高精度频率计

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2014年 6月 10日

高精度频率计

B. A.弗曼,Verzin

频率正在成为用于控制,转换和测量越来越广泛的参数。目的在于适应自动

装置,测量,显示和转换技术目前的发展阶段。其中,数字方法测量和转换频率

是最精确的。目前还存在着合理的改善模拟频率转换器和频率计精度等级的方

法。这篇文章中介绍的是高频信号到ADC的信号的转换器。转换器被用作频率

计,是一种具有输出0.1等级指针式仪表。 应用于此频率计设计中的模拟仪器基本标准包括通过收集测量频率脉冲的

方法来探测电压的平均值,并用相应的脉宽和幅度来校准这些脉冲。这种装置的

误差实际上取决于它们的校准稳定性与可变电源电压和温度。利用稳定的晶体发

电机,并结合高精度的电压稳定剂的方法,该电路通过获得集成的持续时间,从

而达到高精度测量水平。

这种方法的应用[1]使人们有可能降低的频率计的基本误差为0.01%。实际电

路中的其他错误无法使这一精度得到实现。下面我们分析施加这样的电路来设计

一个频率计的可能性。

频率计(图1和图2)由一个脉宽整形电路、一个脉冲幅度整形电路和积分单

元组成。整形电路包括由时钟频率生成器CG控制的同步门。 在没有输入信号的触发器1Tr处于位置1时,栅极与被阻止,并且触发器2Tr

处于位置0。持续时间整形电路(触发器2Tr)输出低电势。在接收到测量频率的

脉冲时,触发器1Tr被触发,与门导通,并且程序时钟脉冲将触发器2Tr设置为

位置1。接下来时钟脉冲返回触发2Tr,然后触发触发器1Tr回到它们的初始位置。

因此,每一个接受的测量频率脉冲都在触发器2Tr的输出端产生了一个电势差。

这个差持续了时钟频率的一个周期。 持续时间整形电路的稳定性是由时钟频率发生器和触发器2Tr输出的压降脉

冲边缘决定的。 晶体稳定的发生器可以在一个很宽的温度范围内保持它的频率而无需精度

为5-10的恒温控制。因此,在形成的脉冲持续时间内的基本不稳定性取决于电路

晶体管的开关时间。饱和晶体管的开关时间包括有效脉冲边缘的持续时间和从饱

和状态切换出来所需要的时间。应当指出的是,由于输出晶体管2Tr和开关S的

输入晶体管工作在反相位,可以得到其滞后影响的部分或全部补偿和输出的脉冲

持续时间。在实践中,很难达到完全补偿,尤其是在很宽的范围内。

图1 频率计结构图 图2 输出脉冲整形电路

图3 饱和条件下不饱和时间晶体管的温度依赖性

从图3看出,饱和条件下不饱和时间晶体管的温度依赖性:1)bi=2mA,

ci=25mA;2)bi=10mA,ci=12mA;3)bi=5mA,ci=12mA(曲线1和3由无正偏

压电流获得,曲线2bi=0.5mA)。

图3显示了MP20和MP106晶体管的不饱和时间和饱和度之间的关系。从上

述关系可以看到,绝对饱和度降低时,温度系数和在宽温度范围内的非线性程度

在MP106硅晶体管中更小。因此,从时间整形的要求来看,硅晶体管(对于同

样的放大系数)是更可取的。由于在上面的电路中边缘持续时间的绝对值比不饱

和时间小得多,并且不超过0.5~0.6微秒,所以没有实质性的变化是由包含脉冲

边缘的时间的不稳定引起的。

幅度整形电路的稳定性是由精度决定的,在这个精度下电压电平相对应的打

开和闭合的开关S可以被保持。在开关输出的电压电平的不稳定性主要是由于饱

和晶体管电阻随温度变化的不稳定性。集电极电压的绝对值和它对于饱和恒定深

度的温度系数值取决于操作环境,并且,对于考虑中的两种类型的晶体管是不同

的。

在一个闭合开关的输出端的电压的不稳定性是由集电极电压源和由不受控

制的集电极热电流造成的电压降决定的。在所考虑的装置中,振幅整形电路由一

个半导体稳压器供给,它是一个稳定因子为100的补偿类型,且温度不稳定性的

最大值为0.001%/℃。由于不受控制的开关晶体管的热度变化,输出电压也会变,

这种变化对于负荷为1KΩ的硅晶体管来说可以被减少到最低限度不超过0.025mv/℃。

为了得到频率计的高线性,有必要确保在没有测量频率时的零输出信号。它

需要使用一个相对于饱和晶体管1T(见图2)残余电压的补偿电压。补偿是通过

连接一个额外的与1T恒饱和条件类似的晶体管2T来得到的。通过调整晶体管2T的

饱和深度(通过电阻R1和R2),就可能同时补偿设备的温度不稳定性。为了挑

选出正比于测量频率的输出电流的直流分量,电压分接出整形开关和晶体管的差

被馈送到一个由动圈式仪表组成的积分单元。

有必要纠结于正确地选择电路,以满足输出脉冲持续时间和幅度的最佳整形

需求。让我们确定一个对总的附加频率计误差的两个参数有同等不稳定影响的最

佳条件。

在图3所示的数据可以看到,不饱和时间的不稳定性是最重要的。因此,对

于只有200微秒的脉冲持续时间和Ks=4的饱和度比率,没有补偿的持续整形电路

的不稳定性在20-50℃的范围内总计约为0.008%/℃(图三中的曲线1)。幅度整

形电路的不稳定性相似值是MP106晶体管和20V的开关电源电压在相同饱和度

比时得到的。 饱和度比率的进一步升高对振幅整形电路的工作有益,但它损害了持续时间

整形电路的稳定性。 上述脉冲持续时间决定了频率的测量极限。因此=200ptus,max2500fHZ

(考虑由于同步元素的操作环境下,测量延迟一个周期的可能性)。

上述温度误差可以由前面描述的参数补偿方法来减少,通过在20-50℃范围

内不超过0.0012/℃的误差增大一个值的5-7倍。上述温度范围内脉冲持续时间和

幅度整形电路的总最大误差将保持低于0.07%(并在范围扩展至60℃时上升到

0.1%)。通过使用高频晶体管MP401-MP403,测量的频率范围可以在相同精度下

提高至10KHZ。频率范围的扩展主要是由减少不饱和时间造成的。本例中50℃的

温度范围限制是由于锗晶体管不受控制的集电极电流对换能器总误差的急剧上

升效应。

我们行业最近已经开发出新型的具有稳定电压下高热稳定性的硅产品。

D818D-D818E对标称动态电阻为18Ω的电压温度系数分别达到0.002%/℃和

0.001%/℃。它们的应用导致了频率计电路在不损害高稳定性和宽频率范围条件

下的简化。

在该电路的改进版本中,电压补偿型的特殊稳定剂替换为在整形开关晶体管

1T(图4)的集电极电路的D1-D2(D816D-D818E)的简单两部分参数稳定。

图4 整形开关晶体管

在这个电路中,开关的输出电阻是在其打开状态下由饱和晶体管1T的电阻确

定的,并在其闭合状态下由稳态范围内的动态电阻确定。因此,闭合开关输出端

的电压水平的不稳定性现在是由D2的电压温度系数决定而不是热电流变化。这

使得它也可以在高达60℃的宽温度范围内使用高频晶体管MP401-MP403。一个

饱和型晶体管MP401-MP403的集电极电压比MP20-MP106的低。这可以用于通

过晶体管2T(相同类型)提高电压补偿,以获得在频率计输出端的零电压。 上述电路是用一个数字频率计4E3-4和电位器PPTV1进行测试的。输出指针

式仪器包括0.1毫伏表型GOERZ-134420(量程可达60mV,电阻为10Ω)。频率

计的这种精度级别就由输出设备来决定。它对20-60℃内的温度变化的总附加误

差不超过0.1%,并且供应10%的电压变化。初始漂移在电源电压切换后3-5分钟

达到0.3%。

20赫兹的低频率测量限制是由积分单元的频率特性决定的。如果有必要提高

输出仪器的时间常数,可以在系列中用动圈式连接一个附加电感。在开关的输出

端用电容滤波器损害了换能器的线性,因为它难以得到电容充放电电路的严格相

等的时间常数。

上述用于将频率转换成直流电流的转换电路可以作为一个设计批量生产精

度级为1.0-0.2的模拟频率计的基础。

这种仪器的生产将有助于减少昂贵数字频率计的应用范围。