PSD-1205S中文资料

版本/版次A/01 20°）2 0.2mm 周围覆盖被膜，被膜厚度3 颜色：砖块颜色4 C 180°耐热温度：5 供应商：西山6 图示内弯曲半径见下表7 SPCC,SS400,SUS 适用材质8 材质及名称9 原材料尺寸及其它10 MS(kg)质量11 ×开，关文字的大小为7712外表使用布料即可开，关文字及框制成凹下去，用粗黑字13体，黑色油漆烧接14箭形符号制成凹下去，黑色油漆烧接要对称（但是，文字参和编号编号1215照图示）16 2追加编号17海绵（硅氧橡胶，挤出）页6共页1第版本/版次A/018 采购规格（书）19 K.K 采购地西山橡胶20 硅氧橡胶海绵材质21 ㎡25%压缩负荷 3008/c22 老化处理 210℃×12Ｈｒ23 REVISIONS 履历24 规格变更，追加25 追记尺寸图26 红色27 （切）后几分钟内不能触摸机器VCB 文字指定部分以外用黑色，用粗黑字28 体。

29 文字和图案用蚀刻方式制成凹版30 ）漆烤接用黑色（蒙赛尔NI31 地表面要除光32 印记和字体的外表整理好后再布局菱形印（色蒙赛尔用颜记的色黄赤33 ）2.5YR6/1434 轮郭线用黑色35 不要二点锁线36 7.5R4.5/14红色用蒙赛尔37 E-3切口，光（外部指定颜色）钳子固定用铆钉，从内侧进行防水处38 理。

392参照作业指示页6共页2第版本/版次A/04041 内螺纹插入方向42 以上2mm43 )关联图纸：GD405185(6T用）入库时，内螺M6~M10157～（编号44纹是已插入的状态。

45），用直丝锥编号1～6（M4.M5螺丝名称46管用平行螺丝ISO/公制螺纹·G(PF)/JIS47美国锥形螺丝德国螺丝·NPT/·PG/锁定螺母·主体·盾牌圈：镀镍48EPDM垫片·密封条：49填充物：66尼龙（UL94V-2）50屏蔽电线的屏蔽部要接圈，根据接地效果，建立电磁波影响对策，以前的机能51的密封条具有ISO/公制螺纹·G(PF)/JIS管用平行52或者是不锁定螺母·主体·密封螺帽：镀镍例：S, 2（编号左边开始第位的B变更成锈钢53填充物：密封条：EPDM。

仕 様 書形 名ＣＤ１０５１．外形1-1.寸法図(mm)※印 電極寸法は参考値とする。

1-2.捺印表示例1-3.推奨ランド寸法(mm)電極（端子）間の隙間はシルク処理をして御使用下さい。

２．コイル仕様2-1.端子接続図(裏面図)9.0±0.4 5.4±0.4※9.0※φ10.0φ10.0±0.4※2.1製造密番頭部直捺印捺印位置不定電極complianceCd:Max.0.01wt%others:Max.0.1wt%RoHS12-2.電気的特性Ⅰ(リール梱包の場合)No. 品 名 表示 インダクタンス[以内]※1D.C.R.(Ω)[以下](at 20℃)定格電流(A)※2S.R.F.(MHz)[参考値]スミダコード01 CD1Ø5NP-1ØØMC 100M 10μH±20% 0.06 2.60 25.1 -011802 CD1Ø5NP-12ØMC 120M 12μH±20% 0.07 2.45 23.1 -011903 CD1Ø5NP-15ØMC 150M 15μH±20% 0.08 2.27 19.1 -012004 CD1Ø5NP-18ØMC 180M 18μH±20% 0.09 2.15 18.1 -012205 CD1Ø5NP-22ØMC 220M 22μH±20% 0.10 1.95 15.9 -012306 CD1Ø5NP-27ØMC 270M 27μH±20% 0.11 1.76 14.0 -012407 CD1Ø5NP-33ØMC 330M 33μH±20% 0.12 1.50 13.1 -012508 CD1Ø5NP-39ØMC 390M 39μH±20% 0.14 1.37 12.2 -012609 CD1Ø5NP-47ØKC 470K 47μH±10% 0.17 1.28 10.6 -012710 CD1Ø5NP-56ØKC 560K 56μH±10% 0.19 1.17 10.2 -012811 CD1Ø5NP-68ØKC 680K 68μH±10% 0.22 1.11 9.26 -012912 CD1Ø5NP-82ØKC 820K 82μH±10% 0.25 1.00 8.45 -013013 CD1Ø5NP-1Ø1KC 101K 100μH±10% 0.35 0.97 7.64 -013114 CD1Ø5NP-121KC 121K 120μH±10% 0.40 0.89 6.65 -013315 CD1Ø5NP-151KC 151K 150μH±10% 0.47 0.78 5.86 -013416 CD1Ø5NP-181KC 181K 180μH±10% 0.63 0.72 5.71 -013517 CD1Ø5NP-221KC 221K 220μH±10% 0.73 0.66 5.25 -013618 CD1Ø5NP-271KC 271K 270μH±10% 0.97 0.57 4.62 -013719 CD1Ø5NP-331KC 331K 330μH±10% 1.15 0.52 4.07 -013820 CD1Ø5NP-391KC 391K 390μH±10% 1.30 0.48 3.91 -013921 CD1Ø5NP-471KC 471K 470μH±10% 1.48 0.42 3.61 -014022 CD1Ø5NP-561KC 561K 560μH±10% 1.90 0.33 3.25 -014123 CD1Ø5NP-681KC 681K 680μH±10% 2.25 0.28 2.96 -014224 CD1Ø5NP-821KC 821K 820μH±10% 2.55 0.24 2.74 -01442-3.電気的特性Ⅱ(箱梱包の場合)No. 品 名 表示インダクタンス[以内] ※1 D.C.R. (Ω) [以下] (at 20℃)定格電流 (A) ※2 S.R.F. (MHz) [参考値]スミダコード25 CD1Ø5NP-1ØØMB 100M 10μH±20% 0.06 2.60 25.1 -0145 26 CD1Ø5NP-12ØMB 120M 12μH±20% 0.07 2.45 23.1 -0146 27 CD1Ø5NP-15ØMB 150M 15μH±20% 0.08 2.27 19.1 -0147 28 CD1Ø5NP-18ØMB 180M 18μH±20% 0.09 2.15 18.1 -0148 29 CD1Ø5NP-22ØMB 220M 22μH±20% 0.10 1.95 15.9 -0149 30 CD1Ø5NP-27ØMB 270M 27μH±20% 0.11 1.76 14.0 -0150 31 CD1Ø5NP-33ØMB 330M 33μH±20% 0.12 1.50 13.1 -0151 32 CD1Ø5NP-39ØMB 390M 39μH±20% 0.14 1.37 12.2 -0152 33 CD1Ø5NP-47ØKB 470K 47μH±10% 0.17 1.28 10.6 -0153 34 CD1Ø5NP-56ØKB 560K 56μH±10% 0.19 1.17 10.2 -0155 35 CD1Ø5NP-68ØKB 680K 68μH±10% 0.22 1.11 9.26 -0156 36 CD1Ø5NP-82ØKB 820K 82μH±10% 0.25 1.00 8.45 -0157 37 CD1Ø5NP-1Ø1KB 101K 100μH±10% 0.35 0.97 7.64 -0158 38 CD1Ø5NP-121KB 121K 120μH±10% 0.40 0.89 6.65 -0159 39 CD1Ø5NP-151KB 151K 150μH±10% 0.47 0.78 5.86 -0160 40 CD1Ø5NP-181KB 181K 180μH±10% 0.63 0.72 5.71 -0161 41 CD1Ø5NP-221KB 221K 220μH±10% 0.73 0.66 5.25 -0162 42 CD1Ø5NP-271KB 271K 270μH±10% 0.97 0.57 4.62 -0163 43 CD1Ø5NP-331KB 331K 330μH±10% 1.15 0.52 4.07 -0164 44 CD1Ø5NP-391KB 391K 390μH±10% 1.30 0.48 3.91 -0166 45 CD1Ø5NP-471KB 471K 470μH±10% 1.48 0.42 3.61 -0167 46 CD1Ø5NP-561KB 561K 560μH±10% 1.90 0.33 3.25 -0168 47 CD1Ø5NP-681KB 681K 680μH±10% 2.25 0.28 2.96 -0169 48CD1Ø5NP-821KB821K820μH±10%2.550.242.74-0170※1：測定周波数 Ｌ 10μH ～ 82μH ： at 2.52 MHz 100μH ～820μH ： at 1 kHz※2：定格電流は直流重畳特性に於て、インダクタンスが初期値より-10%となる電流もしくは直流電流を流した時のコイルの発熱が△t＝40℃となる電流とのどちらか少ない方の値。

IRFR/U1205HEXFET ®Power MOSFETDescription5/11/98ParameterMax.UnitsI D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 44 I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 31 A I DMPulsed Drain Current 160P D @T C = 25°C Power Dissipation 107W Linear Derating Factor 0.71W/°C V GS Gate-to-Source Voltage± 20V E AS Single Pulse Avalanche Energy 210mJ I AR Avalanche Current25A E AR Repetitive Avalanche Energy 11mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 5.0V/ns T J Operating Junction and-55 to + 175T STGStorage Temperature RangeSoldering Temperature, for 10 seconds300 (1.6mm from case )°CAbsolute Maximum RatingsParameterTyp.Max.UnitsR θJC Junction-to-Case––– 1.4R θJA Junction-to-Ambient (PCB mount) **–––50°C/WR θJAJunction-to-Ambient–––110Thermal ResistanceD -P AK T O -252AA I-PA K TO -251AAl Ultra Low On-Resistance l Surface Mount (IRFR1205)l Straight Lead (IRFU1205)l Fast SwitchinglFully Avalanche RatedFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.PD - 91318BIRFR/U1205IRFR/U1205IRFR/U1205IRFR/U1205IRFR/U1205IRFR/U1205IRFR/U1205IRFR/U1205IRFR/U1205。

目录1.文件的范围1.1理由1.2任务/主题1.3概述1.4与LIN规范的关系（参考第2.6节，LIN2.0规范包）1.4.1LIN规范包1.4.2LIN物理层规范包1.4.3LIN协议规范1.4.4LIN诊断和配置规范1.4.5LIN API规范1.4.6LIN配置语言规范1.4.7LIN节点能力语言规范2.参考2.1适用的出版物2.1.1SAE出版物2.1.2ISO文件2.1.3供应商出版物2.1.4其它出版物3.对术语的定义3.1词汇3.1.1命令帧3.1.2数据链路层3.1.3显性信号3.1.4“休眠”状态3.1.5主动节点3.1.6媒体3.1.7物理层3.1.8协议3.1.9出版商3.1.10辐射发射3.1.11辐射抗扰度3.1.12隐性信号3.1.13请求帧3.1.14从动节点3.1.15用户SAE技术标准线路板规则规定：“此报告由SAE出版以提升技术和工程科学的状态。

本报告的使用时完全自愿的，它对任何特殊用途的应用性和适合性，包括由此导致的专利权违反都只是用户的责任。

”SAE至少每五年会评审一次所有的技术报告，在此期间，它可以被再次肯定，修订，或者取消。

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