清华大学固体物理:第一章 自由电子论

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第一章 自由电子论

1.1 经典自由电子论

1900年特鲁德 (P. Drude) 首先提出金属中的价电子好比气体分子,组成电子气体,它们可以同离子

碰撞,在一定的温度下达到热平衡。因此电子气体可以用具有确定的平均速度和平均自由时间的电子来

描述。在外电场作用下,电子产生定向漂移运动引起了电流。在温度场中电子气体的定向流动伴随着能

量传送,使金属具有良好的热导。金属的电导和热导之间的维德曼-夫兰兹(WiedemannFranz) 定律反

映了它们都起因于电子气体的定向流动,支持了电子气体模型。特鲁德金属电子气体模型的基本假设为:

(1) 在两次碰撞间隙,忽略给定电子和其它电子及离子的相互作用。没有外加电磁场时,电子作匀速直

线运动,在有外加电磁场时,电子受电磁力,运动遵从牛顿运动定律。忽略其它电子和离子产生的复杂

的附加场。在两次碰撞间隙,忽略电子-电子之间的相互作用称为独立电子近似;忽略电子-离子之间

的相互作用称为自由电子近似。

(2) 一个电子在有限的时间间隔dt内经历的碰撞次数为,称为平均自由时间,或弛豫时间。特鲁dt

德假定弛豫时间与电子的位置和速度无关。这称为弛豫时间近似。

(3) 电子通过碰撞和它们的环境达到热平衡。遵从玻尔兹曼统计。电子每一次碰撞后,完全丢失原来的

速度和运动方向,随机地改变运动方向,获得新的速率近似地由发生碰撞处的温度决定。这样发生碰撞

的区域越热,碰撞后电子的速率越大。

应用特鲁德理论可以成功地解释金属的一些输运性质:

1 电子的运动方程

在任意时间t电子的平均速度为p(t) / m,p是每个电子的总动量。我们来计算经过无穷小的时间间

隔dt后每个电子的总动量p(t+dt)。电子在这段时间间隔内的碰撞几率为,不遭受碰撞的几率为dt

。假设电子不遭受碰撞,但是受到越过空间均匀的电场或/和磁场力的作用,因此电子总动dt1tf

量的增量为。忽略碰撞对电子总动量的影响有:2dtodttf

(1.1.1)221tdtdtttdtodttdtttdtodt

ppf=ppf

因此得到:

(1.1.2)2dtodtttdttdttfppp

方程两边同除以dt,并取dt  0时的极限:

(1.1.3)

tt

dttd

fpp



这就是电子的运动方程。

2 金属的直流电导

欧姆定律的微分形式为:

j =E (1.1.4)

其中称为电导率。设单位体积中n个电子以相同的平均速度运动,由此产生的电流密度j将平行于

。在时间间隔dt内电子在速度方向运动的距离为dt,这样将有ndtA的电子越过垂直于速度方向的面

积A,每一个电子携带电荷 e,在时间间隔dt内越过面积A的电荷为 nedtA,因此电流密度为:

j =ne (1.1.5)

在没有外加电场时,电子的平均速度为零,电流密度也为零。在有外加电场E时,稳态时,按照电子运动方程,,,因此附加定向速度的平均值为 = eE / m,为弛豫时间。因此:

0

dttdp 

tt

fp

(1.1.6)Ej

mne2

因此金属的电导率为:

(1.1.7)

mne

2

3 霍尔效应

1879年霍尔 (E. H. Hall) 研究了在磁场中的载流导体,发现当磁场B (设沿z方向) 垂直于电流jx时,

在垂直于电流和磁场方向导体两边 (沿y方向) 有电压降。首先定义两个重要的物理量:

(1.1.8)

xx

jE

H

称为横向磁阻。其中Ex为沿电流jx方向的电场。 B Ex

Ey

jx

图1.1.1 Hall效应

霍尔系数定义为:

(1.1.9)

BjE

R

xy

H

为了计算霍尔系数,由电子运动方程可得:

(1.1.10)





BE pp p

met

dttd

在稳恒状态,时间导数为零,因此:

(1.1.11)











y

xcyx

ycx

p

peEp

peE

00

其中

(1.1.12)

meB

c

称为回旋频率。用ne/ m乘以方程两边可得:

(1.1.13)





yxcyxycx

jjEjjE

00



这里

就是没有磁场时特鲁德模型中的直流电导率。因为没有横向电流 即jy = 0。因此霍尔场Ey为:

(1.1.14)

xxc

yBj

nejE













1

0

由此可得霍尔系数为:

(1.1.15)

neR

H1



4 交流电导率和光学性质

考虑沿x方向传播、电场在y方向的横向电磁波,其电场强度可以表示为:

(1.1.16)tkxi

yeEE0

电子的运动方程为:

(1.1.17)





yyyeEp

dtdp



我们寻找下列形式的稳态解:

(1.1.18)tkxi

yepp0

代入电子运动方程得:

(1.1.19)







yy

yeEp

pi

因此:

(1.1.20)





yyy

yE

iEmne

mpne

j



1/2

其中依赖频率的交流电导率为: (1.1.21)

'''

11/

02







i

iimne







, (1.1.22)

220

1'





220

1''





其中实部表示同相(in-phase)电流,产生电阻焦耳热,虚部表示异相(out-of-phase)感应电'''2

流。

现在从另一个观点考虑电子的响应,根据Maxwell方程:

(1.1.22)JE

H





tL

其中右边第一项是与晶格离子芯极化相关的位移电流,J为传导电子的电流。对于交变场:

(1.1.23)

ti

E

EJ





据此重写Maxwell方程:

(1.1.24)

t

E

H~

其中为总介电常数:~

(1.1.25)



iL~

对于相对介电常数:0~~r

(1.1.26)

22

00

22

00

,11'''~















iirLrrr

介质的复数折射率定义为:

(1.1.27)inn

r21~~

这里n是通常的折射率,是消光系数。在光学实验中,通常不直接测量n和,而是测量反射率R和

吸收系数。它们之间的关系为:

(1.1.28)

2222

11



nn

R

(1.1.29)

c2

低频时,,因此:1"~

rri

(1.1.30)21

0021

22"

















rn

吸收系数的倒数趋肤深度(skin depth)为:

(1.1.31)21

02

0

21











c

高频时,这个频率范围覆盖了可见光和紫外区。此时:1

(1.1.32)











22

,1



p

rLr

其中 (1.1.33)

men

Lp2

02

n0为电子浓度。当时,,则,。金属显现出完全的反射率。当时,p0r0n1Rp

,则,,这样金属介质表现类似玻璃的不吸收的透明介质。0r0010R

例题1.1.1 对于漂移速度理论。证明静态电流密度可以用矩阵形式写成































zyx

ccc

c

zyx

EEE

jjj

220

)(1000101

1



