铁氧体磁芯功率与频率的关系表

i 铁氧体材料特性及不同规格有效参数10.3.1 国产铁氧体材料特性铁氧体的电阻率大约在106～1012μΩ·cm ，适用于几千到几百兆Hz 的频率之间。

对铁氧体软磁材料的主要要求是：初始磁导率μ 高，比损耗（单位体积或重量）小,磁导率随温度的变化要小等。

锰锌和镍锌铁氧体是常用的材料。

可用来制作滤波电感，高频功率变压器，谐振电感等。

铁氧体材料最高工作频率主要受损耗限制。

在一定的允许损耗下，频率提高，工作磁通密度相应减少，与提高频率来减少磁芯体积相矛盾。

一般建议的磁通密度是在工作频率下权衡损耗、体积、结构和效率的结果，不是绝对的。

例如PHILIPS 建议变压器磁芯：<100kHz 可用3C81、3C90、3C91、3C94 和3C96 等；<400kHz 可用3C90、3C94 和3C96 等；200kHz ～1MHz 可用3F3、3F4 和3F35；1~3MHz 可用3F4 和4F1；>3MHz 可用4F1 等。

电感磁芯：<500kHz 可用2P…、3C30 和3C90;<1MHz 可用3C90、3F3 和3F35 等等。

国产常用的牌号及主要磁性能见表10-7所示。

10.3.2 铁氧体尺寸规格铁氧体磁芯在通讯和开关电源中应用十分广泛，磁芯外形结构多种多样。

开关电源中主要应用的有E 型，ETD 型，EC 型，RM 型，PQ 型，EFD 型，EI 型，EFD 型，环形，LP 型.在模块电源中，主要应用扁平磁芯和集成磁元件。

例如FERROXCUBE-PHILIPS 的平面E 型磁芯，适于表面贴装的EP 、EQ 和ER 磁芯，以及集成电感元件（IIC －Integrated inductance component ）等。

IIC 已将元件和磁芯合成一体，通过外部PCB 可自由组成电感和变压器。

各种磁芯结构往往是针对特定的应用设计的，有各自的优点和缺点，要根据应用场合，选择相应的磁芯结构。

摘要：阐述了高频开关电源热设计的一般原则，着重分析了开关电源散热器的热结构设计。

关键词：高频开关电源；热设计；散热器1 引言电子产品对工作温度一般均有严格的要求。

电源设备内部过高的温升将会导致对温度敏感的半导体器件、电解电容等元器件的失效。

当温度超过一定值时，失效率呈指数规律增加。

有统计资料表明，电子元器件温度每升高2℃，可靠性下降10％；温升50℃时的寿命只有温升为25℃时的1/6。

所以电子设备均会遇到控制整个机箱及内部元器件温升的要求，这就是电子设备的热设计。

而高频开关电源这一类拥有大功率发热器件的设备，温度更是影响其可靠性的最重要的因素，为此对整体的热设计有严格要求。

完整的热设计包括两方面：如何控制热源的发热量；如何将热源产生的热量散出去。

最终目的是如何将达到热平衡后的电子设备温度控制在允许范围以内。

2 发热控制设计开关电源中主要的发热元器件为半导体开关管（如MOSFET、IGBT、GTR、SCR等），大功率二极管（如超快恢复二极管、肖特基二极管等），高频变压器、滤波电感等磁性元件以及假负载等。

针对每一种发热元器件均有不同的控制发热量的方法。

2.1 减少功率开关的发热量开关管是高频开关电源中发热量较大的器件之一，减少它的发热量，不仅可以提高开关管自身的可靠性，而且也可以降低整机温度，提高整机效率和平均无故障时间（MTBF）。

开关管在正常工作时，呈开通、关断两种状态，所产生的损耗可细分成两种临界状态产生的损耗和导通状态产生的损耗。

其中导通状态的损耗由开关管本身的通态电阻决定。

可以通过选择低通态电阻的开关管来减少这种损耗。

MOSFET的通态电阻较IGBT的大，但它的工作频率高，因此仍是开关电源设计的首选器件。

现在IR公司新推出的IRL3713系列HEXFET(六角形场效应晶体管)功率MOSFET已将通态电阻做到3mΩ，从而使这些器件具有更低的传导损失、栅电荷和开关损耗。

美国APT公司也有类似的产品。

电力电子电路常用磁芯元件的设计一、常用磁性材料的基本知识磁性元件可以说是电力电子电路中关键的元件之一，它对电力电子装置的体积、效率等有重要影响，因此，磁性元件的设计也是电力电子电路系统设计的重要环节。

磁性材料有很多种类，特性各异，不同的应用场合有不同的选择，以下是几种常用的磁性材料。

1．低碳钢低碳钢是一种最常见的磁性材料，这种材料电阻率很低，因此涡流损耗较大，实际应用时常制成硅钢片。

硅钢片是一种合金材料（通常由97%的铁和3%的硅组成），它具有很高的磁导率，并且每一薄片之间相互绝缘，使得材料的涡流损耗显著减小。

磁芯损耗取决于材料的厚度与硅含量，硅含量越高、电阻率越大。

这种材料大多应用于低频场合，工频磁性元件常用这种材料。

2．铁氧体随着工作频率的提高，对磁芯损耗的要求更高，硅钢片由于制造工艺的限制，已经很难满足这种要求，铁氧体就是在这种形势下出现的。

铁氧体是一种暗灰色或者黑色的陶瓷材料。

铁氧体的化合物是MeFe2O4，这里Me代表一种或几种二价的金属元素，例如，锰、锌、镍、钴、铜、铁或镁。

这些化合物在特定的温度范围内表现出良好的磁性能，但是如果超出某个温度值，磁性将失去，这个温度称为居里温度（T c）。

铁氧体材料非常容易磁化，并且具有相当高的电阻率。

这些材料不需要像硅钢片那样分层隔离就能用在高频的应用场合。

高频铁氧体磁性材料主要可分为两大类：锰锌（MnZn）铁氧体材料和镍锌（NiZn）铁氧体材料。

比较而言，NiZn材料的电阻率较高，一般认为在高频应用场合下具有较低的涡流损耗。

但是最近的研究表明，如果颗粒的尺寸足够小而且均匀，在几兆赫兹范围内MnZn材料显示出较NiZn材料更为优越的特性，例如，TDK公司的H7F材料以及MAGNETICS公司的K材料就是采用这种技术，适用于兆赫兹工作频率下工作的新型铁氧体材料。

3．粉芯材料粉芯材料是将一些合金原料研磨成精细的粉末状颗粒，然后在这些颗粒的表面覆盖上一层绝缘物质（它用来控制气隙的尺寸，并且降低涡流损耗），最后这些粉末在高压下形成各种磁芯形状。

铁氧体的磁导率铁氧体的磁导率是多少为计算互感器的电感系数，但不知道铁氧体的磁导率…从⼏到3万，范围很宽。

六⾓晶系铁氧体：⼏到⼏⼗。

NiZn（MgZn）铁氧体：⼏⼗到2000，⽬前最⾼4000，磁导率上千的很少见。

MnZn铁氧体：⼏百到30000，5000以上算⾼磁导率。

铁氧体饱合磁化强度也较低（通常只有纯铁的1/3～1/5），因⽽限制了它在要求较⾼磁能密度的低频强电和⼤功率领域的应⽤。

就电特性来说，铁氧体的电阻率⽐⾦属、合⾦磁性材料⼤得多，⽽且还有较⾼的介电性能。

铁氧体的磁性能还表现在⾼频时具有较⾼的磁导率。

因⽽，铁氧体已成为⾼频弱电领域⽤途⼴泛的⾮⾦属磁性材料。

铁氧体饱合磁化强度也较低（通常只有纯铁的1/3～1/5），因⽽限制了它在要求较⾼磁能密度的低频强电和⼤功率领域的应⽤。

就电特性来说，铁氧体的电阻率⽐⾦属、合⾦磁性材料⼤得多，⽽且还有较⾼的介电性能。

铁氧体的磁性能还表现在⾼频时具有较⾼的磁导率。

因⽽，铁氧体已成为⾼频弱电领域⽤途⼴泛的⾮⾦属磁性材料。

测量单位由于历史的原因，在此⼿册中采⽤了CGS制单位，国际制（SI）和CGS制之间的转换可简化于下表2：表2单位转换表在CGS制⾃由空间磁导率的幅值为1且⽆量纲。

在SI制⾃由空间磁导率的幅值为4π×10-7亨/⽶ 3.3、电感对于每⼀个磁芯电感（L）可⽤所列的电感系数（AL）计算： (14) AL：对1000匝的电感系数 mH N：匝数所以：这⾥这⾥L是nH 电感也可由相对磁导率确定，磁芯的有效参数见图 10: (15) Ae:有效磁芯⾯积 cm2 :有效磁路长度 cm µ:相对磁导率（⽆量纲）对于环形功率磁芯，有效⾯积和磁芯截⾯积相同。

根据定义和安培定理，有效磁路长度是线圈的安匝数（NI）和从外径到外径穿过磁芯⾯积的平均磁场强度之⽐。

有效磁路长度可⽤安培定理和平均磁场强度给出的公式计算： (16) O.D. ：磁芯外径 I.D. ：磁芯内径电感系数是⽤单层密绕线圈测量的。

电力电子电路常用磁芯元件的设计一、常用磁性材料的基本知识磁性元件可以说是电力电子电路中关键的元件之一，它对电力电子装置的体积、效率等有重要影响，因此，磁性元件的设计也是电力电子电路系统设计的重要环节。

磁性材料有很多种类，特性各异，不同的应用场合有不同的选择，以下是几种常用的磁性材料。

1．低碳钢低碳钢是一种最常见的磁性材料，这种材料电阻率很低，因此涡流损耗较大，实际应用时常制成硅钢片。

硅钢片是一种合金材料（通常由97%的铁和3%的硅组成），它具有很高的磁导率，并且每一薄片之间相互绝缘，使得材料的涡流损耗显著减小。

磁芯损耗取决于材料的厚度与硅含量，硅含量越高、电阻率越大。

这种材料大多应用于低频场合，工频磁性元件常用这种材料。

2．铁氧体随着工作频率的提高，对磁芯损耗的要求更高，硅钢片由于制造工艺的限制，已经很难满足这种要求，铁氧体就是在这种形势下出现的。

铁氧体是一种暗灰色或者黑色的陶瓷材料。

铁氧体的化合物是MeFe2O4，这里Me代表一种或几种二价的金属元素，例如，锰、锌、镍、钴、铜、铁或镁。

这些化合物在特定的温度范围内表现出良好的磁性能，但是如果超出某个温度值，磁性将失去，这个温度称为居里温度（T c）。

铁氧体材料非常容易磁化，并且具有相当高的电阻率。

这些材料不需要像硅钢片那样分层隔离就能用在高频的应用场合。

高频铁氧体磁性材料主要可分为两大类：锰锌（MnZn）铁氧体材料和镍锌（NiZn）铁氧体材料。

比较而言，NiZn材料的电阻率较高，一般认为在高频应用场合下具有较低的涡流损耗。

但是最近的研究表明，如果颗粒的尺寸足够小而且均匀，在几兆赫兹范围内MnZn材料显示出较NiZn材料更为优越的特性，例如，TDK公司的H7F材料以及MAGNETICS公司的K材料就是采用这种技术，适用于兆赫兹工作频率下工作的新型铁氧体材料。

3．粉芯材料粉芯材料是将一些合金原料研磨成精细的粉末状颗粒，然后在这些颗粒的表面覆盖上一层绝缘物质（它用来控制气隙的尺寸，并且降低涡流损耗），最后这些粉末在高压下形成各种磁芯形状。

变压器输出功率和磁芯尺寸的关系要使变压器输出更大的功率，我们希望在电压一定的情况下，圈数要尽可能的少、导线尽可能的粗。

这样才有利于提供较大的电流，输出更大的功率。

前者需要较大的磁芯截面积，后者要求较大的磁芯窗口面积。

因此要获得较大的输出功率磁芯尺寸必须够大才行。

变压器初级绕组的圈数可用下式来算：N=k*10^5*U/(f*Ae*Bmax)k为最大导通时间与周期之比，通常取k=0.4；U是初级绕组输入电压（V），（近似等于直流输入电压)；f是变压器的工作频率（KHZ）；Ae是磁芯的截面积（cm2）；Bmax是允许的磁通密度最大变化幅度（G）。

因此，在一定电压下，增大截面积Ae、提高工作频率f和选择更大的峰值磁通密度Bmax，都有利于减少圈数，提高输出功率。

但是，磁芯的损耗（铁损）是按Bmax的2.7次幂和f的1.7次幂呈指数增长的，Bmax还受磁芯饱和的限制。

因此，提高工作频率f和选择更大的峰值磁通密度Bmax都是有限度的。

大多数适合做开关电源的铁氧体磁芯频率通常限制在10-50KHZ以内，Bmax限制在2000G（高斯）以内，一般取Bmax=1600G 较为合适。

因此，功率主要靠磁芯截面积Ae、其次靠工作频率f控制。

但必须明确的是，这种控制关系是间接的而不是直接的，Ae加大和f提高只是表示对同样的电压，允许绕的圈数更少，只有实际把圈数减少了才能提高功率。

如果在同样材料的一个大磁芯和一个小磁芯上，用一样的导线绕同样的圈数，对同样的输入电压输出功率是基本相同的。

同样，如果一个做好的变压器，仅仅靠改变工作频率，也是不会使输出功率提高的。

如果从变压器入手的话，可以尝试把导线适当加粗，同时把频率提高一些，以允许圈数能有所减少，这样就可加大输出功率。

导线加粗受到磁芯窗口面积Ac限制。

用截面积为Ad的导线绕N圈，占用的窗口面积为：Awc=N*Ad=k*10^5*U*Ad/(f*Ae*Bmax)设，初级绕组窗口占用系数为Sn=Awc/Ac，Ad用电流I（有效值）和允许的电流密度J表示为Ad=I/J/100，（Ad-平方厘米，I-A有效值，J-A/平方毫米）则上式可写成：Ac*Sn=k*U*I*10^3/(f*Ae*Bmax*J)或，U*I=Sn*Bmax*J*f*Ae*Ac*10^-3/k因为输入功率等于输入电压U与电流平均值k*Ip的乘积，而电流有效值I与峰值Ip 的关系为Ip=1.58*I，所以输入功率Pi=1.58*k*U*I=1.58*Sn*Bmax*J*f *Ae*Ac*10^-3再乘上效率Ef就得到最大输出功率的表达式Po=1.58*Ef*Sn*Bmax*J*f*Ae*Ac*10^-3可见，功率除了和上面那些有利于圈数减少的因素成正比之外，还与允许导线加粗的Ac、Sn以及电流密度J成正比。

电力电子电路常用磁芯元件的设计一、常用磁性材料的基本知识磁性元件可以说是电力电子电路中关键的元件之一，它对电力电子装置的体积、效率等有重要影响，因此，磁性元件的设计也是电力电子电路系统设计的重要环节。

磁性材料有很多种类，特性各异，不同的应用场合有不同的选择，以下是几种常用的磁性材料。

1．低碳钢低碳钢是一种最常见的磁性材料，这种材料电阻率很低，因此涡流损耗较大，实际应用时常制成硅钢片。

硅钢片是一种合金材料（通常由97%的铁和3%的硅组成），它具有很高的磁导率，并且每一薄片之间相互绝缘，使得材料的涡流损耗显著减小。

磁芯损耗取决于材料的厚度与硅含量，硅含量越高、电阻率越大。

这种材料大多应用于低频场合，工频磁性元件常用这种材料。

2．铁氧体随着工作频率的提高，对磁芯损耗的要求更高，硅钢片由于制造工艺的限制，已经很难满足这种要求，铁氧体就是在这种形势下出现的。

铁氧体是一种暗灰色或者黑色的陶瓷材料。

铁氧体的化合物是MeFe2O4，这里Me代表一种或几种二价的金属元素，例如，锰、锌、镍、钴、铜、铁或镁。

这些化合物在特定的温度范围内表现出良好的磁性能，但是如果超出某个温度值，磁性将失去，这个温度称为居里温度（T c）。

铁氧体材料非常容易磁化，并且具有相当高的电阻率。

这些材料不需要像硅钢片那样分层隔离就能用在高频的应用场合。

高频铁氧体磁性材料主要可分为两大类：锰锌（MnZn）铁氧体材料和镍锌（NiZn）铁氧体材料。

比较而言，NiZn材料的电阻率较高，一般认为在高频应用场合下具有较低的涡流损耗。

但是最近的研究表明，如果颗粒的尺寸足够小而且均匀，在几兆赫兹范围内MnZn材料显示出较NiZn材料更为优越的特性，例如，TDK公司的H7F材料以及MAGNETICS公司的K材料就是采用这种技术，适用于兆赫兹工作频率下工作的新型铁氧体材料。

3．粉芯材料粉芯材料是将一些合金原料研磨成精细的粉末状颗粒，然后在这些颗粒的表面覆盖上一层绝缘物质（它用来控制气隙的尺寸，并且降低涡流损耗），最后这些粉末在高压下形成各种磁芯形状。

磁芯材质对照表• NCD和其它厂商铁氧体材料牌号对照表-1• NCD和其它厂商铁氧体材料牌号对照表-2• NCD和其它厂商铁氧体材料牌号对照表-3材料总览NCDFerrite Core材料特性 MATERIAL CHARACTERISTICS●功率铁氧体材料 Power ferrite materials特性符号单位LP1 LP2 LP3 LP3A Characteristics Symbol Unit初始磁导率 Initialpermeabilityμi- 3000±25%2500±25%2300±25%2200±25%相对损耗因数 Relative lossfactortanδ/μi×10-6 ＜10 ＜5 ＜4 ＜3饱和磁通密度BsmT 25℃500 500 490Saturation flux density 1194A/m 100℃390 390 380 剩磁 Remanence Br mT 130 130 110 矫顽力 Coercivity Hc A/m 13 13 10功率损耗Pc kW/m3 25℃Power loss 80℃120 90 60 (f=25kHz,B=200mT) 100℃160 100 70 50功率损耗Pc kW/m3 25℃700 650 600Power loss 80℃550 480 400 (f=100kHz,B=200mT) 100℃600 450 350 居里温度 CurietemperatureTc ℃≥220≥200≥200≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8 4.8 4.8 4.8功率铁氧体材料LP2Power loss 80℃550 (f=100kHz,B=200mT) 100℃600 居里温度 Curie temperature Tc ℃≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8●导磁率 Vs.温度特性●导磁率 Vs.频率特性●功率损耗 Vs.温度特性●功率损耗 Vs.频率特性功率铁氧体材料LP3特性符号单位LP3 Characteristics Symbol Unit初始磁导率 Initial permeability μi- 2300±25%相对损耗因数 Relative loss factor t anδ/μi×10-6 ＜4饱和磁通密度BsmT 25℃500Saturation flux density 1194A/m 100℃390 剩磁 Remanence Br mT 130 矫顽力 Coercivity Hc A/m 13功率损耗Pc kW/m3 25℃Power loss 80℃90 (f=25kHz,B=200mT) 100℃70功率损耗Pc kW/m3 25℃650Power loss 80℃480 (f=100kHz,B=200mT) 100℃450 居里温度 Curie temperature Tc ℃≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8●导磁率 Vs.温度特性●导磁率 Vs.频率特性●功率损耗 Vs.温度特性●功率损耗 Vs.频率特性功率铁氧体材料LP3特性符号单位LP3A Characteristics Symbol Unit初始磁导率 Initial permeability μi- 2200±25%相对损耗因数 Relative loss factor t anδ/μi×10-6 ＜3饱和磁通密度BsmT 25℃490Saturation flux density 1194A/m 100℃380 剩磁 Remanence Br mT 110 矫顽力 Coercivity Hc A/m 10功率损耗Pc kW/m3 25℃Power loss 80℃60 (f=25kHz,B=200mT) 100℃50功率损耗Pc kW/m3 25℃600Power loss 80℃400 (f=100kHz,B=200mT) 100℃350 居里温度 Curie temperature Tc ℃≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8●导磁率 Vs.温度特性μi Vs. Temperature●导磁率 Vs.频率特性μi Vs. Frequency●功率损耗 Vs.温度特性●功率损耗 Vs.频率特性●高磁导率铁氧体材料特性符号单位HP1 HP2 HP3 HP3A CharacteristicsSymbol Unit初始磁导率Initial permeability μi-5000±25%7000±25%10000±30%12000±30%相对损耗因数tanδ/μi ×10-6＜15 ＜7 ＜7 ＜10Relative lossfactor(100kHz) (10kHz) (10kHz) (10kHz)饱和磁通密度Bs mT 420 400 400 380Saturationflux density1194A/m 1194A/m 1194A/m 1194A/m 剩磁 RemanenceBr mT 110 100 90 110 矫顽力 CoercivityHc A/m 10 6 5 4.5 减落因数Disaccommodati on factor DF×10-6＜3 ＜3 ＜2 ＜2居里温度 CurietemperatureTc ℃≥140≥130≥120≥100密度 Density d kg/m3×103 4.85 4.9 4.95 4.95●导磁率 Vs.温度特性●导磁率 Vs.频率特性●阻抗 Vs.频率特性EE磁芯价格：￥面议型号 Type 尺寸 Dimensions (mm)A B C D E FEE10/5/5 10.3±0.2 5.5+0.15-0.1 4.75±0.2 2.4±0.2 7.7min 4.3±0.15 EE13/5/6 12.9±0.3 5.0±0.3 6.0±0.3 2.85±0.2 8.5min 3.65±0.15 EE13/6/6 13.0±0.3 6.0±0.15 5.9±0.2 2.6±0.2 10.2±0.3 4.6±0.1EE13.4/6/6 13.4±0.2 6.1±0.15 6.15±0.15 2.75±0.15 10.5min 4.8±0.1EE16/7/5 16.0±0.3 7.2±0.1 4.8±0.2 3.8±0.2 12.0±0.3 5.2±0.25 EE16/7/7 16.1±0.3 7.25±0.15 6.9±0.2 3.8±0.2 12.0±0.3 5.2+0.25EE16/8/4 16.3±0.3 8.15±0.15 4.50±0.2 4.55±0.15 11.5min 6.0±0.2EE16/12/5 16.0±0.3 12.25±0.2 5.0-0.5 4.2-0.4 12.0±0.3 10.2+0.3-0.2 EE19/8/5 19.0±0.3 8.05±0.2 5.0±0.2 4.5±0.2 14.5±0.3 5.65±0.15 EE19/14/5 19.0±0.3 13.65±0.25 4.85±0.25 4.85±0.25 14.0±0.3 11.4±0.25Al:1kHz,0.5mA,100TsPc:100kHz,200mT,100°C100kHz,100mT,100°C(*)。

铁氧体磁芯损耗模型在功率变换器中所需的全部功率元件中，磁性材料仍然是最紧关捷要的元件。

它可能是最昂贵的，开发起来最耗时间，所以预先了解其特性是非常关键的。

预知其热产生机理及温升仍是一个令人沮丧的任务，了解磁材的电性能相比之下要容易一些。

这里有两个磁损耗的模式：绕组损耗及磁芯损耗。

绕组损耗可以令人惊异地合成，而且是在大学里正在进行的博士研究课题。

研究论文在国际会议上发表。

我们开始写信给一些错综复杂的线圈损耗分析人员，并在未来送到开关电源杂志。

相比之下，磁芯损耗在多数应用中，则相对艰难地前进。

我们确实可以用测量所收集的数据来预测其性能。

这些数据通常象所有这些可变量一样足够用来做计算。

在此实践中，我们写信给进行这些表面上简单的任务的人士。

建模任务是看似经验的数据，用它为磁芯去做等效。

它可能是相当难以理解的，但结果可能非常有用，并可用于CAD设计程序。

很多制造商都没有得到，并且距这个目标还非常远。

然而我们仍需要使用曲线得到我们所需要的结果。

我们将用磁材置于我们的例子中。

这些公司被选定，系因为它们更加勤奋地致力于磁芯损耗的建模并提供结果。

可在未来可根据结构以建起更先进的模型。

磁芯损耗多数设计师是熟悉磁损耗的。

早期的课程展示的磁材的B-H曲线中描述了磁滞曲线。

那是一种在磁芯励磁时偏移的输出。

在分度EE过程后，经常包括这种如同实验室中所展示的一样。

图1展示出磁芯材料典型的曲线。

用它做电感或变压器，在一个DC/DC变换器中，电感通常要直流偏置，因此运行时会相对小距离的离开工作点。

而变压器磁芯驱动会更强烈，它会接近饱和点，而且在工作的每个周期还要返回零点。

在每个开关周期中要运行更大的磁通，就会有更大的磁芯损耗。

而BH曲线滞环的面积就决定了损耗，至少是每个周期的△B的平方的函数。

快速开关频率会有数倍的BH环向外摆出，当我们去重复这个曲线时，环路越宽，我们走的越远。

这个结果是比励磁频率的一次幂更大的结果。

磁芯损耗的物理意义是极其复杂的。

磁芯说明E、I形磁芯特点:具有高的导磁率，高饱和的磁通密度和很小的损耗。

由于铁损和温度成负相关，因而可以防止温度的逐步上升，特别在100℃附近，功率损失最小。

用途:电源转换用变压器及扼流圈，通讯设备用变压器。

E形磁芯比罐形磁芯便宜，并有易缠绕和易组装的优点。

然而，E形磁芯没有自屏蔽的功能。

我们提供迭片尺寸的E形磁芯，可与市场上原本设计用于标准迭片尺寸的绕带冲压件的线圈管搭配。

同时提供公制和DIN尺寸。

E形磁芯可压制成各种厚度，提供不同截面的选择。

E形磁芯的典型应用包括差模、功率和电信电感器，以及宽带变压器、电源、变换式和逆变式变压器。

E FD磁芯特点: 卧式安装，可降低高度，备有多路输出，适用于密集型贴装。

用途: 适用于小功率开关电源。

符合行业标准的经济型平面设计(E FD)磁芯可为变压器或电感器节省大量空间。

其横截面特别针对超薄变压器而优化。

E FD磁芯非常适合超薄变压器和电感器使用。

E TD磁芯E TD磁芯是变压器或电感器的经济型选择。

其圆形中柱可减小绕组电阻。

而且，专门针对提高电源变压器效率而优化尺寸。

E TD磁芯的典型应用包括差模电感器和电源变压器。

E E R磁芯E E R磁芯是变压器和电感器的经济型选择。

在缩短缠绕路径长度上，其圆形中柱比方形中柱更具有优势。

美磁E ER磁芯的典型应用包括差模电感器和电源变压器。

E C磁芯特点:磁芯中心部份的断面呈圆形，绕线十分方便。

绕线面积增加，可设计出大功率的开关变压器。

用途:1、各类开关电源Dc-Dc、Ac-Dc、Ac-Ac2、适宜各种电源形式：如：单端反激式、正激式推挽、半桥、全桥。

3、适用于家电、通讯、照明、办公自动化、卫星电视接收系统、军品等领域设计功率参考表型号25KHZ 50KHZ 100KHZTYPEEC 28 40 65 104EC 35 70 113 180EC 40 118 190 300EC 49 150 240 385EC 54 205 330 528EC 70 450 730 1160E C磁芯的横截面介于罐形磁芯和E形磁芯之间，其圆形中柱每边都有很大的开口，因而使绕组电阻减到最小。

金属磁粉心与铁氧体的区别金属磁粉心与铁氧体的区别1、金属磁粉心的特性（与铁氧体对比）（内因）a 闭和磁路（铁氧体要开气隙，有EMI），对外界几乎无EMI 干扰见图1；b 由于金属磁粉心内部天然分布气隙，避免了像铁氧体要开气隙造成的局部损耗过高，造成热点温度，严重影响电感器绕组的寿命图1；b 具有铁氧体2 倍的高Bs，制作成电感器具有很高的功率密度，体积可比铁氧体减少近1/3，尤其是做成一体式SMD 电感器见图2；c 金属磁粉心的直流偏磁特性既直流偏磁场和磁导率（或电感系数）的变化是容易得到，且成平滑规律曲线状，电感器的饱和过程是软饱和见图3，按曲线设计成的电感器的实际效果和实际工作动态基本相一致；d 金属磁粉心具有很好的抗外界应力特性，使其具有更高的可靠性：由于是粉末冶金工艺，使材料更具有韧性，抗机械冲击能力强于其他软磁材料；金属磁粉心有更宽的工作温度范围（－55℃-200℃），很低的温度系数，一般小于300 ppm；逆变滤波电感器目前电力电子技术飞速发展，如UPS,光电、风电系统的并网逆变、变频器等设备中都要使用SPWM载波技术,都会产生高次谐波，由于主开关管的频率已经从几KHz，向几十KHz发展，因此对滤波电感器提出了更高的要求。

我公司依托自己掌握的合金磁粉心技术，研制系列合金金属磁粉心电感器，性能优良满足该发展趋势要求。

我公司可以根据你需求专门设计逆变电路中的BOOST升压电感器、全桥斩波后的滤波电感器。

根据你的不同频率采用不同材料进行设计。

逆变滤波电感器工作状态是：主频50Hz正弦波, 叠加的的直流，SPWM产生的3、5、7、9高次谐波。

那么有针对性的电感器所使用的材料必须保证：高Bs在50Hz交流和直流叠加下不饱和，这个决定滤波特性，是否能滤除干净高次谐波；第二是在SPWM产生的高次谐波条件下具有低的磁芯损耗，这个决定电感器是否发热。

储能电感器与滤波电感器的差别储能电感器和滤波电感器有时两者不是很区分的很干净,看怎么分类一般储能电感器更强掉交流,如典型的谐振电感器,就是交流较强的信号占主要工作信号.有的既储能又有滤波,如BOOST BUCK其实BOOST 的电感器对交流损耗的要求更高同时还要有好的直流叠加特性;BUCK电感器如果是用在非隔离电路中高频纹波也不小，也要考虑直流叠加特性,如果是用在隔离开关电源中的输出滤波电感器,那么大多情况对直流叠加的要求更多些,特别是大功率应用.滤波电感器如; π型滤波器中的电感器, 逆变电源中的滤波电感器\ 共模电感器差模电感器尖峰抑制器滤波主要指主要是滤除高频弱信号杂波,或者一些瞬时尖峰.变压器电感器异响及解决办法其实异响就是音频振动,声音都是振动产生的,只是在音频范围内我们能听到,其实其他的电磁干扰我们也类比叫噪声,只是听不到,能测到. 那么首先分析振动的机理. 大概有几种(各位朋友可以补充或提出异议) 一种是磁芯的磁滞伸缩造成,如低频应用的铁粉心,硅钢材料等由于本身在低频的时候材料的磁滞伸缩系数比较大,而当设计负荷较大时,磁芯本身就会发出一定的磁滞伸缩振动,这个频率恰恰在20KHZ一下的音频,达到一定强度,耳朵就会听到.或者是铁氧体磁芯应用在低频段,由于设计余量小,接近饱和,应用频率又比较低是也会发生这种音频噪声; 第二种绕组间隙粘接不牢靠,当功率较大或者负载变化较大时,引起绕组线间和空气间发生音频振动.(真空浸漆,梯度烘干很重要,要不会形成牙膏效应,外边漆干,里面没有干,绕组没有粘接,介电常数不满足要求,分布电容有变. 第三种,是绕组线包和磁芯间有松动,当满负荷或者交变,重载时,绕组与磁芯间发生音频振荡. 第四种,分布参数谐振变压分布参数与电路的某个信号产生音频谐振效应. 解决办法第一种更换磁滞伸缩系数小的磁芯; 第二种真空浸粘度适合的绝缘漆,并使用梯度烘干工艺(先低温,后高温,梯度要经过工艺摸索要解剖变压器,保证里面是干的并粘结牢固,其实无溶剂绝缘漆更好. 第三种,采用适合黏度的绝缘漆浸渍,或者在骨架和磁心的接触处点环氧胶粘接(工业模块电源,大功率电源等高可靠性产品必须这样做). 第四种,调整变压器分布参数,或者重新布板,这种较难解决,需要试验摸索.EMI解决方案手提箱说到EMI和EMC的解决有过类似经验的人都知道一方面要了解必备的EMI和EMC知识,更重要的是实验,要想实验就必须有足够的对策元件德恩emi对策方案手提箱:内有EMI解决指导光盘,EMI对策方案,EMI对策成套对策元件(共模电容, 共模电感器, 差模电感器, 共模电感器, 泄放电阻)典型电路及电路板.磁珠尖峰抑制器.教你设计共模电感器,提供各种磁环和漆包线指导你设计各种电感器.电磁干扰EMI电磁兼容EMC,好多需要作反复实验,但是作实验就需要各种元器件.尚新融大给你方便,使你的EMI得到快速的解决.灌封或包封后电感量下跌的原因灌封的胶固化时产生收缩或膨胀对磁芯产生机械应力或由于温度变化胶的膨胀系数和磁芯不一样产生机械应力硅橡胶使用浅析(灌封、粘接、包封)和一些注意事项硅橡胶用途及使用注意事项: 弹性(吸收振动,对粘接的器件的应力小)粘接: 一般是用流动性不好单组分,目前很好用的应用比较普遍的是GD414,粘接力强,固化快.价格高,一般用于军品.该胶是通过吸空气中潮气硫化从表面到内部逐渐固化,使用时胶层不易过厚,太厚内部可能永远都不会干. 低厚度灌封或三防:一般使用单组分704的硅橡胶的比较多,该胶优点灌封时流动性比较好自流平,固化后强度好.但是切记不可深度灌封,因为该类胶也是通过吸空气中潮气硫化从表面到内部逐渐固化,厚度太大表层干后形成密封容器,内部胶体与外部隔绝内部胶不会干.这样绝缘电阻较低影响绝缘特性.缺点一般导热性不是很好,因此要注意功率器件.另外在胶固化时发生化学反应形成气体,深度灌封气体释放不出内部形成空气蜂窝,在军用卫星导弹等高空产品因为空气稀薄外部气压低容易形成事故. 双组分厚度灌封:该类胶胶与固化剂分开灌封时按一定比例配比配比后流动性非常好,胶可以自然固化也可以加热加速固化(工艺效率高,真空灌封工艺造作性强,不容易产生气孔),但是这类胶也分两类一类导热系数非常好(代表道康宁的160 A B 固化后灰色) 一类导热系数略差(代表GN521、GN511) 两类胶固化后表面硬度一般粘接力差(可以使用藕连剂改善),导热性好的双组分胶,由于内部填充金属成分比重大导热性好但是膨胀系数大高温产生较大膨胀应力温度低时对内部器件产生较大挤压应力(因此在灌封时要考虑内部器件和灌封较的膨胀系数匹配问题)因此在受温度应力较大的场合谨慎使用;还有双组分还有一个共同的缺点就是容易发生催化剂中毒,中毒时不能固化,如GN521和GN511涂在铁氧体磁心表层后就不能固化,因此在使用时最好咨询有关厂家. 适合包封类: “适合包封类” 做一个解释,进行包封时流动性好,固化时间短,固化后表面硬度大(类似汽车外胎)这样的材料才适合包封,既有弹性(对内部器件温度应力小,又有硬度(具有弹性又具有好的撕撤硬度抗机械应力能力好),目前笔者未发现国产类产品,只有德国有一种产品符合此要求. 另外硅胶类产品共同的特点是工作温度高绝缘性能好稳定性好 . 自己经验与大家交流,如有不妥请指正. 平面变压器应用的快速发展时期已经到来，大家准备好了吗？通信行业一直是高频电源发展的牵引力。

表10-15正激变换器拓扑最大可能输出功率输出功率（W）磁芯A e(cm2) A w(cm2) A e A w(cm4) 20kHz 24kHz 48kHz 72kHz 96kHz 150kHz 200kHz 250kHz 300kHz 体积(cm3) E型磁芯 Philips814E250 0.202 0.171 0.035 1.1 1.3 2.7 4.0 5.3 8.3 11.1 13.8 16.6 0.57 813E187 0.225 0.329 0.074 2.4 2.8 5.7 8.5 11.4 17.8 23.7 29.6 35.5 0.89 813E343 0.412 0.359 0.148 4.7 5.7 11.4 17.0 22.7 35.5 47.3 59.2 71.0 1.64 812E250 0.395 0.581 0.229 7.3 8.8 17.6 26.4 35.3 55.1 73.4 91.8 110.2 1.93 782E272 0.577 0.968 0.559 17.9 21.4 42.9 64.3 85.8 134.0 178.7 223.4 268.1 3.79 E375 0.810 1.149 0.931 29.8 35.7 71.5 107.2 143.0 223.4 297.8 372.3 446.7 5.64 E21 1.490 1.213 1.807 57.8 69.4 138.8 208.2 277.6 433.8 578.4 722.9 867.5 11.50 783E608 1.810 1.781 3.224 103.2 123.8 247.6 371.4 495.1 733.7 1031.6 1289.4 1547.3 17.80 783E776 2.330 1.810 4.217 135.0 161.9 323.9 485.8 647.8 1012.2 1349.5 1686.9 2024.3 22.90 E625 2.340 1.370 3.206 102.6 123.1 246.2 369.3 492.4 769.4 1025.9 1282.3 1538.8 20.80 E55 3.530 2.800 9.884 316.3 379.5 759.1 1138.6 1518.2 2372.2 3162.9 3953.6 4744.3 43.50 E75 3.380 2.160 7.301 233.6 280.4 560.7 841.1 1121.4 1752.2 2336.3 2920.3 3504.4 36.00 EC型磁芯 PhilipsEC35 0.843 0.968 0.816 26.1 31.3 62.7 94.0 125.3 195.8 261.1 326.4 391.7 6.53 EC41 1.210 1.350 1.634 52.3 62.7 125.5 188.2 250.9 392.0 522.7 653.4 784.1 10.80 EC52 1.800 2.130 3.834 122.7 147.2 294.5 441.7 588.9 920.2 1226.9 1533.6 1840.3 18.80 EC70 2.790 4.770 13.308 425.9 511.0 1022.1 1533.1 2044.2 3194.0 4258.7 5323.3 6388.0 41.10 ETD型磁芯 PhilipsETD29 0.760 0.903 0.686 22.0 26.4 52.7 79.1 105.4 164.7 219.6 274.5 329.4 5.50 ETD34 0.971 1.220 1.185 37.9 45.5 91.0 136.5 182.0 284.3 379.1 473.8 568.6 7.64 ETD39 1.250 1.740 2.175 69.6 83.5 167.0 250.6 334.1 522.0 696.0 870.0 1044.0 11.50 ETD44 1.740 2.130 3.706 118.6 142.3 284.6 427.0 569.3 889.0 1186.0 1482.5 1779.0 18.00 ETD49 2.110 2.710 5.718 183.0 219.6 439.2 658.7 878.3 1372.3 1829.8 2287.2 2744.7 24.20152输出功率（W）磁芯A e(cm2) A w(cm2) A e A w(cm4) 20kHz 24kHz 48kHz 72kHz 96kHz 150kHz 200kHz 250kHz 300kHz 体积(cm3) P型（罐型）磁芯 Philips704 0.070 0.022 0.002 0.0 0.1 0.1 0.2 0.2 0.4 0.5 0.6 0.7 0.07 905 0.101 0.034 0.003 0.1 0.1 0.3 0.4 0.5 0.8 1.1 1.4 1.6 0.13 1107 0.167 0.054 0.009 0.3 0.3 0.7 1.0 1.4 2.2 2.9 3.6 4.3 0.25 1408 0.251 0.097 0.024 0.8 0.9 1.9 2.8 3.7 5.8 7.8 9.7 11.7 0.50 1811 0.433 0.187 0.081 2.6 3.1 6.2 9.3 12.4 19.4 25.9 32.4 38.9 1.12 2213 0.635 0.297 0.189 6.0 7.2 14.5 21.7 29.0 45.3 60.4 75.4 90.5 2.00 2616 0.948 0.407 0.386 12.3 14.8 29.6 44.4 59.3 92.6 123.5 154.3 185.2 3.53 3019 1.380 0.587 0.810 25.9 31.1 62.2 93.3 124.4 194.4 259.2 324.0 388.8 6.19 3622 2.020 0.774 1.563 50.0 60.0 120.1 180.1 240.2 375.2 500.3 625.4 750.5 10.70 4229 2.660 1.400 3.724 119.2 143.0 286.0 429.0 572.0 893.8 1191.6 1489.6 1787.5 18.20 RM磁芯RM5 0.250 0.095 0.024 0.8 0.9 1.8 2.7 3.6 5.7 7.6 9.5 11.4 0.45 RM6 0.370 0.155 0.057 1.8 2.2 4.4 6.6 8.8 13.8 18.4 22.9 27.5 0.80 RM8 0.630 0.310 0.195 6.2 7.5 15.0 22.5 30.0 46.9 62.5 78.1 93.7 1.85 RM10 0.970 0.426 0.413 13.2 15.9 31.7 47.6 63.5 99.2 132.2 165.3 198.3 3.47 RM12 1.460 0.774 1.130 36.2 43.4 86.8 130.2 173.6 271.2 361.6 452.0 542.4 8.34 RM14 1.980 1.100 2.178 69.7 83.6 167.3 250.9 334.5 522.7 697.0 871.2 1045.4 13.19 PQ磁芯Philips42016 0.620 0.256 0.159 5.1 6.1 12.2 18.3 24.4 38.1 50.8 63.5 76.2 2.31 42020 0.620 0.384 0.238 7.6 9.1 18.3 27.4 36.6 57.1 76.2 95.2 114.3 2.79 42620 1.190 0.322 0.383 12.3 14.7 29.4 44.1 58.9 92.0 122.6 153.3 183.9 5.49 42625 1.180 0.502 0.592 19.0 22.7 45.5 68.2 91.0 142.2 189.6 236.9 284.3 6.53 43220 1.700 0.470 0.799 25.6 30.7 61.4 92.0 122.7 191.8 255.7 319.6 383.5 9.42 43230 1.610 0.994 1.600 51.2 61.5 122.9 184.4 245.8 384.1 512.1 640.1 768.2 11.97 43535 1.960 1.590 3.116 99.7 119.7 239.3 359.0 478.7 747.9 997.2 1246.6 1495.9 17.26 44040 2.010 2.490 5.005 160.2 192.2 384.4 576.6 768.8 1201.2 1601.6 2002.0 2402.4 20.45 注：表中输出功率按式（7.13）计算。

1,磁芯向有效截面积：Ae2,磁芯向有效磁路长度：le3,相对幅值磁导率：μa4,饱和磁通密度：Bs功率铁氧体磁芯常用功率铁氧体材料牌号技术参数EI型磁芯规格及参数PQ型磁芯规格及参数EE型磁芯规格及参数EC、EER型磁芯规格及参数1 磁芯损耗：正弦波与矩形波比较一般情况下，磁芯损耗曲线是按正弦波+/-交流(AC)激励绘制的，在标准的和正常的时候，是不提供极大值曲线的。

涉及到开关电源电路设计的一个共同问题是正弦波和矩形波激励的磁芯损耗的关系。

对于高电阻率的磁性材料如类似铁氧体，正弦波和矩形波产生的损耗几乎是相等的，但矩形波的损耗稍微小一些。

材料中存在高的涡流损耗（如大型叠片式或大型切割磁芯）时，矩形波损耗是正弦波损耗的1/2~2/3。

D.Y.Chen提供的参考资料解释了这种现象。

一般情况下，具有矩形波的磁芯损耗比具有正弦波的磁芯损耗低一些。

但在元件存在铜损的情况下，这是不正确的。

在变压器中，用矩形波激励时的铜损远远大于用正弦波激励时的铜损。

高频元件的损耗在铜损方面显得更多，集肤效应损耗比矩形波激励磁芯的损耗给人们的印象更深刻。

举个例子，在20kHz、用17#美国线规导线的绕组时，矩形波激励的磁芯损耗几乎是正弦波激励磁芯损耗的两倍。

例如，对于许多开关电源来说，具有矩形波激励磁芯的5V、20A和30A输出的电源，必须采用多股绞线或利兹(Litz)线绕制线圈，不能使用粗的单股导线。

2 Q值曲线所有磁性材料制造厂商公布的Q值曲线都是低损耗滤波器用材料的典型曲线。

这些测试参数通常是用置于磁芯上的最适用的绕组完成的。

对于罐形磁芯，Q值曲线指出了用作生成曲线时的绕组匝数和导线尺寸，导线是常用的利兹线，并且绕满在线圈骨架上。

对于钼坡莫合金磁粉芯同样是正确的。

用最适合的绕组，并且导线绕满了磁芯窗口时测试，则Q值曲线是标准的。

Q值曲线是在典型值为5高斯或更低的低交流(AC)激励电平下测量得出的。

由于在磁通密度越高时磁芯的损耗越大，故人们警告，在滤波电感器工作在高磁通密度时，磁芯的Q值是较低的。

不同材料磁芯对应频率1.引言文章1.1 概述部分的内容可以写成以下样式：概述磁芯是电子器件中常用的重要元件之一，广泛应用于无线通信、电力传输、电子变压器等领域。

在磁芯中，不同的材料具有不同的特点和性能，这些特点和性能将对磁芯对应频率的选择和使用产生重要影响。

本文将探讨不同材料磁芯对应频率的关系，旨在帮助读者更好地理解和选择适合自身需求的磁芯材料。

本文结构本文将分为引言、正文和结论三个部分。

引言部分将对本文进行总体概述，介绍文章的结构和目的。

正文部分将详细讨论不同材料磁芯的定义和特点，以及这些特点对应频率的影响。

结论部分将对不同材料磁芯对应频率的关系进行总结，并提出对于不同材料磁芯选择的建议，以期为读者在实际应用中提供一定的指导和参考。

目的本文的目的是对不同材料磁芯对应频率的关系进行深入剖析，从而帮助读者更好地了解不同材料磁芯的特点和性能，以及这些特点和性能在特定频率下的影响。

通过本文的阅读，读者将能够更准确地选择适合自身需求的磁芯材料，并在实际应用中取得更好的效果。

希望本文能够为读者提供一定的参考和帮助。

1.2文章结构文章结构部分的内容可以如下所示：1.2 文章结构本文将首先介绍不同材料磁芯的定义和特点，以便读者对不同材料磁芯有一定的了解。

接着，我们将探讨不同材料磁芯对应频率的影响，并分析其中的原因和机制。

最后，我们将总结不同材料磁芯对应频率的关系，并提供一些建议以帮助读者在选择磁芯材料时做出明智的决策。

通过以上的文章结构，我们将逐步深入地探讨不同材料磁芯对应频率的关系，以便读者对该主题有一个全面而深入的理解。

请继续阅读下文，以便更好地了解这一重要的领域。

1.3 目的本文旨在研究和探讨不同材料磁芯对应频率的影响，并总结它们之间的关系。

了解不同材料磁芯的特点和其对应频率的影响，可以帮助我们在选择磁芯时做出更加明智的决策。

具体而言，本文的目的包括以下几个方面：1. 探究不同材料磁芯的定义和特点：介绍各种常用磁芯材料的基本定义、性质和特点，例如铁氧体、软磁合金等。

表10-15正激变换器拓扑最大可能输出功率输出功率（W）磁芯A e(cm2) A w(cm2) A e A w(cm4) 20kHz 24kHz 48kHz 72kHz 96kHz 150kHz 200kHz 250kHz 300kHz 体积(cm3) E型磁芯 Philips814E250 0.202 0.171 0.035 1.1 1.3 2.7 4.0 5.3 8.3 11.1 13.8 16.6 0.57 813E187 0.225 0.329 0.074 2.4 2.8 5.7 8.5 11.4 17.8 23.7 29.6 35.5 0.89 813E343 0.412 0.359 0.148 4.7 5.7 11.4 17.0 22.7 35.5 47.3 59.2 71.0 1.64 812E250 0.395 0.581 0.229 7.3 8.8 17.6 26.4 35.3 55.1 73.4 91.8 110.2 1.93 782E272 0.577 0.968 0.559 17.9 21.4 42.9 64.3 85.8 134.0 178.7 223.4 268.1 3.79 E375 0.810 1.149 0.931 29.8 35.7 71.5 107.2 143.0 223.4 297.8 372.3 446.7 5.64 E21 1.490 1.213 1.807 57.8 69.4 138.8 208.2 277.6 433.8 578.4 722.9 867.5 11.50 783E608 1.810 1.781 3.224 103.2 123.8 247.6 371.4 495.1 733.7 1031.6 1289.4 1547.3 17.80 783E776 2.330 1.810 4.217 135.0 161.9 323.9 485.8 647.8 1012.2 1349.5 1686.9 2024.3 22.90 E625 2.340 1.370 3.206 102.6 123.1 246.2 369.3 492.4 769.4 1025.9 1282.3 1538.8 20.80 E55 3.530 2.800 9.884 316.3 379.5 759.1 1138.6 1518.2 2372.2 3162.9 3953.6 4744.3 43.50 E75 3.380 2.160 7.301 233.6 280.4 560.7 841.1 1121.4 1752.2 2336.3 2920.3 3504.4 36.00 EC型磁芯 PhilipsEC35 0.843 0.968 0.816 26.1 31.3 62.7 94.0 125.3 195.8 261.1 326.4 391.7 6.53 EC41 1.210 1.350 1.634 52.3 62.7 125.5 188.2 250.9 392.0 522.7 653.4 784.1 10.80 EC52 1.800 2.130 3.834 122.7 147.2 294.5 441.7 588.9 920.2 1226.9 1533.6 1840.3 18.80 EC70 2.790 4.770 13.308 425.9 511.0 1022.1 1533.1 2044.2 3194.0 4258.7 5323.3 6388.0 41.10 ETD型磁芯 PhilipsETD29 0.760 0.903 0.686 22.0 26.4 52.7 79.1 105.4 164.7 219.6 274.5 329.4 5.50 ETD34 0.971 1.220 1.185 37.9 45.5 91.0 136.5 182.0 284.3 379.1 473.8 568.6 7.64 ETD39 1.250 1.740 2.175 69.6 83.5 167.0 250.6 334.1 522.0 696.0 870.0 1044.0 11.50 ETD44 1.740 2.130 3.706 118.6 142.3 284.6 427.0 569.3 889.0 1186.0 1482.5 1779.0 18.00 ETD49 2.110 2.710 5.718 183.0 219.6 439.2 658.7 878.3 1372.3 1829.8 2287.2 2744.7 24.20152输出功率（W）磁芯A e(cm2) A w(cm2) A e A w(cm4) 20kHz 24kHz 48kHz 72kHz 96kHz 150kHz 200kHz 250kHz 300kHz 体积(cm3) P型（罐型）磁芯 Philips704 0.070 0.022 0.002 0.0 0.1 0.1 0.2 0.2 0.4 0.5 0.6 0.7 0.07 905 0.101 0.034 0.003 0.1 0.1 0.3 0.4 0.5 0.8 1.1 1.4 1.6 0.13 1107 0.167 0.054 0.009 0.3 0.3 0.7 1.0 1.4 2.2 2.9 3.6 4.3 0.25 1408 0.251 0.097 0.024 0.8 0.9 1.9 2.8 3.7 5.8 7.8 9.7 11.7 0.50 1811 0.433 0.187 0.081 2.6 3.1 6.2 9.3 12.4 19.4 25.9 32.4 38.9 1.12 2213 0.635 0.297 0.189 6.0 7.2 14.5 21.7 29.0 45.3 60.4 75.4 90.5 2.00 2616 0.948 0.407 0.386 12.3 14.8 29.6 44.4 59.3 92.6 123.5 154.3 185.2 3.53 3019 1.380 0.587 0.810 25.9 31.1 62.2 93.3 124.4 194.4 259.2 324.0 388.8 6.19 3622 2.020 0.774 1.563 50.0 60.0 120.1 180.1 240.2 375.2 500.3 625.4 750.5 10.70 4229 2.660 1.400 3.724 119.2 143.0 286.0 429.0 572.0 893.8 1191.6 1489.6 1787.5 18.20 RM磁芯RM5 0.250 0.095 0.024 0.8 0.9 1.8 2.7 3.6 5.7 7.6 9.5 11.4 0.45 RM6 0.370 0.155 0.057 1.8 2.2 4.4 6.6 8.8 13.8 18.4 22.9 27.5 0.80 RM8 0.630 0.310 0.195 6.2 7.5 15.0 22.5 30.0 46.9 62.5 78.1 93.7 1.85 RM10 0.970 0.426 0.413 13.2 15.9 31.7 47.6 63.5 99.2 132.2 165.3 198.3 3.47 RM12 1.460 0.774 1.130 36.2 43.4 86.8 130.2 173.6 271.2 361.6 452.0 542.4 8.34 RM14 1.980 1.100 2.178 69.7 83.6 167.3 250.9 334.5 522.7 697.0 871.2 1045.4 13.19 PQ磁芯Philips42016 0.620 0.256 0.159 5.1 6.1 12.2 18.3 24.4 38.1 50.8 63.5 76.2 2.31 42020 0.620 0.384 0.238 7.6 9.1 18.3 27.4 36.6 57.1 76.2 95.2 114.3 2.79 42620 1.190 0.322 0.383 12.3 14.7 29.4 44.1 58.9 92.0 122.6 153.3 183.9 5.49 42625 1.180 0.502 0.592 19.0 22.7 45.5 68.2 91.0 142.2 189.6 236.9 284.3 6.53 43220 1.700 0.470 0.799 25.6 30.7 61.4 92.0 122.7 191.8 255.7 319.6 383.5 9.42 43230 1.610 0.994 1.600 51.2 61.5 122.9 184.4 245.8 384.1 512.1 640.1 768.2 11.97 43535 1.960 1.590 3.116 99.7 119.7 239.3 359.0 478.7 747.9 997.2 1246.6 1495.9 17.26 44040 2.010 2.490 5.005 160.2 192.2 384.4 576.6 768.8 1201.2 1601.6 2002.0 2402.4 20.45 注：表中输出功率按式（7.13）计算。