1 中篇 模拟电子技术基础
第五章 半导体二极管、晶体管和场效应管
一、填空题
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。
2、双极型三极管内部有 基 区、 发射 区和 集电 区，有 发射 结和 集电 结及向外引出的三个铝电极。
3、PN结正向偏置时，内、外电场方向 相反 ，PN结反向偏置时，内、外电场方向 相同 。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为 死 区、 正向导通 区、 反向截止 区和
反向击穿 区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通 。
6、双极型三极管简称晶体管，属于 电流 控制型器件，单极型三极管称为
MOS管，属于 电压 控制型器件。MOS管只有 多数 载流子构成导通电流。
7、场效应管是利用外加电压产生的 电场 来控制漏极电流的大小的。
二、判断正误
1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体带负电.。 （ × ）
2、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。 （ × ）
3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10K档位。 （ × ）
4、PN结正向偏置时，其内电场和外电场的方向相同。 （ × ）
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （ × ）
1 《模拟电子技术基础》习题集
一．选择题
1．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是4V，引线2是3.3V，引线3是8V。
该管是
（1）是PNP型锗管 （2）NPN型硅管
（3）PNP型硅管 （4）NPN型锗管
2．若要求增大放大电路的输入电阻，减少输出电阻，则应引入
(1)电流串连负反馈；(2)电流并联负反馈；
(3)电压串连负反馈；（4）电流并联负反馈；
3 有两个稳压二极管，一个稳压值是8伏，另一是7.5伏，若把两管的正极并接，再将负
极并接，组合成一个稳压管接入电路，则这时组合管的稳压值是
（1）8伏 （2）7.5伏
（3）15.5伏 （4）0.5伏
4、一个电压串联负反馈放大器的闭环增益AVf=100,要求开环增益AV变化10%时闭环增益变
化0.5%,则开环增益是
（1）10 （2）2000
（3）5000 （4）1000
5、乙类推挽功放的理想效率为
（1）40％ （2）50％
（3）78％ （4）35％
6、为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般采用下列电路：
（1）共射放大电路 （2）共射共基电路
（3）差动放大电路 （4）射极输出器
7．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是-4V，引线2是-3.3V，引线3是-8V。
该管是
模拟电子技术基础试卷及参考答案
试卷四（本科）及其参考答案
试卷四
一、分析计算并简要回答问题（8分）
1．已知某放大电路的幅频特性如图1-1所示，试写出其电压放大倍数Av的表达式。（6分）
图1-1
2．共射放大电路如图1-2 a所示。（20分）
（1）试确定电路的静态工作点（写出IBQ、ICQ和VCEQ的表达式）；
（2）画出该放大器的小信号等效电路；
（3）画出该放大器的输入电阻、输出电阻、电压增益Av及源电压增益Avs的表达式（设电容的容抗可忽略不计）；
（4）用直流电压表测量时，若出现VCEQ≈0V或VCEQ≈24V，说明三极管工作在什么状态？
（5）用示波器观察Ov端波形时，若出现图1-2 b所示情况，为何种失真？应如何消除？
（6）若想改善放大器的低频特性，可以采用什么方法？
（a） （b） 图1-2
二、（12分）
一放大电路如图2所示。各三极管的β=49，VBE=0.7，rce=200kΩ。
1．简要说明各三极管的作用；
2．计算电路的电压增益（电容的容抗可忽略不计）；
3．计算放大器的输入电阻和输出电阻。
图2
三、（10分）
在图3所示电路中，电表M的满偏电流为100μA，表头内阻RM = 2 kΩ，三极管T1、T2的参数相同，β=50，rbe=1.8kΩ，电位器RW的滑动端位于中点。试求使电流表满偏时所需的输入电压Sv。
图3
四、（10分）
集成运放作前置级的OCL功放电路如图4所示。已知VCC = -VEE =15V，T1和T2管的VCES =1V，RL = 8Ω。集成运入最大不失真输出电压幅值为±13V。
1．计算电路的最大不失真输出功率及效率；
2．为提高电路的输入电阻、降低输出电阻，并使放大性能稳定，问应引入何种类型的负反馈？请在图中画出。
3．求反馈放大器的Aυƒ表达式。
图4
五、（9分）
第一章自我检测题参考答案
一、填空题
1.PN结具有单向导电
性
，
正向 偏置时导通 ，反向 偏置时截止 。
2. 2.UT为温度的电压当量，当温度为室温时，UT≈ mv。26mV。
3. 3.半导体二极管2AP7是 半导体材料制成的，2CZ56是 半导体材料制成的。
N型锗 ，N型硅 。
二、判断题
1.二极管的反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。（ × ）.
2. .稳压二极管正常工作时必须反偏，且反偏电流必须大于稳定电流IZ。（ √ ）
三、选择题
1. 2CZ型二极管以下说法正确的是（ B ）
A、点接触型，适用于小信号检波；
B、面接触型，适用于整流；
C、面接触型，适用于小信号检波
2. 稳压二极管电路如图Z1.1所示，稳压二极管的稳压值UZ=6.3V，正向导通压降0.7V，则为UO(C)。
A.6.3V B.0.7V C.7V D.14V
3.在图Z1.2所示各电路中，已知直流电压UI=3V，电阻，二极管的正向压降为0.7V，求UO=？
解：(a)UO=0.7V (b)UO=1.5V (c)UO=4.3V
第一章 习题参考答案
1.1判断题
1.当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。（ ）
2.半导体二极管反向击穿后立即烧毁。（ ）
1.√
2.×
1.2选择题
1.硅二极管正偏时，正偏电压0.7V和正偏电压0.5V时，二极管呈现的电阻值（ ）
A、相同； B、不相同 ； C、无法判断。
2.二极管反偏时，以下说法正确的是（ ）
A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流；
B、在达到死区电压之前，反向电流很小；
C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关。
