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1.半导体中与光有关的3种量子现象 : 自发发射(半导体发光二极管LED的工作原理),受激吸收(光电导,光探测器的工作原理),受激发射(半导体激光器LD,半导体光放大器SOA的工作原理). 填空2.半导体在光电子学中独有的特点: ①半导体能带中存在高的电子态密度,因而在半导体中有可能具有很高的量子跃迁速率②在半导体同一能带内,处在不同激励状态的电子态之间存在相当大的互作用(或大的公有化运动),这种互作用碰撞过程的时间常数与辐射过程的时间常数相比是很短的,因而能维持每个激励态之间的准平衡.③半导体中的电子态可以通过扩散或传导在材料中传播,可以将载流子直接注入发光二极管或激光器的有源区中,因而有很高的能量转换效率.④在两能级的激光系统中,每一处于激发态的电子有它唯一返回的基态(即某一特定的原子态) 理解3.爱因斯坦关系说明什么问题: 爱因斯坦关系B12=B21;A21=8πn3ℎv3c3B21爱因斯坦关系表示了热平衡条件下自发发射,受激发射与受激吸收三种跃迁几率之间的关系4.粒子数反转条件(伯纳德-杜拉福格条件)f c>f v(导带电子占据几率大于价带电子占据几率); F c−F v>ℎv (准费米能级之差大于作用在该系统的光子能量);ΔF≥E g (准费米能级之差大于等于禁带宽度)5.异质结能带图:Pn能带图6. 弗伽定律:7. 异质结对载流子和光子的限制:NpP 结构异质结中①由N 型限制层注入p 型有源层的电子将受到pP 同型异质结的势垒的限制,阻挡它们向P 型限制层内扩散.②pN 型异质结的空穴势垒限制着有源层中的多数载流子空穴向N 型限制层的运动. ③由于能产生光波导效应，从而限制有源区中的光子从该区向宽带隙限制层逸出而损失掉。
n 1 < n 2 > n 38. 激光器的构成:①激光工作介质②激励源③光学谐振腔9. 光子和费米子的差别:光子属于玻色子,服从玻色爱因斯坦分布.电子属于费米子服10.K选择定则的定义:不管是竖直跃迁还是非竖直跃迁,也不论是吸收光子还是发射光子,量子系统总的动量和能量必须守恒,这就是跃迁的k选择定则11.同质结和异质结或同型异质结和异型异质结空间电荷区的差别:①同质结:当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。
半导体的光学性质如果用适当波长的光照射半导体,那么电子在吸收了光子后将由价带跃迁到导带，而在价带上留下一个空穴，这种现象称为光吸收。
半导体材料吸收光子能量转换成电能是光电器件的工作基础。
光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律：()01x x I I r e α-=-式中，x I 表示距离表面x 远处的光强；0I 为入射光强；r 为材料表面的反射率；α为材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关.1 本征吸收半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带，在价带中留下空穴，产生等量的电子与空穴，这种吸收过程叫本征吸收.要发生本征光吸收必须满足能量守恒定律,也就是被吸收光子的能量要大于禁带宽度g E ,即g h E ν≥，从而有：00 1.24g g g E h hc E m eV E νλμ≥⇒≤=⋅其中h 是普朗克常量，ν是光的频率．c 是光速，ν0：材料的频率阈值，λ0：材料的波长阈值，下表列出了常见半导体材料的波长阀值。
几种重要半导体材料的波长阈值电子被光激发到导带而在价带中留下一个空穴，这种状态是不稳定的，由此产生的电子、空穴称为非平衡载流子。
隔了一定时间后，电子将会从导带跃迁回价带,同时发射出一个光子，光子的能量也由上式决定，这种现象称为光发射。
光发射现象有许多的应用,如半导体发光管、半导体激光器都是利用光发射原理制成的,只不过其中非平衡载流子不是由光激发产生，而是由电注入产生的。
发光管、激光器发射光的波长主要由所用材料的禁带宽度决定，如半导体红色发光管是由GaP 晶体制成，而光纤通讯用的长波长（1。
5μm ）激光器则是由Ga x In 1-x As 或Ga x In 1-x As y P 1—y 合金制成的。
2非本征吸收非本征吸收包括杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收和晶格吸收等.2.1杂质吸收杂质能级上的电子(或空穴）吸收光子能量从杂质能级跃迁到导带（空穴跃迁到价带)，这种吸收称为杂质吸收。
半导体光电器件原理及参数简介半导体光电子器件包括将电能转换成光能的发光器件和将光能转换成电能的光电探测器件。
光电器件种类很多，发光器件有发光二极管（ＬｉｇｈｔＥMｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ，简称ＬＥＤ）、半导体激光器（ＬａｓｅｒＤｉｏｄｅ，简称ＬＤ）等，光电探测器件有光电二极管或称光敏二极管（ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ or ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅｄｉｏｄｅ）、太阳电池（ｓｏｌａｒｃｅｌｌ）等。
它们与集成电路的结合出现了各种光电耦合器件，智能显示器件，专用光传感器，电荷耦合摄像器件，各种光电子模块等等。
半导体光电器件广泛地应用在光通信、激光、数字图像显示、自动控制、计算机、国防等领域，在２１世纪将获得更迅速的发展和更广泛的应用。
１．物理基础● 电子、空穴与能带半导体是由大量原子组成的晶体，由于原子之间距离很近，相邻原子上的电子轨道将发生一定程度的交迭，电子不再属于某个原子而可以穿行于整个晶体，由此导致了原子能级分裂为能带。
以最常用的半导体硅为例，硅的最外层有４个价电子，每个硅原子近邻有４个硅原子，这样每两个相邻原子之间有一对电子，它们与两个原子核都有吸引作用，称为共价键。
它们所处的能带为价带，比价带能量更高的能带是导带，它们中间隔着不允许存在的能量状态区域称为禁带。
当共价键内的束缚电子获得足够能量（例如热能，光能），可以摆脱共价键的束缚成为自由电子，我们称此时价带中的电子跃迁到了导带。
电子跃迁后，在原来的位置上留下了一个空位—“空穴”，邻键上的电子随时可以转移过来填补这个空位，共价键中这种束缚电子的移动用“空穴”的移动来表示。
自由电子和空穴都能参与导电，统称为载流子。
● 电子跃迁与吸收波长、发光波长电子的跃迁是和能量的交换分不开的。
电子必须吸收能量才能从低能级跃迁到高能级，电子从高能级跃迁到低能级则必须放出多余的能量。
电子跃迁过程中交换的能量若是热运动的能量，称为热跃迁，若是光的能量，称为光跃迁。
半导体光电器件的原理就是基于光跃迁的。
