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Exam 70-602: PS: Using Microsoft® Office Excel 2007 1.建立和操作数据
1.1. 利用自动填充插入数据。

1.1.1.填充序列。

1.1.
2.复制序列。

1.2. 保持数据的完整性。

1.2.1.利用数据有效性限制数据。

1.2.2.删除表数据的重复项。

1.3. 修改单元格内容和格式。

1.3.1.剪切、复制和粘贴数据和单元格内容。

1.4. 更改工作表视图。

1.4.1.在单一窗口中更改视图。

1.4.
2.拆分窗口。

1.4.3.打开和排列新窗口。

1.5. 管理工作表。

1.5.1.复制工作表。

1.5.
2.移动工作表。

1.5.3.重命名工作表。

1.5.4.隐藏和显示工作表
1.5.5.插入和删除工作表
2.格式化数据和内容
2.1.格式化工作表。

2.1.1.利用主题格式化工作表。

2.1.2.显示和隐藏网格线和标题。

2.1.
3.为工作表标签添加颜色。

2.1.4.设置工作表背景。

2.2.插入和修改行和列。

2.2.1.插入和删除单元格，行和列。

2.2.2.格式化行和列。

保护工作表
2.2.
3.隐藏和显示行和列。

2.2.4.修改行高和列宽。

2.3.格式化单元格和单元格内容。

2.3.1.应用数字格式。

2.3.2.创建自定义格式。

2.3.3.应用和修改单元样式。

2.3.4.格式化单元格中的文本。

2.3.5.分列。

2.3.6.合并和拆分单元格。

2.3.7.添加和删除单元格边框线。

2.3.8.插入、编辑和取消超级链接。

2.4.格式化表。

2.4.1.应用表样式。

2.4.2.为表添加汇总行。

2.4.
3.在表中插入、删除行和列。

3.创建和修改公式
3.1.公式中数据的引用。

3.1.1.创建相对和绝对单元格引用的公式。

3.1.2.创建引用其他工作簿或工作表中数据的公式。

3.1.3.管理名称定义。

3.1.
4.将名称应用于公式。

3.2.用公式汇总数据（SUM/AVERAGE/MAX/MIN/COUNT）。

3.3.用汇总行汇总数据。

3.3.1.创建和修改表数据来源。

3.4.利用公式进行条件汇总（SUMIF/COUNTIF）。

3.5.利用公式查找数据（VLOOKUP/HLOOKUP）。

3.6.在公式中使用条件逻辑（IF/AND/OR）。

3.7.利用公式格式化和修改文本。

3.7.1.利用公式格式化文本（TEXT）。

3.8.显示和打印公式。

4.可视化的数据
4.1. 创建和格式化图表。

4.1.1.为图表选择数据源。

4.1.2.选择图表类型。

4.1.3.应用图表样式。

4.2.修改图表。

4.2.1添加和删除图表元素。

4.2.2移动和图表、改变图表大小。

4.2.3.修改图表类型。

4.3.应用条件格式。

4.3.1.使用条件格式规则管理器管理条件格式。

4.3.2.允许设置多个规则。

4.3.3.利用规则，数据条，色阶，图标集来应用条件格式。

4.4.插入和修改图片。

4.4.1.插入和修改文件中的图片。

4.4.2.插入和修改SmartArt图形。

4.4.3.插入和修改形状。

4.5.分级显示数据。

排序
4.5.1.组合和取消组合数据。

4.5.2.分类汇总数据。

4.6.排序和筛选数据。

4.6.1.根据一个或多个准则排序数据。

4.6.2.自动筛选数据。

4.6.3.利用条件格式筛选和排序数据。

4.6.4.利用单元格属性筛选和排序数据。

5.协作和保护数据
5.1.管理修订工作簿。

5.1.1.共享工作簿，突出显示修订、接受拒绝修订。

5.1.2.插入、显示、修改和删除批注。

5.2.保护和共享工作簿。

5.2.1.保护工作表和工作簿。

5.2.2.允许多用户修改工作簿。

5.3.准备分发工作簿。

5.3.1.从工作簿中删除个人及其他不合适的信息。

5.3.2.限制工作簿权限。

5.3.3.为工作簿添加关键词等其他文档属性。

5.3.4.添加数字签名。

5.3.5.标记文档的最终版本。

5.4.保存工作簿。

5.4.1.将工作簿保存为早期版本。

5.4.1.将工作簿保存为模板，网页，启用宏的工作簿，或其他格式。

5.5.设置打印选项。

5.5.1.定义工作表的打印区域。

5.5.2.插入和移动分页符。

5.5.3.设置页边距。

5.5.4.添加和修改页眉页脚。

5.5.5.修改工作表打印方向。

5.5.
6.缩放工作表内容以适合打印页。

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集成电路复习提纲

集成电路复习提纲

集成电路复习要点
（2008-5-14）
友情说明：以下列出几个要点，请仔细研究。

有些内容是记忆性的，也有的内容是灵活性
的，希望对照教材认真复习。

1. MOS 管工作在饱和区的条件
2. NMOS 管工作在饱和区的电流表达式
3. MOS 管工作在饱和区的跨导表达式
4. 在设计反向器时，一般根据上升与下降的时间来确定MOS 管的宽长比。

()()P P N N P N N P down up
L W K K t t μμττ21
L W 21
===，通过这个式子，可以确定MOS 管的宽长。

5. MOS 管的域值电压将与衬底掺杂浓度的关系
6. 什么是沟道长度调制效应？采用何种方法可以降低这种效应？
7. 集成电路设计的一般流程：电路设计、仿真、版图设计、仿真、流片生产
8. P-阱工艺CMOS 的截面图
9. 设计一个CMOS 组合逻辑门，其功能为
()()D C B A F ++=.
解：解题思路：按照与或关系画出相应的电路，先画下面的NMOS ，与对应的是串联，或对应的是并联。

按照这种关系画出下面的NMOS ，然后再画出上面的PMOS 。

PMOS 的串并联关系与下面的NMOS 正好相反，下面是串上面就是并，下面是并上面就是串。

下面是电路图
① 画出逻辑图；
F
10. 两级CMOS 运算放大器的电路图（输入级采用PMOS 尾电流源）。

NMOS 尾电流源结构的两级运放也要求掌握！
第一级为差分输入级，从双端转为单端。

第二级是一个共漏的单级放大，其输出电压的摆幅为全摆幅。

复习提纲及详解

复习提纲及详解

信息材料与器件复习答案分章说一下。

第一章的外延那道题感觉大家对外延技术的分类不是很清楚。

虽然把MOCVD、MBE、sputtering和SOI、SOS放一起不能算错，但是希望大家能系统地了解外延的分类方法，以免有混乱的感觉。

而作图说明MOSFET的工艺流程，建议大家能画类似于梁老师课件上的剖面图，而不是流程框图，毕竟是考试重点。

另外，CMOS的特点是既有P管又有N管，只画一种管子不能算是CMOS；在N阱中一般是PMOS，P 阱中是NMOS；硅栅工艺的自对准（先刻栅再源漏掺杂），这些基本特点希望大家不要犯错误。

这一道题以NMOS单管的流程为主，补完的ppt中有COMS工艺，可能与梁老师课件上有所不同，考虑到了B极接地点，所以有些复杂。

仅供参考，希望通过对照能加深理解。

以上课时课件为基本。

另外单管工艺也考虑到管间的直接连接所以有一步是刻接触孔，不考虑这一点，步骤可以进一步简化。

第一章其他的题目以及第二章所有题目，课件上有，或者需要查阅资料，大家完成的都很好，就不多赘述。

第三章的第一道题，关于光纤损耗，综合大家的作业和我找的一些资料，对应各种损耗写了一些减小的方法，主要希望大家能进一步了解损耗的组成，有兴趣的同学可以看一下。

第二道EDFA是考试重点之一，我word 文档里的答案是直接从课件中贴出来的，大家看课件就可以了，最好会画那两幅图。

第三道题略。

第四章只整理了那道加速度传感器的题目。

一共找了四种基本类型，ppt比较粗糙，大家主要看一下结构和基本原理就可以，有兴趣的话可以看一下测量原理和精确度的计算，当然也不是每个类型都提到了测量原理和精确度。

整理时只是从传感器的原理出发，至于是否采用微机电系统以及一些新型传感器（如光纤振动传感器）没有涉及。

答案的主要参考是大家的和往届学长的作业，冯则坤老师、尹盛老师和陈实老师的课件，网上的一些资源和图书馆的电子文献。

欢迎大家给出意见和建议。

以上。

PS:考试题型和所占分数已经确定：名词解释：5'×5简答：10'×6论述：15'×1王莹2008.11.141.微电子芯片材料与器件衬底材料，栅结构材料，互联材料，在各个发展阶段典型材料及其性能特征三种主要的外延生长技术：化学气相沉积（MOCVD），分子束外延（MBE）和等离子溅射（sputtering）三种封装：球形矩阵封装（BGA），系统级封装（SIP），3D封装光学曝光和非光学曝光技术的种类，各自的特点等离子刻蚀，溅射刻蚀，反应离子刻蚀扩散掺杂与离子注入掺杂衬底材料，栅结构材料，互联材料，在各个发展阶段典型材料及其性能特征衬底材料：半导体材料semiconductor ：Si、Ge、Se、GaAs、InP、GaN、SiC等Si、Ge（第一代）；GaAs InP （第二代）高频；GaN、AlN、InN、SiC（第三代）高温高功率; C（金刚石），InAs等新型半导体材料。

模拟集成电路设计_复习大纲

模拟集成电路设计_复习大纲

《模拟集成电路设计》复习大纲一、 概念：1. 密勒定理：如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/(1-A V -1)，其中A V =V Y /V X 。

这种现象可总结为密勒定理。

2. 沟道长度调制效应：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。

3. 等效跨导Gm ：对于某种具体的电路结构，定义inDV I ∂∂为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力，跨导的表达式4. N 阱：CMOS 工艺中，PMOS 管与NMOS 管必须做在同一衬底上，若衬底为P 型，则PMOS 管要做在一个N 型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N 型“局部衬底”叫做N 阱。

5. 亚阈值导电效应：实际上，V GS =V TH 时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS <V TH 时，I D 也并非是无限小，而是与V GS 呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。

6. 有源电流镜：像有源器件一样用来处理信号的电流镜结构叫做有源电流镜。

7. 输出摆幅：输出电压最大值与最小值之间的差。

8. 放大应用时，通常使MOS 管工作在饱和区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义跨导来表示电压转换电流的能力。

9. 在模拟集成电路中MOS 晶体管是四端器件 10. 源跟随器主要应用是起到什么作用？11. λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成反比，对于较长的沟道，λ值较小。

12. 饱和区NMOS 管的电压条件及其其沟道电流表达式。

13. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗很高，因此可以做成恒定电流源。

14. MOS 管的主要几何参数15. 共模输入电平的变化会引起差动输出发生改变的因素有哪些？ 16. MOS 管的电路符号17. 增益小于1的单级放大器 18. N 阱和P 阱的概念19. MOS 管的二级效应的表达式，比如沟道长度调制效应、体效应、亚阈值效应 20. 按比例缩小理论：恒定电场、恒定电压、准恒压21. 采用电阻负载的共源级单级放大器其小信号增益Av 表达式 22. 在差动放大器设计中CMRR23. 带源极负反馈的共源级其小信号增益的表达式 24. 图示电路的小信号增益表达式。

MOS2019认证考试和考试大纲1

MOS2019认证考试和考试大纲1

微软MOS认证考试中心MOS 2019认证介绍目录：页码1.1.1什么是微软认证考试 (3)1.1.2微软个人认证考试方向 (3)1.1.3通过微软认证的好处 (3)1.2Microsoft Office 认证 (5)1.2.1什么是Microsoft Office认证 (5)1.2.2MOS 2019认证体系结构 (6)1.2.3MOS 2019 考试考那些科目： (7)1.2.4MOS 2019考核大纲 (10)1.1.1什么是微软认证考试微软认证是微软公司所推动的证照制度，分为个人与微软合作伙伴认证两大类，个人类认证于考生经指定科目的认证考试，通过者授予相对应的证书与资格，用以证明其对于微软软件或是应用平台的专业能力，合作伙伴得以微软所规定的条件，符合条件者得授予不同的资格。

目前全球已有超过二百三十万人获取认证资格1.1.2微软个人认证考试方向微软个人认证包括服务器、桌面、应用程序、数据库、开发人员五个方向，具体如图1.1.3通过微软认证的好处1.1.3.1受聘方面好处86%的招聘经理表明在求职者评估过程中，IT 认证具有较高或中等优先级。

（CompTIA，雇主对IT 培训和认证的观点，2011 年1 月）八成的人力资源主管会检查求职者的认证情况。

（CompTIA，雇主对IT 培训和认证的观点，2011 年1 月）91%的招聘经理会将认证视为招聘条件之一。

（Microsoft，Microsoft 认证计划满意度研究，2012 年4 月）了解有关获得Microsoft 认证如何帮助您得到一份工作的更多信息。

1.1.3.2获得赏识方面好处64%的IT 招聘经理在检验求职者的技能和专业知识时会极度或非常看重认证。

（CompTIA，雇主对IT 培训和认证的观点，2011 年1 月）在为云相关职位选择候选人时，认证、培训和经验是四大最重要的特性的其中三项。

（IDC/Microsoft，气候变化：云对IT 组织和人员安置的影响，2012 年11 月）查看展示Microsoft 认证在人们的职业生涯中有何帮助的成功案例。