下载文档原格式
模拟电子技术电子教案第一章：模拟电子技术概述1.1 教学目标让学生了解模拟电子技术的基本概念、特点和应用领域。
让学生掌握常用的模拟电子元件及其功能。
培养学生对模拟电子技术的兴趣和好奇心。
1.2 教学内容模拟电子技术的定义和特点模拟电子技术的应用领域常用的模拟电子元件：电阻、电容、电感、二极管、晶体管等1.3 教学方法采用讲授法，讲解模拟电子技术的基本概念和特点。
通过实物展示和示范，介绍常用的模拟电子元件及其功能。
引导学生进行实验操作，培养学生的动手能力。
1.4 教学评估通过课堂提问，检查学生对模拟电子技术基本概念的理解。
通过对实验报告的评估，了解学生对常用模拟电子元件功能的掌握情况。
第二章：模拟电路的基本分析方法2.1 教学目标让学生掌握模拟电路的基本分析方法。
培养学生运用基本分析方法解决实际问题的能力。
2.2 教学内容模拟电路的基本分析方法：静态分析、动态分析、频率响应分析等。
常用电路分析工具：节点电压法、回路电流法、频率响应分析法等。
2.3 教学方法采用讲授法，讲解模拟电路的基本分析方法。
通过示例电路，演示常用分析方法的运用。
引导学生进行实际电路的分析，培养学生的实际操作能力。
2.4 教学评估通过课堂提问，检查学生对模拟电路基本分析方法的理解。
通过对实际电路分析的评估，了解学生对分析方法的掌握情况。
第三章：放大电路3.1 教学目标让学生了解放大电路的基本原理和特点。
培养学生掌握放大电路的设计和分析方法。
3.2 教学内容放大电路的基本原理：输入、输出和反馈关系。
放大电路的类型：共射放大电路、共基放大电路、共集放大电路等。
放大电路的设计和分析方法：晶体管参数、电压增益、频率响应等。
3.3 教学方法采用讲授法，讲解放大电路的基本原理和特点。
通过示例电路，介绍不同类型的放大电路。
引导学生进行放大电路的设计和分析，培养学生的实际操作能力。
3.4 教学评估通过课堂提问，检查学生对放大电路基本原理的理解。
课堂初九年级数学教案教学设计（参考格式）1课题名称绪论,半导体地基本知识授课时数 2授课班级授课时间授课地点授课形式多媒体,板书,智能课堂参考《模拟电子技术》曾贇,曾令琴主编专业教学标准《电气自动化技术专业课程标准》职业技能标准《电气自动化技术专业技能标准》参考资料校本补充材料《模拟电子技术基础实验指导书》媒体资源,教学课件,教学视频,教初九年级数学学案例其它资源环境资源智能课堂,多媒体教学资源知识目的了解模拟电子技术地发展以及对社会地推动作用,掌握本征半导体,杂质半导体以及PN结地单向导电性技能目的具有分辨P型半导体,N型半导体以及识别PN结单向导电性地能力教学目的素质目的科学地学习方法,对模拟电子技术地兴趣,对大工匠地向往教学重点模拟电子技术地发展以及对社会发展地推动作用,PN结及其单向导电性教学难点本征激发,复合,扩散,漂移,掺杂,多子,少子,单向导电性诸多概念学情分析新课起点,做好承上启下,新旧知识有机衔接,观察学生对课程地兴趣点,确定下一步教学地方向。
教学总体设计1.绪论（以模电技术地发展历程以及对社会地推动作用提高学生地学习兴趣）2.导体,半导体,绝缘体（由物质结构引入半导体地独特性能）3.本征半导体（只有纯净地具有晶格结构地单晶体才能称之为本征半导体）4.杂质半导体（重点阐述N型半导体,P型半导体以及多子,少子概念）5.PN结地形成（讲述外电场,内电场地作用,扩散,漂移地结果）6.PN结地单向导电性（正向偏置时,反向偏置时地情况探讨）7.PN结地反向击穿（碰撞式地雪崩击穿,场效应地齐纳击穿以及热击穿）课外拓展为了巩固学习成果,提升综合素养,安排课后拓展阶段,进一步提升专业技能与综合素养。
教学活动教学环节(时间安排)学习内容教师学生技术资源教学随记(教学过程记录)课前准备(提前2-3天发布教学任务)网上查阅模拟电子技术地发展以及在生产,生活,科技领域地应用。
有关资料收集观看网络课堂教学（一）情境创设[15分钟]第一次课,目地激发学生对模拟电子技术地学习兴趣,消除畏难情绪模拟电子技术课程绪论以及课程特点及学习方法引导聆听多媒体课件课堂教学（二）知识学习[30分钟]介绍项目重点知识明确知识目的与能力目的项目导入明确学习什么,有什么用1.1半导体地基础知识1.1.1半导体地独特性能1.1.2本征半导体,本征激发与复合讲授聆听思考多媒体课件课堂教学（三）知识学习[30分钟]1.1.3半导体地导电机理1.1.4杂质半导体（N型,P型半导体）1.1.5PN结及其单向导电性1.1.6PN结地反向击穿问题讲授聆听思考多媒体课件课堂教学（…）总结评价[15分钟]针对1.1地思考与练习提问并作出解析根据学生听课情况与回答问题情况作出总结与评价,指出后面地学习要求与学习方向。
模拟电子技术电子教案
教案标题：模拟电子技术电子教案
一、教学目标：
1. 了解模拟电子技术的基本概念和原理
2. 掌握模拟电子技术的基本电路设计和分析方法
3. 能够应用模拟电子技术解决实际问题
二、教学重点和难点：
1. 模拟电子技术的基本概念和原理
2. 模拟电子技术的基本电路设计和分析方法
三、教学内容和安排：
1. 模拟电子技术概述
- 介绍模拟电子技术的定义和应用领域
- 讲解模拟电子技术与数字电子技术的区别和联系
2. 模拟电子技术基本电路
- 讲解模拟电子技术中的基本电路，如放大器、滤波器等
- 分析模拟电子技术基本电路的工作原理和特点
3. 模拟电子技术应用案例分析
- 通过实际案例，展示模拟电子技术在各个领域的应用，如通信、音频处理、仪器仪表等
四、教学方法和手段：
1. 理论讲解结合实例分析，帮助学生深入理解模拟电子技术的概念和原理
2. 利用多媒体技术展示模拟电子技术的基本电路和应用案例，增强学生的学习
兴趣
3. 组织学生进行小组讨论和实验操作，培养学生的分析和解决问题能力
五、教学评估方式：
1. 课堂提问和讨论，检查学生对模拟电子技术概念和基本电路的理解
2. 布置作业，要求学生分析模拟电子技术应用案例，并提出自己的见解
3. 课程结束时进行小测验，检验学生对模拟电子技术的掌握程度
六、教学反思和改进：
1. 根据学生的学习情况，及时调整教学内容和方法，确保教学效果
2. 鼓励学生参与实践和创新，培养学生的实际应用能力
3. 不断更新教学内容，结合最新的模拟电子技术发展趋势，激发学生的学习兴趣。
模拟电子技术教案电子技术是现代科技领域中不可或缺的一部分。
它涉及到电子电路的设计、制造和应用，为人们的生活和工作带来了巨大的改变和便利。
在这篇文章中，我将为大家介绍一份模拟电子技术的教案，希望能够帮助教师们更好地开展教学工作，培养学生对电子技术的兴趣和创新能力。
一、教案概述1. 教案主题：模拟电子技术基础知识与实践应用2. 适用对象：高中电子技术课程学生3. 教案目标：- 熟悉模拟电子技术的基本概念与原理- 掌握模拟电子电路的分析和设计方法- 培养学生动手实践的能力和创新思维4. 教学时间：10节课，每节课45分钟二、教学内容1. 第一节课：引入模拟电子技术- 介绍模拟电子技术的定义和作用- 展示模拟电子技术在实际生活中的应用案例2. 第二节课：基础电子元器件- 介绍常见的电子元器件，如电阻、电容、电感等- 解释它们的基本特性和符号表示方法3. 第三节课：模拟电路分析方法- 介绍模拟电路中的基本电路理论知识，如电流、电压、功率等 - 讲解电路的基本分析方法，如KVL和KCL等4. 第四节课：放大电路设计- 介绍放大电路的基本原理和分类- 教授放大电路的设计方法和常见的放大电路拓扑5. 第五节课：滤波电路原理与设计- 介绍滤波器的基本原理和分类- 解释滤波器的设计方法和常见的滤波电路拓扑6. 第六节课：振荡器设计与实践- 介绍振荡器的基本原理和分类- 讲解振荡器的设计方法和实践技巧7. 第七节课：模拟计算机辅助设计- 介绍模拟电子电路的计算机辅助设计软件- 指导学生使用软件进行电路仿真和分析8. 第八节课：模拟电子实验- 安排学生进行一些基础的模拟电子实验- 强调实验中的安全注意事项和实验报告的书写要求9. 第九节课：模拟电路故障排除与维修- 介绍常见的模拟电路故障现象和排除方法- 培养学生独立解决问题的能力和故障排除的技巧10. 第十节课：模拟电子技术的应用与发展趋势- 展示模拟电子技术在航天、通信、医疗等领域的最新应用- 探讨模拟电子技术的发展前景和未来趋势三、教学方法1. 组织讲授：通过教师的讲解，介绍并解释模拟电子技术的基本概念和原理。
模拟电子技术电子教案第一章：模拟电子技术基础1.1 模拟电子技术的概念与发展1.2 模拟电子电路的组成与特点1.3 模拟电子技术的基本定律与分析方法第二章：放大器电路2.1 放大器的作用与分类2.2 放大器的性能指标2.3 放大器的基本电路分析2.4 常用放大器电路实例第三章：滤波器电路3.1 滤波器的作用与分类3.2 滤波器的性能指标3.3 滤波器的基本电路分析3.4 常用滤波器电路实例第四章：振荡器电路4.1 振荡器的作用与分类4.2 振荡器的性能指标4.3 振荡器的基本电路分析4.4 常用振荡器电路实例第五章：模拟电子技术的应用5.1 模拟电子技术在通信领域的应用5.3 模拟电子技术在视频设备中的应用5.4 模拟电子技术在其他领域的应用第六章：模拟集成电路6.1 集成电路概述6.2 模拟集成电路的类型与特点6.3 集成电路的封装与测试6.4 常用模拟集成电路介绍第七章：模拟信号处理7.1 信号处理的基本概念7.2 模拟信号处理技术7.3 信号处理电路实例7.4 信号处理在实际应用中的案例分析第八章：模拟电路设计方法与实践8.1 模拟电路设计的基本原则8.2 电路设计的一般步骤8.3 电路仿真与实验8.4 电路设计实例分析第九章：模拟电子技术在现代科技中的应用9.1 模拟电子技术在生物医学领域的应用9.2 模拟电子技术在工业控制领域的应用9.3 模拟电子技术在新能源领域的应用第十章：模拟电子技术的未来发展趋势10.1 模拟电子技术的发展历程10.2 当前模拟电子技术面临的挑战10.3 模拟电子技术的未来发展趋势10.4 我国在模拟电子技术领域的发展现状与展望重点和难点解析教案中的重点环节包括：1. 模拟电子技术的概念与发展：了解模拟电子技术的基本定义和发展历程，理解模拟电子技术与数字电子技术的区别。
2. 放大器电路的分析：掌握放大器的作用、性能指标和基本电路分析方法，了解不同类型的放大器电路及其应用。
模拟电子技术教案教学目标教材分析授课类型教学方法课时安排组织教学教学过程1.1 半导体的基础知识1、了解本征半导体和杂质半导体的基本概念与其形成。
2、了解PN结的形成3、掌握PN结的两个特性。
重点：PN结的两个特性——单向导电性和击穿特性新授课讲授法2课时应到人,实到人导入：什么是导体？什么是绝缘体？则介入这两者之间的是什么呢？这就是我们这章要学习的内容,半导体二极管与其基本应用,我们首先来学习一下半导体的基础知识。
自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。
半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
半导体材料如：硅Si 锗Ge 和砷化镓GaAs,其中硅应用得最广泛。
半导体的特点：①热敏性②光敏性③掺杂性本征半导体1、概念：纯净的单晶半导体称为本征半导体。
其中应于制造半导体器件的纯硅和锗都是晶体,它们同属于四价元素。
共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成,称为束缚电子。
图1.1所示为硅和锗的原子结构和共价键结构。
2、本征激发和两种载流子——自由电子和空穴温度越高,半导体材料中产生的自由电子便越多。
束缚电子脱离共价键成为自由电子后,在原来的位置留有一个空位,称此空位为空穴。
本征半导体中,自由电子和空穴成对出现,数目相同。
图1.2所示为本征激发所产生的电子空穴对。
图1.2 本征激发所产生的空穴和自由电子如图1.3所示,空穴〔如图中位置1〕出现以后,邻近的束缚电子〔如图中位置2〕可能获取足够的能量来填补这个空穴,而在这个束缚电子的位置又出现一个新的空位,另一个束缚电子〔如图中位置3〕又会填补这个新的空位,这样就形成束缚电子填补空穴的运动。
为了区别自由电子的运动,称此束缚电子填补空穴的运动为空穴运动。
图1.3 束缚电子填补空穴的运动3、结论空穴,它们都可以运载电荷形成电流。
〔2〕本征半导体中,自由电子和空穴相伴产生,数目相同。
〔3〕一定温度下,本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡,电子空穴对的数目相对稳定。
电气自动化技术专业电力电子技术与应用课程的优秀教案范本电力电子器件与电路的设计与应用电气自动化技术专业电力电子技术与应用课程的优秀教案范本——电力电子器件与电路的设计与应用一、引言电气自动化技术专业中的电力电子技术与应用课程是培养学生在电力领域具有实践操作能力的重要学科。
本教案旨在针对电力电子器件与电路的设计与应用的内容，提供一份优秀教案范本，帮助教师科学、有效地进行课程的教学设计，使学生能够全面理解电力电子器件的原理和应用。
二、教学目标1. 理解电力电子器件的基本原理和工作特点。
2. 掌握电力电子器件的设计与计算方法。
3. 熟悉电力电子器件的应用场景及其相关电路设计。
4. 能够运用所学知识解决实际问题。
三、教学内容1. 电力电子器件概述1.1 电力电子器件的分类及特点1.2 常见电力电子器件的结构和工作原理2. 电力电子器件的设计与计算2.1 电力电子器件的参数计算方法2.2 电力电子器件的热设计3. 电力电子器件在电路中的应用3.1 电能变换器的设计与分析3.2 电力电子器件在交流电机控制中的应用3.3 电力电子器件在电力传输与分配系统中的应用四、教学方法1. 理论讲授：通过教师讲解、多媒体演示等方式，介绍电力电子器件的基本原理和应用知识。
2. 实验操作：组织学生参与电力电子器件的设计与实验操作，培养其动手实践能力。
3. 案例分析：引入实际案例，让学生运用所学知识解决实际问题，提升其综合运用能力。
五、教学过程设计1. 引入通过一个生动的事例，引入电力电子器件与电路的设计与应用的重要性，并激发学生的学习兴趣。
2. 知识传授2.1 电力电子器件的分类及特点- 分类：按功能划分（开关型、改变型、控制型）；按组件分类（二极管、晶闸管、三极管等）- 特点：高压大流、高频、高效率、快速开关2.2 常见电力电子器件的结构和工作原理- 二极管：正向导通、反向截止- 晶闸管：导通与关断的控制- 三极管：电流放大与开关控制3. 设计与计算方法3.1 电力电子器件的参数计算方法- 二极管：正向压降、反向失效电压、额定电流等参数的计算- 晶闸管：触发电压、阻抗等参数的计算- 三极管：电流放大倍数、饱和电压等参数的计算3.2 电力电子器件的热设计- 热失效与散热方式选择- 温升和热阻的计算4. 电力电子器件在电路中的应用4.1 电能变换器的设计与分析- 升压变换器、降压变换器、变频器的设计原理- 运用软件仿真工具进行电路性能分析4.2 电力电子器件在交流电机控制中的应用- 频率调速技术原理及相关电路设计- 电力电子器件在电动机起动与制动中的应用4.3 电力电子器件在电力传输与分配系统中的应用- 无功补偿技术原理及相关电路设计- 电力电子器件在电力传输与分配中的能量调节六、教学评估1. 课堂测验：针对所学知识进行随堂测验，检测学生对电力电子器件与电路设计的理解情况。
模拟电子技术课程教案授课题目：第一章半导体基础知识教学目的、要求：要知道:N型和P型半导体区别、PN结和二极管的正偏和反偏概念及单向导电性特点、硅和锗二极管阈值电压和正向导通电压、温度对反向饱和电流的影响、光电及变容二极管以及倍压整流使用要点。
会画出:单相桥式整流电容滤波电路、二极管及稳压管限幅电路输出波形会计算:理想和恒压模型的二极管电路参数；单相桥式整流及电容滤波电路的输出电压；变压器、二极管、滤波电容等参数；LED电路中的限流电阻。
会确定选用二极管、稳压管所依据的主要参数会判断二极管的导通截止状态、万用表测二极管会分析单相桥式整流及电容滤波电路中故障原因1、PN结的单向导电性；2、PN结的伏安特性；3、二极管的伏安特性、单向导电性；4、二极管理想模型和恒压降模型的应用方法5、交流通路和直流通路的画法难点1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电；2、掺杂半导体中的多子和少子3、PN结的形成；4、二极管理想模型和恒压降模型的应用5、二极管的箝位、限幅应用教学方法与手段：本讲宜教师讲授。
用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握；用多媒体演示二极管的结构、伏安特性以及温度对二极管特性的影响等，便于学生理解和掌握。
课堂教学时间分配：6学时教学基本内容：1.1半导体二极管1.1.1 PN结及其单向导电性1、半导体及其导电性能根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。
半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9Ω∙cm。
典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。
2、本征半导体的结构及其导电性能本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。
模拟电子技术课程教案授课题目：第 2 章半导体三极管教学目的、要求：要知道BJT管型、共射接法BJT各电极电流关系、放大电路中对各电极电位要求、BJT放大状态下的u BE值和放大、饱和、截止状态下的u CE值。
三种组态放大电路的特点和适用场合及输入与输出的相位关系；Au、R i、R o 大小含义；EFT与BJT性能特点区别及其主要参数；频率特性及其指标含义和影响因素、多级放大电路电压放大倍数与各级Au的关系、分贝概念及换算方法。
会画出共射、共集放大电路的简化小信号模型电路会计算BJT的输入电阻r be；共射、共集、共基电路的“Q”、Au、R i、R o；共源电路的Au、R i、R o。
会识别BJT 放大电路的三种组态；各种EFT的特性和U GS(th)、U GS(off)值。
会判断u CE 、i CE与V CC、R c关系确定放大、饱和、截止状态；输出波形确定失真属性；三个极电位确定管型。
会使用光电耦合器及光电三极管。
教学重点及难点：重点1、BJT电流放大原理及其电流分配关系式；2、BJT的输入、输出特性；3、BJT三种工作状态的判断方法；4、基本放大电路静态工作点的估算；5、BJT的h参数等效模型及放大电路输入电阻、输出电阻与电压放大倍数的计算；难点1、BJT放大原理及电流分配关系式；2、BJT三种工作状态的判断方法；3、放大电路的微变等效电路的画法；4、放大电路输入电阻、输出电阻与电压放大倍数的计算；教学方法与手段：本讲以教师讲授为主。
用多媒体演示三极管的结构、输入与输出特性以及温度对三极管特性的影响等，便于学生理解和掌握。
三极管工作状态、电位和管型的判断方法可以启发讨论。
课堂教学时间分配：6学时教学基本内容：2.1双极型三极管2.1.1BJT 的结构2.1.2BJT 的电流分配与放大原理1、晶体管的主要类型和应用场合双极型晶体管BJT是通过一定的工艺，将两个PN结接合在一起而构成的器件，是放大电路的核心元件，它能控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真地放大输出，放大的对象是变化量。
BJT常见外形有四种，分别应用于小功率、中功率或大功率，高频或低频等不同场合。
2、BJT具有放大作用的内部条件和外部条件1）BJT的内部条件为：BJT有三个区（发射区、集电区和基区）、两个PN结（发射结和集电结）、三个电极（发射极、集电极和基极）组成；并且发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，基区厚度很小。
2）BJT放大的外部条件为：发射结正偏，集电结反偏。
3、BJT的电流放大作用及电流分配关系晶体管具有电流放大作用。
当发射结正向偏置而集电结反向偏置时，从发射区注入到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流I C，体现出I B 对的I C控制作用。
此时，可将I C看成电流I B控制的电流源。
三个重要的电流分配关系式：I E＝I B＋I CI C＝βI B＋I CEO≈βI BI C＝αI E＋I CBO≈αI E4、晶体管的输入特性和输出特性晶体管的输入特性和输出特性表明各电极之间电流与电压的关系。
现以共射电路为例说明。
1）共射输入特性：i B＝f (u BE)︱V CE=常数如P24图1.26所示。
输入特性曲线分为三个区：死区、非线性区和线性区。
其中v CE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。
当v CE≥1V时，特性曲线将会向右稍微移动一些。
但v CE再增加时，曲线右移很不明显。
曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。
2）共射输出特性：i C＝f (u CE)︱i B =常数如P25图1.27所示，它是以i B为参变量的一族特性曲线。
对于其中某一条曲线，当v CE=0V时，i C=0；当v CE微微增大时，i C主要由v CE决定；当v CE增加到使集电结反偏电压较大时，特性曲线进入与v CE轴基本平行的区域(这与输入特性曲线随v CE增大而右移的原因是一致的)。
因此，输出特性曲线可以分为三个区域：饱和区、截止区和放大区。
3）晶体管工作在三种不同工作区外部的条件和特点晶体管的主要参数1）直流参数(1)共射直流电流放大系数：β=（IC－I CEO）/I B≈I C/I B |constCE=v，β在放大区基本不变。
(2)共基直流放大系数：α=（I C－I CBO）/I E≈I C/I E显然α与β之间有如下关系：α=I C/I E=βI B/(1+β)I B=β/(1+β)(3)穿透电流I CEO：I CEO=（1+β）I CBO；式中I CBO相当于集电结的反向饱和电流。
2）交流参数(1)共射交流电流放大系数β：β=∆I C/∆I B∣constCE=v，在放大区β值基本不变。
(2)共基交流放大系数α：α=∆I C/∆I E∣const CB=U当I CBO和I CEO很小时，α≈α、β≈β，可以不加区分。
(3)特征频率f T ：三极管的β值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。
由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的β将会下降。
当β下降到1时所对应的频率称为特征频率。
3）极限参数和三极管的安全工作区（1）最大集电极电流I CM：当集电极电流增加时，β就要下降，当β值下降到线性放大区β值的70～30％时，所对应的集电极电流称为最大集电极电流I CM。
至于 值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。
可见，当I C＞I CM时，并不表示三极管会损坏。
（2）最大集电极耗散功率P CM：P CM =i C u CE 。
对于确定型号的晶体管，P CM是一个定值。
当硅管的结温大于150℃、锗管的结温大于70℃时，管子的特性明显变坏，甚至烧坏。
（3）极间反向击穿电压：晶体管某一级开路时，另外两个电极之间所允许加的最高反向电压，即为极间反向击穿电压，超过此值管子会发生击穿现象。
极间反向电压有三种：U CBO、U CEO和U EBO。
由于各击穿电压中U CEO 值最小，选用时应使其大于放大电路的工作电源V CC。
（4）三极管的安全工作区：由P CM、I CM和击穿电压V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定四个区：过损耗区、过电流区、击穿区和安全工作区。
使用时应保证三极管工作在安全区。
如P28图1.29所示。
6、温度对晶体管特性及参数的影响1）温度对反向饱和电流的影响：温度对I CBO和I CEO等由本征激发产生的平衡少子形成的电流影响非常严重。
2）温度对输入特性的影响：当温度上升时，正向特性左移。
当温度变化1℃时，U BE大约下降2～2.5mV，U BE具有负温度系数。
3）温度对输出特性的影响温度升高时，由于I CEO和β增大，且输入特性左移，导致集电极电流I C增大，输出特性上移。
总之，当温度升高时，I CEO和β增大，输入特性左移，最终导致集电极电流增大。
2.1.3BJT 的特性曲线2.1.4BJT 的使用常识2.2共发射极基本放大电路2.2.1 共发射放大电路的各元件作用1电路组成放大电路组成原则：(1)提供直流电源，为电路提供能源。
(2)电源的极性和大小应保证BJT基极与发射极之间处于正向偏置；而集电极与基极之间处于反向偏置，从而使BJT工作在放大区。
(3)电阻取值与电源配合，使放大管有合适的静态点。
(4)输入信号必须能够作用于放大管的输入回路。
(5)当负载接入时，必须保证放大管输出回路的动态电流能够作用于负载，从而使负载获得比输入信号大得多的信号电流或信号电压。
2简化电路及习惯画法直流通路、交流通路及其画法（1）直流通路的画法：电容视为开路、电感视为短路；信号源视为短路，但应保留内阻。
（2）交流通路的画法：耦合电容视为短路；无内阻直流电源视为短路；放大电路的静态分析和动态分析静态分析：就是求解静态工作点Q，在输入信号为零时，BJT或FET各电极间的电流和电压就是Q点。
可用估算法或图解法求解。
动态分析：就是求解各动态参数和分析输出波形。
通常，利用三极管h参数等效模型画出放大电路在小信号作用下的微变等效电路，并进而计算输入电阻、输出电阻与电压放大倍数。
或利用图解法确定最大不失真输出电压的幅值、分析非线性失真等情况。
放大电路的分析应遵循“先静态，后动态”。
的原则，只有静态工作点合适，动态分析才有意义；Q点不但影响电路输出信号是否失真，而且与动态参数密切相关。
3、图解法确定Q点和最大不失真输出电压（1）用图解法确定Q点的步骤：已知晶体管的输出特性曲线族→由直流通路求得I BQ →列直流通路的输出回路电压方程得直流负载线→在输出特性曲线平面上作出直流负载线→由I BQ所确定的输出特性曲线与直流负载线的交点即为Q点。
（2）输出波形的非线性失真非线性失真包括饱和失真和截止失真。
饱和失真是由于放大电路中三极管工作在饱和区而引起的非线性失真。
截止失真是由于放大电路中三极管工作在截止区而引起的非线性失真。
2.2.2 共发射极放大电路的静态分析共射极基本放大电路的电压放大作用是利用了BJT的电流控制作用，并依靠Rc将放大后的电流的变化转为电压变化来实现的。
(1)放大电路的分析方法静态：输入信号为零时，电路的工作状态，也称直流工作状态。
动态：输入信号不为零时，电路的工作状态，也称交流工作状态。
电路处于静态时，三极管个电极的电压、电流在特性曲线上确定为一点，称为静态工作点，常称为Q点。
一般用I B、I C、和V CE（或I BQ、I CQ、和V CEQ）表示。
(2)直流通路和交流通路根据叠加原理可将电路中的信号分解为：直流信号和交流信号。
直流信号通过直流通路求解，交流信号通过交流通路求解。
直流通路:当没加输入信号时，电路在直流电源作用下，直流电流流经的通路。
直流通路用于确定静态工作点。
直流通路画法：①电容视为开路；②电感线圈视为短路；③信号源视为短路，但保留其内阻。
交流通路:在输入信号作用下交流信号流经的通路。
交流通路用于计算电路的动态性能指标。
交流通路画法：①容量大的电容视为短路；②直流电源视为短路。
对于放大电路来说其最基本要求，一是不失真，二是能够放大。
只有在信号的整个周期内BJT 始终工作在放大状态，输出信号才不会产生失真。
静态工作点设置合适能实现线性放大；静态工作点设置偏高会产生饱和失真；静态工作点设置偏低会产生截止失真。
Q 点不仅影响电路是否会产生失真，而且影响着放大电路几乎所有的动态系数。
直流分析, 又称为静态分析, 求电路的直流工作状态, 即基极直流电流I B ; 集电极直流电流I C ; 集电极与发射极间直流电压U CE 。
交流分析, 又称动态分析, 求电压放大倍数、 输入电阻和输出电阻三项性能指标。
(b ) 交流通路R bR c＋U C CU ＋－U ss R bR c＋R L(a ) 直流通路－三、放大电路的分析解析法确定静态工作点（两个回路方程） 输入回路方程——基极电流I BQ : 输出回路方程——集电极电流I CQ ：【例】 估算图放大电路的静态工作点。
