知点A和直线L的解析式，求点A关于直线的对称点B的坐标？

步骤：①先画图，把相应各点画出来，②利用1

21kk

，求出直线AB的解析式

③联立直线L求出点O的坐标，再利用中点公式求出点B的坐标

5、三角形的“四心”

外心：三角形外接圆圆心：三边垂直平分线的交点即圆心，圆心到三个顶点的距离相等；

内心：三角形内切圆圆心：三个角角平分线的交点即圆心，圆心到三边的距离相等。

垂心：三角形三条高的交点

重心：三角形三条中线的交点；

结论：①重心G的坐标为(123

3xxx



，123

3yyy



)

②重心G是中线的三等分点：AG=2GD；BG=2GF；CG=2GE第2页共15页外接圆半径和内切圆半径求法：

6、线段垂直平分线与角平分线的求法第3页共15页7.韦达定理：前提：先考虑

2

40bac

①

12b

xx

a②

12c

xx

a③2

124bac

xx

a



8.已知直线ykxb

与曲线相交：则联立解析式，得到：

12

12b

xx

a

c

xx

a















推出1212

22

121212()2

()yykxxb

yykbxxkxxb











9.弦长公式：弦长是指直线ykxb

bsim4 c语言 编译

BSIM4是一种针对MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的模型，它是使用C语言编写的。BSIM4模型是一种广泛应用于集成电路设计和仿真中的模型，它能够准确地描述MOSFET的电流-电压特性和其他相关参数。本文将介绍BSIM4模型的基本原理和相关应用。

BSIM4模型是根据BSIM3模型的基础上进行改进和优化而来的，它考虑了更多的物理效应和工艺变化对MOSFET性能的影响。BSIM4模型的核心是通过一系列的数学公式来描述MOSFET的电流-电压特性。这些公式包括了漏极电流、阈值电压、迁移率和电流增益等参数的计算。BSIM4模型还考虑了温度、电压和工艺变化对这些参数的影响，并提供了相应的修正公式。

BSIM4模型的编译过程需要使用专门的编译器和相关软件工具。首先，需要将BSIM4模型的源代码文件以.c的扩展名保存，并使用合适的编译器进行编译。编译过程中会生成对应的可执行文件，可以通过运行这个可执行文件来使用BSIM4模型进行电路设计和仿真。

BSIM4模型的应用非常广泛，包括集成电路设计、电路优化、功耗分析等领域。在集成电路设计中，BSIM4模型可以用于预测MOSFET的性能和参数，从而指导电路设计的优化。在电路优化中，BSIM4模型可以用于评估不同电路结构和工艺参数对电路性能的影响，从而找到最佳的设计方案。在功耗分析中，BSIM4模型可以用于估计MOSFET的功耗和热耗散情况，从而指导功耗优化和散热设计。

除了基本的电流-电压特性计算，BSIM4模型还提供了许多其他功能和参数。例如，它可以计算MOSFET的噪声特性、频率响应和非线性失真等。这些功能可以帮助设计人员更全面地了解和评估电路的性能。

BSIM4模型是一种基于C语言编写的MOSFET模型，能够准确地描述MOSFET的电流-电压特性和其他相关参数。它在集成电路设计和仿真中起着重要的作用，应用广泛且功能强大。通过深入学习和理解BSIM4模型的原理和应用，可以提高电路设计的精度和效率。