(参见“本书常用符号表”)
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例R1 3.4.1 电路如图所示,已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电 阻R,求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。
R
iD
+
VDD
D
vD
-
解:由电路的KVL方程,可得
iD
VDDvD R
即 iDR 1vDR 1VDD是一条斜率为-1/R的直线,称为负载线
一些典型的数据如下:
1 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n=p
=21.掺4×杂1后010N/cm型3半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3
3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3
以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。
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3.2 PN结的形成及特性
当vs为正半周时,二极管导通,且导通压降为0V,vo = vs
vs
+
D
+
vs
R
vo
-
-
(a)
O
2 3
4 t
vo
O
2 3
4 t
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2.模型分析法应用举例
(2)静态工作情况分析
当VDD=10V 时, (R=10k ) 理想模型
VD 0V
恒压模型
IDVDD /R1mA (a)简单二极管电路 (b)习惯画法
在一定的温度条件下,由本征激
反向偏 置特性
iD = -IS
-1.0
-0.5
iD/mA
发决定的少子浓度是一定的,故少
1.0
正向偏 子形成的漂移电流是恒定的,基本