50n10场效应管参数

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50N10场效应管的参数包括:

1. 极性:NPN。

2. 漏源电压(Vds):100V。

3. 栅源电压(Vgs):±20V。

4. 漏极电流(Id):连续ID为50A,脉冲IDM为70A。

5. 单脉冲雪崩能量(EAS):256mJ。

6. 总耗散功率(PD):85W。

7. 存储温度(TSTG):-55~+175℃。

8. 工作温度(TJ):-55~+175℃。

此外,50N10场效应管还有多种封装形式,包括TO-252、TO-220和TO-220F等。

以上内容仅供参考,如需更准确全面的信息,可查看50N10场效应管的规格书或咨询专业人士。