物理-势垒和隧道效应

隧穿效应的条件一、引言隧穿效应是指在量子力学中，粒子能够穿越本应无法通过的势垒或势阱的现象。

这一现象是量子力学的重要基石之一，对于理解微观粒子的行为具有重要意义。

本文将探讨隧穿效应的条件，帮助读者深入理解这一现象。

I. 什么是隧穿效应隧穿效应最早由德国物理学家G. G. M. Scharter在20世纪初提出。

在经典物理学中，粒子只能在势垒或势阱的高处被反射回来，无法穿越。

然而，量子力学告诉我们，波函数可以描述粒子的位置和动量，在势垒或势阱存在的情况下，粒子还是有一定概率穿越的。

二、隧穿效应的条件要发生隧穿效应，需要满足一定的条件。

下面将详细介绍这些条件。

I. 势垒或势阱的存在隧穿效应的第一个条件是存在势垒或势阱。

势垒是一种在空间中存在的能量壁垒，势阱则相反，是一种能量低谷。

在量子力学中，势垒和势阱可以用势能函数来描述。

II. 粒子的能量隧穿效应的第二个条件是粒子的能量。

粒子的能量必须小于势垒的高度，或者大于势阱的深度。

只有在这种情况下，粒子才能通过势垒或势阱的障碍。

III. 波函数的宽度隧穿效应的第三个条件是波函数的宽度。

波函数描述了粒子在空间中的分布情况，其宽度与粒子的动量和不确定性有关。

波函数的宽度越小，粒子的位置确定性越强，隧穿概率越小。

IV. 粒子的质量隧穿效应的第四个条件是粒子的质量。

质量较大的粒子隧穿的概率较小，而质量较小的粒子则相反。

这是因为质量较大的粒子具有较大的动量，其波函数的宽度较小，因此隧穿概率较低。

三、隧穿效应的实际应用隧穿效应在实际中有着广泛的应用。

下面将介绍几个常见的应用领域。

I. 核聚变核聚变是将两个或更多的原子核结合成一个更重的原子核的过程，释放出巨大的能量。

在核聚变过程中，质子和其他原子核需要克服势垒，而隧穿效应提供了这种可能。

II. 扫描隧道显微镜扫描隧道显微镜（STM）是一种使用隧穿效应来观察物体表面的仪器。

利用运动中的电子穿透样品的隧道效应，可以获得非常高的空间分辨率，微观结构可以被观察到。

量子隧道效应：微观粒子通过势垒的可能性量子隧道效应是一种在量子力学中描述微观粒子穿越势垒的现象。

它是经典物理学无法解释的量子现象之一，涉及到粒子以概率的形式通过势垒的行为。

以下是量子隧道效应的基本原理：1. 势垒和势阱：在量子力学中，粒子受到势场的影响。

势场可以被视为一种势能，可以形成势垒或势阱。

势垒是一个能量高于周围的区域，而势阱是一个能量低于周围的区域。

2. 波粒二象性：根据波粒二象性，微观粒子既具有粒子性质也具有波动性质。

在量子力学中，粒子的运动状态可以由波函数描述。

3. 薛定谔方程：量子隧道效应的描述通常涉及到薛定谔方程。

这个方程描述了波函数在势场中的行为，包括势垒和势阱的影响。

4. 概率波函数：波函数表示了粒子在空间中的可能位置，且其平方模值给出粒子出现在某个位置的概率。

在势垒问题中，波函数的衰减表明粒子在势垒内的可能性降低。

5. 隧道效应：当微观粒子遇到一个势垒时，根据量子力学，它并非必然被阻挡。

即使粒子的总能量小于势垒的高度，波函数仍然会在势垒的另一侧存在。

这意味着粒子有一定概率穿越势垒，出现在势垒的另一侧。

6. 隧道概率：隧道效应的概率与势垒的高度、宽度以及粒子的能量有关。

随着势垒高度的增加或宽度的减小，隧道效应的概率会减小。

7. 应用：量子隧道效应在一些领域的应用中具有重要作用，如量子隧道二极管、扫描隧道显微镜等。

量子隧道效应挑战了我们对微观世界的直观理解，同时也为一些新型技术和应用提供了契机。

在实验室和技术应用中，科学家们已经成功地利用量子隧道效应来设计和制造一些微小的电子器件。

隧道效应及其应用隧道效应是指电荷穿过微小通道时，隧道效应波在均匀媒质中传播，并在微小距离内消失，也就是说，将一种粒子注入到一个势垒中时，隧道效应将允许这种粒子到过势垒。

在材料科学技术中，隧道效应有着广泛的应用。

例如，金属-绝缘体-金属隧道结是一种重要的电子器件。

它在纳米电子学、超导电子学、晶体管和以太网协议等多种领域得到广泛应用。

本文将探讨隧道效应的相关知识和其应用。

一、隧道效应的基础知识隧道效应是一种量子力学现象，是发生在纳米尺度下的粒子动力学现象。

在典型的隧道效应过程中，电子“透过”屏障，而非越过屏障。

隧道效应中的关键因素是隧道势垒的高度和宽度，这是隧道效应发生的必要条件。

隧道效应是由卡尔·波普尔（Karl Popper）首先提出的，通过用微波照射大约10mm范围内的铍结构，波普尔和一组研究人员成功地验证了隧道效应假说。

事实上，隧道效应已经成为科学研究的基础，作为微电子器件的设计和制造过程中重要的一环。

二、金属-绝缘体-金属隧道结的应用金属-绝缘体-金属（MIM）隧道结是一种电子器件，其制备工艺为将绝缘层夹在两层金属层之间。

这种器件的应用可追溯到20世纪70年代，当时Dr. James Francis Gibbons将其应用于元越隧道效应（ESD）测量。

十年后，MIM隧道结被首次用于超导磁通量量子位的变化探测器。

现在，MIM隧道结被广泛运用于各种电子器件，包括晶体管、存储器、逻辑门和模拟单元。

这些器件源自于MIM隧道结具有优秀的诸如电流电压特性和噪声特性的性质。

三、隧道效应在半导体行业的应用半导体行业中，隧道效应在器件的制造和测试过程中具有重要的作用。

隧道效应被用作某些器件的基础结构，这些器件包括MOSFET、BIT、TET和BJT等。

在制造这些器件时，隧道效应被用作材料特性的测定和校准。

此外，隧道效应还被用于各种类型的测量，包括光子计数、电子自旋共振（ESR）、电子电感（ELI）测量等。

纳米材料四大效应及相关解释四大效应基本释义及内容：量子尺寸效应：是指当粒子尺寸下降到某一数值时，费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级或者能隙变宽的现象。

当能级的变化程度大于热能、光能、电磁能的变化时，导致了纳米微粒磁、光、声、热、电及超导特性与常规材料有显著的不同。

小尺寸效应：当颗粒的尺寸与光波波长、德布罗意波长以及超导态的相干长度或透射深度等物理特征尺寸相当或更小时，晶体周期性的边界条件将被破坏，非晶态纳米粒子的颗粒表面层附近的原子密度减少，导致声、光、电、磁、热、力学等特性呈现新的物理性质的变化称为小尺寸效应。

对超微颗粒而言，尺寸变小，同时其比表面积亦显著增加，从而产生如下一系列新奇的性质。

表面效应：球形颗粒的表面积与直径的平方成正比，其体积与直径的立方成正比，故其比表面积（表面积/体积）与直径成反比。

随着颗粒直径的变小，比表面积将会显著地增加，颗粒表面原子数相对增多，从而使这些表面原子具有很高的活性且极不稳定，致使颗粒表现出不一样的特性，这就是表面效应。

宏观量子隧道效应：当微观粒子的总能量小于势垒高度时，该粒子仍能穿越这一势垒。

近年来，人们发现一些宏观量，例如微颗粒的磁化强度，量子相干器件中的磁通量等亦有隧道效应，称为宏观的量子隧道效应。

四大效应相关解释及应用：表面效应球形颗粒的表面积与直径的平方成正比，其体积与直径的立方成正比，故其比表面积(表面积/体积)与直径成反比。

随着颗粒直径的变小比表面积将会显著地增加。

例如粒径为10nm时，比表面积为90m2/g；粒径为5nm时，比表面积为180m2/g；粒径下降到2nm时，比表面积猛增到450m2/g。

粒子直径减小到纳米级，不仅引起表面原子数的迅速增加，而且纳米粒子的表面积、表面能都会迅速增加。

这主要是因为处于表面的原子数较多，表面原子的晶场环境和结合能与内部原子不同所引起的。

表面原子周围缺少相邻的原子，有许多悬空键，具有不饱和性质，易与其它原子相结合而稳定下来，故具有很大的化学活性，晶体微粒化伴有这种活性表面原子的增多，其表面能大大增加。

隧道效应的物理机制隧道效应是指量子力学中一个重要的现象，表现为粒子在能量越高时越可能穿过势垒，即在经典物理学意义上不应该穿过的反射壁。

这种现象在实际应用中有很大的意义，例如在器件中的渗透效应、放电等方面，都需要考虑隧道效应的影响，因此对隧道效应的物理机制进行探究非常重要。

隧道效应的物理机制可以从波粒二象性理论和量子力学的角度来探究。

首先，波粒二象性理论认为，所有的粒子既可以被视为具有波动性质的波，也可以被视为粒子，其状态的描述需要采用波函数和概率密度函数。

其次，量子力学认为微观粒子在运动中的行为和古典物理学中大的物体不同，需要采用波函数来描述微观粒子的位置和速度，其中波函数是一类数学函数，可以描述粒子的运动状态。

当粒子的离散能级趋近于能隙大小时，波函数出现多个驻点，其相邻的波函数在空间上呈现片状分布，并有一定的几率穿越反射壁越过临界点。

这可以通过基尔霍夫定理来解释，即粒子从A 点入射，经过能隙穿过反射壁走向B点的路径有很多条，但由于每一条路径存在相位差异，因此在B点的波干涉就相当于隧道效应的波函数，其相位幅度和波幅均大于原来的粒子波函数，从而有效提高了穿越隧道的几率。

此外，隧道效应也与量子隧穿现象有关。

隧穿是指粒子穿越势垒的现象，即势垒高度远远大于粒子的能量，经典物理学认为这是不可能实现的。

实际上，粒子的波函数并不是完全被反射壁所限制，还存在一定的可能性穿过势垒进入到势阱。

这种现象通常出现在量子级别的粒子中，例如电子的轨道运动，以及在固体中的输运过程中，均受到隧道效应的影响。

在实际应用中，隧道效应良好地解释了很多有趣的现象，例如电子穿透金属薄膜、隧道二极管、量子点等器件中的性能，以及核子的α衰变现象等。

而对隧道效应的深入研究，也为我们探索量子力学道路上提供了新的思路和突破口，具有重要的理论和实用意义。

小尺寸效应：当纳米粒子尺寸与德布罗意波以及超导态的相干长度或透射深度等物理特征尺寸相当或更小时，对于晶体其周期性的边界条件将被破坏，对于非晶态纳米粒子其表面层附近原子密度减小，这些都会导致电、磁、光、声、热力学等性质的变化，这称为小尺寸效应我的理解是尺寸小了就会出现一些新的现象、新的特性。

从理论层面讲主要是由于尺寸变小导致了比表面的急剧增大。

由此很好地揭示了纳米材料良好的催化活性。

表面效应：是指纳米粒子表面原子数与总原子数之比随粒径的变小而急剧增大后引起的性质上的变化。

我觉得其实质就是小尺寸效应。

量子尺寸效应：当粒子尺寸降低到某一值时，金属费米能级附近的电子能级由准连续变为分立能级和纳米半导体微粒的能隙变宽的现象均称为量子尺寸效应。

可否直接说连续的能带变成能级。

宏观量子隧道效应：微观粒子具有穿越势垒的能力称为隧道效应。

近年来，人们发现一些宏观量，例如微粒的磁化强度、量子相干器件中的磁通量等亦具有隧道效应，它们可以穿越宏观系统的势垒而产生变化，故称为宏观量子隧道效应。

这两个更侧重于物理层面，总是不能很好的给出朴实的语言加以描述，甚是头疼。

既然是科普，我想如何将这四个概念给工人、初中生甚至是小学生说明白，至关重要。

表面效应球形颗粒的表面积与直径的平方成正比，其体积与直径的立方成正比，故其比表面积（表面积／体积）与直径成反比。

随着颗粒直径变小，比表面积将会显著增大，说明表面原子所占的百分数将会显著地增加。

对直径大于 0.1微米的颗粒表面效应可忽略不计，当尺寸小于0.1微米时，其表面原子百分数激剧增长，甚至1克超微颗粒表面积的总和可高达100平方米，这时的表面效应将不容忽略。

超微颗粒的表面与大块物体的表面是十分不同的，若用高倍率电子显微镜对金属超微颗粒（直径为 2*10^-3微米）进行电视摄像，实时观察发现这些颗粒没有固定的形态，随着时间的变化会自动形成各种形状（如立方八面体，十面体，二十面体多李晶等），它既不同于一般固体，又不同于液体，是一种准固体。

三方势垒的穿透隧道效应势垒散射再到无穷远处去。

●特点：◆波函数在无穷远处不为零；◆粒子的能量可以取任意值，组成连续谱。

◆求解散射问题，是由已知能量E来求定态薛定谔方程的解；也就是求出一个动量和能量已知的粒子，在受到势场的作用后，被散射到各个方向去的概率。

● 一维问题一个粒子被散射后，或者穿透势垒，或者被势垒反射。

要求透射概率和反射概率。

能量为E 的粒子沿x 轴正方向射向方势垒：⎩⎨⎧><=)0(.0)0(,)(0a x x a x V x V 或≤≤ (5. 94)在经典力学中，只有能量E 大于V 0的粒子才能越过势垒运动到x > a 的区域；能量E 小于V 0的粒子运动到势垒左边缘x =0处就会被反射回去，不能穿过势垒。

从量子力学的观点来看，考虑到粒子的波动性，这个问题与波碰到一层厚度为a 的介质的问题相似，其结果是有一部分波透图5 - 7 一维方势垒过，一部分波被反射。

因此，按照波函数的统计诠释，无论粒子能量E 是大于V 0还是小于V 0，都有一定的概率穿透势垒，也有一定的概率被反射。

这里我们只具体计算E < V 0的情况。

( 2 ) 势垒外部的定态薛定谔方程及其解 在势垒外( x < 0或x > a )，定态薛定谔方程可表示为02d d 222=+ψψE m x. (5.95)它的两个线性无关解可取为 x k x i 1e ~)(ψ 和 x k x i 2e ~)(-ψ,其中k 由 /2E m k =确定。

假设粒子从左边入射，在x < 0区域： 入射波)e ~(i x k ， 反射波)e ~(i x k -； 在x > 0区域： 透射波(x k i e ~)。

为了简便，将入射波的波幅取为1，入射粒子流密度为)e e e e (2i i i i i in xk x k x k x k xx m j --∂∂-∂∂= v mk == , (5.96)因此，可以取⎪⎩⎪⎨⎧>+=-)(e )e e )(i i i a x T R x xk k x k ψ (5.97)透射波和反射波都是德布罗意波。

小尺寸效应：当纳米粒子尺寸与德布罗意波以及超导态的相干长度或透射深度等物理特征尺寸相当或更小时，对于晶体其周期性的边界条件将被破坏，对于非晶态纳米粒子其表面层附近原子密度减小，这些都会导致电、磁、光、声、热力学等性质的变化，这称为小尺寸效应我的理解是尺寸小了就会出现一些新的现象、新的特性。

从理论层面讲主要是由于尺寸变小导致了比表面的急剧增大。

由此很好地揭示了纳米材料良好的催化活性。

表面效应：是指纳米粒子表面原子数与总原子数之比随粒径的变小而急剧增大后引起的性质上的变化。

我觉得其实质就是小尺寸效应。

量子尺寸效应：当粒子尺寸降低到某一值时，金属费米能级附近的电子能级由准连续变为分立能级和纳米半导体微粒的能隙变宽的现象均称为量子尺寸效应。

可否直接说连续的能带变成能级。

宏观量子隧道效应：微观粒子具有穿越势垒的能力称为隧道效应。

近年来，人们发现一些宏观量，例如微粒的磁化强度、量子相干器件中的磁通量等亦具有隧道效应，它们可以穿越宏观系统的势垒而产生变化，故称为宏观量子隧道效应。

这两个更侧重于物理层面，总是不能很好的给出朴实的语言加以描述，甚是头疼。

既然是科普，我想如何将这四个概念给工人、初中生甚至是小学生说明白，至关重要。

表面效应球形颗粒的表面积与直径的平方成正比，其体积与直径的立方成正比，故其比表面积（表面积／体积）与直径成反比。

随着颗粒直径变小，比表面积将会显著增大，说明表面原子所占的百分数将会显著地增加。

对直径大于 0.1微米的颗粒表面效应可忽略不计，当尺寸小于0.1微米时，其表面原子百分数激剧增长，甚至1克超微颗粒表面积的总和可高达100平方米，这时的表面效应将不容忽略。

超微颗粒的表面与大块物体的表面是十分不同的，若用高倍率电子显微镜对金属超微颗粒（直径为 2*10^-3微米）进行电视摄像，实时观察发现这些颗粒没有固定的形态，随着时间的变化会自动形成各种形状（如立方八面体，十面体，二十面体多李晶等），它既不同于一般固体，又不同于液体，是一种准固体。

如果是经典力学问题，由于E >0ν，粒子不能越过势垒，将在0=x 处被势垒反弹回去。

作为量子力学问题，由于粒子的波动性，结论就不一样，可以证明，粒子将有一定概率透过势垒进入a x >区域而继续前进。

由于粒子的能量是给定的，而且粒子是从-∞=x 处射来，这是属于游离态的定态，波函数可以表示成()() /,iEt ex t x -=ψψ (2)空间波函数()x ψ满足定态薛定谔方程： ()ψψψνψmk x m 22222 =E =+''- (3) 亦即⎩⎨⎧≤≤=-''><=+''a x a x x k 0,0,0,022ψβψψψ (3a)(3b) 其中,2 mE k =)(20E m -=νβ (4) （3a ）式的解为ikx e ±~ψ，考虑到“粒子由左方入射”这个边界条件，应取()⎩⎨⎧><+=-)5(,)5(0,Re b a x De a x Ae x ikx ikx ikx ψA 项为入射波，R 项为反射波，D 项为透射波。

由于并无粒子从右方入射，所以a x > 区域没有ikx e -项。

（3b ）式的解为())5(0,c a x Ce Be x x x <<+=-ββψ透射概率相当大，由此可见在微观领域势垒贯穿现象是容易发生的。

隧道扫描显微镜就是用原子尺度的探针针尖在不到一个纳米的高度上扫描样品时，外加一电压（2mV～2V），针尖与样品之间产生隧道效应而有电子逸出，形成隧道电流．电流强度随针尖与样品间的距离的减少而呈指数上升，当探针沿物质表面按给定高度扫描时，因样品表面原子凹凸不平，使探针与物质表面间的距离不断发生改变，从而引起隧道电流不断发生改变．将电流的这种改变图象化就显示出原子水平的凹凸形态。

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隧道效应（tunneleffect）
隧道效应(tunneleffect)
两块导体间夹有绝缘层(N-I-N)后(也可是空间)，在小电压下，电子动能虽小于绝缘层势垒的高度，但仍有概率隧穿势垒而有隧道电流，这现象称隧道效应，也可包括伴随的有关效应在内。

电子隧穿绝缘层势垒的概率随隧道电流随绝缘层厚度的增大而指数下降，也与绝缘材料的性质有关(如势垒的高低)。

有超导体参与的隧道效应，如超导体(S)与正常金属(N)中间夹一绝缘介质层(I)的系统称S-I-N隧道结，又如S1-I-S2隧道结，S-I-S和S-N-S结等，这些简称为隧道结，也包括N-I-N在内。

它们的隧道效应各有其相应的性质。

对S-I-S结，通常绝缘层厚度在几百埃至几十埃时发生的是正常电子隧道效应，在10埃左右可呈现有超导电子对的隧道效应。

以绝缘结层区的形状又可分为矩形结和圆柱形等结。

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物理课外知识，希望给大家提供帮助。

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直接带隙半导体：导带边和价带边处于k空间相同点的半导体通常被称为直接带隙半导体。

电子要跃迁的导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

例子有GaAs，InP,InSb。

间接带隙半导体：导带边和价带边处于k空间不同点的半导体通常被称为间接带隙半导体。

形成半满能带不只需要吸收能量，还要该变动量。

例子有Ge，Si。

准费米能级：非平衡态的电子与空穴各自处于热平衡态--准平衡态,可以定义EFn、EFp分别为电子和空穴的准费米能级。

有效质量：在讨论半导体的载流子在外场力的作用下的运动规律时，由于载流子既受到外场的作用，又受到晶体内部周期性势场的作用，只要将内部势场的复杂作用包含在引入的有效质量中，并用它来代替惯性质量，就可以方便地采用经典力学定律来描写。

由于晶体的各向异性，有效质量和惯性质量不一样，它是各向异性的。

有效质量是半导体内部势场的概括。

纵向有效质量和横向有效质量：由于半导体材料的k空间等能面是椭球面，有效质量是各向异性的。

在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰，在分析时引入纵向有效高质量和横向有效质量表示旋转椭球等能面在长轴方向和短轴方向上的有效质量的差别。

是晶体各向异性的反映。

扩散长度: 指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离,它由扩散系数和材料的非平衡载流子的寿命决定,即L=√Dt。

牵引长度：是指非平衡载流子在电场E作用下，在寿命t时间内所漂移的的距离, 即L(E)=Eut,有电场,迁移率和寿命决定。

费米能级：表示系统处于热平衡状态时，在不对外做功的情况下，增加一个电子所引起系统能量的变化。

它标志了电子填充能级水平，与温度，材料的导电类型以及掺杂浓度等因素有关。

电子亲和势：表示要使得半导体导带底的电子逃逸出体外（相对于真空能级）所需的最小能量，对半导体材料而言，它与导电类型，掺杂浓度无关。

复合中心：半导体中的杂质和缺陷可以在禁带中形成一定的能级，对非平衡载流子的寿命有很大的影响。

隧道效应量子力学与微观世界隧道效应是量子力学中一个重要的现象，它揭示了微观世界的奇妙特性。

本文将介绍隧道效应的基本概念、原理和应用，并探讨它对微观世界的影响。

一、隧道效应的基本概念隧道效应是指微观粒子在经典力学中无法穿越的势垒，在量子力学中却有一定概率穿越的现象。

在经典力学中，粒子需要具备足够的能量才能克服势垒，否则将被反射或折射。

然而，在量子力学中，粒子具有波粒二象性，存在波函数的概率分布。

当粒子遇到势垒时，其波函数会在势垒两侧形成干涉，从而产生一定概率的穿越。

二、隧道效应的原理隧道效应的原理可以通过薛定谔方程来解释。

薛定谔方程描述了量子力学中粒子的行为。

当粒子遇到势垒时，其波函数会在势垒两侧形成驻波，其中波函数的振幅在势垒内部衰减。

根据波函数的概率分布，我们可以计算出粒子穿越势垒的概率。

隧道效应的概率与势垒的高度和宽度有关。

当势垒高度较低或宽度较窄时，粒子穿越的概率较高；当势垒高度较高或宽度较宽时，粒子穿越的概率较低。

这与经典力学中的直觉相悖，但却是量子力学中的基本规律。

三、隧道效应的应用隧道效应在许多领域都有重要的应用。

以下是几个典型的例子： 1. 扫描隧道显微镜（STM）：STM利用隧道效应来观察物质表面的原子结构。

通过在探针和样品之间施加电压，电子可以通过隧道效应从探针穿越到样品表面，从而实现原子分辨率的成像。

2. 核聚变反应：核聚变是太阳和恒星中的能量来源。

在核聚变反应中，两个原子核需要克服库仑斥力才能靠近，但由于隧道效应的存在，即使能量不足，也存在一定概率使得两个原子核发生聚变。

3. 半导体器件：隧道效应在半导体器件中起着重要作用。

例如，隧道二极管利用隧道效应来实现低电压下的高速开关，广泛应用于电子器件中。

四、隧道效应对微观世界的影响隧道效应揭示了微观世界的奇妙特性，对我们理解和探索微观世界具有重要意义。

它挑战了经典力学的观念，揭示了量子力学的独特规律。

隧道效应的存在使得微观粒子在经典力学中无法解释的现象得以解释，为我们认识和利用微观世界提供了新的思路和方法。