E E
k 直接带隙材料,效率高
k 间接带隙材料,效率低
能带---波矢图
跃迁选择定则: 跃迁的始末态应具有相同的波矢
主要半导体材料
间接带隙
★ IV族半导体材料 ----硅Si,锗Ge
----用于集成电路、光电检测 直接带隙
★ III-V族化合物半导体材料 ---GaAs, InP,GaAlAs,InGaAsP
1900年初,当时在英国物理学界最权威的汤姆逊在皇家学会的新年 致辞中,发表了题为「笼罩在热和光的动力理论上的十九世纪之云」 的著名演讲。他认为物理世界晴空万里,动力理论可以解释一切物理
问题;唯有两朵小乌云:以太理论和黑体辐射的理论解释。
相对论
量子力学
原著:儒勒·凡尔纳
1.黑体辐射
黑体辐射
• 黑色物体容易吸收热辐射,白色不容易吸 收,几乎全部反射热辐射
微晶硅太阳电池:在接近室温 的低温下制备,特别是使用大 量氢气稀释的硅烷,可以生成 晶粒尺寸10nm的微晶硅薄膜, 薄膜厚度一般在2---3μm,目前 转换效率为10%以上。
2.化合物太阳能电池
单晶化合物太阳电池:主要有砷 化镓太阳电池(如图)。砷化镓 的能隙为1.4eV,是单结电池中效 率最高的电池,但价格昂贵,且 砷有毒,所以极少使用。
光能
太阳能电池利用半导体材料的电子特性,把阳光直接转换为电能。
太阳能电池分类
太阳电池分类
• 按照基体材料分类: • 晶硅太阳电池,包括:单晶硅和多晶硅太阳电池 • 非晶硅太阳电池 • 薄膜太阳电池 • 化合物太阳电池,包括:砷化镓电池;硫化镉电
池;碲化镉电池;硒铟铜电池等 • 有机半导体太阳电池
6000K黑体 AM0辐射
AM1.5辐射