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【材料课件】第八章 半导体电子材料

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半导体材料导论描述课件

半导体材料导论描述课件

半导体材料在集成电路、微电 子器件、光电子器件等领域发 挥着关键作用，推动着科技的 进步与发展。
半导体材料在能源转换和存储 、传感器、生物医疗等领域也 具有广泛应用，为人类生活带 来便利。
半导体材料的发展趋势与前景
随着科技的不断发展，新型半导体材 料不断涌现，如二维材料、氧化物半 导体等，具有更优异的性能和更广泛 的应用前景。
硅基半导体是指以硅为基底制造 的半导体材料。自20世纪50年 代以来，硅基半导体一直是半导
体产业的主流技术。
目前，硅基半导体在集成电路、 微电子、光电子、通信等领域得 到了广泛应用，是现代信息技术
的基石之一。
随着技术的不断进步，硅基半导 体的性能不断提高，制造成本不 断降低，使得其应用领域不断拓
展。
半导体材料导论描述 课件
目录
• 半导体材料简介 • 半导体材料的物理性质 • 半导体材料的制备与加工 • 半导体材料的发展趋势与挑战 • 案例分析：硅基半导体的应用与发展 • 总结与展望
CHAPTER 01
半导体材料简介
半导体的定义与特性
总结词
半导体的导电能力介于金属和绝缘体之间，其导电能力随温度、光照和杂质等因 素发生变化。
硅基半导体的优势与局限性
硅基半导体的优势在于其成熟度高、 可靠性好、稳定性高、制造成本低等 。
然而，硅基半导体的局限性也很明显 ，如硅材料的带隙较窄、光电性能较 差等，限制了其在某些领域的应用。
硅基半导体的未来发展方向
1
随着科技的不断发展，硅基半导体将继续在高性 能计算、物联网、人工智能等领域发挥重要作用 。
详细描述
半导体是指那些在一定条件下能够导电的材料，其导电能力随温度、光照和杂质 等因素发生变化。在常温下，纯净的半导体通常表现为绝缘体，但当温度升高或 受到光照等外部因素影响时，其导电性能会显著增强。

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目录
• 半导体简介 • 半导体材料 • 半导体器件 • 半导体制造工艺 • 半导体技术发展趋势 • 案例分析
半导体简介
01
半导体的定义
总结词
半导体的定义
详细描述
半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材 料有硅、锗等。
半导体的特性
总结词
化合物半导体具有宽的禁带宽度和高 的电子迁移率等特点，使得化合物半 导体在光电子器件和高速电子器件等 领域具有广泛的应用。
掺杂半导体
掺杂半导体是在纯净的半导体中掺入其他元素，改变其导电 性能的半导体。
掺杂半导体的导电性能可以通过掺入不同类型和浓度的杂质 来调控，从而实现电子和空穴的平衡，是制造晶体管、集成 电路等电子器件的重要材料。
掺杂的目的是形成PN结、调控载流 子浓度等，从而影响器件的电学性能。
掺杂和退火的均匀性和控制精度对器 件性能至关重要，直接影响最终产品 的质量和可靠性。
半导体技术发展趋势
05
新型半导体材料
硅基半导体材料
宽禁带半导体材料
作为传统的半导体材料，硅基半导体 在集成电路、微电子等领域应用广泛。 随着技术的不断发展，硅基半导体的 性能也在不断提升。
半导体制造工艺
04
晶圆制备
晶圆制备是半导体制造的第一步，其目的是获得具有特定晶体结构和纯度的单晶硅 片。
制备过程包括多晶硅的提纯、熔炼、长晶、切磨、抛光等步骤，最终得到可用于后 续工艺的晶圆。
晶圆的质量和表面光洁度对后续工艺的成败至关重要，因此制备过程中需严格控制 工艺参数和材料质量。
薄膜沉积
输入 标题
详细描述
集成电路的制作过程涉及微电子技术，通过一系列的 工艺步骤，将晶体管、电阻、电容等电子元件集成在 一块硅片上，形成复杂的电路。

半导体器件物理课件——第八章

半导体器件物理课件——第八章

GaAs, n ，p 所30以它们是制造LE
8.3.2量子效率
2.辐射效率 • 发生辐射复合的电子数与总的注入电子数比：
r
Ur U r Unr
Ur
n
r
U nr
n
nr
r
1
1r
nr
r
（8-16） （8-17） （8-18） （8-19）
8.3.2量子效率
三种可能的复合过程
Ec
Et
R1
Ev
R3 浅施主能级Ed
8.1.1辐射复合
.带间辐射复合
带间辐射复合是导带中的电子直接跃迁到价带与价带中的空穴复合。发射的光子的能量接近等于半 导体材料的禁带宽度。
由于半导体材料能带结构的不同，带间辐射复合又可以分为直接辐射复合和间接辐射合两种:
导带
导带
价带
价带
图8-1 带间复合：（a）直接 能隙复合（b）间接能隙复合
8.1.1 辐射复合
8.3.2量子效率
• 1.注射效率
h
Eg
h ＞ Eg Eg
h ＜ Eg
（a）
（b）
图8-12 带尾对带带复合的影 响；（a）型，（b） 型
r
In
In I p Irec
8.3.2量子效率
注射效率就是可以产生辐射复合的二极管电流在二极管的总电流中所占的百 分比。
• 根据（8-15）式提高注射效率的途径是：
h
Eg
En exc
NEp
（8-8）
式中 NE表p 示吸收或放出能量为 的E p 个N声子。
8.1.1辐射复合
5.激子复合
束缚激子：
若激子对杂质的结合能为
E
，则其发射光谱的峰值为

第八章 半导体电子材料

第八章 半导体电子材料

SOI中“工程化的”基板由以下三层构成：
（1）薄薄的单晶硅顶层，在其上形成蚀刻电路 （2）相当薄的绝缘二氧化硅中间层 Nhomakorabea

（3）非常厚的体型衬底硅衬底层，其主要作用是 为上面的两层提供机械支撑。
SOI材料的分类

Si/绝缘体结构

Si/SiO2/Si结构
硅 硅 绝缘体 SiO2 硅衬底
SOI材料的特点

SOI是Silicon－on－Insulator的缩写，称绝缘 硅

随着芯片特诊尺寸跨入纳米尺度后，临近半导体物理器件 的极限问题接踵而来，如电容损耗、漏电流增大、噪声提 升、闩锁效应和短沟道效应等。 为了克服这些问题，SOI技术应运而生。 作为标准CMOS工艺的一种改进技术，SOI技术通过在两 层硅基板之间封入一个绝缘的氧化层(这与大容量CMOS工 艺技术恰好相反)，从而将活跃的晶体管元件相互隔离。 SiO2埋层能有效地使电子从一个晶体管门电路流到另一个 晶体管门电路，不让多余的电子渗漏到硅晶圆上。
该方法的优点是硅薄层缺陷密度低，硅薄层和Si02 埋层厚度也易控制。该方法的领引厂商是法国 Soitec公司，该公司能量产φ200/φ300mmSOI晶圆， 能提供各种硅薄层和SiO2埋层厚度的SOI晶圆，主 要有3个品种，PD（部分耗尽）、FD（全部耗尽） 和UT（超薄）UHIBOND。

4）外延层转移


闩锁效应，又称寄生PNPN效应

CMOS管的下面会构成多个三极管, 这些三极管自身就可能 构成一个电路。这就是MOS管的寄生三极管效应。 如果电路偶尔中出现了能够使三极管开通的条件, 这个寄生 的电路就会极大的影响正常电路的运作, 会使原本的MOS电 路承受比正常工作大得多的电流, 可能使电路迅速的烧毁。 闩锁效应在大线宽的工艺上作用并不明显, 而线宽越小, 寄生 三极管的反应电压越低, 闩锁效应的影响就越明显。 闩锁效应被称为继电子迁移效应之后新的“CPU杀手”。防 止MOS电路设计中Latch-up效应的产生已成为IC设计界的重 要课题。

【材料课件】第八章半导体电子材料

【材料课件】第八章半导体电子材料

4）外延层转移
1. 将硅片进行阳极氧化形成多孔硅层 2. 外延和热氧化，在多孔硅上外延生长单晶硅层，再在其
上形成氧化层 3. 键合，将器件片与支撑片键合，然后进行减薄和在氢气
气氛中退火提高键合强度 外延生长SOI层，层厚度易于控制，厚度均匀性较好，并
减少晶体中的原生缺陷，有利于提高器件的成品率。
作业标准记得牢，驾轻就熟除烦恼。2 020年1 0月21 日星期 三10时2 7分39 秒22:27: 3921 October 2020
好的事情马上就会到来，一切都是最 好的安 排。下 午10时2 7分39 秒下午1 0时27 分22:27: 3920.1 0.21
一马当先，全员举绩，梅开二度，业 绩保底 。20.10. 2120.1 0.2122: 2722:27 :3922:2 7:39Oct-20
9. 可利用SOI器件制作三维集成电路
SOI器件与体硅器件比较，在相同的电压下 工作，SOI器件性能提高30%
在基本相同的低功耗下工作，SOI器件性能 可提高300%
SOI工艺将成为21世纪ULSI的主流技术之一
8.6.2 SOI材料的制备
注氧隔离 键合与背腐蚀 智能剥离 外延层转移
第八章 半导体电子材料
8.1 材料优值的概念
某类器件究竟采用哪种材料更合适？
材料的某些基本性质决定的材料优值，并 用此材料优值来定量比较
常用的几种材料优值
约翰逊优值 凯斯优值 巴利加优值 高频器件用材料优值 热性能优值
8.1.1 约翰逊优值
J ( EbVs )2
最大输出功率：电压 最高工作频率：载流子的速度 结电容一定时，功率和频率的乘积为常数
安全象只弓，不拉它就松，要想保安 全，常 把弓弦 绷。20. 10.2122 :27:392 2:27Oct-2021- Oct-20

半导体器件物理PPT课件

半导体器件物理PPT课件
解
11
练习 假使面心结构的原子是刚性的小球，且面中心原子与 面顶点四个角落的原子紧密接触，试算出这些原子占此面 心立方单胞的空间比率。
解
12
例1-2 硅（Si）在300K时的晶格常数为5.43Å。请计算出每立方厘米体 积中硅原子数及常温下的硅原子密度。（硅的摩尔质量为 28.09g/mol）
解
13
29
●允带
允许电子存在的一系列准 连续的能量状态
● 禁带
禁止电子存在的一系列能 量状态
● 满带
被电子填充满的一系列准 连续的能量状态 满带不导电
● 空带
没有电子填充的一系列准 连续的能量状态 空带也不导电
图1-5 金刚石结构价电子能带图（绝对零度）
30
●导带
有电子能够参与导电的能带， 但半导体材料价电子形成的高 能级能带通常称为导带。
电子不仅可以围绕自身原子核旋转，而且可以转到另一个原子周围，即 同一个电子可以被多个原子共有，电子不再完全局限在某一个原子上， 可以由一个原子转到相邻原子，将可以在整个晶体中运动。
27
共有化运动
由于晶体中原子的周期性 排列而使电子不再为单个 原子所有的现象，称为电 子共有化。
在晶体中，不但外层价电 子的轨道有交叠，内层电 子的轨道也可能有交叠， 它们都会形成共有化运动；
杂质来源
一）制备半导体的原材料纯度不够高； 二）半导体单晶制备过程中及器件制造过程中的沾污； 三）为了半导体的性质而人为地掺入某种化学元素的原子。
40
金刚石结构的特点
原子只占晶胞体积的34%，还有66%是空隙， 这些空隙通常称为间隙位置。
杂质的填充方式
一）杂质原子位于晶格 间隙式杂质 原子间的间隙位置， 间隙式杂质/填充；

《半导体材料》课件

《半导体材料》课件

N型半导体
通过向半导体中掺入五价杂质，可以形成具有负 电荷的N型半导体。
PN结
PN结是由P型和N型半导体材料结合而成的结构， 具有重要的电子器件应用。
二极管
二极管是一种基本的半导体器件。它具有只允许 单向电流通过的特性。
4. 高级半导体器件
M Oபைடு நூலகம்FET
MOSFET是一种基于半导体材料 的重要集成电路组件，广泛应用 于电子设备中。
光电二极管
光电二极管是一种半导体器件， 可以将光能转换为电能，广泛用 于通信和光电领域。
激光二极管
激光二极管是利用半导体材料产 生激光的器件，应用于激光打印 机、激光通信等领域。
5. 应用领域
计算机芯片
半导体材料是计算机 芯片制造的基础，推 动了电子产品的快速 发展。
通信设备
半导体器件在无线通 信、移动通信等领域 中发挥着重要的作用。
光电子器件
光电子器件利用半导 体材料的特性，实现 光信号的检测和处理。
新能源领域
半导体材料在太阳能 电池、燃料电池等新 能源领域有着广泛的 应用。
6. 总结
半导体材料具有独特的电性能和广泛的应用。通过了解半导体的基本概念和器件原理，我们可以更好地理解现 代电子技术的发展和应用。期待未来半导体材料的更多突破和创新！
2. 基本概念
1 价带和导带
半导体中的价带和导带决定了电子的能量状态和传导性质。
2 禁带宽度
禁带宽度是指价带和导带之间的能量间隔，影响了半导体的导电性。
3 掺杂
通过掺杂杂质，可以改变半导体的导电性能，使其成为P型或N型半导体。
3. 掺杂与半导体器件
P型半导体
通过向半导体中掺入三价杂质，可以形成具有正 电荷的P型半导体。

《固体物理·黄昆》第八章(1)

《固体物理·黄昆》第八章(1)

—半导体带隙宽度和类别可以通过本征光吸收进行测定 —— 用电导率随温度的变化来测定 电子－空穴对复合发光
本征光吸收的逆过程
—— 导带底部的电子跃迁 到价带顶部的空能级，发出
能量约为带隙宽度的光子
2. 带边有效质量
半导体基本参数之一 —— 导带底附近电子的有效质量和价带顶附近空穴有效质量 将电子能量 按极值波矢 展开
2 2 2 k p k p [ V( r ) ] unk ( r ) [ E n ( k ) ] unk ( r ) 2m m 2m
—— 周期性场中电子的哈密顿函数和波函数
零级波函数
—— 微扰项 标记为
能带是非简并情况
2 2 2 k p k p [ V (r ) ]unk ( r ) [ En (k ) ]unk ( r ) 2m m 2m
整理得到
2 2 2 k p k p ( V (r ) )unk ( r ) [ En (k ) ]unk ( r ) 2m m 2m
—— 方程的解为晶格周期性函数 求解方程 & 利用周期性函数解的条件 得到电子的全部能量 微扰法的中心思想 如果已知 处的解
2 1 电子能量 E (k ) E (k ) [( E ) ( k k ) 2 0 x 0x 2 k0 x 2 k x 2 2E E 2 ( 2 ) k0 y ( k y k 0 y ) ( 2 ) k 0 z ( k z k 0 z ) 2 ] k y k z
2) 非竖直跃迁 — 间接带隙半导体
k空间电子吸收光子从价带顶部 且 过程满足能量守恒 跃迁到导带底部 状态
—— 单纯吸收光子不能使电 子由价带顶跃迁到导带底 ， 电子在吸收光子的同时伴随 着吸收或者发出一个声子 能量守恒

半导体材料 ppt课件

半导体材料 ppt课件

1.2.3 固溶半导体
由两个或两个以上的元素构成的具有足够的含量的固体溶液，如果具有半导体性质， 就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。 因为不可能作出绝对纯的物质，材料经提纯后总要残留一定数量的杂质，而且半导 体材料还要有意地掺入一定的杂质，在这些情况下，杂质与本体材料也形成固溶体， 但因这些杂质的含量较低，在半导体材料的分类中不属于固溶半导体。 另一方面，固溶半导体又区别于化合物半导体，因后者是靠其价键按一定化学配比 所构成的。固溶体则在其固溶度范围内，其组成元素的含量可连续变化，其半导体及 有关性质也随之变化。 固溶体增加了材料的多样性，为应用提供了更多的选择性。 为了使固溶体具有半导体性质常常使两种半导体互溶，如Si1-xGex（其中x <1)；也 可将化合物半导体中的一个元素或两个元素用其同族元素局部取代，如用Al来局部取 代GaAs中的Ga，即Ga1-xAlxAs，或用In局部取代Ga，用P局部取代As形成Ga1xInxAs1-yPy 等等。 固溶半导体可分为二元、三元、四元、多元固溶体；也可分为同族或非同族固溶体 等（见表1.1 ）。
表1.1 半导体材料分类及其开发情况 * 此处所列子项只举其中重要者，并未完全列出。
1.2.1 元素半导体 已知有12个元素具有半导体性质，它们在元素周期表中的位置如图1.1所示。 从这里也可以看出半导体材料与物质结构的密切关系。
处于III-A族的只有硼，其熔点高(2300oC)，制备单晶困难，而且其载流子迁移率 很低，对它研究的不多，未获实际应用。 IV-A 族中第一个是碳，它的同素异形体之一金刚石具有优良的半导体性质，但制 备单晶困难，是目前研究的重点；石墨是碳的另一个同素异形体，系层状结构，难 以获得单晶，故作为半导体材料未获得应用。 IV-A族的第二个元素是硅，具有优良的半导体性质，是现代最主要的半导体材料。 再往下是锗，它具有良好的半导体的性质，是重要的半导体材料之一。 锡在常温下的同素异形体为b-Sn，属六方晶系，但在13.2oC以下 可变为立方晶 系灰锡（a-Sn）。灰锡具有半导体性质，属立方晶系。在从b-Sn转化为a-Sn 的过 程中，体积增大并变粉末，故难以在实际中应用。

《半导体材料》课件

《半导体材料》课件
解决策略
解决可靠性问题需要从材料的设计、制备、封装、测试等各个环节入手，加强质量控制和可靠性评估。
半导体材料的环境影响与可持续发展
环境影响
半导体材料的生产和使用过程中会对环境产生一定的影响，如能源消耗、废弃物处理等。
可持续发展
为了实现可持续发展，需要发展环保型的半导体材料和生产技术，降低能源消耗和废弃物排放，同时 加强废弃物的回收和再利用。
《半导体材料》ppt 课件
目录
CONTENTS
• 半导体材料简介 • 半导体材料的物理性质 • 常见半导体材料 • 半导体材料的制备与加工 • 半导体材料的发展趋势与挑战
01
半导体材料简介
半导体的定义与特性
总结词
半导体的导电能力介于导体和绝缘体 之间，其电阻率受温度、光照、电场 等因材料的制备技术
制备技术
为了获得高性能的半导体材料，需要 发展先进的制备技术。这包括化学气 相沉积、分子束外延、离子注入等。
技术挑战
制备技术面临的挑战是如何实现大规 模生产，同时保持材料的性能和均匀 性。
半导体材料的可靠性问题
可靠性问题
随着半导体材料的广泛应用，其可靠性问题越来越突出。这包括材料的稳定性、寿命、可靠性等方面的问题。
VS
电阻率
电阻率是衡量材料导电能力的物理量。半 导体的电阻率可以通过掺杂等方式进行调 控，从而实现对其导电性能的优化。
光吸收与发光特性
光吸收
半导体具有吸收光子的能力，当光子能量大于其能带间隙时，电子从价带跃迁至导带， 产生光电流。
发光特性
某些半导体在受到激发后可以发出特定波长的光，这一特性使得半导体在发光器件、激 光器等领域具有广泛应用。
离子束刻蚀
利用离子束对材料进行刻蚀，实现纳米级加工。

半导体材料绪论通用课件

半导体材料绪论通用课件

半导体材料的分类
总结词
半导体材料可根据其元素组成、能带结构、载流子类 型等不同特征进行分类。
详细描述
根据元素组成，半导体材料可分为元素半导体和化合 物半导体两大类。元素半导体是由单一元素组成的， 如硅、锗等；化合物半导体则是由两种或两种以上元 素组成的化合物，如砷化镓、磷化铟等。根据能带结 构，半导体材料可分为直接跃迁型和间接跃迁型半导 体。根据载流子类型，半导体材料可分为n型和p型半 导体，分别指电子导电和空穴导电的半态的化学原料在衬底上沉 积成膜。
具体技术
包括热丝化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、 金属有机物化学气相沉积等。
溶胶-凝胶法
定义
将固体材料溶解在有机溶剂中， 形成溶胶，再通过凝胶化过程形 成凝胶，最后经过热处理得到所 需材料。
优点
可制备高纯度、高均匀性的薄膜 材料，适用于制备多种类型的半 导体材料。
半导体材料的应用领域
总结词
半导体材料广泛应用于电子、通信、能源、医疗等领域。
详细描述
在电子领域，半导体材料被用于制造集成电路、微电子 器件等，实现电子产品的微型化、高效化和智能化。在 通信领域，半导体材料被用于制造光电子器件、激光器、 探测器等，实现高速、大容量信息传输和处理。在能源 领域，半导体材料被用于制造太阳能电池、风力发电设 备等，实现可再生能源的转换和利用。在医疗领域，半 导体材料被用于制造医疗设备、生物传感器等，实现疾 病的早期诊断和治疗。
自组装与生物功能化半导体材料
自组装技术
自组装技术是一种利用分子间的相互作 用力，将分子自发地聚集在一起形成有 序结构的技术。在半导体领域，自组装 技术可用于制备具有特定功能的纳米结构。
VS
生物功能化
将生物分子或生物活性物质与半导体材料 结合，实现半导体的生物功能化是当前研 究的热点。这种生物功能化的半导体材料 在生物传感器、生物成像和药物输送等领 域具有广泛的应用前景。
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9. 可利用SOI器件制作三维集成电路
SOI器件与体硅器件比较，在相同的电压下 工作，SOI器件性能提高30%
在基本相同的低功耗下工作，SOI器件性能 可提高300%
SOI工艺将成为21世纪ULSI的主流技术之一
8.6.2 SOI材料的制备
注氧隔离 键合与背腐蚀 智能剥离 外延层转移
频率和功率的乘积
fTVm
EbVs
2
第一材料优值
F1 EbVs
约翰逊优值或者第一材料优值越大，材料 的功率和工作频率越高
8.1.2 凯斯优值
高频器件的尺寸受到热导率的限制，凯斯优值评价材 料在制作高速器件时适合程度的量化标准
K (Vb )2
为材料的相对介电常数
为热导率，反映了材料的热性质对晶体管开关性
F4
在同一工作频率下，器件的功耗随着优值F4 的增加而减少，工作频率越高，下降幅度 越大
对同一材料所制器件的最小功耗随着工作 频率提高而增大
F4越大，器件的功耗越低
8.1.5 热性能优值
反映了某种材料所制作的功率器件在高温 工作状态下的优值，三个热性能优值：
QF1 Eb3 QF 2 Eb4 QF3 Eb3
4. 由于有源层和衬底之间隔离，不致因辐照 在衬底中产生电子－空穴对导致电路性能 退化
5. SOI材料寄生电容小，有利于提高所致器 件的性能
6. 利用SOI材料可简化器件和电路加工过程
7. SOI材料所致的MOSFET中短沟道效应和 热载流子效应大大减弱，提高了器件的可 靠性
8. SOI器件功耗低
闩锁效应在大线宽的工艺上作用并不明显, 而线宽越小, 寄生 三极管的反应电压越低, 闩锁效应的影响就越明显。
闩锁效应被称为继电子迁移效应之后新的“CPU杀手”。防 止MOS电路设计中Latch-up效应的产生已成为IC设计界的重 道效应小、速度快、 集成度高、功耗低、耐高温、抗辐射等优点，越 来越受业界的青睐；
随着信息技术的飞速发展，SOI技术在高速微电子 器件、低压/低功耗器件、抗辐照电路、高温电子 器件、微机械（MEMS）以及光通信器件等主流 商用信息技术领域的优势逐渐凸现，被国际上公 认为是“二十一世纪的微电子技术”、“新一代 硅”。
SOI是Silicon－on－Insulator的缩写，称绝缘 硅
第八章 半导体电子材料
8.1 材料优值的概念
某类器件究竟采用哪种材料更合适？
材料的某些基本性质决定的材料优值，并 用此材料优值来定量比较
常用的几种材料优值
约翰逊优值 凯斯优值 巴利加优值 高频器件用材料优值 热性能优值
8.1.1 约翰逊优值
J ( EbVs )2
最大输出功率：电压 最高工作频率：载流子的速度 结电容一定时，功率和频率的乘积为常数
人生太短，聪明太晚(4)
然而，生活总是一直变动，环境总是不可预知，现实生活 中，各种突发状况总是层出不穷。身为一个医生，我所见 过的死人，比一般人要来得多。这些人早上醒来时，原本 预期过的是另一个平凡无奇的日子，没想到一个意料之外 的事；交通意外、脑溢血、心脏病发作等等。剎那间生命 的巨轮倾覆离轨，突然闯进一片黑暗之中。那么我们要如 何面对生命呢？我们毋需等到生活完美无瑕，也毋需等到 一切都平稳，想做什么，现在就可以开始做起。
450
InP 闪锌矿 1.35 6.9×107 5400 150
InN 纤锌矿 2.05
4400
AlN 纤锌矿 6.24
300
14
大学课件出品 版权归原作者所有 联系QQ ：910670854 如侵权，请告知，吾即删 更多精品文档请访问我的个人主页
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附赠人生心语
人生太短，聪明太晚
人生太短，聪明太晚(1)
我们都老得太快 却聪明得太迟 把钱省下来，等待退休后再去享受 结果退休后，因为年纪大，身体差，行动
不方便，哪里也去不成。钱存下来等养老， 结果孩子长大了，要出国留学，要创业做 生意，要花钱娶老婆，自己的退休金都被 拗走了。
人生太短，聪明太晚(2)
8.5 SiGe/Si固溶体
能带工程－－－固溶体
异质结－－－基极材料和发射极材料
HBT－－异质结双结晶体管 FET－－场效应晶体管 TFT－－薄膜晶体管 CMOS－－金属/氧化物/半导体晶体管
8.6 绝缘体硅材料（SOI）
绝缘体上硅片(silicon-on-insulator，SOI) 技术是一 种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现、 有其独特优势、能突破硅材料与硅集成电路限制 的新技术。
1）注氧隔离
注氧隔离技术是将氧离子注入硅中再经 高温退火形成掩埋SiO2层
O+
SiO2
Si
Si
注氧隔离法是采用大束流专用氧离子注入机把氧离子注入 到硅晶圆中，注入剂量约为1018/cm2，然后在惰性气体中 进行≥1300℃高温退火5h，从而在硅晶圆顶部形成厚度均 匀的极薄表面硅层和Si02埋层。
8.4 非晶硅的优点
非晶硅薄膜是器件和电路加工所用表面钝 化膜材料之一
对活性半导体表面进行钝化对提供器件性 能、增强器件和电路的稳定性、可靠性； 提高其封装成品率等有重要作用
能带模型
短程有序－－基本能带 长程无序－－定域态带尾 悬挂键－－带隙中间形成隙态
非晶硅钝化机理和特点
非晶硅Si:H膜致密性好，对水气和碱金属离 子等有很好的掩蔽作用
外延层转移示意图
阳极氧化 多孔硅
外延
单晶硅
减薄
热氧化 键合
SiO2
腐蚀 氢气退火
8.7 化合物半导体
化合物 晶体结 带隙
ni
构
un
up
GaAs 闪锌矿 1.42 1.3×106 8500
320
GaP 闪锌矿 2.27
150
120
GaN 纤锌矿 3.4
900
10
InAs 闪锌矿 0.35 8.1×1014 3300
随着芯片特诊尺寸跨入纳米尺度后，临近半导体物理器件 的极限问题接踵而来，如电容损耗、漏电流增大、噪声提 升、闩锁效应和短沟道效应等。
为了克服这些问题，SOI技术应运而生。 作为标准CMOS工艺的一种改进技术，SOI技术通过在两
层硅基板之间封入一个绝缘的氧化层(这与大容量CMOS工 艺技术恰好相反)，从而将活跃的晶体管元件相互隔离。 S晶iO体2埋管层门能电有路效，地不使让电多子余从的一电个子晶渗体漏管到门硅电晶路圆流上到。另一个
智能剥离示意图
氢离子注入
Si SiO2
Si
Si Si 键合
从气泡层剥离 SiO2 Si 热处理
智能剥离法是利用中等剂量氧离子注入，在一个 硅晶圆中形成气流层，然后在低温下与另一个硅 晶圆（SiO2/Si）键合，再进行热处理使注氢的硅 晶圆片从气流层剥离出来，最后经CMP使硅表面 层光滑。
该方法的优点是硅薄层缺陷密度低，硅薄层和Si02 埋层厚度也易控制。该方法的领引厂商是法国 Soitec公司，该公司能量产φ200/φ300mmSOI晶圆， 能提供各种硅薄层和SiO2埋层厚度的SOI晶圆，主 要有3个品种，PD（部分耗尽）、FD（全部耗尽） 和UT（超薄）UHIBOND。
当自己有足够的能力善待自己时，就立刻去做，老年人有 时候是无法做中年人或是青少年人可以做的事，年纪和健 康就是一大因素。小孩子从小就告诉他，养你到高中，大 学以后就要自立更生，要留学，创业，娶老婆，自己想办 法，自己要留多一点钱，不要为了小孩子而活我们都老得 太快却聪明得太迟，我的学长去年丧妻。这突如其来的事 故，实在叫人难以接受，但是死亡的到来不总是如此。学 长说他太太最希望他能送鲜花给他，但是他觉得太浪费， 总推说等到下次再买，结果却是在她死后，用鲜花布置她 的灵堂。这不是太蠢愚了吗？！
闩锁效应，又称寄生PNPN效应
CMOS管的下面会构成多个三极管, 这些三极管自身就可能 构成一个电路。这就是MOS管的寄生三极管效应。
如果电路偶尔中出现了能够使三极管开通的条件, 这个寄生 的电路就会极大的影响正常电路的运作, 会使原本的MOS电 路承受比正常工作大得多的电流, 可能使电路迅速的烧毁。
世的辛苦钱，去购买后世的安逸 在台湾只要往有山的道路上走一走，就随处都可看到「农
舍」变「精舍」，山坡地变灵塔，无非也是为了等到死后， 能图个保障，不必再受苦。许多人认为必须等到某时或某 事完成之后再采取行动。明天我就开始运动，明天我就会 对他好一点，下星期我们就找时间出去走走；退休后，我 们就要好好享受一下。
能的限制，凯斯优值越大，器件尺寸越小
金刚石 30.77
8.1.3 巴利加优值
评价材料用于大功率开关器件的潜力
B Eb3
巴利加优值越大，器件功率越大 GaN 385.8
8.1.4 高频器件用材料优值
器件的最小功耗
RonCin
1
Eb2
第四材料优值F4为材料的高频器件优值
F4 Eb2
8.2 硅材料的优点
资源丰富、易于提高到极纯的纯度 较易生长出大直径无位错单晶 易于对进行可控n型和p型掺杂 易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅
和非晶硅薄膜材料
易于进行腐蚀加工 带隙大小适中 硅有相当好的力学性能 硅本身是一种稳定的绿色材料
可利用多种金属和掺杂条件在硅上制备低 阻欧姆接触
容易截断或者解理硅晶体
硅表面上很容易制备高质量的介电层－－ SiO2
8.3 多晶硅的优点
多晶硅具有接近单晶硅材料的载流子迁移 率和象非晶硅那样进行大面积低成本制备 的优点
重掺杂的多晶硅薄膜作为电容器的极板、 浮栅、电极等
轻掺杂的多晶硅薄膜常用于MOS存储器的 负载电阻和其他电阻器
多晶硅薄膜由于具有比非晶硅TFT更高的载 流子迁移率、更快的开关速度、更高的电 流驱动能力、可与CMOS工艺兼容等特点
世界项级半导体厂商IBM，英特尔、TI、飞思卡 尔、飞利浦、AMD、台积电和三菱等先后采用 SOI技术生产各种SOI IC。