怎样快速判断场效应管的好坏

判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路中场效应管的好坏，可以采用以下步骤：
1. 外观检查：检查场效应管的封装是否有损坏，标识是否清晰。

2. 极性检查：使用万用表检查场效应管的三个电极（栅极、源极和漏极），以确认其极性。

3. 性能检测：将万用表调至合适的电阻档，对场效应管的三个管脚两两进行测量。

如果测量结果显示两个管脚之间存在阻值，则说明场效应管正常工作。

4. 温升检测：通过红外测温仪或热电偶测量仪测量场效应管的表面温升，以判断其工作状态。

如果温升过高，则可能是由于电流过大或散热不良引起的。

5. 电路连接检测：检查场效应管是否与其他元件正常连接，无短路或断路现象。

6. 故障分析：如果场效应管损坏，可能出现开路、击穿或性能变差等问题。

具体表现为丧失其在电路中的作用、工作点电压变化或整机电流增加等。

通过以上步骤，可以初步判断智能手机电路中场效应管的好坏。

如果仍有问题，建议寻求专业技术人员的帮助。

场效应管怎么测量好坏
场效应管测量好坏有以下方法：
方法一将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。

场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S （源极）。

将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。

用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。

方法二将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。

黑表笔接D极，红表笔接S极，此时，应显示一个数值，一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。

然后，再对换表笔，应无显示，为“1”。

然后，黑表笔接D极，红表笔先去触碰一下G极，然后红表笔再接到S极上，此时，会发现显示的数值与原来相比，变小了许多，一般为100多Ω到几十Ω之间。

这说明，此场效应管已被触发导通了。

在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。

这说明，此场效应管是完好的。

如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。

一般情况下，D极和S极击穿的比较常见。

用数字万用表的“二极管”档测，会听到蜂鸣器的响声。

场效应管好坏的判断方法摘要：一、场效应管的基本概念二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断2.动态性能判断3.栅极电阻判断4.漏极电流判断5.线性度判断三、实际应用中的注意事项四、总结正文：场效应管（FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，具有良好的线性度、高输入电阻和低噪声等特点。

在实际应用中，正确判断场效应管的好坏至关重要。

本文将介绍几种判断场效应管好坏的方法。

一、场效应管的基本概念场效应管是依据半导体材料的电子运动方式分类的一种晶体管，它主要由三个区域组成：源极、漏极和栅极。

在栅极与漏极之间存在一个绝缘层，绝缘层上的电压控制着漏极的电流。

根据绝缘层的材料，场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、增强型绝缘栅场效应管（EGBT）等。

二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断静态参数是指场效应管在静态工作状态下的电气特性。

主要包括阈值电压、漏极电流、栅极电阻等。

良品场效应管的静态参数应符合设计要求。

2.动态性能判断动态性能是指场效应管在开关过程中响应速度和稳定性。

可以通过测试场效应管的过渡频率、上升时间、下降时间等指标来判断其动态性能。

优质场效应管的动态性能应较好。

3.栅极电阻判断栅极电阻是场效应管的一个重要指标，它影响着器件的功耗和稳定性。

良品场效应管的栅极电阻应较大。

4.漏极电流判断漏极电流是场效应管在截止状态下流过栅极的电流。

优质场效应管的漏极电流应较小。

5.线性度判断场效应管的线性度是指其在一定范围内输入电压与输出电流的线性关系。

优质场效应管的线性度应较好。

三、实际应用中的注意事项1.选择合适的场效应管类型：根据电路需求，选择合适的场效应管，如MOSFET、EGBT等。

2.注意静态参数：确保选用的场效应管静态参数符合电路设计要求。

3.考虑动态性能：在高速应用场合，应注意场效应管的动态性能。

4.散热设计：场效应管在工作过程中会产生热量，应设计合理的散热结构。

5.电源电压：合理选择电源电压，避免过高的电压导致场效应管损坏。

场效应管怎样测量好坏?1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。

若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。

如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。

同样也可以判别出P沟道的结型场效应管。

2.金属氧化物场效应管的判别(1)栅极G的判定用万用表Rxl00挡，测量功率场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值，其中一次测量中两引脚电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚是D极与S极，则另一引脚未接表笔为G极。

(2)漏极D、源极S及类型的判定用万用表RxlokD,挡测量D极与S极之间正、反向电阻值，正向电阻值约为0.2x10kfl，反向电阻值在(5—∞)x10kfl。

在测反向电阻时，红表笔所接引脚不变，黑表笔脱离所接引脚后，与G极触碰一下，然后黑表笔去接原引脚，此时会出现两种可能：若万用表读数由原来较大阻值变为零，则此时红表笔所接为S极，黑表笔所接为D极。

用黑表笔触发G极有效(使功率场效应管D极与S极之间正、反向电阻值均为012)，则该场效应管为N沟道型。

若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰G极，然后红表笔接回原引脚，此时万用表读数由原采阻值较大变为0，则此时黑表笔所接为S极，红表笔所接为D极。

用红表笔触发G，极有效，该场效应管为P沟道型。

(3)金属氧化物场效应管的好坏判别用万用表Rxlkll挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。

如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为0xkll)，则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阻值较小(一般为数百欧姆)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。

用万用表Rxlkfl挡测量D 极与S极之间的正、反电阻值。

对于N沟道管，红表笔接S极，黑表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值。

若测得正、反向电阻值均为0fl，该管为好的，对于P沟道管，黑表笔接S极，红表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值，若测得正、反向电阻值均为01l，则该管是好的。

如何定性判断场效应管、三极管的好坏？
场效应管和三极管的相同点就是都为半导体器件，并且都可以作为信号的放大和电子开关使用，既然都是半导体器件，那么其内部也都会有PN结的存在，而且大多数的损坏都表现为击穿，所以只要会测二极管，就可以测量这两种的好坏了，下面我们来看具体方法。

三极管的测量方法
我们可以将三极管看做是两个背靠背或面对面的二极管，使用数字万用表的二极管档位依次测量两个PN结就可以测出损坏了。

1.将数字万用表打至二极管档位，红黑表笔分别接触基极和集电极，正反测量只有一组读数则为正常。

否则为集电结击穿。

2.再将红黑表笔分别接触基极和发射极，正反测量只有一组读数为正常，否则为发射结击穿。

并且这个读数和第一步中的读数差不多大小为正常，如果偏差过大则视为性能不良。

3.红黑表笔分别接集电极和发射极，不管正反测量都没有读数显
示为正常，否则为损坏。

场效应管测量方法
场效应管和三极管一样同样有三个电极，分别为栅极、源极和漏极，使用数字万用表的200K电阻档位，分别测量每两个管脚的阻值，当有两个管脚的正反阻值差不多大小时，这两个即为源极和漏极，其余一脚为栅极。

下面我们以N沟道场效应管为例，来看下测量方法（测量前需短路放电）。

1.将万用表置于二极管档位，红黑表笔正反接源极和漏极，只有一组显示数值为正常，正反都有数值显示且很小说明漏源击穿。

2.将红表笔接漏极，黑表笔接源极，没有读数显示为正常，此时黑表笔不动，红表笔碰触一下栅极（栅源充电），然后再接回漏极，此时会有读数显示（漏源导通），且数值应该越来越大为正常。

3.将三个管脚短路放电，再用红表笔接漏极，黑表笔接源极，此时没有数值显示为正常。

如何测试判断场效应管好坏？1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。

4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。

主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

（1）场效应管是电压控制器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

场效应管好坏测量方法场效应管是一种常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、滤波等电路中。

场效应管的好坏直接影响到整个电路的性能，因此对场效应管进行准确的测量和评估是非常重要的。

本文将介绍几种常用的场效应管好坏测量方法，希望能为大家提供一些参考。

首先，我们可以通过静态参数来评估场效应管的好坏。

静态参数包括漏极电流、饱和电流、开启电压等。

通过测量这些参数，我们可以初步了解场效应管的基本性能。

漏极电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的电流，它反映了场效应管的导通能力。

饱和电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的最大电流，它反映了场效应管的最大导通能力。

开启电压是指在一定的漏极电流下，场效应管的栅极电压，它反映了场效应管的导通起始点。

通过测量这些参数，我们可以初步判断场效应管的好坏。

其次，我们可以通过动态参数来评估场效应管的好坏。

动态参数包括开关时间、导通电阻、截止频率等。

开关时间是指场效应管从截止到导通或者从导通到截止所需要的时间，它反映了场效应管的开关速度。

导通电阻是指场效应管在导通状态下的电阻大小，它反映了场效应管的导通能力。

截止频率是指场效应管在高频条件下的截止频率，它反映了场效应管在高频条件下的性能。

通过测量这些参数，我们可以更全面地评估场效应管的好坏。

最后，我们可以通过温度特性来评估场效应管的好坏。

温度特性是指场效应管在不同温度下的性能表现。

由于场效应管在实际应用中会受到温度的影响，因此了解场效应管在不同温度下的性能表现对于评估其好坏非常重要。

通过测量场效应管在不同温度下的静态和动态参数，我们可以更准确地评估场效应管的好坏。

综上所述，对场效应管进行好坏测量是非常重要的。

我们可以通过静态参数、动态参数和温度特性来评估场效应管的好坏。

通过准确的测量和评估，我们可以更好地选择和应用场效应管，从而提高电路的性能和稳定性。

希望本文介绍的方法能够帮助大家更好地了解和应用场效应管。

如何用普通数字万用表测量场效应管好坏？听我讲解，超简
单！
场效应管是一个应用非常广泛的重要的电子元件，很多电路里都可以看到其身影，但很多初学者却不知道如何下手检测其好坏。

下面教大家数字万用表，三步就可以检测出场效应管的好坏，简单，实用。

场效应管有三个引脚，正面朝自己，从左到右分别是G（栅极），D（漏极），S（源极）。

如上图。

测量方法：先把万用表调至二极管测量档。

如图
第一步：
黑表笔接D（漏极），红表笔接S（源极），这个时候，正常的话应该有0.2~0.5的压降，万用表显示0.2~0.5之间数字。

如下图
第二步：
黑表笔接S（源极），红表笔接D（漏极）这个是应该没有压降，万用表显示OL或1（数字万用表品牌不一样，显示有点区别，意思一样）
第三步：
黑表笔接S（源极），红表笔点触G（栅极）后松开，如图
然后，黑表笔不动，再用红表笔接D（漏极），应该有很小的电压降（万用表显示0.1左右的数字那么这个晶体场效应管就是好的。

请注意图中表笔颜色，我特意再上面添加了文字，以示区别。