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第三章双极结型晶体管(习题)第三章双极结型晶体管(习题)第三章3c1．（a）图画出来pnp晶体管在均衡时以及在正向有源工作模式下的能带图。
（b）画出晶体管的示意图并表示出所有的电流成分，写出各级电流表达式。
（c）画出发射区、基区、集电区少子分布示意图。
3c2．考虑一个npn硅晶体管，具有这样一些参数：xb?2?m，在均匀掺杂基区na?5?1016cm?3,?n?1?s,a?0.01cm。
若erf被逆向偏置，ine?1ma，排序2在发射结基区一边的过量电子密度、发射结电压以及基区输运因子。
3c3．在3c2的晶体管中，假设发射极的参杂浓度为1018cm?3，xe?2?m，?pe?10ns，发射结空间电荷区中，?0?0.1?s。
计算在ine?1ma时的发射效率和hfe。
3c4．一npn晶体管具备以下规格：发射区面积=1平方密耳，基区面积=10平方密耳，播发射区宽度=2?m，基区宽度=1?m，发射区薄层电阻为2?/200?/，基区薄层电阻为，集电极电阻率=0.3?.cm，发射区空穴寿命=1ns，基区电子寿命=100ns，假设发射极的无机电流为常数并等同于1?a。
还假设为变异结和光滑参杂。
排序用半对数座标图画出来曲线。
ie?10?a、100?a、1ma、10ma、100ma以及1a时的hfe。
中间电流范围的掌控因素就是什么？3-5．（a）根据式（3-19）或式（3-20），证明对于任意的2xbln值公式（3-41）和（3-43）变成a11??qani[dnnaln2(cothxblnxbln)?dpendexe]a12?a21?qadnninaln2cscha22??qani[（b）证明，若xbdnnaln(cothxbln)?dpcndclpc]ln<<1,（a）中的表达式约化成（3－41）和（3－43）。
3c6．证明在有源区晶体管发射极电流c电压特性可用下式表示ie?ie01??f?reve/vt+qaniwe2?0eve/vt其中ie0为集电极开路时发射结逆向饱和电流。
113级《计算机电路基础》习题二-1答案§2.3 双极性晶体三极管一、 填空题1、晶体三极管是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉3.、PN 结是许多半导体元器件的最重要和最基本的单元。
如果我们把两个PN 结做得相距很近，结合在一起就构成一个新的器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
双极型晶体管外形如图：4、晶体三极管两个PN 结将整个半导体基片分成三个区域：发射区、基区和集电区，其中基区较薄。
由这三个区各引出一个电极，分别称为发射极、基极和集电极，分别用字母E、B 、C 表示。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN 结称为集电结。
如下图所示：在图中填出三个区域，两个结，画出三极管符号。
5、晶体三极管按导电类型的不同，三极管可分为PNP 型和NPN 型两大类。
由图可见，有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，箭头方向向外是 NPN 型，箭头方向向内是 PNP 型，两种符号的区别在于发射极的箭头方向不同，实际上发射极箭头方向就是发射极正向电流 的真实方向。
6、三极管种类很多：按功率分有小功率管、中功率管和大功率管 ；按工作频率分有低频管、高频管 ； 按管芯所用半导体制造材料分有硅管与锗管。
7、本标准适用于无线电电子设备所用半导体器件的型号命名。
【了解】 示例要求：查2.2表写出型号硅整流二极管 硅NPN 型高频小功率管8、型号组成部分的符号及意义表7.5.1给出了各种型号的半导体二极管、三极管的符号、构成材料、名称性能以及表达这些意义的符号。
表2.2 型号组成部分的符号及意义8. 三极管各电极上的电流分配NPN 型三极管为例搭成的实验电路如图7.3.2所示，图中V BB 为基极电源，V cc 为集电极电源，V cc 电压应高于V BB 电压。
即发射结正偏，集电结反偏。
电路接通后，在电路中就有三支电流通过三极管，即基极电流I B 、集电极电流I C 和发射极电流I E ，这三路电流方向如图中所示。
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与答案考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
双极性晶体三极管综合习题1一、填空题1、晶体三极管（Transistor）是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉冲和数字电路中，它起开关作用，逻辑门电路中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。
2、晶体三极管是一个三端器件，根据其构造的不同，大体上可分双极型晶体管BJT（Bipolar Junction Transistor）和场效应管FET（Field Effect Transistor）。
3、双极晶体管（BJT）是一种电流控制器件，“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与导电。
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管。
4、场效应管（FET）是电压控制型元件，利用场效应原理工作的晶体管，具有输入阻抗高，热稳定性好，抗辐射能力较强，集成度较高特点。
5、场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管（Junction FET，缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，缩写为MOS-FET）。
其中，MOS管还分为增强型和耗尽型两种。
与BJT不同的是，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此场效应管也称为单极型晶体管。
*6、场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
7、双极晶体管（BJT）是由两个相距很近的PN结，通过一定的工艺制作成的一种半导体器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
8、晶体三极管两个PN结两个PN结，一个PN结为发射结，另一个PN结为集电结。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN结称为集电结。
第二章双极型晶体三极管（BJT）
第二章双极型晶体三极管(BJT)(一)BJT结构与电路符号(二)晶体管的放大作用发射结正偏，集电结反偏，称为BJ
T的放大偏置。
即满足下列电压关系：NPN管：VCB﹥0，VBE﹥0或VC＞VB＞VEPNP管：V
CB﹤0，VBE﹤0或VC＜VB＜VE(三)放大偏置时的电流传输关系2iC与iB的关系
定义：共发射极直流电流放大系数：（四）放大偏置时BJT偏压与电流的关系1发射结正向电压VBE对各极电流的控制作用BJ T的正向控制作用2集电结反向电压VCB对各极电流的影响基区宽度调制效应（五）BJT的截止与饱和工作状态1截止状态：2饱和状态：注意：晶体管特性曲线只能用于直流/低频。
§2-2BJT静态特性曲线BJT静态特性曲线：是在伏安平面上作出的
反映晶体管各极直流电流电压关系的曲线。
BJT静态特性曲线用途：一晶体三极管的组态将晶体三极管视为双端口
器件，分析其三种典型接法，称为组态。
共基极接法（CB）共射接法（CE）共接接法（CC）
二共射输入特性曲线共射输入特性曲线是以输出电压VCE为参变量，输入口基极电流iB随发射结电压vBE变化的曲线：共射输入特性曲线的特点：§2-3BJT主要参数1直流放大系数2交流放大系数
例2-41iE与iC的关系：定义共基极直流电流放大系数：。
第二章 双极型晶体三极管（BJT ）§2.1 知识点归纳一、BJT 原理·双极型晶体管（BJT ）分为NPN 管和PNP 管两类（图2-1，图2-2）。
·当BJT 发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。
在放大偏置时，NPN 管满足C B C V V V >>；PNP 管满足C B E V V V <<。
·放大偏置时，作为PN 结的发射结的V A 关系是：/BE T v V E ES i I e =（NPN ），/E B T v V E ES i I e=（PNP ）。
·在BJT 为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流E i 将几乎转化为集电流C i ，而基极电流较小。
·在放大偏置时，定义了CNE i i α=（CN i 是由E i 转化而来的C i 分量）极之后，可以导出两个关于电极电流的关系方程：C E CBO i i I α=+ (1)C B CBO B CEO i i I i I βββ=++=+ 其中1αβα=-，CEO I 是集电结反向饱和电流，(1)CEO CBO I I β=+是穿透电流。
·放大偏置时，在一定电流范围内，E i 、C i 、B i 基本是线性关系，而BE v 对三个电流都是指数非线性关系。
·放大偏置时：三电极电流主要受控于BE v ，而反偏CB v 通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。
影响的规律是；集电极反偏增大时，C I ，E I 增大而B I 减小。
·发射结与集电结均反偏时BJT 为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT 为饱和状态。
二、BJT 静态伏安特性曲线·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。
BJT 常用CE 伏安特性曲线，其画法是： 输入特性曲线：()CE B BE V i f v =常数（图2-13） 输出特性曲线：()B B CE I i f v =常数（图2-14）·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。
1 如果在电路中测得放大偏置的BJT 的三个电极的电位为下面四组数据： （1） 7.1V, 2.16V, 1.4V （2） 6.1V, 5.8V, 1V （3） 8.87V, 8.15V, 2V （4） –9.6V, –9.27V, 0V试判断各电位对应的电极以及三极管的类型（NPN 管或PNP 管）和材料（Si 管或Ge 管）。
[解] 将三电压按从高到低排列，列出如下表：2 如果将BJT 的集电极与发射极对调使用，在放大偏置时，I C ≈I E 的关系是否仍然成立？为什么？[解] 不成立。
集电区较基区不是高掺杂，E i 中有较大的成分是基区多子向集电区注入形成。
这部分电流不能转化为C i ，∴C i 会比E i 明显减小。
3 图示电路可以用来测量晶体管的直流参数。
改变电阻R B 的值，由两支电流表测得两组I B 和I C 的数值如下表所示。
（1） 由数据表计算β﹑I CBO ﹑I CEO 和α （2 ）图中晶体管是S i 管还是G e 管？[解]（1）由(1)C B CBO B CEO I I I I I βββ=++=+ 图P2-3联立 400611208C E O C E O I I ββ⎧=+⎪⎨=+⎪⎩求得60β=，400640CEO I βμ=-= A 0.6561CEO CBO II μβ==+ A （2）是Ge 管。
CBO I 为μA 量级，硅管不可有如此大的集电结反向饱和电流。
4*图为BJT 共射放大原理电路。
输入电压ft Sin V v im i π2=，v i 的幅度可使发射结上的信号电压满足小信号条件。
试推导BJT 集电极平均功耗C p 的表达式。
将C p 与静态（v i =0）时的集电极功耗比较是增大还是减小？电源的平均功耗是增大还是减小？[解] 由（2-20）式在小信号条件下故()CCE CE C C CC C C i TI v V R i V R I v V =-=-+()C CE C P t v i =集电极瞬时管耗∴集电极平均管耗为0011()T TC CCE C P P t dt v i dt T T ==⎰⎰ 图P2-10将C i 和CE V 表式代入上式，可得 注意到010T i v dt T =⎰，22112T i im v dt v T =⎰ 静态时 2C CO CC C C C PP V I R I ==-，∴C CO P P < 即有信号时管耗会减小。
13级《计算机电路基础》习题一§2.1半导体的基本知识§2.2 晶体二极管一、填空题（1）二极管按所用材料可分为和两类；按PN结的结构特点可分为和两种。
（2）PN结的正向接法是P型区接电路源的极，N型区接电源的极。
（3）二极管的电压-电流关系可简单理解为导通，截止的特性。
导通后，硅管管压降约为，锗管管压降约为。
（4）在判别锗硅二极管时，当测出正向压降为，此二极管为锗二极管；当测出正向压降为，此二极管为硅二极管。
（5）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象被叫作现象。
（6）理想二极管正向导通时，其管压降为V。
反向截止时，其电流为μA。
7半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”，称为8载流子包括和9二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定，这两者之间的关系称为二极管的伏安特性.10自然界的物质，就其导电性能，大致分为三类：一类是导电性能良好的物质叫导体，如银、铜、铝、铁等金属；另一类是在一般条件下不能导电的物质叫，如陶瓷、塑料、橡胶、玻璃等；还有一类物质，其导电性能介于导体和绝缘体之间称之为，如硅、锗、砷化镓等。
11不含任何杂质的单晶半导体，称为。
本征半导体受热或得到其它能量而激发出电子-空穴对的现象称为。
本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为。
12在本征半导体硅或锗的晶体内掺入微量的五价元素杂质，如磷或锑等，就形成了。
13经过特殊的工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界面处就会出现一个具有特殊物理现象的极薄区域，称它为14当P型半导体与N型半导体结合在一起时，由于P型半导体中空穴为多子，N型半导体中空穴为少子，这样就形成了一个空穴浓度差。
由于这个浓度差的存在，在P区的空穴就要向N区扩散。
同理，N区的电子也要向P区扩散，因为浓度差而造成载流子的定向运动称作。
另方面，对两个区的少数载流子向对方运动却有促进作用，我们把这种在电场力的作用下载流子的定向运动称作。
1§2.3 双极性晶体三极管习题5考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
*2.3.4晶体三极管的主要参数*1、三极管的主要参数（了解）下面以共射极接法为例，介绍三极管的几种常用参数。
共射极电流放系数 (1) 共射极直流放大系数β(有时写作H FE ) (2) 共射极交流放大系数 β (有时写作h fe )同一个三极管，当I CEO 较小时，ββ≈。
选用管子时，β 值应恰当，β 值太大的管子工作稳定性差。
*2、极间反向饱和电流极间反向饱和电流，是三极管中少数载流子形成的电流，它的大小表明了三极管质量的优劣，直接影响它的工作稳定性。
(1) 集电极—基极反向饱和电流I CBO(2) 集电极—发射极反向饱和电流I CEO (又称穿透电流)I CEO 和I CBO 存在下述关系： I CEO = (1 + β)I CBOI CBO 与I CEO 都随温度的升高而增大。
在选用管子时，应选反向饱和电流小的管子。
*3．极限参数三极管的极限参数是指三极管在正常工作时所允许的最大电流、最大电压和功率的极限数值。
(1) 集电极最大允许电流I CM当I C 过大时，电流放大系数 β 将下降。
在技术上规定，使 β 下降到正常值的2/3时的集电极电流称集电极最大允许电流。
(2) 反向击穿电压V (BR)CEO ——当基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压，一般是几十伏。
V (BR)CBO ——当发射极开路时，集电极与基极之间所能承受的最高反电压V (BR)CBO 通常比V CEO 大些。
V (BR)EBO ——当集电极开路时，发射极与基极之间所能承受的最高反向电压，一般在5 V 左右。
(3) 集电极最大允许功率损耗P CM技术上规定，在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率称集电极最大允许功率损耗。
精品文档13级《计算机电路基础》习题二-2§2.3.3 双极性晶体三极管复习填空题1、三极管连接方式三极管有三个电极，在构成放大器时只能提供三个端子，因此必然要有一个电极作为输入和输出的公共端。
据此，根据公共端的不同选择，三极管在构成放大器时，就有三种组态（连接方式）：电路基极为输入端，集电极为输出端。
发射极作为公共端 电路发射极为输入端，集电极为输出端，基极为公共端。
电路基极为输入端，发射极为输出端。
集电极为公共端，如图所示。
连接 连接 连接 2、三极管的特性曲线 三极管的特性曲线用来描述三极管的极间电压与相关电流之间的关系，主要有 曲线两种。
2.1.1 共发射极连接输入特性曲线 输入特性是指在V CE 一定的条件下，加在三极管 之间的电压V BE 与它产生的 电流I B 之间的关系，输入特性曲线入下图所示。
.2.12输入特性曲线特点： 当U CE =0时，输入特性曲线与 的正向伏安特性相似，这是因为V BE 加在基极与发射极之间的PN 结(发射结)上，该PN 结相当于一只二极管，只有当V BE 大于开启电压时，三极管才出现基极电流。
这个开启电压的大小与三极管的材料有关。
硅管约 V ，锗管约 V . 从三极管的输入特性曲线可以看出，当三极管处于放大状态时，加在发射结上的正偏电压V BE 只有零点几伏，其中硅管约 V.，锗管在 V 左右，这是检查三极管是否正常工作的重要依据。
随着U CE 的增大输入特性曲线右移，但当U CE 超过一定数值（U CE >1）后，曲线不再明显右移而基本重合。
2.2．共发射极连接输出特性曲线输出特性是指在I B 一定的条件下， 的电压V CE 与 电流I C 之间的关系，三极管的输出特性曲线是一组曲线族，如图所示，在图中，每条曲线都可分为线性上升、弯曲、平坦三个部分，从该图中还可以看出，输出特性曲线族可分为三个区。
(1) 截止区① IB =0，三极管截止，I B =0曲线以下的区域称为 。
13 级 高级计算机 班《 电工与电子技术基础》第 一 套复习题命题范围：从 4 章 1 节至 4 章 3 节适合班级： 13高级计算机 （上、下学期所有平行班级）一、填空题： 1、（§4、1）根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体、绝缘体和半导体。
2、（§4、1）导电能力介于导体和绝缘体之间的物质是半导体。
3、（§4、1）PN 结具有单向导电特性，即加正向电压时PN 结导通，加反向电压时PN 结截止。
4、（§4、1）二极管P 区的引出端叫正极或阳极，N 区的引出端叫负极或阴极。
5、（§4、1）按照二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管。
6、（§4、1）硅二极管导通时的正向压降约为0.7V,锗二极管导通时的管压降约0.3V 。
7、（§4、2）三极管有三个电极，即集电极、基极和发射极。
8、（§4、2）半导体三极管有NPN 型和PNP 型。
9、（§4、2）在三极管中，E I 、B I 与C I 的关系为C B E I I I +=,由于B I 的数值远远小于C I ，如忽略B I ，则C I ≈E I 。
10、（§4、2）三极管基极电流B I 的微小变化，将会引起集电极电流C I 的较大变化，这说明三极管具有电流放大作用。
11、（§4、2）当三极管的发射结正偏、集电结反偏时，工作在放大区。
12、（§4、2）三极管的电流放大系数太小，电流放大作用较小，电流放大系数太大，会使三极管的性能不稳定。
13、（§4、3）晶体三极管是电流控制型器件，场效应管是电压控制型器件。
14、（§4、3）场效应管按结构分为结型和绝缘栅型。
二、判断 1、（§4、1）半导体随温度的升高，电阻会增大。
（×） 2、（§4、1）PN 结正偏时电阻小，反偏时电阻大。
双极型晶体管试题pdf双极型晶体管试题pdf篇一：13级《计算机电路基础》2.3双极性晶体三极管习题二-2-2015-10-713级《计算机电路基础》习题二-22.3.3 双极性晶体三极管复习填空题2.2．共发射极连接输出特性曲线输出特性是指在IB一定的条件下，的电压VCE与电流IC之间的关系，三极管的输出特性曲线是一组曲线族，如图所示，在图中，每条曲线都可分为线性上升、弯曲、平坦三个部分，从该图中还可以看出，输出特性曲线族可分为三个区。
1、三极管连接方式三极管有三个电极，在构成放大器时只能提供三个端子，因此必然要有一个电极作为输入和输出的公共端。
据此，根据公共端的不同选择，三极管在构成放大器时，就有三种组态（连接方式）： ui(1) 截止区连接连接连接①IB?0，三极管截止，IB=0曲线以下的区域称为②截止区偏置电压的特点：三极管发射结与集电结处于。
2、三极管的特性曲线③IB?0，IC≠0，即为ICEO。
三极管的特性曲线用来描述三极管的极间电压与相关电流之间的关系，主要有曲线两种。
IB = 0时，还有很小的集电极电流ICEO，这是因为在一定温度下，发射区的少数载流子能量较大，可穿越基 2.1.1 共发射极连接输入特性曲线区到达集电区而形成电流，通常把它叫作。
输入特性是指在VCE一定的条件下，加在三极管之间的电压VBE与它产生的电流IB之间(2) 放大区的关系，输入特性曲线入下图所示。
①为输出特性曲线之间间距接近相等，且互相平行的区域。
②放大区三极管的偏置电压的特点：发射结，集电结。
③电流受控，即ΔiC=，即在这区间，IC与IB成正比增长，即IB 有一个微小的变化，IC将按比例发生较大的变化，体现了三极管的电流放大作用。
④恒流特性，只要IB一定，iC基本不随uCE变化而变化。
(3) 饱和区①VCE较小的区域，指输出特性曲线靠近左边垂直且互相重合的曲线与纵轴之间的区域。
②饱和区三极管的偏置电压的特点：发射结和集电结都处于。
1§2.3 双极性晶体三极管习题2与答案考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
§2.3 双极性晶体三极管2.3.2晶体三极管的放大原理1、三极管的电流放大作用，三极管BJT 放大电路三个电流关系公式：B E I I I +=C ，B C I I β= ， B E I 1I ）（β+=【例题1】工作放大状态三极管两个电极的电流如图所示，I C =6.0mA ，I B=20μA求： 另一个电极的电流，并标出电流方向。
解：I E = I C + I B =6.0mA+0.02 mA=6.02mA 【结论】（1）、I E 电流最大，一般为mA 级； I B 电流最小，一般为μA 级。
（2）、NPN 三极管中，电流I B 、I C 流入三极管，电流I E 流出三极管； （3）、PNP 三极管中，电流 I E 流入三极管，电流I B 、I C 流出三极管。
2、三极管起放大作用的外部条件晶体三极管两个PN 结两个PN 结，一个PN 结为发射结，另一个PN 结为集电结。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN 结称为集电结。
使三极管起放大作用的外部条件是：发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。
三极管电流放大作用的实现需要外部提供直流偏置，即必须保证三极管发射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压（反偏）。
【说明】NPN 型与PNP 型三极管发射结与集电结偏置电压不同。
(1)、NPN 型三极管发射结加正向偏置电压的电位关系应为：VB ＞VE ； 集电结加反向偏置电压为：VC ＞VB 。
NPN 型三极管放大条件三个极的电位关系应为V C>V B >V E 。
(2)、PNP 型三极管放大工作时，其电源电压V CC 极性与PNP 型管相反，这时，管子三个电极的电流方向也与NPN 型管电流方向相反，电位关系则为V E >V B >V C 。
第一章常用半导体器件1-1 晶体二极管二．判断题1．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（T）2．P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
（F）3．晶体二极管有一个PN结。
所以有单向导电性。
（T）4．晶体二极管的正向特性也有稳压作用。
（T）5．硅稳压管的动态电珠愈小，则稳压管的稳压性能愈好。
（T）6．将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其叫界处形成PN结。
（T）7．稳压二极管按材料分有硅管和锗管。
（F）8．用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻。
其数值是相同的。
（F）9．二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。
（F）10．二极管的反向电阻越大，其单向导电性能就越好。
（T）11．用500型万用表测试发光二极管，应该R*10k挡。
（T）1-2 晶体三极管二．判断题1．晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
（F）2．三极管的放大作用具体体现在Ic=ßIb。
（T）3．晶体三极管具有能量放大作用。
（F）4．硅三极管的Icbo值要比锗三极管的小。
（T）5．如果集电流Ic大于集电极最大允许电流Icm时，晶体三极管可顶损坏。
（F）6．晶体二极管和三极管都是非线性器件。
（T）7．3CG21管工作在饱和状态时，一定是Ube<Uce.（T）8．某晶体三极管的Ib=10μA时。
Ic=044mA;当Ib=20μA时。
Ic=0.89mA,则它的电流放大系数ß=45。
（T）9．因为三极管有两个PN结，二极管有一个PN结。
所以用两个二极管可以连接成一个三极管。
（F）10．判断题1-2-1所示各三极管的工作状态（NON型为硅管。
PNP 型为锗管）。
a)(放大)；b)(饱和)；c)(截止)；d)(放大)11．复合管的共发射极电流放大倍数ß等于两管的ß1，ß2之和。
13级《计算机电路基础》习题二-2§2.3.3 双极性晶体三极管复习填空题1、三极管连接方式三极管有三个电极，在构成放大器时只能提供三个端子，因此必然要有一个电极作为输入和输出的公共端。
据此，根据公共端的不同选择，三极管在构成放大器时，就有三种组态（连接方式）：电路基极为输入端，集电极为输出端。
发射极作为公共端 电路发射极为输入端，集电极为输出端，基极为公共端。
电路基极为输入端，发射极为输出端。
集电极为公共端，如图所示。
连接 连接 连接2、三极管的特性曲线 三极管的特性曲线用来描述三极管的极间电压与相关电流之间的关系，主要有 曲线两种。
2.1.1 共发射极连接输入特性曲线 输入特性是指在V CE 一定的条件下，加在三极管 之间的电压V BE 与它产生的 电流I B 之间的关系，输入特性曲线入下图所示。
.2.12输入特性曲线特点：当U CE =0时，输入特性曲线与 的正向伏安特性相似，这是因为V BE 加在基极与发射极之间的PN 结(发射结)上，该PN 结相当于一只二极管，只有当V BE 大于开启电压时，三极管才出现基极电流。
这个开启电压的大小与三极管的材料有关。
硅管约 V ，锗管约 V .从三极管的输入特性曲线可以看出，当三极管处于放大状态时，加在发射结上的正偏电压V BE 只有零点几伏，其中硅管约 V.，锗管在 V 左右，这是检查三极管是否正常工作的重要依据。
随着U CE 的增大输入特性曲线右移，但当U CE 超过一定数值（U CE >1）后，曲线不再明显右移而基本重合。
2.2．共发射极连接输出特性曲线输出特性是指在I B 一定的条件下， 的电压V CE 与 电流I C 之间的关系，三极管的输出特性曲线是一组曲线族，如图所示，在图中，每条曲线都可分为线性上升、弯曲、平坦三个部分，从该图中还可以看出，输出特性曲线族可分为三个区。
(1) 截止区① IB =0，三极管截止，I B =0曲线以下的区域称为 。
② 截止区偏置电压的特点：三极管发射结与集电结处于 。
③ IB =0，IC ≠0，即为I CEO 。
I B = 0时，还有很小的集电极电流I CEO ，这是因为在一定温度下，发射区的少数载流子能量较大，可穿越基区到达集电区而形成电流，通常把它叫作 。
(2) 放大区①为输出特性曲线之间间距接近相等，且互相平行的区域。
②放大区三极管的偏置电压的特点：发射结 ，集电结 。
③电流受控，即Δi C = ，即在这区间，I C 与I B 成正比增长，即I B 有一个微小的变化，I C 将按比例发生较大的变化，体现了三极管的电流放大作用。
④恒流特性，只要I B 一定，i C 基本不随u CE 变化而变化。
(3) 饱和区① V CE 较小的区域，指输出特性曲线靠近左边垂直且互相重合的曲线与纵轴之间的区域。
②饱和区三极管的偏置电压的特点：发射结和集电结都处于 。
③ I C 不受I B 的控制，这个区域内，即使增大I B ，I C 也不会明显增加，而基本保持不变，这就是所谓的“ ”。
④饱和时的V CE 值为饱和压降，用 表示，硅管饱和压降约为0.3V ，锗管饱和压降约为0.1V 。
在以上三个区域，三极管的偏置电压的特点归纳如下：截止区： 均反偏。
放大区： 。
饱和区： 均正偏。
BE 0输入特性曲线u i【3练习题】：某三极管的输出特性曲线如图所示，从曲线上可以大致确定该三极管在U CE =6.5V ，I B =60µA （b 点）附近的β和β值。
解：在图示的输出特性曲线上作U CE =6.5V 的垂线，与I B =60µA 的输出特性曲线交于 b 点，由此可得该点对应的直流放大倍数 =βI B1=40μA 时，I C 1= 1.7mA ；I B2=60μA 时，I C 2= 2.5 mA ，C i ∆= I C 2- I C 1=2.5-1.7 mA ，B i ∆ = I B 2- I B1=60-40μA交流放大倍数 =β 【4练习题】：分析三极管工作状态三极管工作状态【4.1练习题】、某人测量一只3DG6（NPN ）型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，试判别晶体管分别工作在什么状态？（1）V B = 1.7 V ，V C = 9.4 V ，V E = 1.0 V ；发射结 ，VB ＞VE ，U B E = ； 集电结 ，VC ＞VB ，U C B ： ，9.4>1.7>1.0，VC ＞VB ＞VE 工作状态是：（2）V B = 1.7 V ，V C =1.3V ， V E = 1.0 V ；发射结 ，VB ＞VE ，U B E =集电结 ，VB ＞VC ，U B C = ， 工作状态是：（3）V B = 1.7 V ，V C = 9.4 V ，V E = 2.0 V ；发射结 ，U B E ： 工作状态是：【4.2练习题】、某人测量一只 PNP 型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，试判别晶体管分别工作在什么状态？（1）V E = 1.0 V ， V B = 1.7 V ，V C = 9.4 V ，发射结 ， U EB ： ，；集电结 ， 工作状态是：（2）V E = 1.7V ，V B = 1.0 V ，V C =1.4V ，；发射结 ，VE ＞VB ， U EB = ，集电结 ，VC ＞VB ，U C B = ， 工作状态是： （3）V E = 9.0 V , V B = 8.3 V ，V C =2.0V ；发射结 ，VE ＞VB ， U EB = ，集电结 ，VB ＞VC ， U B C ： ， 工作状态是：【4.3练习题】：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
Δi BΔi C A A /V1234分析方法：（1）12>11.3>0，中间为基极；发射结U EB =12-11.3=0.7，硅；VE＞VB＞VC，型三极管。
（2）12>3.7>3，中间为基极；发射结U BE =3.7-3.0=0.7，硅；VC＞VB＞VE，型三极管。
5三极管的主要参数（了解）下面以共射极接法为例，介绍三极管的几种常用参数。
共射极电流放系数(1) 共射极β(2) 共射极β同一个三极管，当I CEO较小时，ββ≈。
选用管子时，β值应恰当，β值太大的管子工作稳定性差。
6．极间反向饱和电流极间反向饱和电流，是三极管中少数载流子形成的电流，它的大小表明了三极管质量的优劣，直接影响它的工作稳定性。
(1) 集电极—基极反向饱和电流(2) 集电极—发射极反向饱和电流（又称穿透电流)I CEO和I CBO存在下述关系：I CEO = (1+β)I CBOI CBO与I CEO都随温度的升高而增大。
在选用管子时，应选反向饱和电流小的管子。
7．极限参数三极管的极限参数是指三极管在正常工作时所允许的最大电流、最大电压和功率的极限数值。
(1) 集电极最大允许电流I CM当I C过大时，电流放大系数β将下降。
在技术上规定，使β下降到正常值的2/3时的集电极电流称电流。
(2) 反向击穿电压V (BR)CEO——当基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压，一般是几十伏。
V (BR)CBO——当发射极开路时，集电极与基极之间所能承受的最高反电压，通常比V CEO大些。
V (BR)EBO——当集电极开路时，发射极与基极之间所能承受的最高反向电压，一般在5 V左右。
(3) 集电极最大允许功率损耗P CM技术上规定，在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率称。
为使三极管安全工作，可在三极管最大损耗曲线图中找出安全工作区和过损耗区，如图7.3.8所示。
一、填空题1、三极管放大作用的本质是它的控制作用。
2、放大电路中以晶体三极管为核心元件，它必须工作于区。
3、在三极管放大电路中，应保证发射结偏置，而集电结偏置。
4、晶体三极管有三个区：、、；两个PN结：、；三个电极：、、。
5、三极管的电流放大作用，指的是用较小的__ ____的变化，从而得到较大的集电极电流的变化。
6、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为、、三种。
7、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
8、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
9、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
10、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。
二、选择题1、三极管具有放大( )作用。
A．电压B．电流C．功率D．电位2、三极管工作于放大区时，其外部条件是( )A．发射结正偏，集电缜正偏B．发射结正偏，集电结反偏B．发射结反偏，集电结反偏D．发射结反偏，集电结正偏3、三极管工作于放大区时，集电极电流I C受( )控制，与V BE几乎无关．A．R B B．V CE C．R C D．I B4、三极管的电流分配规律是( )。
A．I B = I E+I C B．I C = I B + I EB．I E = I B + I C D．I E =I B -I C5、NPN型三极管和PNP型三极管的区别是( )。
A．由两种不同材料硅和锗制成B．掺入的杂质元素不同C．P区和N区的位置不同6 、PNP型三极管实现放大作用时，三极电位之间的关系是( )。
A．V E>V B>V C B．Vc<V B<V C C．V B>V C>V E D．V E<V C<V E7、某NPN型三极管V B = 4.7 V，V C = 4.3 V，V E = 4 V，此三极管处于( )状态？A．饱和B．放大C．截止8、某NPN型三极管V B = 2 V，V C = 10 V，V E = 2.3 V，此三极管处于( )状态？A．饱和B．放大C．截止9、某NPN型三极管V B =1.3 V，V C = 5 V，V E = 1.6 V，此三极管处于( )状态？A．饱和B．放大C．截止13、如果三极管工作在截止区，两个PN结状态( )。
A．均为正偏B．均为反偏C．发射结正偏，集电结反偏D．发射结反偏，集电结正偏14、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时，I C从l mA变为2mA，那么它的β约为( ) 。
A.83B.91C.100（）15、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是( )。
