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三、瓷介电容器（一）概述1、电容器用陶瓷的分类方法：适合做电容器的陶瓷很多，为了生产和使用上的规范，将电容器用陶瓷材料按照其性能特点进行分类，分类的主要依据是介电常数ε、损耗角正切tgδ、频率特性、温度特性、电压特性等综合考虑，我国已有完整的电容器用陶瓷材料分类标准，将电容器瓷分成三类（1、2、3类），由此也将陶瓷电容器分成1、2、3类瓷介电容器。
通常将1类瓷称做高频瓷（顺电体陶瓷），2类瓷称为低频瓷（铁电体陶瓷），3类瓷称为半导体瓷。
2、电容器瓷的介电常数并非一个恒定值，是一个与温度有关的电参数，为了描述介电常数这种温度特性，对1类瓷用温度系数TC(也用α表示，单位10-6/℃)来表达，对2、3类瓷用介电常数ε随温度的变化率△ε/ε（%）来表达。
温度特性是各类陶瓷电容器瓷分组的主要依据。
3、陶瓷电容可以有引线，也可以无引线（比如MLCC：贴片陶瓷电容）；其包封材料可以是酚醛树脂（液体涂封）、环氧树脂（粉末涂装，兰色、红色、绿色各种颜色）、釉膜涂装（烧结涂装）。
4、相关词语解释：1）结构类似元件：用相同的工艺和材料制造的电容器，即使它们的外形尺寸和数值可能不同，也可以认为是结构类似的电容器。
2）初始制造阶段：单层电容器的初始制造阶段是形成电极的介质金属化（即被银瓷片生产）。
多层电容器的初始制造阶段是介质-电极叠压后的第一次共同烧结。
3）1类瓷介固定电容器：专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器。
例如，在电路中做温度补偿之用。
该类陶瓷介质是以标称温度系数来确定的。
4）2类瓷介固定电容器：适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。
5）3类瓷介固定电容器：是一种具有半导体特征的瓷介电容器。
该类电容器适于作旁路、耦合之用。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。
各品牌贴片电容规格资料汇总贴片电容是一种常见的电子元器件，被广泛用于电路设计和生产中。
它们具有小巧的尺寸、稳定性好以及较低的成本。
各品牌贴片电容的规格资料是电子行业从业人员日常工作所必需的信息之一、本文将汇总一些知名品牌的贴片电容规格资料，供读者参考。
1. Murata（村田）Murata是一家日本电子元器件制造企业，也是全球最大的陶瓷电容制造商之一、以下为Murata的一些常用贴片电容规格资料：-容量范围：从0.1pF到100μF-额定电压范围：从4V到100V-外观尺寸：包括0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812等常见尺寸-允许偏差：±0.1pF到±20%不等-温度系数：X7R、X5R、NPO等不同温度系数可选-特殊系列：如高温型、高电压型、耐震性、防激波等2. Samsung（三星）三星是一家韩国综合电子企业，也是全球最大的半导体制造商之一、以下为三星的一些常用贴片电容规格资料：-容量范围：从0.5pF到22μF-额定电压范围：从4V到100V见尺寸-允许偏差：±0.1pF到±20%不等-温度系数：X7R、X5R、X6S、X8S等不同温度系数可选-特殊系列：如高温型、高电压型、耐震性、防激波等3.TDK（TDK公司）TDK是一家日本电子元器件制造企业，也是全球最大的磁性元件制造商之一、以下为TDK的一些常用贴片电容规格资料：-容量范围：从0.1pF到220μF-额定电压范围：从4V到100V-外观尺寸：包括0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812等常见尺寸-允许偏差：±0.1pF到±20%不等-温度系数：X7R、X5R、X6S、X7S等不同温度系数可选-特殊系列：如高温型、高电压型、耐震性、防激波等4. Yageo（圆石）圆石是一家台湾电子元器件制造企业，也是全球最大的无源元件制造商之一、以下为圆石的一些常用贴片电容规格资料：-容量范围：从0.1pF到2.2μF-额定电压范围：从4V到100V见尺寸-允许偏差：±0.1pF到±20%不等-温度系数：X7R、X5R、X6S、X7S等不同温度系数可选-特殊系列：如高温型、高电压型、耐震性、防激波等5.AVX（AECOM公司）AVX是一家美国电子元器件制造企业，也是全球领先的陶瓷电容制造商之一、以下为AVX的一些常用贴片电容规格资料：-容量范围：从0.1pF到47μF-额定电压范围：从6.3V到100V-外观尺寸：包括0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812等常见尺寸-允许偏差：±0.1pF到±20%不等-温度系数：X7R、X5R、X6S、X7S等不同温度系数可选-特殊系列：如高温型、高电压型、耐震性、防激波等以上仅为一些知名品牌贴片电容规格资料的简要汇总，实际应用中还需要根据具体的设计要求、电路需求以及可用的供应商和库存情况选择最合适的贴片电容。
Y1Y2电容基本知识资料
Y1电容是一种陶瓷电容器，被设计为在交流电路中起到抑制干扰并
提供安全隔离的作用。
它一般用于电源输入环节，具有高电压稳定性和抑
制电磁干扰的能力。
Y1电容的额定电压一般为250VAC，容量通常在
0.001μF到0.47μF之间。
Y1电容与电源线之间使用金属电极连接，并在其引线上加入保护管，以提供足够的电气隔离和安全性。
此外，Y1电容还需要通过一系列严格
的安全测试和标准，如耐压测试、阻燃性测试等。
它们的标记为“Y1”或“X1”，代表了不同的浪涌等级。
Y2电容也是一种陶瓷电容器，但它被设计为在交流电路中起到抑制
干扰的作用，而不提供安全隔离。
Y2电容一般用于电源输出环节，具有
自愈性和抗高温性能。
Y2电容的额定电压一般为250VAC，容量通常在
0.001μF到2.2μF之间。
与Y1电容类似，Y2电容的引线上也加有保护管，以提供电气隔离和
安全性。
此外，Y2电容也需要通过一系列严格的安全测试和标准，如耐
压测试、阻燃性测试等。
它们的标记为“Y2”或“X2”，代表了不同的浪
涌等级。
Y1和Y2电容器的主要功能是用于滤波作用，阻止高频噪声和干扰信
号进入电源线，从而保护电子设备免受电磁干扰的影响。
它们可以有效地
抑制射频噪声和过电压，提高电子产品的可靠性，降低故障率。
电容电感计算公式－资料类关键信息项：1、电容计算公式名称：＿___________________________表达式：＿___________________________适用条件：＿___________________________单位：＿___________________________2、电感计算公式名称：＿___________________________表达式：＿___________________________适用条件：＿___________________________单位：＿___________________________11 引言本协议旨在提供关于电容和电感计算公式的详细资料，以促进对电路中这两个重要元件的理解和应用。
111 电容的定义和基本原理电容是指在给定电位差下的电荷储藏量。
其基本原理是通过两个导体之间的电场来存储电荷。
112 常见的电容计算公式1121 平行板电容器的电容计算公式表达式：C ＝ε A ／ d其中，C 表示电容，ε 表示介电常数，A 表示平行板的面积，d 表示平行板之间的距离。
适用条件：适用于平行板电容器，且假设电场均匀分布。
单位：电容的单位是法拉（F），介电常数的单位取决于介质材料，面积的单位是平方米（m²），距离的单位是米（m）。
1122 圆柱形电容器的电容计算公式表达式：C ＝2 π ε L ／ ln(R2 ／ R1)其中，L 表示圆柱的长度，R2 表示外圆柱的半径，R1 表示内圆柱的半径。
适用条件：适用于圆柱形电容器，且假设电场沿径向分布。
单位：电容单位为法拉（F），介电常数单位取决于介质，长度单位为米（m），半径单位为米（m）。
113 影响电容大小的因素电容的大小受到以下因素的影响：1131 导体间的距离：距离越小，电容越大。
1132 导体的面积：面积越大，电容越大。
1133 介质的介电常数：介电常数越大，电容越大。
名词解释电容电容是一种储能元件，它由两块相互绝缘的导体薄片构成。
电容上面所加的电压叫做电势差，也就是电场的强度，通常用字母E表示。
电场有方向性，即正电荷在电场中受到的力是沿着电场线的方向，电场线的疏密程度表示电场强弱的大小。
电容主要分类：固定电容器、可变电容器。
前者是一种固定不变的容量；后者则随着所加电压的变化而改变。
当电压变化时，电容量跟着变化，我们把这样的电容器叫做可变电容器。
电容的特点有电容量大（单位体积内电荷的数量多）、电阻率高、绝缘电阻大、频率特性好等。
电容的大小跟它的质量成正比，跟它所充电的电量成反比，如果拿掉电容里面的一个极板，电容器的电荷还可以保存原来的电量，使用的时候只需要重新充电就行了。
电容除了具有充电和放电的作用外，还有其他一些特殊的用途。
因为在交流电通过的时候，会产生电磁感应，电容对这种现象十分敏感，所以可以用电容来测量交流电的频率。
这样的话，人们可以利用电容器来检测高压线、雷达等发出的信号。
电容的作用很大，许多科学家都在研究用电容来干什么？我根据收集的资料总结了一下： 1、将一只电容器接到被测量的电路上，若电路中出现与预期的同频率的交流电脉冲，则此电容是在放电； 2、若脉冲的频率与电容放电时间的乘积是固定的，则此电容是在充电；3、若某一周期，电容两端的电压不随时间变化，则此电容可视为短路；4、如果一只电容器的电容值较稳定，则此电容可视为有无限的电容量； 5、在判断电容器是否完好的条件中，要求必须在充电时或放电时保持电容器中有电荷存在。
记得当时有一个“日本电气公司”在中国寻找代理商，他们要找一种代理电器的机会，想让国内的经销商们看看有没有兴趣。
因为在这之前，日本人觉得自己国家的产品就是世界最好的，他们看不起别人，就希望找到一个替罪羊来代替自己，于是他们就说要找中国的产品。
他们看见有一个企业叫上海贝尔公司的，宣传图片上有一只水壶，就说这是电熨斗，为什么有那么大的一只水壶？其实这只是为了吸引顾客注意的，经销商一听这么贵的东西居然是电熨斗，当然不会有兴趣了，他们拒绝代理这个产品。
电容资料大全（含图片）本文件中资料自网站下载，本人是新手，有不合理或不足的地方希望各位大侠改进，我的邮箱：谢谢！电容的种类1、分类按照电容是否有极性可分为：无极性电容和有极性电容；按照电容容量是否可变可分为：可以分为固定电容、可变电容和微调电容；按照电容的安装方式来分可以分为直插电容和贴片电容；按照电容的构成材料来分可以分成：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容2、作用电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。
隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。
旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。
耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路。
滤波：将整流以后的锯齿波变为平滑的脉动波，接近于直流。
储能：储存电能，用于必须要的时候释放。
电解电容的应用设计小经验：1、电解电容在滤波电路中根据具体情况取电压值为噪声峰值的1.2--1.5倍，并不根据滤波电路的额定。
2、电解电容的正下面不得有焊盘和过孔。
3、电解电容不得和周边的发热元件直接接触。
4、铝电解电容分正负极，不得加反向电压和交流电压，对可能出现反向电压的地方应使用无极性电容。
5、对需要快速充放电的地方，不应使用铝电解电容器，应选择特别设计的具有较长寿命的电容器。
6、不应使用过载电压（1）直流电压玉文博电压叠加后的缝制电压低于额定值。
（2）两个以上电解电容串联的时候要考虑使用平衡电阻器，使得各个电容上的电压在其额定的范围内。
7、设计电路板时，应注意电容齐防爆阀上端不得有任何线路，，并应留出2mm以上的空隙。
8、电解也主要化学溶剂及电解纸为易燃物，且电解液导电。
当电解液与pc板接触时，可能腐蚀pc板上的线路，以致生烟或着火。
因此在电解电容下面不应有任何线路。
9、设计线路板向背应确认发热元器件不靠近铝电解电容或者电解电容的电容的型号命名：容量计算：一般两级X电容，前一级用0.47uF,第二基用0.1uF；单级则用0.47uF.目前还没有比较方便的计算方法。
电容单位的换算
电容单位换算学习资料
一、电容的基本单位
电容的基本单位是法拉（F）。
法拉是一个比较大的单位，在实际应用中，常常会用到更小的单位。
二、常用的电容单位及其换算关系
（一）毫法（mF）
1. 定义：1毫法等于千分之一法拉，即1 mF = 10⁻³ F。
（二）微法（μF）
1. 定义：1微法等于百万分之一法拉，即1 μF = 10⁻⁶ F。
2. 与毫法的换算：因为1 mF = 10⁻³ F，1 μF = 10⁻⁶ F，所以1 mF = 1000 μF。
（三）纳法（nF）
1. 定义：1纳法等于十亿分之一法拉，即1 nF = 10⁻⁹ F。
2. 与微法的换算：1 μF = 1000 nF。
（四）皮法（pF）
1. 定义：1皮法等于万亿分之一法拉，即1 pF = 10⁻¹² F。
2. 与纳法的换算：1 nF = 1000 pF。
三、单位换算示例
（一）将5 μF换算为纳法
1. 因为1 μF = 1000 nF，所以5 μF换算为纳法为：5×1000 = 5000 nF。
（二）将3000 pF换算为微法
1. 首先将皮法换算为纳法，因为1 nF = 1000 pF，所以3000 pF = 3 nF。
2. 再将纳法换算为微法，因为1 μF = 1000 nF，所以3 nF = 3÷1000 = 0.003 μF。
通过以上学习，我们可以熟练掌握电容单位之间的换算关系，以便在电路分析、电容选型等实际应用中准确进行计算。
第3讲电容器带电粒子在电场中的运动一、电容器及电容1．电容器(1)组成：由两个彼此绝缘又相距很近的导体组成。
(2)带电荷量：一个极板所带电荷量的绝对值。
(3)电容器的充、放电①充电：电容器充电的过程中，两极板所带的电荷量增加，极板间的电场强度增大，电源的能量不断储存在电容器中。
②放电：放电过程中，电容器把储存的能量通过电流做功转化为其他形式的能量。
2．电容(1)定义：电容器所带的电荷量Q与电容器两极板之间的电势差U之比。
(2)定义式：C＝QU。
(3)单位：法拉(F)、微法(μF)、皮法(pF)。
1 F＝106μF＝1012 pF。
(4)意义：表示电容器容纳电荷本领的物理量。
(5)决定因素：由电容器本身物理条件(大小、形状、极板相对位置及电介质)决定，与电容器是否带电及电压无关。
3．平行板电容器的电容(1)决定因素：正对面积，电介质，两极板间的距离。
(2)决定式：C＝εr S4πkd。
二、带电粒子在电场中的运动1．带电粒子在电场中的加速(1)在匀强电场中：W＝qEd＝qU＝12m v2－12m v2。
(2)在非匀强电场中：W＝qU＝12m v2－12m v2。
2．带电粒子在匀强电场中的偏转(1)运动情况：带电粒子以初速度v0垂直电场方向进入匀强电场中，则带电粒子在电场中做类平抛运动，如图1所示。
图1(2)处理方法：将带电粒子的运动分解为沿初速度方向的匀速直线运动和沿电场力方向的匀加速直线运动。
根据运动的合成与分解的知识解决有关问题。
(3)基本关系式：运动时间t＝lv0，加速度a＝Fm＝qEm＝qUmd，偏转量y＝12at2＝qUl22md v20，偏转角θ的正切值tan θ＝v yv0＝atv0＝qUlmd v20。
【自测如图2所示，A、B两个带正电的粒子，所带电荷量分别为q1与q2，质量分别为m1和m2。
它们以相同的速度先后垂直于电场线从同一点进入平行板间的匀强电场后，A粒子打在N板上的A′点，B粒子打在N板上的B′点，若不计重力，则()图2A．q1＞q2B．m1＜m2C.q1m1＞q2m2 D.q1m1＜q2m2答案 C解析设粒子垂直电场进入匀强电场的速度为v0，电荷量为q，质量为m，所以加速度a＝qEm，运动时间t＝xv0，偏转位移为y＝12at2，整理得y＝qEx22m v20，显然由于A粒子的水平位移小，则有q1m1＞q2m2，但A粒子的电荷量不一定大，质量关系也不能确定，故A、B、D错误，C正确。
印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会产生较大火花放电，必须采用RC吸收电路来吸收放电电流。
一般R取1~2kΩ，C取2.2~4.7μF一般的10PF左右的电容用来滤除高频的干扰信号,0.1UF左右的用来滤除低频的纹波干扰,还可以起到稳压的作用滤波电容具体选择什么容值要取决于你PCB上主要的工作频率和可能对系统造成影响的谐波频率，可以查一下相关厂商的电容资料或者参考厂商提供的资料库软件，根据具体的需要选择。
至于个数就不一定了，看你的具体需要了，多加一两个也挺好的，暂时没用的可以先不贴，根据实际的调试情况再选择容值。
如果你PCB上主要工作频率比较低的话，加两个电容就可以了，一个虑除纹波，一个虑除高频信号。
如果会出现比较大的瞬时电流，建议再加一个比较大的钽电容。
其实滤波应该也包含两个方面，也就是各位所说的大容值和小容值的，就是去耦和旁路。
原理我就不说了，实用点的，一般数字电路去耦0.1uF即可，用于10M以下；20M以上用1到10个uF，去除高频噪声好些，大概按C=1/f 。
旁路一般就比较的小了，一般根据谐振频率一般为0.1或0.01uF说到电容，各种各样的叫法就会让人头晕目眩，旁路电容，去耦电容，滤波电容等等，其实无论如何称呼，它的原理都是一样的，即利用对交流信号呈现低阻抗的特性，这一点可以通过电容的等效阻抗公式看出来：Xcap=1/2лfC，工作频率越高，电容值越大则电容的阻抗越小.。
在电路中，如果电容起的主要作用是给交流信号提供低阻抗的通路，就称为旁路电容；如果主要是为了增加电源和地的交流耦合，减少交流信号对电源的影响，就可以称为去耦电容；如果用于滤波电路中，那么又可以称为滤波电容；除此以外，对于直流电压，电容器还可作为电路储能，利用冲放电起到电池的作用。
而实际情况中，往往电容的作用是多方面的，我们大可不必花太多的心思考虑如何定义。
本文里，我们统一把这些应用于高速PCB设计中的电容都称为旁路电容.电容的本质是通交流，隔直流，理论上说电源滤波用电容越大越好。
但由于引线和PCB布线原因，实际上电容是电感和电容的并联电路，（还有电容本身的电阻，有时也不可忽略）这就引入了谐振频率的概念：ω=1/(LC)1/2在谐振频率以下电容呈容性，谐振频率以上电容呈感性。
因而一般大电容滤低频波，小电容滤高频波。
这也能解释为什么同样容值的STM封装的电容滤波频率比DIP封装更高。
至于到底用多大的电容，这是一个参考电容谐振频率电容值 DIP (MHz) STM (MHz)1.0μF2.5 50.1μF 8 160.01μF 25 501000pF 80 160100 pF 250 50010 pF 800 1.6(GHz)不过仅仅是参考而已，用老工程师的话说——主要靠经验。
更可靠的做法是将一大一小两个电容并联，一般要求相差两个数量级以上，以获得更大的滤波频段。
一般来讲，大电容滤除低频波，小电容滤除高频波。
电容值和你要滤除频率的平方成反比。
具体电容的选择可以用公式C=4Pi*Pi /(R * f * f )电源滤波电容如何选取，掌握其精髓与方法，其实也不难。
1）理论上理想的电容其阻抗随频率的增加而减少(1/jwc),但由于电容两端引脚的电感效应,这时电容应该看成是一个LC串连谐振电路,自谐振频率即器件的FSR参数,这表示频率大于FSR值时,电容变成了一个电感,如果电容对地滤波,当频率超出FSR后,对干扰的抑制就大打折扣,所以需要一个较小的电容并联对地,可以想想为什么?原因在于小电容,SFR值大,对高频信号提供了一个对地通路,所以在电源滤波电路中我们常常这样理解:大电容虑低频,小电容虑高频,根本的原因在于SFR(自谐振频率)值不同,当然也可以想想为什么?如果从这个角度想,也就可以理解为什么电源滤波中电容对地脚为什么要尽可能靠近地了.2)那么在实际的设计中,我们常常会有疑问,我怎么知道电容的SFR是多少?就算我知道SFR 值,我如何选取不同SFR值的电容值呢?是选取一个电容还是两个电容?电容的SFR值和电容值有关,和电容的引脚电感有关,所以相同容值的0402,0603,或直插式电容的SFR值也不会相同,当然获取SFR值的途径有两个,1)器件Data sheet,如22pf0402电容的SFR值在2G左右, 2)通过网络分析仪直接量测其自谐振频率,想想如何量测?S21?知道了电容的SFR值后,用软件仿真,如RFsim99,选一个或两个电路在于你所供电电路的工作频带是否有足够的噪声抑制比.仿真完后,那就是实际电路试验,如调试手机接收灵敏度时, LNA的电源滤波是关键,好的电源滤波往往可以改善几个dB.耦合电容的选择笔者在制作电路时，使用耦合电容发现很多问题，下面跟大家分享我的经验，由于实际电路拍照比较困难，所以这里只能贴仿真图了，不过它跟实际差不多（在真实硬件上测过）。
电路中常常要用到耦合电容，那么耦合电容应该选多大呢？耦合电容的选择必须电路中的输入信号电压大小、频率及负载电阻来选择，比如电压为5V 那么电容耐压就不能小于5V了，不过本文的重点是讨论容量大小的选择。
那么耦合电容的容量大小应如何选择呢？本质：耦合电容与下一级的输入电阻构成了RC高通滤波器，为了保成输入信号下限频率能通过这一“RC高通滤波器”，RC高通滤波器的下限频率不能高于输入信号的频率。
相当于选择适当的电容来设计一个高通滤波器，以保证输入信号通不衰减通过，所以电容C 可用公式计算出来，下面会给出公式。
我们来看下面一个实验，电路图如下所示，输入信号为频率为1Hz，大小为10mv.可见此输入信号有两个特点，频率很低，幅度又很小。
按照常识，电容容量越大，信号的频率就可以越低，现在的输入信号频率为1Hz，那么耦合电容的容量越大越好吗？请看下面的实验。
实验结果：1.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容先0.4uF测得输入输出波形如下图所示，黄色为输入，绿色为输出。
可见输入信号经过耦合电容后，幅度被严重衰减，由此可知耦合电容选择过小。
耦合电容选择0.1uF-0.5uF期间，输入信号衰减比较严重。
结论：如果电路要求信号耦合之后不能衰减，那么耦合电容就不能小于0.5uF2.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容大于等于0.5uF输出波形如下图所示，可见只要电容大于0.5uF，信号耦合之后就不会有幅度衰减。
那么是不是选择越大越好呢？请看实验33.输入信号频率为1Hz，幅度10mV，负载电阻300K，耦合电容为100uF幅度不出现衰减，但电路反应变得非常缓慢，输入信号后等待10多秒才有输出信号。
刚输入信号的前段时间，电路竟然不工作了，这是为什么呢？主要是因为电容太大充电时间过长，至使输出信号出现延迟，特别是输入信号幅度很小的时个就要特别注意这个问题，否则电路会变得非常缓慢。
总结：把耦合电容加到电路中之后，耦合电容与负载电阻构成了RC高通滤波器，所以我们可根据公式来计算出耦合电容的大小即：f=1/2πRC式中π=3.14R为负载电阻（耦合下一级电路的输入电阻）须估算下一级的输入电阻,f为信号的频率,C就是我们要计算的耦合电容大小如上面实验：负载电阻R=300K 频率为1Hz由f=1/2πRC可计算出C=0.5uf所以C不能低于0.5uf ,可选1uf.主要是根据高通滤波器的下限频率来确定C的容量的。
所以选择耦合电容时要估算出下一级的输入电阻。
提示1.耦合电容容量太小时，低频信号通过耦合电容时就会有严重的衰减，甚至不能通过。
以所制做电路时最好使用信号发生器在耦合电容输入端注入信号，用视波器来观察信号是否被严重衰减。
注意频率和幅度要与实际电路大致相同。
2.耦合电容容量太大时，电路出现延迟。
电路上电后要等待几十秒才有反应,特别是信号幅度很小的时候。
最佳选择:耦合电容容量应选择能保证输入信号经过耦合电容后不出现衰减的最小值容量值。
耐压要看实际工作中，电容两端承受的实际直流电压是多少，如果真的要计算，还要看通过电容的交流信号的数值是多少。
那样比较麻烦，一般留实际承受直流电压的2倍的余量就够用了。
容量有这样一个公式（计算过程一律使用国际单位）：F=1/(2*π*R*C)其中，F是最低截止频率，R是电容后面的负载（对于输入电容就是放大器的输入电阻，对于输出电容就是放大器的负载电阻），C就是耦合电容的数值。
关于电路的耦合问题，通常应该选取多大的电容呢，我在网上查到有这样一种计算公式：F=1/(2*π*R*C)其中，F是最低截止频率，R是电容后面的负载（对于输入电容就是放大器的输入电阻，对于输出电容就是放大器的负载电阻），C就是耦合电容的数值。
但是用这个计算出来和实际电路图上的电容值又相差很大，而且串一电容、并一电阻的组成的应该是一个高通滤波器，所以我还有一点搞不明白的时这个公式里面的频率应该是高通截止频率还是低通截止频率。
所以请大虾指教一下，这个估算方式到底对不对呢，具体应该怎么考虑呢，谢谢大家了低频情况下，选取电容的方法就跟楼主所述的差不多，原则上是越大越好，当然，计算时一般选择下限频率、补偿低频频响，音响电路里面很多时候就是这么干的。
如果还要照顾高频，那就采用两个一大一小电容并联的办法试试看。
一般估算时候采用的低端截止频率要比你需要的最低频率低5－10倍，高频则要选高5－10倍。
还要注意电容的材料和工艺，音频频段常用电解、聚丙烯和涤纶电容，几百K用独石（低频瓷介）的足够了，上兆的就用高频瓷介，30兆以上的最好不用涤纶、低频瓷介和有长引线的铝电解，它们很有可能已经变成电感了。
射频的情况下就复杂一些，最好用半波长谐振腔法，通过做一个陷波器、观察陷波深度来测试电容的等效射频串联电阻ESR，越小越好。
本人试过用微带腔体来做，但是Q值低，测得的数值偏大，一般S波段上，只能测到陷波-30dB的水平、也就是只能测得略小于1欧姆的等效串联电阻。
倘若改用同轴腔体来做、Q值高，有可能将动态范围提高到50－60dB，那就可以测得毫欧姆数量级、够准确了。
不过，这种方法来挑选旁路电容确实是个麻烦事，有现成的微波电容就直接用吧。
一点体会：通过亲身的实验，发现同样大小的0805贴片电容，S波段上，100－300pF标称值的电阻最小，ESR约0.9欧姆（其实都偏大了）；而1000pF和0.1uF（贴片封装为1206）的都比100－300p的差，0.1uF的ESR甚至达到14欧姆。
容量大、体色较深的贴片电容，似乎损耗更大一些，ESR都较浅色的、低容量电容的大。
谢谢楼上的回答，我的理解对不对呢，是不是耦合电容的话和后面的电阻可以看作是一个高通滤波器，旁路电容的话和前面的电阻看成是低通滤波器，设计时电容值的选取要考虑到"比你需要的最低频率低5－10倍，高频则要选高5－10倍"。
